Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5801) > Сторінка 20 з 97
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S6MR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S6Q | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
S6QR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
S70B | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70BR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70DR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70GR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70JR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70KR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70M | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70MR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70Q | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70QR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70V | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70VR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70Y | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S70YR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85B | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85BR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85DR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85GR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85KR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
S85M | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
S85MR | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
S85V | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
S85VR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 85A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
S85Y | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
S85YR | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 85A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
SD51 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
SD51R | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
W005M | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
W01M | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
W02M | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
W04M | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
W06M | GeneSiC Semiconductor |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
W08M | GeneSiC Semiconductor |
![]() ![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOM Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOM Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
GA03IDDJT30-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Function: Gate Driver Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Isolated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD GATE DRIVER Packaging: Bulk Function: Gate Driver Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Isolated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
GA05JT03-46 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-46 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-46 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-46 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
GA01PNS150-220 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: Axial Diode Type: PIN - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V Part Status: Active Current - Max: 1 A |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
GA01PNS80-220 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: Axial Diode Type: PIN - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V Current - Max: 2 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
MBR2X030A045 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MBR2X030A100 | GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
MBR2X050A200 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
S6MR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S6Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S6QR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70BR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 200V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70DR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70GR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 600V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70JR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 800V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70KR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70MR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70QR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70V |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70VR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70Y |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S70YR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 1.6KV 70A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85BR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85DR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 400V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85GR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 800V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85KR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85MR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85V |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85VR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1255.88 грн |
10+ | 1017.67 грн |
25+ | 959.01 грн |
S85Y |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO5
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S85YR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 1600V 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE STANDARD REV 1600V 85A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 85 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1114.51 грн |
10+ | 903.54 грн |
25+ | 843.80 грн |
100+ | 714.10 грн |
SD51 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SD51R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5
Description: DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W005M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W02M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W04M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W06M | ![]() |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
W08M | ![]() |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GA50JT17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GA03IDDJT30-FR4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GA15IDDJT22-FR4 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GA100SBJT12-FR4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GA05JT01-46 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 100V 9A
Description: TRANS SJT 100V 9A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GA05JT03-46 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 300V 9A
Description: TRANS SJT 300V 9A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GA50JT06-258 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
Description: TRANS SJT 600V 100A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB02SHT01-46 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3371.48 грн |
GB02SHT03-46 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3659.15 грн |
10+ | 3139.68 грн |
GB02SHT06-46 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GAP05SLT80-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GA01PNS150-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Part Status: Active
Current - Max: 1 A
Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Part Status: Active
Current - Max: 1 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 36899.73 грн |
GA01PNS80-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GB02SLT12-252 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MBR2X030A045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3431.48 грн |
10+ | 2841.54 грн |
25+ | 2675.96 грн |
MBR2X030A100 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MBR2X050A200 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.