Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 19 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 15 W
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247-471474.pdf JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65-218866.pdf SCR Modules 6500V - 40A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65-218866.pdf SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247 GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247 GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247-218618.pdf MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46_Dec2014.pdf Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46-437429.pdf JFET SiC High Temperature JT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46-437441.pdf MOSFET SiC High Temperature JT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46.pdf Description: TRANS SJT 300V 9A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247-1856068.pdf JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 106 W
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263-1856072.pdf JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65-218936.pdf SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060TH65-218936.pdf SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA06JT12-247 GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247-471373.pdf MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA06JT12-247 GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA080TH65 GeneSiC Semiconductor GA080TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA080TH65-227SP GA080TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA080TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA080TH65-227SP GA080TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA080TH65-218805.pdf SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247-218631.pdf MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA08JT17-247 GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT12-227 GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227-612650.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227.pdf GA100JT12-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT12-227 GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227.pdf Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT17-227 GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227.pdf Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4 GeneSiC Semiconductor GA100SBJT12-FR4.pdf Description: BOARD EVAL DBL PULSE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4 GeneSiC Semiconductor GA100SBJT12-FR4-437485.pdf Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-263 GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263-553311.pdf MOSFET 1200V 25A Standard
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263-612649.pdf MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SLT12-220 GA10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor GA15IDDJT22-FR4-437474.pdf Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA16JT17-247 GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247_SPICE.pdf Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247-1856190.pdf JFET 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12_263-3478317.pdf JFETs 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2894.98 грн
10+2571.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247-612529.pdf MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263-766175.pdf MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247.pdf IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247.pdf Description: IGBT 1200V SOT247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: PT
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258.pdf Description: TRANS SJT 600V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247
GA03JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 15 W
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247 GA03JT12-247-471474.pdf
GA03JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GA040TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GA040TH65-218866.pdf
GA040TH65
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 40A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65-218866.pdf
GA040TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65.pdf
GA040TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247
GA04JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247 GA04JT17-247-218618.pdf
GA04JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46_Dec2014.pdf
GA05JT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46-437429.pdf
GA05JT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC High Temperature JT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46-437441.pdf
GA05JT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC High Temperature JT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46.pdf
GA05JT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247 GA05JT12-247-1856068.pdf
GA05JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247
GA05JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 106 W
Resistance - RDS(On): 180 MOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263-1856072.pdf
GA05JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263.pdf
GA05JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GA060TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GA060TH65-218936.pdf
GA060TH65
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65-218936.pdf
GA060TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65.pdf
GA060TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA06JT12-247 GA06JT12-247-471373.pdf
GA06JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA06JT12-247 GA06JT12-247.pdf
GA06JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
Resistance - RDS(On): 200 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA080TH65 GA080TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA080TH65-227SP GA080TH65.pdf
GA080TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA080TH65-227SP GA080TH65-218805.pdf
GA080TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA08JT17-247 GA08JT17-247-218631.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA08JT17-247
GA08JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT12-227 GA100JT12-227-612650.pdf
GA100JT12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT12-227 GA100JT12-227.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT12-227 GA100JT12-227.pdf
GA100JT12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100JT17-227 GA100JT17-227.pdf
GA100JT17-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4.pdf
GA100SBJT12-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SBJT12-FR4 GA100SBJT12-FR4-437485.pdf
GA100SBJT12-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SCPL12-227E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf
GA100SICP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-263 GA10JT12-263-553311.pdf
GA10JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Standard
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263.pdf
GA10SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263-612649.pdf
GA10SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SLT12-220
GA10SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4-437474.pdf
GA15IDDJT22-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA16JT17-247 GA16JT17-247_SPICE.pdf
GA16JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247-1856190.pdf
GA20JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf
GA20JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12_263-3478317.pdf
GA20JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12-263.pdf
GA20JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2894.98 грн
10+2571.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247-612529.pdf
GA20SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247.pdf
GA20SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf
GA20SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263-766175.pdf
GA20SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT 1200V SOT247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: PT
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT06-258 GA50JT06-258.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]