Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 20 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GB01SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GB01SHT06-CAU-218255.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT06-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 1A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06_214-2449646.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.04 грн
10+104.53 грн
25+86.04 грн
100+78.40 грн
250+74.93 грн
500+71.47 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 1A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12_214-3478466.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
2+193.46 грн
10+168.36 грн
25+139.46 грн
100+129.05 грн
250+122.81 грн
500+117.95 грн
1000+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor gb01slt12-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.61 грн
10+197.51 грн
25+187.80 грн
50+167.62 грн
100+149.18 грн
250+142.93 грн
500+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor gb01slt12-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12_252-2449973.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.61 грн
10+102.93 грн
25+83.95 грн
100+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3201.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT01-46-1856163.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3411.14 грн
5+3269.05 грн
10+2724.70 грн
25+2528.34 грн
50+2496.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46-1856206.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46-1856038.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46 GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 2A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_214-2449983.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.22 грн
10+210.65 грн
25+174.85 грн
100+163.05 грн
250+155.42 грн
500+150.56 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor 37303378637715768gb02slt12-220.pdf Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+181.11 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 GB02SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12_252-2450036.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+574.13 грн
100+544.37 грн
250+515.67 грн
500+457.07 грн
1000+401.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220 GB03SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-247 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB04SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-247-1856147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17_263-2449516.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB05MPS33-263.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.4V
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS33_263-2449528.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2281.11 грн
10+2058.62 грн
25+1728.35 грн
100+1638.84 грн
250+1590.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAL GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001014615_1-2548954.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAU GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0001014616_1-2548827.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAL GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAU GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220 GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220 GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252.pdf Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252 GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252-476375.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB08SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0000008350_1-2548811.pdf IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB10MPS17-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 87A
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247-1856229.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor gb10mps17-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor gb10mps17-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+898.35 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor gb10mps17-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+898.35 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT06-CAU GB01SHT06-CAU-218255.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SHT12-CAL GCSR_S_A0001016124_1-3478380.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 1A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06_214-2449646.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 1A Standard
на замовлення 14581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.04 грн
10+104.53 грн
25+86.04 грн
100+78.40 грн
250+74.93 грн
500+71.47 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 1A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12_214-3478466.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
на замовлення 28715 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.46 грн
10+168.36 грн
25+139.46 грн
100+129.05 грн
250+122.81 грн
500+117.95 грн
1000+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 gb01slt12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.61 грн
10+197.51 грн
25+187.80 грн
50+167.62 грн
100+149.18 грн
250+142.93 грн
500+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 gb01slt12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-220
GB01SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12_252-2449973.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.61 грн
10+102.93 грн
25+83.95 грн
100+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252.pdf
GB01SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46.pdf
GB02SHT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 210°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3201.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46-1856163.pdf
GB02SHT01-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3411.14 грн
5+3269.05 грн
10+2724.70 грн
25+2528.34 грн
50+2496.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46.pdf
GB02SHT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46-1856206.pdf
GB02SHT03-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46-1856038.pdf
GB02SHT06-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SHT06-46 GB02SHT06-46.pdf
GB02SHT06-46
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-46
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 225°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DO214
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 16A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 2A
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12_214-2449983.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A Standard
на замовлення 6982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.22 грн
10+210.65 грн
25+174.85 грн
100+163.05 грн
250+155.42 грн
500+150.56 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220 37303378637715768gb02slt12-220.pdf
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+181.11 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 138pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-220
GB02SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12_252-2450036.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rect.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-252 GB02SLT12-252.pdf
GB02SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+574.13 грн
100+544.37 грн
250+515.67 грн
500+457.07 грн
1000+401.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-220
GB03SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB03SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky, 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB04SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247.pdf
GB05MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-247 GB05MPS17-247-1856147.pdf
GB05MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17_263-2449516.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; tube
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 2.4V
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33_263-2449528.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2281.11 грн
10+2058.62 грн
25+1728.35 грн
100+1638.84 грн
250+1590.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAL GCSR_S_A0001014615_1-2548954.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225Deg C AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT06-CAU GCSR_S_A0001014616_1-2548827.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 5A 225 DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SHT12-CAU
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 5A 225DegC Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-220
GB05SLT12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252.pdf
GB05SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05SLT12-252 GB05SLT12-252-476375.pdf
GB05SLT12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB08SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GCSR_S_A0000008350_1-2548811.pdf
GB100XCP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227.pdf
GB100XCP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 87A
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247-1856229.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 gb10mps17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 gb10mps17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+898.35 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 GB10MPS17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB10MPS17-247 gb10mps17-247.pdf
GB10MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+898.35 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
GB10SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]