Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1194) > Сторінка 7 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G16P03D3 GOFORD Semiconductor G16P03D3.pdf P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.28 грн
15000+12.25 грн
30000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.39 грн
10+37.17 грн
100+25.49 грн
500+18.94 грн
1000+17.30 грн
2000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S Goford Semiconductor G16P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.47 грн
16000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S GOFORD Semiconductor G16P03S.pdf P-CH -30V -16A 12mOhm MAX at -10V, 18mOhm MAX at -4.5V, SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.14 грн
16000+13.28 грн
32000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2.pdf Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.67 грн
13+24.68 грн
100+15.72 грн
500+11.11 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2.pdf Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.32 грн
10+32.40 грн
100+22.16 грн
500+16.39 грн
1000+14.93 грн
2000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3.pdf Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3.pdf Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2 Goford Semiconductor G170P03S2.pdf Description: MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1786pF @ -15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P06S G170P06S Goford Semiconductor G170P06S.pdf Description: MOSFET,P-CH,-60V,-12A,3.6W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
10+33.46 грн
100+22.91 грн
500+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+55.95 грн
100+37.07 грн
500+27.18 грн
1000+24.73 грн
2000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 GOFORD Semiconductor G180N06S2.pdf Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.85 грн
16000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.60 грн
16000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K Goford Semiconductor G18N20K.pdf Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K Goford Semiconductor G18N20K.pdf Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.20 грн
10+55.64 грн
100+36.89 грн
500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T Goford Semiconductor G18N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T GOFORD Semiconductor G18N20T.pdf G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T GOFORD SEMICONDUCTOR G18N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 110W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N50T G18N50T Goford Semiconductor G18N50T.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.85 грн
50+114.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y GOFORD Semiconductor G18NP06Y.pdf N-P-CH,60V/-60V,18A/-18A,RD(max) Less Than 35mOhm at 10V/45mOhm at -10V,VTH 1.0V to 2.5V/-1.5V-3.5V, SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.47 грн
10+48.68 грн
100+33.68 грн
500+25.25 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 G18P03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=538 Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 G18P03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=538 Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+51.56 грн
100+39.51 грн
500+29.31 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=538 P-CH,-30V,-28A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S GOFORD Semiconductor G18P03S.pdf P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S Goford Semiconductor G18P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH G1K1P06HH Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH G1K1P06HH Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.16 грн
16+19.08 грн
100+11.44 грн
500+9.94 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH GOFORD Semiconductor G1K1P06LH.pdf G1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
15000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH Goford Semiconductor G1K1P06LH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH Goford Semiconductor G1K1P06LH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
16+19.38 грн
100+12.23 грн
500+8.57 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL.pdf Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL.pdf Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.45 грн
17+18.78 грн
100+11.86 грн
500+8.31 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL GOFORD Semiconductor G1K1P06LL.pdf P-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SH G1K1P06SH Goford Semiconductor G1K1P06SH.pdf Description: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10G.pdf Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10G.pdf Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.00 грн
10+90.85 грн
100+72.30 грн
500+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
16+19.38 грн
100+9.76 грн
500+8.12 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
12+25.44 грн
100+15.25 грн
500+13.25 грн
1000+9.01 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
15000+2.91 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
17+17.87 грн
100+9.03 грн
500+6.91 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A Goford Semiconductor G2002A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.11 грн
15000+5.43 грн
30000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A GOFORD Semiconductor G2002A.pdf N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
15000+7.16 грн
30000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A GOFORD Semiconductor G2003A.pdf N-CH,190V,3A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.81 грн
15000+6.30 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.28 грн
15000+12.25 грн
30000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
G16P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+37.17 грн
100+25.49 грн
500+18.94 грн
1000+17.30 грн
2000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
G16P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.47 грн
16000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhm MAX at -10V, 18mOhm MAX at -4.5V, SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.14 грн
16000+13.28 грн
32000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2.pdf
G170P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.67 грн
13+24.68 грн
100+15.72 грн
500+11.11 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2.pdf
G170P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32.pdf
G170P02D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32.pdf
G170P02D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.32 грн
10+32.40 грн
100+22.16 грн
500+16.39 грн
1000+14.93 грн
2000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
G170P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
G170P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2.pdf
G170P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1786pF @ -15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P06S G170P06S.pdf
G170P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-60V,-12A,3.6W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.89 грн
10+33.46 грн
100+22.91 грн
500+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.98 грн
10+55.95 грн
100+37.07 грн
500+27.18 грн
1000+24.73 грн
2000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.85 грн
16000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.60 грн
16000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K.pdf
G18N20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K.pdf
G18N20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.20 грн
10+55.64 грн
100+36.89 грн
500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
G18N20T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 110W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N50T G18N50T.pdf
G18N50T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.85 грн
50+114.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-P-CH,60V/-60V,18A/-18A,RD(max) Less Than 35mOhm at 10V/45mOhm at -10V,VTH 1.0V to 2.5V/-1.5V-3.5V, SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
G18NP06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.47 грн
10+48.68 грн
100+33.68 грн
500+25.25 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
G18NP06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
G18P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
G18P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+51.56 грн
100+39.51 грн
500+29.31 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-28A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
G18P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 15A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
G1K1P06HH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
G1K1P06HH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.16 грн
16+19.08 грн
100+11.44 грн
500+9.94 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.31 грн
15000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
G1K1P06LH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
G1K1P06LH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.02 грн
16+19.38 грн
100+12.23 грн
500+8.57 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
G1K1P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
G1K1P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.45 грн
17+18.78 грн
100+11.86 грн
500+8.31 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SH G1K1P06SH.pdf
G1K1P06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.00 грн
10+90.85 грн
100+72.30 грн
500+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
16+19.38 грн
100+9.76 грн
500+8.12 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL GOFORD-G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 GOFORD-G1K8P06S2.pdf
G1K8P06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 GOFORD-G1K8P06S2.pdf
G1K8P06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.81 грн
12+25.44 грн
100+15.25 грн
500+13.25 грн
1000+9.01 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD-G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD-G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.31 грн
15000+2.91 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD-G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.73 грн
17+17.87 грн
100+9.03 грн
500+6.91 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A.pdf
G2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.11 грн
15000+5.43 грн
30000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.76 грн
15000+7.16 грн
30000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,190V,3A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.81 грн
15000+6.30 грн
30000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]