Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 17 з 67

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+765.32 грн
30+611.09 грн
120+529.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.93 грн
10+672.71 грн
25+647.77 грн
100+573.79 грн
250+551.73 грн
500+536.34 грн
1000+512.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+772.16 грн
10+686.11 грн
30+571.70 грн
120+537.25 грн
270+535.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+822.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+708.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+426.28 грн
100+425.52 грн
250+409.68 грн
500+375.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+863.78 грн
19+771.50 грн
50+580.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+426.28 грн
100+425.52 грн
250+424.85 грн
500+405.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+749.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+749.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+342.09 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+791.82 грн
10+702.97 грн
30+587.09 грн
120+551.17 грн
270+550.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1445.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+970.33 грн
19+760.09 грн
20+721.09 грн
50+565.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+342.09 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4H08MT23GB4 G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5R05MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor ga01pns150-201.pdf PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150_220.pdf PIN Diodes 15000V 1A Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80_220-2450027.pdf PIN Diodes 8000V 2A Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01SLV20 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247-471474.pdf JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65-218866.pdf SCR Modules 6500V - 40A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65-218866.pdf SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247 GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247-218618.pdf MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247 GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46_Dec2014.pdf Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46-437429.pdf JFET SiC High Temperature JT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46-437441.pdf MOSFET SiC High Temperature JT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46.pdf Description: TRANS SJT 300V 9A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247-1856068.pdf JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263-1856072.pdf JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65-218936.pdf SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060TH65-218936.pdf SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-2448865.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+765.32 грн
30+611.09 грн
120+529.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+769.93 грн
10+672.71 грн
25+647.77 грн
100+573.79 грн
250+551.73 грн
500+536.34 грн
1000+512.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+772.16 грн
10+686.11 грн
30+571.70 грн
120+537.25 грн
270+535.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+822.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+708.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+426.28 грн
100+425.52 грн
250+409.68 грн
500+375.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J-2449780.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+863.78 грн
19+771.50 грн
50+580.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+426.28 грн
100+425.52 грн
250+424.85 грн
500+405.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+749.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+749.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+342.09 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+791.82 грн
10+702.97 грн
30+587.09 грн
120+551.17 грн
270+550.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1445.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+970.33 грн
19+760.09 грн
20+721.09 грн
50+565.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+342.09 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4H08MT23GB4 Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf
G4H08MT23GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5R05MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 ga01pns150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150_220.pdf
GA01PNS150-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 15000V 1A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80_220-2450027.pdf
GA01PNS80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 8000V 2A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01SLV20
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247 GA03JT12-247-471474.pdf
GA03JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 550mO-3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GA040TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65 GA040TH65-218866.pdf
GA040TH65
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 40A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65-218866.pdf
GA040TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 40A SiC Thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA040TH65-227SP GA040TH65.pdf
GA040TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247 GA04JT17-247-218618.pdf
GA04JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA04JT17-247
GA04JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46_Dec2014.pdf
GA05JT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT01-46 GA05JT01-46-437429.pdf
GA05JT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC High Temperature JT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46-437441.pdf
GA05JT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC High Temperature JT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT03-46 GA05JT03-46.pdf
GA05JT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247 GA05JT12-247-1856068.pdf
GA05JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263-1856072.pdf
GA05JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GA060TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65 GA060TH65-218936.pdf
GA060TH65
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 60A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65-218936.pdf
GA060TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V 60A SiC Thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA060TH65-227SP GA060TH65.pdf
GA060TH65-227SP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.