Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4066) > Сторінка 17 з 68

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 30 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2233.31 грн
10+1972.23 грн
25+1905.88 грн
100+1697.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+6015.63 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2327.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2698.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2256.53 грн
10+1993.89 грн
25+1926.90 грн
100+1717.08 грн
250+1659.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2698.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1792.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.24 грн
10+654.81 грн
25+629.92 грн
100+557.77 грн
250+536.39 грн
500+521.02 грн
1000+498.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.27 грн
10+696.59 грн
25+670.77 грн
100+594.16 грн
250+571.31 грн
500+555.38 грн
1000+530.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+701.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+851.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+421.57 грн
100+420.82 грн
250+420.16 грн
500+400.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+854.25 грн
19+762.99 грн
50+574.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+421.57 грн
100+420.82 грн
250+405.16 грн
500+371.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+740.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+740.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1429.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.31 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+584.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+959.62 грн
19+751.70 грн
20+713.13 грн
50+559.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+338.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4H08MT23GB4 G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5R05MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor ga01pns150-201.pdf PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150_220.pdf PIN Diodes 15000V 1A Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80_220-2450027.pdf PIN Diodes 8000V 2A Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01SLV20 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Power - Max: 15 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2233.31 грн
10+1972.23 грн
25+1905.88 грн
100+1697.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+6015.63 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2327.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2698.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2256.53 грн
10+1993.89 грн
25+1926.90 грн
100+1717.08 грн
250+1659.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2698.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1792.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D-3479072.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+749.24 грн
10+654.81 грн
25+629.92 грн
100+557.77 грн
250+536.39 грн
500+521.02 грн
1000+498.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+781.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-2448865.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+797.27 грн
10+696.59 грн
25+670.77 грн
100+594.16 грн
250+571.31 грн
500+555.38 грн
1000+530.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+701.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J-2449780.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+421.57 грн
100+420.82 грн
250+420.16 грн
500+400.71 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+854.25 грн
19+762.99 грн
50+574.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+421.57 грн
100+420.82 грн
250+405.16 грн
500+371.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+740.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+740.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1429.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+338.31 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+584.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+959.62 грн
19+751.70 грн
20+713.13 грн
50+559.74 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+338.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4H08MT23GB4 Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf
G4H08MT23GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5R05MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 ga01pns150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150_220.pdf
GA01PNS150-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 15000V 1A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80_220-2450027.pdf
GA01PNS80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 8000V 2A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01SLV20
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247
GA03JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
Resistance - RDS(On): 470 mOhms
Power - Max: 15 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 3 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 30 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]