Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11819) > Сторінка 118 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SiUD403ED-T1-GE3 SiUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud403ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+17.05 грн
100+10.75 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud412ed.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 102042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.35 грн
100+10.90 грн
500+7.62 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 SiRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
10+95.58 грн
100+65.08 грн
500+48.83 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisb46dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.44 грн
100+37.91 грн
500+27.70 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij494dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+54.30 грн
100+48.42 грн
500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira24dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+47.41 грн
100+35.95 грн
500+27.88 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa24dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+66.71 грн
100+44.39 грн
500+32.70 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 SiSA96DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa96dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+33.28 грн
100+21.49 грн
500+15.38 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 SiRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
13+24.01 грн
100+17.52 грн
500+14.15 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Si5448DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5448du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+136.79 грн
100+94.69 грн
500+71.98 грн
1000+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 SiR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.53 грн
10+151.82 грн
100+105.76 грн
500+80.76 грн
1000+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 SiR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
10+143.74 грн
100+99.59 грн
500+75.72 грн
1000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 SiR632DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir632dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.51 грн
100+56.97 грн
500+42.39 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 SiR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir692dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+113.68 грн
100+77.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEN-T1-GE4 DG1412EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.21 грн
10+401.23 грн
25+371.84 грн
100+318.65 грн
250+310.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_GE3 SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.52 грн
6000+36.46 грн
9000+35.15 грн
15000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60030E_GE3 SQM60030E_GE3 Vishay Siliconix sqm60030e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix sup40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
50+109.41 грн
100+93.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Vishay Siliconix sum80090e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.94 грн
1600+92.60 грн
2400+89.27 грн
4000+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Vishay Siliconix sum90140e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2592DN1-T1-GE4 DG2592DN1-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2592.pdf Description: IC DETECTION SWITCH 1-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Function: Detection Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Applications: Consumer Audio
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.59 грн
6000+17.41 грн
9000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3426ev.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.51 грн
6000+18.71 грн
9000+17.33 грн
30000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.84 грн
9000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3 SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj423ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.31 грн
6000+28.96 грн
9000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj403beep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3 SQJ148EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj148ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3 SQJ946EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj946ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb40ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.88 грн
6000+33.14 грн
9000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj974ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ990EP-T1_GE3 SQJ990EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj990ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3 SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1912eh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
6000+8.98 грн
9000+8.54 грн
15000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3 SQJQ100E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq100e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+91.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja00ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.51 грн
6000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja86ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3 SQJA94EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja94ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3 SQJA96EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja96ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja92ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3 SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb42ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65EF-GE3 SIHG24N65EF-GE3 Vishay Siliconix sihg24n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3 SiHG44N65EF-GE3 Vishay Siliconix sihg44n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5892 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG61N65EF-GE3 SIHG61N65EF-GE3 Vishay Siliconix sihg61n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 SiHA14N60E-E3 Vishay Siliconix siha14n60e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd14n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+137.23 грн
75+98.99 грн
150+84.13 грн
525+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.25 грн
25+334.45 грн
50+305.04 грн
100+263.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-GE3 SIHP14N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp14n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA24N65EF-E3 SiHA24N65EF-E3 Vishay Siliconix siha24n65ef.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA25N60EFL-E3 SiHA25N60EFL-E3 Vishay Siliconix siha25n60efl.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60E-GE3 SIHF35N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf35n60e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3 SIHG25N60EFL-GE3 Vishay Siliconix sihg25n60efl.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3 SIHG35N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg35n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.72 грн
25+369.90 грн
50+337.96 грн
100+291.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N60EFL-GE3 SIHP25N60EFL-GE3 Vishay Siliconix sihp25n60efl.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3 SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp35n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp38n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.94 грн
50+295.81 грн
100+271.67 грн
500+215.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3 siud403ed.pdf
SiUD403ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.74 грн
18+17.05 грн
100+10.75 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 siud412ed.pdf
SiUD412ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 102042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.51 грн
18+17.35 грн
100+10.90 грн
500+7.62 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
SiRC16DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.33 грн
10+95.58 грн
100+65.08 грн
500+48.83 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 sisb46dn.pdf
SISB46DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.53 грн
10+57.44 грн
100+37.91 грн
500+27.70 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SiJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.68 грн
10+54.30 грн
100+48.42 грн
500+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 sira24dp.pdf
SIRA24DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.00 грн
10+47.41 грн
100+35.95 грн
500+27.88 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 sisa24dn.pdf
SISA24DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.51 грн
10+66.71 грн
100+44.39 грн
500+32.70 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 sisa96dn.pdf
SiSA96DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.14 грн
10+33.28 грн
100+21.49 грн
500+15.38 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Si3493DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 sira88dp.pdf
SiRA88DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
13+24.01 грн
100+17.52 грн
500+14.15 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
Si5448DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.23 грн
10+136.79 грн
100+94.69 грн
500+71.98 грн
1000+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 sir680dp.pdf
SiR680DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.53 грн
10+151.82 грн
100+105.76 грн
500+80.76 грн
1000+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 sir668dp.pdf
SiR668DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.88 грн
10+143.74 грн
100+99.59 грн
500+75.72 грн
1000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 sir632dp.pdf
SiR632DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.46 грн
10+84.51 грн
100+56.97 грн
500+42.39 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
SiR692DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.29 грн
10+113.68 грн
100+77.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+538.21 грн
10+401.23 грн
25+371.84 грн
100+318.65 грн
250+310.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T1_GE3 sqj459ep.pdf
SQJ459EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.52 грн
6000+36.46 грн
9000+35.15 грн
15000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60030E_GE3 sqm60030e.pdf
SQM60030E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+131.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40010EL-GE3 sup40010el.pdf
SUP40010EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.68 грн
50+109.41 грн
100+93.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
SUM80090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+102.94 грн
1600+92.60 грн
2400+89.27 грн
4000+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 sum90140e.pdf
SUM90140E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2592DN1-T1-GE4 dg2592.pdf
DG2592DN1-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC DETECTION SWITCH 1-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Function: Detection Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Applications: Consumer Audio
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Part Status: Active
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 sq2319ads.pdf
SQ2319ADS-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.59 грн
6000+17.41 грн
9000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3 sq3426ev.pdf
SQ3426EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.51 грн
6000+18.71 грн
9000+17.33 грн
30000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ457EP-T1_GE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.84 грн
9000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3 sqj423ep.pdf
SQJ423EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.31 грн
6000+28.96 грн
9000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 sqj403beep.pdf
SQJ403BEEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3 sqj148ep.pdf
SQJ148EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.98 грн
6000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3 sqj946ep.pdf
SQJ946EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB40EP-T1_GE3 sqjb40ep.pdf
SQJB40EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.88 грн
6000+33.14 грн
9000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 sqj974ep.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ990EP-T1_GE3 sqj990ep.pdf
SQJ990EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3 sq1912eh.pdf
SQ1912EH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.22 грн
6000+8.98 грн
9000+8.54 грн
15000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3 sqjq100e.pdf
SQJQ100E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+91.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep.pdf
SQJA00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.51 грн
6000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA94EP-T1_GE3 sqja94ep.pdf
SQJA94EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA96EP-T1_GE3 sqja96ep.pdf
SQJA96EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 sqja92ep.pdf
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB42EP-T1_GE3 sqjb42ep.pdf
SQJB42EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65EF-GE3 sihg24n65ef.pdf
SIHG24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
SiHG44N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5892 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG61N65EF-GE3 sihg61n65ef.pdf
SIHG61N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA14N60E-E3 siha14n60e.pdf
SiHA14N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.79 грн
10+137.23 грн
75+98.99 грн
150+84.13 грн
525+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+583.25 грн
25+334.45 грн
50+305.04 грн
100+263.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-GE3 sihp14n60e.pdf
SIHP14N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA24N65EF-E3 siha24n65ef.pdf
SiHA24N65EF-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHA25N60EFL-E3 siha25n60efl.pdf
SiHA25N60EFL-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60E-GE3 sihf35n60e.pdf
SIHF35N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N60EFL-GE3 sihg25n60efl.pdf
SIHG25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG35N60E-GE3 sihg35n60e.pdf
SIHG35N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+640.72 грн
25+369.90 грн
50+337.96 грн
100+291.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N60EFL-GE3 sihp25n60efl.pdf
SIHP25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3 sihp35n60e.pdf
SIHP35N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+566.94 грн
50+295.81 грн
100+271.67 грн
500+215.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]