Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 67 з 226
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN1113ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| RN1408(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
RN1415(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN1416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINIResistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN1417(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN1418(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN1116(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMPackage / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
HN1A01FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 100mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| HN1A01FE-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
HN2A01FE-GR(TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
HN2A01FE-Y(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
2SA1618-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMVPart Status: Active Supplier Device Package: SMV Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 300mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74A, SOT-753 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SA1587-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 100 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
2SA1182-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
2SA1182-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3Part Status: Obsolete Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 50 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2104CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2105CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2106CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2107CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2108CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2109CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2113CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RN2104ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2105ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RN2106ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RN2111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RN2112ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RN2113ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA Part Status: Active Supplier Device Package: CST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| RN2409(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||
|
RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSMResistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2103(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSMResistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2104(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2105(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2106(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2107(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2108(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2109(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2111(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2113(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2114(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2115(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2116(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2117(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
RN2118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
HN1B04F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
HN1B04FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 100mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HN1B04FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 100mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN1113ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1408(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
Description: TRAN NPN S-MINI 50V 100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN1415(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
| RN1416,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN1417(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.
| RN1418(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1110(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN1116(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HN1A01FE-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN1A01FE-Y(T5L,F,T |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN2A01FE-GR(TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN2A01FE-Y(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1618-Y(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.02 грн |
| 2SA1587-BL,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1182-GR(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1182-O(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2101CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2102CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2103CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2104CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2105CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2106CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2107CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2108CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2109CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2110CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2111CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2112CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2113CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2101ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2102ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2103ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.14 грн |
| RN2104ACT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2105ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.14 грн |
| RN2106ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.14 грн |
| RN2110ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.73 грн |
| RN2111ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.31 грн |
| RN2112ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.14 грн |
| RN2113ACT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.14 грн |
| RN2409(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
Description: TRAN PNP S-MINI -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2101,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2103(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2104(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2105(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2106(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2107(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2108(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2109(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2110(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2111(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2112(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2113(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2114(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2115(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2116(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
Description: TRAN PNP SSM -50V -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2117(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2118(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN1B04F(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN1B04FE-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 4.12 грн |
| HN1B04FE-Y,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
















