Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11841) > Сторінка 115 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.42 грн
9000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3429edv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG412DQ-T1-E3 DG412DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2374ds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
15+20.87 грн
50+15.10 грн
100+12.40 грн
500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302dds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 43369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.10 грн
12+26.44 грн
50+19.24 грн
100+15.86 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2309es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
10+38.55 грн
100+26.83 грн
500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4463cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.60 грн
10+65.37 грн
50+48.77 грн
100+40.75 грн
500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj431ep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.06 грн
10+141.48 грн
100+97.88 грн
500+74.35 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2389es.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.65 грн
100+28.55 грн
500+20.69 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+38.93 грн
100+25.25 грн
500+18.15 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3127dv.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 86480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+29.33 грн
100+18.90 грн
500+13.50 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 SI3443DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3443ddv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
15+20.87 грн
100+13.23 грн
500+9.31 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2315es.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
15+21.64 грн
100+18.78 грн
500+14.52 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3 SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz342dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+54.09 грн
100+37.58 грн
500+28.30 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 SQ2337ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2337es.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.91 грн
10+48.07 грн
100+31.46 грн
500+22.80 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2351es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.31 грн
10+36.72 грн
100+27.39 грн
500+20.19 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.13 грн
10+161.44 грн
100+112.51 грн
500+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.34 грн
10+161.06 грн
50+124.14 грн
100+105.34 грн
500+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3 SQD50N10-8m9L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n10-8m9l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.28 грн
100+78.11 грн
500+58.79 грн
1000+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4590dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.94 грн
10+102.77 грн
50+78.00 грн
100+65.67 грн
500+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3429edv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+31.46 грн
50+22.99 грн
100+18.99 грн
500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-GE3 SIHD12N50E-GE3 Vishay Siliconix sihd12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.34 грн
100+79.61 грн
500+59.97 грн
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG412DQ-T1-E3 DG412DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.50 грн
10+95.38 грн
25+86.76 грн
100+72.54 грн
250+68.32 грн
500+65.77 грн
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG201HSDY-T1-E3 DG201HSDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201hs.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.51 грн
10+283.18 грн
25+261.35 грн
100+222.82 грн
250+213.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2731DQ-T1-E3 DG2731DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 73484.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 450MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 450mOhm
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -75dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 30mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 110ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 104pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG401DY-T1-E3 DG401DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg401.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX2 45OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.82 грн
10+61.25 грн
25+55.49 грн
100+46.05 грн
250+43.19 грн
500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417DY-T1-E3 DG417DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
10+109.78 грн
25+100.11 грн
100+83.93 грн
250+79.16 грн
500+76.29 грн
1000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418DY-T1-E3 DG418DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.73 грн
10+119.54 грн
25+109.10 грн
100+91.70 грн
250+86.59 грн
500+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LDQ-T1-E3 DG418LDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG417-419L.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 20OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG506BEW-T1-GE3 DG506BEW-T1-GE3 Vishay Siliconix dg506b.pdf Description: IC MUX 16:1 300OHM 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 114MHz
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.66 грн
10+244.94 грн
25+225.63 грн
100+191.81 грн
250+182.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG507BEW-T1-GE3 DG507BEW-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg507bew-t1-ge3.pdf Description: IC MUX DUAL 8:1 300OHM 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -84dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.66 грн
10+244.94 грн
25+225.63 грн
100+191.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9415DQ-T1-E3 DG9415DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9414.pdf Description: IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.95 грн
10+90.66 грн
50+68.45 грн
100+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.95 грн
10+172.18 грн
50+133.17 грн
100+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf830a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.23 грн
10+143.92 грн
50+110.41 грн
100+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Vishay Siliconix sihf830s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.23 грн
10+143.92 грн
50+110.41 грн
100+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.69 грн
10+187.95 грн
50+145.87 грн
100+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF Vishay Siliconix sihf840s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.34 грн
10+161.59 грн
50+124.69 грн
100+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Vishay Siliconix sihf9510.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.96 грн
10+125.25 грн
50+95.67 грн
100+80.84 грн
500+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBF IRF9640STRRPBF Vishay Siliconix IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.41 грн
10+215.53 грн
50+167.82 грн
100+134.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.56 грн
10+101.56 грн
50+77.01 грн
100+64.83 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF Vishay Siliconix sihfr430.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.25 грн
10+119.46 грн
100+81.92 грн
500+61.83 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBF IRFR9220TRLPBF Vishay Siliconix sihfr922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.90 грн
10+140.03 грн
100+96.82 грн
500+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024PBF IRLR024PBF Vishay Siliconix sihlr024.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013cx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 35632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.14 грн
50+12.31 грн
100+10.09 грн
500+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3 SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1034cx.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
15+21.10 грн
100+13.39 грн
500+9.43 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1411dh.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.31 грн
10+58.89 грн
100+38.88 грн
500+28.42 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1443edh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 64550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.80 грн
10+32.30 грн
50+23.62 грн
100+19.53 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3 SI2307BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.67 грн
10+39.62 грн
100+25.80 грн
500+18.63 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2315bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 14431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.33 грн
10+47.24 грн
100+30.89 грн
500+22.37 грн
1000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2324ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
14+21.79 грн
100+18.28 грн
500+16.46 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343ds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+44.19 грн
100+28.83 грн
500+20.85 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2366ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
12+27.43 грн
100+18.82 грн
500+14.72 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447CDV-T1-E3 SI3447CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3447cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3 SI4048DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4048dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3 SI4134DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+55.46 грн
50+41.11 грн
100+34.22 грн
500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3 SI4427BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4427bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 sqj402ep.pdf
SQJ402EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.42 грн
9000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
SI3429EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG412DQ-T1-E3 dg411.pdf
DG412DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
15+20.87 грн
50+15.10 грн
100+12.40 грн
500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 43369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.10 грн
12+26.44 грн
50+19.24 грн
100+15.86 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 sq2309es.pdf
SQ2309ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.68 грн
10+38.55 грн
100+26.83 грн
500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.60 грн
10+65.37 грн
50+48.77 грн
100+40.75 грн
500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 sqj431ep.pdf
SQJ431EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.06 грн
10+141.48 грн
100+97.88 грн
500+74.35 грн
1000+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 sq2389es.pdf
SQ2389ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.79 грн
10+43.65 грн
100+28.55 грн
500+20.69 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 sq2318aes.pdf
SQ2318AES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.88 грн
10+38.93 грн
100+25.25 грн
500+18.15 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 si3127dv.pdf
SI3127DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 86480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
11+29.33 грн
100+18.90 грн
500+13.50 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 si3443ddv.pdf
SI3443DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.81 грн
15+20.87 грн
100+13.23 грн
500+9.31 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 sq2315es.pdf
SQ2315ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.69 грн
15+21.64 грн
100+18.78 грн
500+14.52 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3 siz342dt.pdf
SIZ342DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+54.09 грн
100+37.58 грн
500+28.30 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 sq2337es.pdf
SQ2337ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.91 грн
10+48.07 грн
100+31.46 грн
500+22.80 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 sq2351es.pdf
SQ2351ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.31 грн
10+36.72 грн
100+27.39 грн
500+20.19 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-25L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.13 грн
10+161.44 грн
100+112.51 грн
500+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.34 грн
10+161.06 грн
50+124.14 грн
100+105.34 грн
500+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3 sqd50n10-8m9l.pdf
SQD50N10-8m9L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.34 грн
10+114.28 грн
100+78.11 грн
500+58.79 грн
1000+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 si4590dy.pdf
SI4590DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 sqj402ep.pdf
SQJ402EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.94 грн
10+102.77 грн
50+78.00 грн
100+65.67 грн
500+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
SI3429EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.22 грн
10+31.46 грн
50+22.99 грн
100+18.99 грн
500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD12N50E-GE3 sihd12n50e.pdf
SIHD12N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+116.34 грн
100+79.61 грн
500+59.97 грн
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG412DQ-T1-E3 dg411.pdf
DG412DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 35OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.50 грн
10+95.38 грн
25+86.76 грн
100+72.54 грн
250+68.32 грн
500+65.77 грн
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG201HSDY-T1-E3 dg201hs.pdf
DG201HSDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+384.51 грн
10+283.18 грн
25+261.35 грн
100+222.82 грн
250+213.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2731DQ-T1-E3 73484.pdf
DG2731DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 450MOHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 450mOhm
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -75dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 30mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 110ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 104pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG401DY-T1-E3 dg401.pdf
DG401DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX2 45OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.82 грн
10+61.25 грн
25+55.49 грн
100+46.05 грн
250+43.19 грн
500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG417DY-T1-E3 dg417.pdf
DG417DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.28 грн
10+109.78 грн
25+100.11 грн
100+83.93 грн
250+79.16 грн
500+76.29 грн
1000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418DY-T1-E3 dg417.pdf
DG418DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.73 грн
10+119.54 грн
25+109.10 грн
100+91.70 грн
250+86.59 грн
500+84.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LDQ-T1-E3 DG417-419L.pdf
DG418LDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 20OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG506BEW-T1-GE3 dg506b.pdf
DG506BEW-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 300OHM 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 114MHz
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 13pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.66 грн
10+244.94 грн
25+225.63 грн
100+191.81 грн
250+182.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG507BEW-T1-GE3 tf-dg507bew-t1-ge3.pdf
DG507BEW-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX DUAL 8:1 300OHM 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -84dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.66 грн
10+244.94 грн
25+225.63 грн
100+191.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG9415DQ-T1-E3 dg9414.pdf
DG9415DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.95 грн
10+90.66 грн
50+68.45 грн
100+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.95 грн
10+172.18 грн
50+133.17 грн
100+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.23 грн
10+143.92 грн
50+110.41 грн
100+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830STRLPBF sihf830s.pdf
IRF830STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.23 грн
10+143.92 грн
50+110.41 грн
100+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.69 грн
10+187.95 грн
50+145.87 грн
100+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
IRF840STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.34 грн
10+161.59 грн
50+124.69 грн
100+105.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description sihf9510.pdf
IRF9510SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.96 грн
10+125.25 грн
50+95.67 грн
100+80.84 грн
500+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRRPBF IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
IRF9640STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+339.41 грн
10+215.53 грн
50+167.82 грн
100+134.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF sihfr320.pdf
IRFR320TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
IRFR420ATRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.56 грн
10+101.56 грн
50+77.01 грн
100+64.83 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
IRFR430ATRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.25 грн
10+119.46 грн
100+81.92 грн
500+61.83 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBF sihfr922.pdf
IRFR9220TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.90 грн
10+140.03 грн
100+96.82 грн
500+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024PBF description sihlr024.pdf
IRLR024PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 35632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.27 грн
18+17.14 грн
50+12.31 грн
100+10.09 грн
500+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3 si1034cx.pdf
SI1034CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
15+21.10 грн
100+13.39 грн
500+9.43 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3 si1411dh.pdf
SI1411DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.31 грн
10+58.89 грн
100+38.88 грн
500+28.42 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 64550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.80 грн
10+32.30 грн
50+23.62 грн
100+19.53 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307BDS-T1-GE3 si2307bd.pdf
SI2307BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.67 грн
10+39.62 грн
100+25.80 грн
500+18.63 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
SI2315BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 14431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.33 грн
10+47.24 грн
100+30.89 грн
500+22.37 грн
1000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.48 грн
14+21.79 грн
100+18.28 грн
500+16.46 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
SI2343DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.58 грн
10+44.19 грн
100+28.83 грн
500+20.85 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.14 грн
12+27.43 грн
100+18.82 грн
500+14.72 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447CDV-T1-E3 si3447cd.pdf
SI3447CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3 si4048dy.pdf
SI4048DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.77 грн
10+55.46 грн
50+41.11 грн
100+34.22 грн
500+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-GE3 si4427bd.pdf
SI4427BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]