Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 20 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247-1856120.pdf JFET 1200V 100A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247ISO GeneSiC Semiconductor JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-263 GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT17-247 GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247.pdf Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220-541986.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GAP3SLT33-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1.15V
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33_214-2449943.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 212-221 дні (днів)
1+817.15 грн
10+732.98 грн
25+614.96 грн
100+581.34 грн
250+559.63 грн
500+544.22 грн
1000+528.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP-1856078.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GB01SHT06-CAU-218255.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06_214-2449646.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.21 грн
10+105.52 грн
25+86.85 грн
100+79.15 грн
250+75.64 грн
500+72.14 грн
1000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor gb01slt12-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.72 грн
10+199.38 грн
25+189.58 грн
50+169.21 грн
100+150.59 грн
250+144.28 грн
500+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor gb01slt12-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12_214-3478466.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
2+195.30 грн
10+169.95 грн
25+140.78 грн
100+130.28 грн
250+123.97 грн
500+119.07 грн
1000+114.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12_252-2449973.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.75 грн
10+103.91 грн
25+84.75 грн
100+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46-1856163.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3443.46 грн
5+3300.03 грн
10+2750.52 грн
25+2552.30 грн
50+2520.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3232.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46-1856206.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46-1856038.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_214-2449983.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.51 грн
10+212.65 грн
25+176.50 грн
100+164.60 грн
250+156.89 грн
500+151.99 грн
1000+145.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor 37303378637715768gb02slt12-220.pdf Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+168.65 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_252-2450036.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+534.64 грн
100+506.93 грн
250+480.20 грн
500+425.63 грн
1000+373.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220 GB03SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-247 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB04SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247-1856147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17_263-2449516.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.4V
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33_263-2449528.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2302.72 грн
10+2078.12 грн
25+1744.73 грн
100+1654.37 грн
250+1605.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001014615_1-2548954.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001014616_1-2548827.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAU GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220 GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220 GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252-476375.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252.pdf Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
GA50JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247 GA50JT12-247-1856120.pdf
GA50JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-247ISO
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT12-263
GA50JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50JT17-247 GA50JT17-247.pdf
GA50JT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220.pdf
GAP05SLT80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAP05SLT80-220 GAP05SLT80-220-541986.pdf
GAP05SLT80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1.15V
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: DO214
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33_214-2449943.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 212-221 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.15 грн
10+732.98 грн
25+614.96 грн
100+581.34 грн
250+559.63 грн
500+544.22 грн
1000+528.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP.pdf
GAP3SLT33-220FP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+933.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP-1856078.pdf
GAP3SLT33-220FP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT06-CAU GB01SHT06-CAU-218255.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT12-CAL GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06_214-2449646.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.21 грн
10+105.52 грн
25+86.85 грн
100+79.15 грн
250+75.64 грн
500+72.14 грн
1000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 gb01slt12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.72 грн
10+199.38 грн
25+189.58 грн
50+169.21 грн
100+150.59 грн
250+144.28 грн
500+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 gb01slt12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12_214-3478466.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.30 грн
10+169.95 грн
25+140.78 грн
100+130.28 грн
250+123.97 грн
500+119.07 грн
1000+114.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12_252-2449973.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.75 грн
10+103.91 грн
25+84.75 грн
100+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46-1856163.pdf
GB02SHT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3443.46 грн
5+3300.03 грн
10+2750.52 грн
25+2552.30 грн
50+2520.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46.pdf
GB02SHT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3232.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46-1856206.pdf
GB02SHT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46.pdf
GB02SHT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46-1856038.pdf
GB02SHT06-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46.pdf
GB02SHT06-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12_214-2449983.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.51 грн
10+212.65 грн
25+176.50 грн
100+164.60 грн
250+156.89 грн
500+151.99 грн
1000+145.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 37303378637715768gb02slt12-220.pdf
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+168.65 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12_252-2450036.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+534.64 грн
100+506.93 грн
250+480.20 грн
500+425.63 грн
1000+373.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220
GB03SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB04SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247-1856147.pdf
GB05MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247.pdf
GB05MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17_263-2449516.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.4V
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33_263-2449528.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2302.72 грн
10+2078.12 грн
25+1744.73 грн
100+1654.37 грн
250+1605.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAL GCSR_S_A0001014615_1-2548954.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAU GCSR_S_A0001014616_1-2548827.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAU
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252-476375.pdf
GB05SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252.pdf
GB05SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]