Сторінка 65 з 227

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
RN4911FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4601(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4604(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4607(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4608(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4609(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4610(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4611(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4612(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4901(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4903(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4904(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN4907(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4908(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4909(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4910(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN4911(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN49A1(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
HN1C01FE-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
2SC2859-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2SC2859-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2SC3325-O(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1101CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 50 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1102CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1103CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1104CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1105CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1106CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 50 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1107CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1108CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1109CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1110CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1111CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1112CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1113CT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1101ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1102ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1103ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1104ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1105ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1106ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1107ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1108ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1109ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1111ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1112ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1113ACT(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: CST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1408(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1415(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1416,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1417(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1418(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1110(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
RN1116(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HN1A01FE-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,T	Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн.

RN4911FE(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4601(TE85L,F)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4604(TE85L,F)

RN4604_datasheet_en_20191101.pdf?did=18928&prodName=RN4604

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4607(TE85L,F)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4608(TE85L,F)

RN4608_datasheet_en_20191101.pdf?did=18937&prodName=RN4608

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4609(TE85L,F)

RN4609_datasheet_en_20191101.pdf?did=18939&prodName=RN4609

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4610(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4611(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4612(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4901(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4903(T5L,F,T)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4904(T5L,F,T)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN4907(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4908(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4909(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4910(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN4911(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN49A1(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

HN1C03FU-A(TE85L,F

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

HN1C01FE-Y,LF

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

HN2C01FE-GR(T5L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HN2C01FU-Y(TE85L,F

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

2SC2859-GR(TE85L,F

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SC2859-O(TE85L,F)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2SC3325-O(TE85L,F)

2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1101CT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1102CT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1103CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1104CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1105CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1106CT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 50 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1107CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1108CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1109CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1110CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1111CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1112CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1113CT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1101ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1102ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1103ACT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1104ACT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1105ACT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1106ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1107ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1108ACT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1109ACT(TPL3)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1111ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1112ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1113ACT(TPL3)

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1408(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1415(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1415

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1416,LF

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1417(TE85L,F)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1417

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1418(TE85L,F)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RN1110(T5L,F,T)

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RN1116(TE85L,F)

RN1116_datasheet_en_20210830.pdf?did=18763&prodName=RN1116

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

HN1A01FE-Y(T5L,F,T

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.