Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11118) > Сторінка 116 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4101dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.25 грн
10+61.73 грн
100+40.12 грн
500+30.17 грн
1000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4447ad.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.54 грн
10+41.29 грн
100+26.88 грн
500+19.40 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 SIA441DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia441dj.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.00 грн
10+40.56 грн
100+26.39 грн
500+19.05 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ADW-T1-E3 DG333ADW-T1-E3 Vishay Siliconix dg333a.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.91 грн
10+265.60 грн
25+244.87 грн
100+208.41 грн
250+198.22 грн
500+192.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBF IRF620STRLPBF Vishay Siliconix sihf620s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.59 грн
10+124.67 грн
100+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF Vishay Siliconix sihf840s.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.59 грн
10+160.97 грн
100+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBF IRF9620STRLPBF Vishay Siliconix sihf9620.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.22 грн
10+152.76 грн
100+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBF IRFR214TRPBF Vishay Siliconix sihfr214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.82 грн
10+84.91 грн
100+66.03 грн
500+52.53 грн
1000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4554dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.58 грн
10+50.71 грн
100+33.31 грн
500+24.25 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 18839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.62 грн
10+94.73 грн
100+63.90 грн
500+47.55 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.94 грн
11+29.94 грн
100+20.82 грн
500+15.25 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 SQD50P06-15L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.83 грн
10+177.63 грн
100+124.62 грн
500+104.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 SQM120P06-07L_GE3 Vishay Siliconix sqm120p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.74 грн
10+224.88 грн
100+159.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.60 грн
10+69.86 грн
100+54.34 грн
500+43.23 грн
1000+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3 SUM110N04-2M1P-E3 Vishay Siliconix sum110n0.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2399ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.45 грн
11+31.23 грн
100+21.68 грн
500+15.89 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.24 грн
19+16.98 грн
100+11.98 грн
500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3 SI3457CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.12 грн
11+30.75 грн
100+22.05 грн
500+17.78 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3 Si3590DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.80 грн
10+62.38 грн
100+41.21 грн
500+30.13 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3993CDV.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.16 грн
10+32.92 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+63.50 грн
100+42.56 грн
500+33.43 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 Vishay Siliconix sip32510.pdf Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 TSOT23-6
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.91 грн
19+17.14 грн
25+15.29 грн
100+12.37 грн
250+11.44 грн
500+10.87 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348es.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 DG612EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 DG2517EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 DG2517EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2517.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2523DN-T1-GE4 DG2523DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2523.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 550MOHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 550mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDY-GE3 DG9232EDY-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9234EDQ-T1-GE3 DG9234EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX2 25OHM 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9454EEN-T1-GE4 DG9454EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix vis-dg9454een-t1-ge4.pdf Description: IC SW SPDTX3 103OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 103Ohm
-3db Bandwidth: 356MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Charge Injection: 5.84pC
Crosstalk: -73dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.24Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 110ns, 91ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.1pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9454EEN-T1-GE4 DG9454EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix vis-dg9454een-t1-ge4.pdf Description: IC SW SPDTX3 103OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 103Ohm
-3db Bandwidth: 356MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Charge Injection: 5.84pC
Crosstalk: -73dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.24Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 110ns, 91ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.1pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.67 грн
10+79.36 грн
25+71.99 грн
100+59.96 грн
250+56.33 грн
500+54.15 грн
1000+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG9234EDQ-T1-GE3 DG9234EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX2 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEN-T1-GE4 DG1412EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+277.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG2525DN-T1-GE4 DG2525DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2525.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.65 грн
6000+38.26 грн
9000+37.82 грн
15000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 DG9431EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9431e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.91 грн
5000+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SiC462ED-T1-GE3 SiC462ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiC462ED-T1-GE3 SiC462ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.65 грн
10+242.66 грн
25+223.30 грн
100+189.58 грн
250+180.04 грн
500+174.30 грн
1000+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb35n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.37 грн
6000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.40 грн
10+118.64 грн
100+81.08 грн
500+61.03 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4128BDY.pdf Description: MOSFET N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2374ds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+6.61 грн
9000+6.26 грн
15000+5.52 грн
21000+5.30 грн
30000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302dds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
6000+8.86 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2309es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.69 грн
6000+15.26 грн
9000+14.17 грн
30000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4463cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.04 грн
5000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj431ep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2389es.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
6000+14.58 грн
9000+13.92 грн
15000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3127dv.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+10.91 грн
9000+10.40 грн
15000+9.22 грн
21000+8.90 грн
30000+8.59 грн
75000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 SI3443DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3443ddv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
6000+5.96 грн
9000+5.65 грн
15000+4.97 грн
21000+4.77 грн
30000+4.58 грн
75000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2315es.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
6000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3 SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz342dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.97 грн
6000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 SQ2337ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2337es.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.92 грн
6000+18.59 грн
9000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2351es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 SQD50P08-25L_GE3 Vishay Siliconix sqd50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqd40p10-40l.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3 SQD50N10-8m9L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n10-8m9l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.72 грн
4000+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4590dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 SQJ402EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj402ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.36 грн
6000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3429edv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3 si4101dy.pdf
SI4101DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.25 грн
10+61.73 грн
100+40.12 грн
500+30.17 грн
1000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 20 V
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.54 грн
10+41.29 грн
100+26.88 грн
500+19.40 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
SIA441DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.00 грн
10+40.56 грн
100+26.39 грн
500+19.05 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ADW-T1-E3 dg333a.pdf
DG333ADW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.91 грн
10+265.60 грн
25+244.87 грн
100+208.41 грн
250+198.22 грн
500+192.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620STRLPBF sihf620s.pdf
IRF620STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.59 грн
10+124.67 грн
100+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF sihf840s.pdf
IRF840STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.59 грн
10+160.97 грн
100+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620STRLPBF sihf9620.pdf
IRF9620STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.22 грн
10+152.76 грн
100+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBF sihfr214.pdf
IRFR214TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.82 грн
10+84.91 грн
100+66.03 грн
500+52.53 грн
1000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4554DY-T1-GE3 si4554dy.pdf
SI4554DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.58 грн
10+50.71 грн
100+33.31 грн
500+24.25 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 18839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.62 грн
10+94.73 грн
100+63.90 грн
500+47.55 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR172ADP-T1-GE3 sir172adp.pdf
SIR172ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.94 грн
11+29.94 грн
100+20.82 грн
500+15.25 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P06-15L_GE3 sqd50p06.pdf
SQD50P06-15L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.83 грн
10+177.63 грн
100+124.62 грн
500+104.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM120P06-07L_GE3 sqm120p06-07l.pdf
SQM120P06-07L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.74 грн
10+224.88 грн
100+159.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.60 грн
10+69.86 грн
100+54.34 грн
500+43.23 грн
1000+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3 sum110n0.pdf
SUM110N04-2M1P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.45 грн
11+31.23 грн
100+21.68 грн
500+15.89 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
SI3424CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.24 грн
19+16.98 грн
100+11.98 грн
500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-E3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.12 грн
11+30.75 грн
100+22.05 грн
500+17.78 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3590DV-T1-GE3 si3590dv.pdf
Si3590DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
10+62.38 грн
100+41.21 грн
500+30.13 грн
1000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993CDV-T1-GE3 Si3993CDV.PDF
SI3993CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.16 грн
10+32.92 грн
100+21.22 грн
500+15.18 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.76 грн
10+63.50 грн
100+42.56 грн
500+33.43 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 TSOT23-6
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 46mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.2V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.91 грн
19+17.14 грн
25+15.29 грн
100+12.37 грн
250+11.44 грн
500+10.87 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 sq2348es.pdf
SQ2348ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEN-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDN-T1-GE4 dg2517.pdf
DG2517EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2517EDQ-T1-GE3 dg2517.pdf
DG2517EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2523DN-T1-GE4 dg2523.pdf
DG2523DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT X 2 550MOHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 550mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDY-GE3 dg9232e.pdf
DG9232EDY-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9234EDQ-T1-GE3 dg9232e.pdf
DG9234EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX2 25OHM 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9454EEN-T1-GE4 vis-dg9454een-t1-ge4.pdf
DG9454EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX3 103OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 103Ohm
-3db Bandwidth: 356MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Charge Injection: 5.84pC
Crosstalk: -73dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.24Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 110ns, 91ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.1pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9454EEN-T1-GE4 vis-dg9454een-t1-ge4.pdf
DG9454EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX3 103OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 103Ohm
-3db Bandwidth: 356MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Charge Injection: 5.84pC
Crosstalk: -73dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.24Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 110ns, 91ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.1pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.67 грн
10+79.36 грн
25+71.99 грн
100+59.96 грн
250+56.33 грн
500+54.15 грн
1000+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG9234EDQ-T1-GE3 dg9232e.pdf
DG9234EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX2 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 5.5V
Charge Injection: -0.78pC
Crosstalk: -108dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+277.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG2525DN-T1-GE4 dg2525.pdf
DG2525DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 310MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19pC
Crosstalk: -61dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60µs, 1µs
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.65 грн
6000+38.26 грн
9000+37.82 грн
15000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 dg9431e.pdf
DG9431EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.91 грн
5000+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SiC462ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SiC462ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiC462ED-T1-GE3 sic46x.pdf
SiC462ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 60V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 55.2V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.65 грн
10+242.66 грн
25+223.30 грн
100+189.58 грн
250+180.04 грн
500+174.30 грн
1000+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.37 грн
6000+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.40 грн
10+118.64 грн
100+81.08 грн
500+61.03 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128BDY-T1-GE3 SI4128BDY.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.56 грн
6000+6.61 грн
9000+6.26 грн
15000+5.52 грн
21000+5.30 грн
30000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 si2302dds.pdf
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.09 грн
6000+8.86 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 sq2309es.pdf
SQ2309ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.69 грн
6000+15.26 грн
9000+14.17 грн
30000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.04 грн
5000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3 sqj431ep.pdf
SQJ431EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 sq2389es.pdf
SQ2389ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 sq2318aes.pdf
SQ2318AES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.48 грн
6000+14.58 грн
9000+13.92 грн
15000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3127DV-T1-GE3 si3127dv.pdf
SI3127DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.38 грн
6000+10.91 грн
9000+10.40 грн
15000+9.22 грн
21000+8.90 грн
30000+8.59 грн
75000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-GE3 si3443ddv.pdf
SI3443DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.83 грн
6000+5.96 грн
9000+5.65 грн
15000+4.97 грн
21000+4.77 грн
30000+4.58 грн
75000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3 sq2315es.pdf
SQ2315ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.27 грн
6000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3 siz342dt.pdf
SIZ342DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.97 грн
6000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3 sq2337es.pdf
SQ2337ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.92 грн
6000+18.59 грн
9000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 sq2351es.pdf
SQ2351ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-25L_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-25L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40P10-40L_GE3 sqd40p10-40l.pdf
SQD40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N10-8m9L_GE3 sqd50n10-8m9l.pdf
SQD50N10-8m9L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+57.72 грн
4000+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3 si4590dy.pdf
SI4590DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3 sqj402ep.pdf
SQJ402EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.36 грн
6000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
SI3429EDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]