Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1347) > Сторінка 7 з 23

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G140P04K GOFORD Semiconductor G140P04K.pdf G140P04K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+34.44 грн
50+25.19 грн
100+20.83 грн
500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K GOFORD SEMICONDUCTOR G15N06K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 15A; 40W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C GOFORD SEMICONDUCTOR G15N10C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 22A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C GOFORD Semiconductor G15N10C.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.17 грн
15000+12.14 грн
30000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+36.72 грн
50+26.92 грн
100+22.30 грн
500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
10+40.30 грн
100+28.01 грн
500+20.52 грн
1000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1601 GOFORD Semiconductor High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32 Goford Semiconductor G160N04D32.pdf Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32 Goford Semiconductor G160N04D32.pdf Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K GOFORD SEMICONDUCTOR G160N04K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 25A; 43W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 25A
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.55 грн
10+35.20 грн
50+25.80 грн
100+21.36 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K GOFORD Semiconductor G160N04K.pdf N-CH,40V,25A,RD(max) Less Than 15mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.0V, TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S Goford Semiconductor G160N04S.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S Goford Semiconductor G160N04S.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G160N04S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.17 грн
10+33.45 грн
50+24.52 грн
100+20.27 грн
500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 GOFORD Semiconductor G160N04S2.pdf G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI.pdf Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
11+29.18 грн
100+20.25 грн
500+14.84 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor GOFORD-G160P03KI.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI.pdf Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03A GOFORD Semiconductor Trench MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G16N03S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 16A; 3.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 3.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD Semiconductor GOFORD-G16N03S.pdf N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.67 грн
16000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S G16N03S Goford Semiconductor GOFORD-G16N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.97 грн
16000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+37.41 грн
100+25.65 грн
500+19.06 грн
1000+17.41 грн
2000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 GOFORD Semiconductor G16P03D3.pdf P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.49 грн
15000+13.36 грн
30000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S GOFORD Semiconductor G16P03S.pdf P-CH -30V -16A 12mOhm MAX at -10V, 18mOhm MAX at -4.5V, SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.43 грн
16000+14.49 грн
32000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S Goford Semiconductor G16P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.54 грн
16000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2.pdf Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2.pdf Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.93 грн
13+24.84 грн
100+15.82 грн
500+11.18 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
10+32.61 грн
100+22.30 грн
500+16.49 грн
1000+15.03 грн
2000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3.pdf Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.75 грн
10+34.44 грн
50+25.19 грн
100+20.83 грн
500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 GOFORD SEMICONDUCTOR G170P03D3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -30A; 35W; DFN3x3-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Power dissipation: 35W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3.pdf Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2.pdf Description: MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1786pF @ -15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.83 грн
50+36.86 грн
100+30.64 грн
500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G170P03S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P06S G170P06S Goford Semiconductor G170P06S.pdf Description: MOSFET,P-CH,-60V,-12A,3.6W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+33.67 грн
100+23.05 грн
500+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y GOFORD Semiconductor G180C06Y.pdf G180C06Y
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 GOFORD Semiconductor G180N06S2.pdf Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
10+58.82 грн
50+43.78 грн
100+36.51 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G180N06S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 8A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G140P04K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
G140P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.75 грн
10+34.44 грн
50+25.19 грн
100+20.83 грн
500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 15A; 40W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 22A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.17 грн
15000+12.14 грн
30000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+36.72 грн
50+26.92 грн
100+22.30 грн
500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.05 грн
10+40.30 грн
100+28.01 грн
500+20.52 грн
1000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1601
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5770+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32.pdf
G160N04D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32.pdf
G160N04D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 25A; 43W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 25A
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.55 грн
10+35.20 грн
50+25.80 грн
100+21.36 грн
500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,25A,RD(max) Less Than 15mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.0V, TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S.pdf
G160N04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S.pdf
G160N04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.17 грн
10+33.45 грн
50+24.52 грн
100+20.27 грн
500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
11+29.18 грн
100+20.25 грн
500+14.84 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI GOFORD-G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03A
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 16A; 3.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 3.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.67 грн
16000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
G16N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.97 грн
16000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
G16P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
G16P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.75 грн
10+37.41 грн
100+25.65 грн
500+19.06 грн
1000+17.41 грн
2000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+14.49 грн
15000+13.36 грн
30000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhm MAX at -10V, 18mOhm MAX at -4.5V, SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.43 грн
16000+14.49 грн
32000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
G16P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.54 грн
16000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2.pdf
G170P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2.pdf
G170P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.93 грн
13+24.84 грн
100+15.82 грн
500+11.18 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32.pdf
G170P02D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.63 грн
10+32.61 грн
100+22.30 грн
500+16.49 грн
1000+15.03 грн
2000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32.pdf
G170P02D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
G170P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.75 грн
10+34.44 грн
50+25.19 грн
100+20.83 грн
500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -30A; 35W; DFN3x3-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Power dissipation: 35W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
G170P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2.pdf
G170P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1786pF @ -15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2.pdf
G170P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2.pdf
G170P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.28 грн
10+49.83 грн
50+36.86 грн
100+30.64 грн
500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2.pdf
G170P03S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P06S G170P06S.pdf
G170P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-60V,-12A,3.6W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.22 грн
10+33.67 грн
100+23.05 грн
500+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G180C06Y
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.52 грн
10+58.82 грн
50+43.78 грн
100+36.51 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 8A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]