Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1248) > Сторінка 9 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G220P02D2 GOFORD Semiconductor GOFORD-G220P02D2.pdf P-CH,-20V,-8A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -0.5V to -1.2V, DFN2X2-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32 Goford Semiconductor G220P03D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32 Goford Semiconductor G220P03D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.81 грн
10+35.19 грн
100+22.83 грн
500+16.42 грн
1000+14.81 грн
2000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2 Goford Semiconductor G220P03S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2 Goford Semiconductor G220P03S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.16 грн
10+36.39 грн
100+23.60 грн
500+17.00 грн
1000+15.35 грн
2000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304 Goford Semiconductor G2304.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.66 грн
19+16.01 грн
100+10.05 грн
500+7.01 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304 Goford Semiconductor G2304.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
6000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305 Goford Semiconductor G2305.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
15000+2.20 грн
30000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 GOFORD Semiconductor G2305.pdf P-CH,-20V,-4.8A,RD(max) Less Than 50mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 70mOhm at -2.5V,VTH -0.45V to -1.0V ,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.45 грн
15000+3.17 грн
30000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5 Goford Semiconductor G230P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5 Goford Semiconductor G230P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.74 грн
10+55.72 грн
100+36.73 грн
500+26.80 грн
1000+24.33 грн
2000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F Goford Semiconductor G230P06F.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4669 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 67.57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F Goford Semiconductor G230P06F.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4669 pF @ -30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 67.57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K Goford Semiconductor G230P06K.pdf Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K Goford Semiconductor G230P06K.pdf Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.88 грн
10+57.69 грн
100+38.05 грн
500+27.80 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K Goford Semiconductor G230P06K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ -30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.97 грн
15000+22.17 грн
30000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M Goford Semiconductor G230P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M Goford Semiconductor G230P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M Goford Semiconductor G230P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.31 грн
10+60.40 грн
100+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06S G230P06S Goford Semiconductor G230P06S.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9A SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4784 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T Goford Semiconductor G230P06T.pdf Description: P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4499 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T Goford Semiconductor G230P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T GOFORD Semiconductor G230P06T.pdf P-CH,-60V,-60A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,VTH -2.0V to -4.0V ,TO-220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312 Goford Semiconductor G2312.pdf Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312 Goford Semiconductor G2312.pdf Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.44 грн
19+16.46 грн
100+10.34 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K Goford Semiconductor G23N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.59 грн
10+35.79 грн
100+23.25 грн
500+16.75 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K Goford Semiconductor G23N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K Goford Semiconductor G23N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03D2E G250N03D2E Goford Semiconductor G250N03D2E.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,7.5A,1.9W,6-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03D2E G250N03D2E Goford Semiconductor G250N03D2E.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,7.5A,1.9W,6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE GOFORD SEMICONDUCTOR G250N03IE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.3A; 1.4W; SOT23; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 5.3A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE GOFORD Semiconductor G250N03IE.pdf N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.88 грн
21+14.95 грн
100+9.39 грн
500+6.53 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE GOFORD Semiconductor G250N03IE.pdf N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K Goford Semiconductor G25N06K.pdf Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K GOFORD Semiconductor G25N06K.pdf NChannel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.55 грн
15000+13.43 грн
30000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K Goford Semiconductor G25N06K.pdf Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.94 грн
10+37.45 грн
100+24.39 грн
500+17.60 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 G26P04D5 Goford Semiconductor GOFORD-G26P04D5.pdf Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.96 грн
15000+12.46 грн
30000+11.17 грн
50000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 G26P04D5 Goford Semiconductor GOFORD-G26P04D5.pdf Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 G26P04D5 Goford Semiconductor GOFORD-G26P04D5.pdf Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
на замовлення 62723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.18 грн
10+42.13 грн
100+29.17 грн
500+22.87 грн
1000+19.47 грн
2000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K G26P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=587 Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K G26P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=587 Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.89 грн
10+46.44 грн
100+35.65 грн
500+26.45 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G28N02T G28N02T Goford Semiconductor GOFORD-G28N02T.pdf Description: N20V, 28A, RD<7.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
15000+2.93 грн
30000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G29 GOFORD Semiconductor G29.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3334
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
6000+4.66 грн
9000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.09 грн
21+14.87 грн
100+9.32 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
10+34.73 грн
100+24.14 грн
500+17.68 грн
1000+14.37 грн
2000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.67 грн
10+46.36 грн
100+32.13 грн
500+25.19 грн
1000+21.44 грн
2000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.23 грн
16+19.63 грн
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 GOFORD-G220P02D2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-8A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -0.5V to -1.2V, DFN2X2-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32.pdf
G220P03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32.pdf
G220P03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.81 грн
10+35.19 грн
100+22.83 грн
500+16.42 грн
1000+14.81 грн
2000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2.pdf
G220P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2.pdf
G220P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.16 грн
10+36.39 грн
100+23.60 грн
500+17.00 грн
1000+15.35 грн
2000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304.pdf
G2304
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.66 грн
19+16.01 грн
100+10.05 грн
500+7.01 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304.pdf
G2304
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.78 грн
6000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305.pdf
G2305
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.49 грн
15000+2.20 грн
30000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-4.8A,RD(max) Less Than 50mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 70mOhm at -2.5V,VTH -0.45V to -1.0V ,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.45 грн
15000+3.17 грн
30000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5.pdf
G230P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5.pdf
G230P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.74 грн
10+55.72 грн
100+36.73 грн
500+26.80 грн
1000+24.33 грн
2000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F.pdf
G230P06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4669 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 67.57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F.pdf
G230P06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4669 pF @ -30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 67.57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.88 грн
10+57.69 грн
100+38.05 грн
500+27.80 грн
1000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ -30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.97 грн
15000+22.17 грн
30000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M.pdf
G230P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M.pdf
G230P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.31 грн
10+60.40 грн
100+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06S G230P06S.pdf
G230P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 9A SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4784 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
G230P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4499 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
G230P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-60A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,VTH -2.0V to -4.0V ,TO-220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
413+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312.pdf
G2312
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312.pdf
G2312
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.44 грн
19+16.46 грн
100+10.34 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K.pdf
G23N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.59 грн
10+35.79 грн
100+23.25 грн
500+16.75 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K.pdf
G23N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K.pdf
G23N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03D2E G250N03D2E.pdf
G250N03D2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,7.5A,1.9W,6-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03D2E G250N03D2E.pdf
G250N03D2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,7.5A,1.9W,6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.3A; 1.4W; SOT23; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 5.3A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.88 грн
21+14.95 грн
100+9.39 грн
500+6.53 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K.pdf
G25N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
NChannel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.55 грн
15000+13.43 грн
30000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K.pdf
G25N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.94 грн
10+37.45 грн
100+24.39 грн
500+17.60 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 GOFORD-G26P04D5.pdf
G26P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.96 грн
15000+12.46 грн
30000+11.17 грн
50000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 GOFORD-G26P04D5.pdf
G26P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 GOFORD-G26P04D5.pdf
G26P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
на замовлення 62723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.18 грн
10+42.13 грн
100+29.17 грн
500+22.87 грн
1000+19.47 грн
2000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K products-detail.php?ProId=587
G26P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K products-detail.php?ProId=587
G26P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.89 грн
10+46.44 грн
100+35.65 грн
500+26.45 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G28N02T GOFORD-G28N02T.pdf
G28N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 28A, RD<7.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3.pdf
G28N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3.pdf
G28N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 15V 4.1A SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
15000+2.93 грн
30000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3334+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3334
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.36 грн
6000+4.66 грн
9000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.09 грн
21+14.87 грн
100+9.32 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.34 грн
10+34.73 грн
100+24.14 грн
500+17.68 грн
1000+14.37 грн
2000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.67 грн
10+46.36 грн
100+32.13 грн
500+25.19 грн
1000+21.44 грн
2000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE.pdf
G2K2P10SE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.23 грн
16+19.63 грн
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]