Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 20 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GB25MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 52A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 32 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Power |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.4kA Max. forward voltage: 1.5V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Load current: 50A x2 Max. load current: 100A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB2X50MPS17-227 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.432kA Max. forward voltage: 1.5V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: screw Load current: 50A x2 Max. load current: 100A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GB2X50MPS17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GB2X50MPS17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 139 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GB50MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 134 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GB50SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ10B | GeneSiC Semiconductor |
Description: 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ10B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ10D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ10D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GBJ10G | GeneSiC Semiconductor |
Description: 400V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ10G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 600V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GBJ10K | GeneSiC Semiconductor |
Description: 800V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ10K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBJ10K | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ10M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ15B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ15B | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ15D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ15D | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GBJ15G | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ15G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ15J | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ15J | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 600V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ15K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GBJ15K | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 1000V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ25B | GeneSiC Semiconductor |
Description: 100V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ25B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ25D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 200V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ25D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ25G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GBJ25G | GeneSiC Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GBJ25G | GeneSiC Semiconductor |
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GBJ25G | GeneSiC Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GBJ25J | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 600V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ25K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBJ25M | GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJPackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GBJ25M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. |
| GB25MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9520.60 грн |
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 23245.11 грн |
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10459.60 грн |
| 10+ | 9611.42 грн |
| GB2X100MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Power
Silicon Carbide Power
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5878.82 грн |
| 10+ | 5030.34 грн |
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 93A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5909.02 грн |
| GB2X50MPS12-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 13700.34 грн |
| GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.432kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.7kV; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.432kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: screw
Load current: 50A x2
Max. load current: 100A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V
Description: DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1700 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6372.06 грн |
| GB2X50MPS17-227 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 139 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9096.57 грн |
| 10+ | 8295.68 грн |
| 30+ | 7190.91 грн |
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GB50MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 134 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3747.91 грн |
| 10+ | 3406.10 грн |
| 30+ | 2867.28 грн |
| 120+ | 2795.45 грн |
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 50A SiC POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 100A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB50SLT12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: 100V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: 200V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 400V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: 400V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: 600V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 800V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: 800V 10A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 10A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 152.21 грн |
| 10+ | 110.42 грн |
| 25+ | 85.02 грн |
| 100+ | 74.03 грн |
| 200+ | 62.37 грн |
| 600+ | 56.80 грн |
| 1000+ | 51.82 грн |
| GBJ15K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 15A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 100V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: 100V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 200V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: 200V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 157.34 грн |
| 10+ | 116.32 грн |
| 25+ | 90.89 грн |
| 100+ | 78.42 грн |
| 200+ | 69.56 грн |
| GBJ25G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 600V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 25A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику
од. на суму грн.











