Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 17 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7510.31 грн
10+6866.60 грн
30+5794.99 грн
120+5695.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10482.98 грн
10+9637.81 грн
30+8152.37 грн
100+8056.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3626.65 грн
5+3516.06 грн
10+3298.83 грн
20+2981.04 грн
50+2800.46 грн
100+2746.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J-2450019.pdf MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1922.59 грн
10+1723.28 грн
25+1441.94 грн
100+1374.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1599.17 грн
10+1432.58 грн
25+1198.94 грн
100+1131.91 грн
250+1090.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1549.12 грн
10+1395.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1786.54 грн
10+1664.65 грн
30+1202.43 грн
120+1142.38 грн
270+1104.67 грн
510+1076.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+2793.79 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.38 грн
10+277.04 грн
30+224.15 грн
120+213.67 грн
270+205.99 грн
510+199.01 грн
1020+194.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+336.89 грн
120+322.06 грн
270+316.48 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+336.89 грн
120+322.06 грн
270+316.48 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+372.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.10 грн
10+436.12 грн
25+419.39 грн
100+381.45 грн
250+327.46 грн
500+285.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.10 грн
10+366.98 грн
25+304.45 грн
100+284.20 грн
250+271.63 грн
500+262.55 грн
1000+253.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+372.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+469.10 грн
33+436.12 грн
34+419.39 грн
100+381.45 грн
250+327.46 грн
500+285.28 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.99 грн
10+356.30 грн
25+340.35 грн
100+297.67 грн
250+284.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2110.88 грн
10+2046.46 грн
20+1920.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1235.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1219.54 грн
10+1097.72 грн
30+920.33 грн
120+871.45 грн
270+840.03 грн
510+817.68 грн
1020+813.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1288.06 грн
10+1075.02 грн
30+1011.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3668.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1235.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1238.28 грн
10+1121.01 грн
25+886.81 грн
100+841.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1442.07 грн
100+1348.52 грн
250+1286.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1442.07 грн
100+1348.52 грн
250+1286.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1644.30 грн
10+1464.75 грн
12+1285.20 грн
200+1075.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1346.45 грн
10+1170.55 грн
25+1123.65 грн
100+991.56 грн
250+952.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2185.01 грн
10+2118.33 грн
20+1987.81 грн
50+1796.91 грн
100+1688.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1183.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1530.90 грн
11+1294.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.05 грн
10+583.73 грн
30+548.48 грн
120+507.48 грн
270+451.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.40 грн
10+452.14 грн
25+433.30 грн
100+381.76 грн
250+366.05 грн
500+354.26 грн
1000+337.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.63 грн
10+484.22 грн
30+403.60 грн
120+377.77 грн
270+362.41 грн
510+350.53 грн
1020+339.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+676.05 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.81 грн
10+509.78 грн
25+489.37 грн
100+431.55 грн
250+414.40 грн
500+401.20 грн
1000+382.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.79 грн
10+602.26 грн
25+502.76 грн
100+472.03 грн
250+453.18 грн
500+439.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2191.71 грн
10+1935.49 грн
25+1870.38 грн
100+1666.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2756.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2479.00 грн
10+2242.02 грн
30+1883.25 грн
120+1787.59 грн
270+1738.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2329.42 грн
10+2182.95 грн
30+2119.64 грн
120+2003.84 грн
270+1838.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2329.42 грн
10+2182.95 грн
30+2119.64 грн
120+2003.84 грн
270+1838.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7510.31 грн
10+6866.60 грн
30+5794.99 грн
120+5695.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N-3478980.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10482.98 грн
10+9637.81 грн
30+8152.37 грн
100+8056.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J g3r30mt12j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+3626.65 грн
5+3516.06 грн
10+3298.83 грн
20+2981.04 грн
50+2800.46 грн
100+2746.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J-2450019.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1922.59 грн
10+1723.28 грн
25+1441.94 грн
100+1374.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1599.17 грн
10+1432.58 грн
25+1198.94 грн
100+1131.91 грн
250+1090.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1549.12 грн
10+1395.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1786.54 грн
10+1664.65 грн
30+1202.43 грн
120+1142.38 грн
270+1104.67 грн
510+1076.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
60+2793.79 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+332.38 грн
10+277.04 грн
30+224.15 грн
120+213.67 грн
270+205.99 грн
510+199.01 грн
1020+194.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+336.89 грн
120+322.06 грн
270+316.48 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+295.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
43+336.89 грн
120+322.06 грн
270+316.48 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+372.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+469.10 грн
10+436.12 грн
25+419.39 грн
100+381.45 грн
250+327.46 грн
500+285.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J-2449378.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+417.10 грн
10+366.98 грн
25+304.45 грн
100+284.20 грн
250+271.63 грн
500+262.55 грн
1000+253.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+372.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+469.10 грн
33+436.12 грн
34+419.39 грн
100+381.45 грн
250+327.46 грн
500+285.28 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+413.99 грн
10+356.30 грн
25+340.35 грн
100+297.67 грн
250+284.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+2110.88 грн
10+2046.46 грн
20+1920.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+1235.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1219.54 грн
10+1097.72 грн
30+920.33 грн
120+871.45 грн
270+840.03 грн
510+817.68 грн
1020+813.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1288.06 грн
10+1075.02 грн
30+1011.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3668.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+1235.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1238.28 грн
10+1121.01 грн
25+886.81 грн
100+841.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+1442.07 грн
100+1348.52 грн
250+1286.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+1442.07 грн
100+1348.52 грн
250+1286.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+1644.30 грн
10+1464.75 грн
12+1285.20 грн
200+1075.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1346.45 грн
10+1170.55 грн
25+1123.65 грн
100+991.56 грн
250+952.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+2185.01 грн
10+2118.33 грн
20+1987.81 грн
50+1796.91 грн
100+1688.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1183.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K g3r40mt12k.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1530.90 грн
11+1294.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+676.05 грн
10+583.73 грн
30+548.48 грн
120+507.48 грн
270+451.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+522.40 грн
10+452.14 грн
25+433.30 грн
100+381.76 грн
250+366.05 грн
500+354.26 грн
1000+337.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D-2449192.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+546.63 грн
10+484.22 грн
30+403.60 грн
120+377.77 грн
270+362.41 грн
510+350.53 грн
1020+339.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+676.05 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+586.81 грн
10+509.78 грн
25+489.37 грн
100+431.55 грн
250+414.40 грн
500+401.20 грн
1000+382.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J-2449670.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+677.79 грн
10+602.26 грн
25+502.76 грн
100+472.03 грн
250+453.18 грн
500+439.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2191.71 грн
10+1935.49 грн
25+1870.38 грн
100+1666.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2756.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2479.00 грн
10+2242.02 грн
30+1883.25 грн
120+1787.59 грн
270+1738.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+2329.42 грн
10+2182.95 грн
30+2119.64 грн
120+2003.84 грн
270+1838.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2329.42 грн
10+2182.95 грн
30+2119.64 грн
120+2003.84 грн
270+1838.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]