Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1130) > Сторінка 7 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.27 грн
10+33.06 грн
100+22.64 грн
500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.38 грн
16000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 GOFORD Semiconductor G180N06S2.pdf Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.11 грн
16000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.89 грн
10+55.28 грн
100+36.63 грн
500+26.85 грн
1000+24.43 грн
2000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K Goford Semiconductor G18N20K.pdf Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K Goford Semiconductor G18N20K.pdf Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.11 грн
10+54.98 грн
100+36.45 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T GOFORD Semiconductor G18N20T.pdf G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T GOFORD SEMICONDUCTOR G18N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 110W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T Goford Semiconductor G18N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N50T G18N50T Goford Semiconductor G18N50T.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.05 грн
50+113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y GOFORD Semiconductor G18NP06Y.pdf N-P-CH,60V/-60V,18A/-18A,RD(max) Less Than 35mOhm at 10V/45mOhm at -10V,VTH 1.0V to 2.5V/-1.5V-3.5V, SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.58 грн
10+48.10 грн
100+33.28 грн
500+24.95 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 G18P03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=538 Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 G18P03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=538 Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.59 грн
10+50.94 грн
100+39.04 грн
500+28.96 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=538 P-CH,-30V,-28A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S Goford Semiconductor G18P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S GOFORD Semiconductor G18P03S.pdf P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH G1K1P06HH Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.86 грн
16+18.85 грн
100+11.30 грн
500+9.82 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH G1K1P06HH Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH Goford Semiconductor G1K1P06LH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH Goford Semiconductor G1K1P06LH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
16+19.15 грн
100+12.09 грн
500+8.47 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH GOFORD Semiconductor G1K1P06LH.pdf G1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL.pdf Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL.pdf Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.55 грн
100+11.72 грн
500+8.21 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL GOFORD Semiconductor G1K1P06LL.pdf P-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SH G1K1P06SH Goford Semiconductor G1K1P06SH.pdf Description: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10G.pdf Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10G.pdf Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.64 грн
10+89.77 грн
100+71.44 грн
500+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.97 грн
16+19.15 грн
100+9.64 грн
500+8.02 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
12+25.13 грн
100+15.07 грн
500+13.09 грн
1000+8.90 грн
2000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.27 грн
15000+2.87 грн
30000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor GOFORD-G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+17.65 грн
100+8.92 грн
500+6.83 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A Goford Semiconductor G2002A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
15000+5.36 грн
30000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A GOFORD Semiconductor G2002A.pdf N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
15000+7.24 грн
30000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A Goford Semiconductor G2003A.pdf Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.67 грн
100+14.36 грн
500+10.12 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A GOFORD Semiconductor G2003A.pdf N-CH,190V,3A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.89 грн
15000+6.37 грн
30000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A Goford Semiconductor G2003A.pdf Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2009G GOFORD Semiconductor N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH Goford Semiconductor G200N06TH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH Goford Semiconductor G200N06TH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.24 грн
10+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3.pdf Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3.pdf Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 GOFORD Semiconductor G200P04D3.pdf G200P04D3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 G200P04S2 Goford Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 G200P04S2 Goford Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.69 грн
10+59.62 грн
100+45.71 грн
500+33.91 грн
1000+27.13 грн
2000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2014 GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.27 грн
10+33.06 грн
100+22.64 грн
500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.38 грн
16000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.11 грн
16000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.89 грн
10+55.28 грн
100+36.63 грн
500+26.85 грн
1000+24.43 грн
2000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K.pdf
G18N20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K.pdf
G18N20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.11 грн
10+54.98 грн
100+36.45 грн
500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 110W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
G18N20T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N50T G18N50T.pdf
G18N50T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.05 грн
50+113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-P-CH,60V/-60V,18A/-18A,RD(max) Less Than 35mOhm at 10V/45mOhm at -10V,VTH 1.0V to 2.5V/-1.5V-3.5V, SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
G18NP06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
G18NP06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.58 грн
10+48.10 грн
100+33.28 грн
500+24.95 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
G18P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
G18P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.59 грн
10+50.94 грн
100+39.04 грн
500+28.96 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-28A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
G18P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 15A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
G1K1P06HH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.86 грн
16+18.85 грн
100+11.30 грн
500+9.82 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
G1K1P06HH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
G1K1P06LH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
G1K1P06LH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
16+19.15 грн
100+12.09 грн
500+8.47 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.36 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
G1K1P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
G1K1P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.07 грн
17+18.55 грн
100+11.72 грн
500+8.21 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SH G1K1P06SH.pdf
G1K1P06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.64 грн
10+89.77 грн
100+71.44 грн
500+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL GOFORD-G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.97 грн
16+19.15 грн
100+9.64 грн
500+8.02 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 GOFORD-G1K8P06S2.pdf
G1K8P06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.40 грн
12+25.13 грн
100+15.07 грн
500+13.09 грн
1000+8.90 грн
2000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 GOFORD-G1K8P06S2.pdf
G1K8P06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD-G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD-G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.27 грн
15000+2.87 грн
30000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD-G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A/1.1A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.41 грн
17+17.65 грн
100+8.92 грн
500+6.83 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A.pdf
G2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.04 грн
15000+5.36 грн
30000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.85 грн
15000+7.24 грн
30000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
G2003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.06 грн
14+22.67 грн
100+14.36 грн
500+10.12 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,190V,3A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.89 грн
15000+6.37 грн
30000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
G2003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2009G
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH.pdf
G200N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH.pdf
G200N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.24 грн
10+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3.pdf
G200P04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3.pdf
G200P04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G200P04D3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
G200P04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
G200P04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.69 грн
10+59.62 грн
100+45.71 грн
500+33.91 грн
1000+27.13 грн
2000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2014
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]