Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11800) > Сторінка 118 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQS484EN-T1_GE3 SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs484en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 14249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.84 грн
10+67.65 грн
100+52.71 грн
500+40.87 грн
1000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3 SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix sud35n10-26p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.41 грн
50+206.06 грн
100+205.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN2404K-T1-GE3 TN2404K-T1-GE3 Vishay Siliconix tn2404k.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.37 грн
10+52.39 грн
100+34.67 грн
500+25.35 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira20dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq480e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.04 грн
4000+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira20dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.84 грн
10+87.94 грн
100+59.62 грн
500+44.55 грн
1000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq480e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.81 грн
10+182.58 грн
100+128.33 грн
500+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH28N60E-T1-GE3 SIHH28N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh28n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 SiR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp.pdf Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.09 грн
6000+33.34 грн
9000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir606dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia468dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 Si5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5948du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirb40dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.73 грн
6000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 Si7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7111edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.13 грн
6000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 SiA928DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia928dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira60dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.52 грн
6000+39.00 грн
9000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615cdn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.35 грн
6000+15.40 грн
9000+14.73 грн
15000+13.12 грн
21000+12.70 грн
30000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3 SiUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud403ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud412ed.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+5.82 грн
9000+5.04 грн
30000+4.64 грн
75000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 SiRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.38 грн
6000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisb46dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij494dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira24dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.96 грн
6000+22.03 грн
9000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa24dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 SiSA96DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa96dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.21 грн
6000+11.67 грн
9000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 SiRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Si5448DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5448du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 SiR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.79 грн
6000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 SiR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 SiR632DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir632dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.31 грн
6000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 SiR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir692dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 SiR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp.pdf Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 11821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.04 грн
10+82.76 грн
100+55.74 грн
500+41.44 грн
1000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 SIR606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir606dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.16 грн
10+83.58 грн
100+65.00 грн
500+51.70 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia468dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+42.77 грн
100+31.93 грн
500+23.55 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 Si5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5948du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.15 грн
10+44.80 грн
100+29.30 грн
500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 SIRB40DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirb40dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 8697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.94 грн
10+78.47 грн
100+58.07 грн
500+43.22 грн
1000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 Si7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7111edn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.67 грн
10+56.83 грн
100+37.58 грн
500+27.49 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 SiA928DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia928dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.18 грн
11+29.46 грн
100+18.99 грн
500+13.56 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira60dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.03 грн
10+80.95 грн
100+63.00 грн
500+50.11 грн
1000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 SI7615CDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615cdn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 43339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.03 грн
10+42.47 грн
100+27.72 грн
500+20.05 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3 SiUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud403ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.88 грн
18+17.14 грн
100+10.80 грн
500+7.55 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 SiUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud412ed.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.13 грн
13+23.68 грн
100+11.96 грн
500+9.15 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 SiRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sirc16dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.11 грн
10+96.06 грн
100+65.41 грн
500+49.08 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisb46dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+57.73 грн
100+38.10 грн
500+27.84 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij494dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.01 грн
10+54.57 грн
100+48.66 грн
500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira24dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.37 грн
10+47.66 грн
100+36.13 грн
500+28.02 грн
1000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 SISA24DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa24dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.06 грн
10+67.05 грн
100+44.62 грн
500+32.86 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 SiSA96DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa96dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+33.45 грн
100+21.60 грн
500+15.46 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 Si3493DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 SiRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.91 грн
13+24.13 грн
100+17.61 грн
500+14.22 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Si5448DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5448du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.99 грн
10+106.06 грн
100+79.92 грн
500+60.48 грн
1000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 SiR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.88 грн
10+154.54 грн
100+107.63 грн
500+82.20 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 SiR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.05 грн
10+144.47 грн
100+100.09 грн
500+76.10 грн
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 SiR632DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir632dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.01 грн
10+78.55 грн
100+52.97 грн
500+39.42 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 SiR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir692dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.26 грн
10+103.13 грн
100+70.54 грн
500+53.12 грн
1000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEN-T1-GE4 DG1412EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg1411e.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 22419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.66 грн
10+344.03 грн
25+318.31 грн
100+272.22 грн
250+263.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQS484EN-T1_GE3 sqs484en.pdf
SQS484EN-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V
на замовлення 14249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.84 грн
10+67.65 грн
100+52.71 грн
500+40.87 грн
1000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3 sud35n10-26p.pdf
SUD35N10-26P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.41 грн
50+206.06 грн
100+205.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TN2404K-T1-GE3 tn2404k.pdf
TN2404K-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.37 грн
10+52.39 грн
100+34.67 грн
500+25.35 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 sqjq480e.pdf
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+95.04 грн
4000+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.84 грн
10+87.94 грн
100+59.62 грн
500+44.55 грн
1000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 sqjq480e.pdf
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.81 грн
10+182.58 грн
100+128.33 грн
500+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH28N60E-T1-GE3 sihh28n60e.pdf
SIHH28N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 sir696dp.pdf
SiR696DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.09 грн
6000+33.34 грн
9000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 sir606dp.pdf
SIR606DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
SIA468DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Si5948DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
SIRB40DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.73 грн
6000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Si7111EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.13 грн
6000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 sia928dj.pdf
SiA928DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 sira60dp.pdf
SIRA60DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.52 грн
6000+39.00 грн
9000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 si7615cdn.pdf
SI7615CDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.35 грн
6000+15.40 грн
9000+14.73 грн
15000+13.12 грн
21000+12.70 грн
30000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3 siud403ed.pdf
SiUD403ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 siud412ed.pdf
SiUD412ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.32 грн
6000+5.82 грн
9000+5.04 грн
30000+4.64 грн
75000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
SiRC16DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.38 грн
6000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 sisb46dn.pdf
SISB46DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SiJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 sira24dp.pdf
SIRA24DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.96 грн
6000+22.03 грн
9000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 sisa24dn.pdf
SISA24DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 sisa96dn.pdf
SiSA96DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.21 грн
6000+11.67 грн
9000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Si3493DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 sira88dp.pdf
SiRA88DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
Si5448DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 sir680dp.pdf
SiR680DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.79 грн
6000+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 sir668dp.pdf
SiR668DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 sir632dp.pdf
SiR632DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.31 грн
6000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
SiR692DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 sir696dp.pdf
SiR696DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 11821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.04 грн
10+82.76 грн
100+55.74 грн
500+41.44 грн
1000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 sir606dp.pdf
SIR606DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.16 грн
10+83.58 грн
100+65.00 грн
500+51.70 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
SIA468DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.52 грн
10+42.77 грн
100+31.93 грн
500+23.55 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Si5948DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.15 грн
10+44.80 грн
100+29.30 грн
500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
SIRB40DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 8697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.94 грн
10+78.47 грн
100+58.07 грн
500+43.22 грн
1000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Si7111EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.67 грн
10+56.83 грн
100+37.58 грн
500+27.49 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3 sia928dj.pdf
SiA928DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.18 грн
11+29.46 грн
100+18.99 грн
500+13.56 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3 sira60dp.pdf
SIRA60DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.03 грн
10+80.95 грн
100+63.00 грн
500+50.11 грн
1000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615CDN-T1-GE3 si7615cdn.pdf
SI7615CDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
на замовлення 43339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.03 грн
10+42.47 грн
100+27.72 грн
500+20.05 грн
1000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3 siud403ed.pdf
SiUD403ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.88 грн
18+17.14 грн
100+10.80 грн
500+7.55 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3 siud412ed.pdf
SiUD412ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.13 грн
13+23.68 грн
100+11.96 грн
500+9.15 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
SiRC16DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 18082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.11 грн
10+96.06 грн
100+65.41 грн
500+49.08 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 sisb46dn.pdf
SISB46DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.01 грн
10+57.73 грн
100+38.10 грн
500+27.84 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SiJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.01 грн
10+54.57 грн
100+48.66 грн
500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3 sira24dp.pdf
SIRA24DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.37 грн
10+47.66 грн
100+36.13 грн
500+28.02 грн
1000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 sisa24dn.pdf
SISA24DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.06 грн
10+67.05 грн
100+44.62 грн
500+32.86 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 sisa96dn.pdf
SiSA96DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.42 грн
10+33.45 грн
100+21.60 грн
500+15.46 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3 si3493ddv.pdf
Si3493DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiRA88DP-T1-GE3 sira88dp.pdf
SiRA88DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.91 грн
13+24.13 грн
100+17.61 грн
500+14.22 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
Si5448DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
SiR626DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.99 грн
10+106.06 грн
100+79.92 грн
500+60.48 грн
1000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 sir680dp.pdf
SiR680DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.88 грн
10+154.54 грн
100+107.63 грн
500+82.20 грн
1000+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 sir668dp.pdf
SiR668DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.05 грн
10+144.47 грн
100+100.09 грн
500+76.10 грн
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 sir632dp.pdf
SiR632DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.01 грн
10+78.55 грн
100+52.97 грн
500+39.42 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
SiR692DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.26 грн
10+103.13 грн
100+70.54 грн
500+53.12 грн
1000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG1412EEN-T1-GE4 dg1411e.pdf
DG1412EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 1.5OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.5Ohm
-3db Bandwidth: 150MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 24V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 15V
Charge Injection: -41pC
Crosstalk: -104dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 40mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 140ns, 110ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 24pF, 23pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 22419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.66 грн
10+344.03 грн
25+318.31 грн
100+272.22 грн
250+263.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]