Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5801) > Сторінка 22 з 97
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MBR2X030A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X030A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MBR2X050A045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X050A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X050A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X050A100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X050A120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X050A150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X050A180 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A180 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X060A200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X080A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 80A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X080A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 80A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X080A120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 80A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X080A150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 80A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X080A180 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 80A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X080A200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 80A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X100A200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A180 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X120A200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X160A080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X160A100 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X160A120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X160A150 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X160A180 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR2X160A200 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MBR300150CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MBR300150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MBR300200CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MBR300200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MBR30020CTL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR30020CTRL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR30030CTL | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR30030CTRL | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR30035CTL | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR30035CTRL | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MBR30040CTL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MBR30040CTRL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MBR30045CTL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MBR30045CTRL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
MBR40020CTL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBR40030CTL | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MBR200200CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR200200CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X030A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A045 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A100 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A120 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A150 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X050A180 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A100 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A120 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A150 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A180 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X060A200 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X080A060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X080A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X080A120 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 120V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X080A150 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X080A180 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 180V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X080A200 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 80A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A045 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A100 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A120 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A150 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X100A200 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A100 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A120 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A150 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A180 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 180 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X120A200 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X160A080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X160A100 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X160A120 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X160A150 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 160A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X160A180 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR2X160A200 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR300150CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR300150CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR300200CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR300200CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30020CTL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30020CTRL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30030CTL |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30030CTRL |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30035CTL |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30035CTRL |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30040CTL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30040CTRL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 150A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30045CTL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR30045CTRL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40020CTL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40030CTL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.