Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4259) > Сторінка 20 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263-612649.pdf MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SLT12-220 GA10SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor GA15IDDJT22-FR4-437474.pdf Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4 GeneSiC Semiconductor Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA16JT17-247 GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247_SPICE.pdf Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247-1856190.pdf JFET 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12_263-3478317.pdf JFETs 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2861.31 грн
10+2541.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247-612529.pdf MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263-766175.pdf MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247.pdf Description: IGBT 1200V SOT247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: PT
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247.pdf IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258.pdf Description: TRANS SJT 600V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247-1856120.pdf JFET 1200V 100A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247ISO GeneSiC Semiconductor JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-263 GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT17-247 GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247.pdf Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220-541986.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33_214-2449943.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 212-221 дні (днів)
1+807.65 грн
10+724.46 грн
25+607.81 грн
100+574.58 грн
250+553.12 грн
500+537.89 грн
1000+522.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP-1856078.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GB01SHT06-CAU-218255.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06_214-2449646.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.76 грн
10+104.29 грн
25+85.84 грн
100+78.23 грн
250+74.76 грн
500+71.30 грн
1000+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor gb01slt12-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12_214-3478466.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
2+193.03 грн
10+167.98 грн
25+139.15 грн
100+128.76 грн
250+122.53 грн
500+117.69 грн
1000+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.10 грн
10+197.07 грн
25+187.37 грн
50+167.24 грн
100+148.84 грн
250+142.61 грн
500+136.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor gb01slt12-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12_252-2449973.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.34 грн
10+102.70 грн
25+83.76 грн
100+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46-1856163.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3403.42 грн
5+3261.65 грн
10+2718.53 грн
25+2522.62 грн
50+2490.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3194.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46-1856206.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46-1856038.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_214-2449983.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.68 грн
10+210.17 грн
25+174.45 грн
100+162.68 грн
250+155.07 грн
500+150.22 грн
1000+143.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor 37303378637715768gb02slt12-220.pdf Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+168.65 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_252-2450036.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220 GB03SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263.pdf
GA10SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-263 GA10SICP12-263-612649.pdf
GA10SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SLT12-220
GA10SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4 GA15IDDJT22-FR4-437474.pdf
GA15IDDJT22-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA15IDDJT22-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA16JT17-247 GA16JT17-247_SPICE.pdf
GA16JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf
GA20JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-247 GA20JT12-247-1856190.pdf
GA20JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12_263-3478317.pdf
GA20JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20JT12-263 GA20JT12-263.pdf
GA20JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2861.31 грн
10+2541.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247.pdf
GA20SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247-612529.pdf
GA20SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263-766175.pdf
GA20SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf
GA20SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT 1200V SOT247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: PT
Switching Energy: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT06-258 GA50JT06-258.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
GA50JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247-1856120.pdf
GA50JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247ISO
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-263
GA50JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT17-247 GA50JT17-247.pdf
GA50JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220.pdf
GAP05SLT80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220-541986.pdf
GAP05SLT80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33_214-2449943.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 212-221 дні (днів)
Кількість Ціна
1+807.65 грн
10+724.46 грн
25+607.81 грн
100+574.58 грн
250+553.12 грн
500+537.89 грн
1000+522.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP.pdf
GAP3SLT33-220FP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+922.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP-1856078.pdf
GAP3SLT33-220FP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT06-CAU GB01SHT06-CAU-218255.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT12-CAL GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06_214-2449646.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.76 грн
10+104.29 грн
25+85.84 грн
100+78.23 грн
250+74.76 грн
500+71.30 грн
1000+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 gb01slt12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12_214-3478466.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.03 грн
10+167.98 грн
25+139.15 грн
100+128.76 грн
250+122.53 грн
500+117.69 грн
1000+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.10 грн
10+197.07 грн
25+187.37 грн
50+167.24 грн
100+148.84 грн
250+142.61 грн
500+136.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 gb01slt12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12_252-2449973.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.34 грн
10+102.70 грн
25+83.76 грн
100+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46-1856163.pdf
GB02SHT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3403.42 грн
5+3261.65 грн
10+2718.53 грн
25+2522.62 грн
50+2490.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46.pdf
GB02SHT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3194.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46-1856206.pdf
GB02SHT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46.pdf
GB02SHT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46.pdf
GB02SHT06-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46-1856038.pdf
GB02SHT06-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12_214-2449983.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.68 грн
10+210.17 грн
25+174.45 грн
100+162.68 грн
250+155.07 грн
500+150.22 грн
1000+143.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 37303378637715768gb02slt12-220.pdf
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+168.65 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12_252-2450036.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220
GB03SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]