Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1356) > Сторінка 9 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G200P04S2 G200P04S2 Goford Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.35 грн
10+59.33 грн
100+45.48 грн
500+33.74 грн
1000+26.99 грн
2000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 G200P04S2 Goford Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2012 GOFORD Semiconductor Heyco-Full-Lines-Datasheet.pdf Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2014 GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.74 грн
12+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 GOFORD Semiconductor G20N03D2.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K Goford Semiconductor G20N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K Goford Semiconductor G20N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.88 грн
10+32.98 грн
50+24.10 грн
100+19.93 грн
500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 GOFORD Semiconductor G20N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52 Goford Semiconductor G20N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52 Goford Semiconductor G20N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.85 грн
10+47.64 грн
50+35.25 грн
100+29.32 грн
500+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 GOFORD SEMICONDUCTOR G20N06D52.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K Goford Semiconductor G20P06K.pdf Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.66 грн
10+43.62 грн
50+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K GOFORD Semiconductor G20P06K.pdf P-CH,-60V,-20A,RD(max) Less Than 45mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K Goford Semiconductor G20P06K.pdf Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P08K G20P08K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=636 Description: P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P08K G20P08K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=636 Description: P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.62 грн
10+53.89 грн
100+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P10KE G20P10KE Goford Semiconductor G20P10KE.pdf Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P10KE G20P10KE Goford Semiconductor G20P10KE.pdf Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
10+61.41 грн
100+40.79 грн
500+29.93 грн
1000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P10KE GOFORD Semiconductor G20P10KE.pdf P-CH,-100V,-20A,RD(max) Less Than 116mOhm at -10V, VTH-1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 G220P02D2 Goford Semiconductor GOFORD-G220P02D2.pdf Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 G220P02D2 Goford Semiconductor GOFORD-G220P02D2.pdf Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.60 грн
14+22.26 грн
100+15.15 грн
500+10.66 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 G220P02D2 Goford Semiconductor GOFORD-G220P02D2.pdf Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 GOFORD Semiconductor GOFORD-G220P02D2.pdf P-CH,-20V,-8A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -0.5V to -1.2V, DFN2X2-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32 Goford Semiconductor G220P03D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32 Goford Semiconductor G220P03D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.98 грн
10+34.69 грн
100+22.50 грн
500+16.19 грн
1000+14.60 грн
2000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2 Goford Semiconductor G220P03S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2 Goford Semiconductor G220P03S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.30 грн
10+35.88 грн
100+23.27 грн
500+16.76 грн
1000+15.13 грн
2000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304 Goford Semiconductor G2304.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304 Goford Semiconductor G2304.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.96 грн
22+14.14 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305 Goford Semiconductor G2305.pdf Description: P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.96 грн
22+14.14 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 GOFORD Semiconductor G2305.pdf P-CH,-20V,-4.8A,RD(max) Less Than 50mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 70mOhm at -2.5V,VTH -0.45V to -1.0V ,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.52 грн
15000+3.23 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305 Goford Semiconductor G2305.pdf Description: P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5 Goford Semiconductor G230P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06D5.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -48A; 105W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -48A
Power dissipation: 105W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5 Goford Semiconductor G230P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.95 грн
10+59.92 грн
100+39.68 грн
500+29.08 грн
1000+26.45 грн
2000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5 Goford Semiconductor G230P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F Goford Semiconductor G230P06F.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 67.57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4669 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06F.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -42A; 67.57W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -42A
Power dissipation: 67.57W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K Goford Semiconductor G230P06K.pdf Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.41 грн
10+69.97 грн
100+46.66 грн
500+34.41 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K Goford Semiconductor G230P06K.pdf Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Power dissipation: 115W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K Goford Semiconductor G230P06K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ -30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -48A; 105W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -48A
Power dissipation: 105W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M Goford Semiconductor G230P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M Goford Semiconductor G230P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.27 грн
10+72.28 грн
100+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06S G230P06S GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -9A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06S G230P06S Goford Semiconductor G230P06S.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9A SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4784 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T Goford Semiconductor G230P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T GOFORD Semiconductor G230P06T.pdf P-CH,-60V,-60A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,VTH -2.0V to -4.0V ,TO-220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T Goford Semiconductor G230P06T.pdf Description: P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4499 pF @ 30 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.14 грн
50+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312 Goford Semiconductor G2312.pdf Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.96 грн
22+14.14 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312 Goford Semiconductor G2312.pdf Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312 GOFORD SEMICONDUCTOR G2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Technology: Trench
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.77 грн
13+34.24 грн
25+18.33 грн
100+7.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.09 грн
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K Goford Semiconductor G23N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+35.28 грн
100+22.92 грн
500+16.51 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K Goford Semiconductor G23N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K Goford Semiconductor G23N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
G200P04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.35 грн
10+59.33 грн
100+45.48 грн
500+33.74 грн
1000+26.99 грн
2000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
G200P04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2012 Heyco-Full-Lines-Datasheet.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2014
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2.pdf
G20N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.74 грн
12+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2.pdf
G20N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K.pdf
G20N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K.pdf
G20N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.88 грн
10+32.98 грн
50+24.10 грн
100+19.93 грн
500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
G20N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
G20N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.85 грн
10+47.64 грн
50+35.25 грн
100+29.32 грн
500+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K.pdf
G20P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.66 грн
10+43.62 грн
50+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-20A,RD(max) Less Than 45mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K.pdf
G20P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P08K products-detail.php?ProId=636
G20P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P08K products-detail.php?ProId=636
G20P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.62 грн
10+53.89 грн
100+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P10KE G20P10KE.pdf
G20P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P10KE G20P10KE.pdf
G20P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.27 грн
10+61.41 грн
100+40.79 грн
500+29.93 грн
1000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20P10KE G20P10KE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-20A,RD(max) Less Than 116mOhm at -10V, VTH-1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 GOFORD-G220P02D2.pdf
G220P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 GOFORD-G220P02D2.pdf
G220P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.60 грн
14+22.26 грн
100+15.15 грн
500+10.66 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 GOFORD-G220P02D2.pdf
G220P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1873 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P02D2 GOFORD-G220P02D2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-8A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -0.5V to -1.2V, DFN2X2-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32.pdf
G220P03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03D32 G220P03D32.pdf
G220P03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.98 грн
10+34.69 грн
100+22.50 грн
500+16.19 грн
1000+14.60 грн
2000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2.pdf
G220P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G220P03S2 G220P03S2.pdf
G220P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.30 грн
10+35.88 грн
100+23.27 грн
500+16.76 грн
1000+15.13 грн
2000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304.pdf
G2304
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2304 G2304.pdf
G2304
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.96 грн
22+14.14 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305.pdf
G2305
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.96 грн
22+14.14 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-4.8A,RD(max) Less Than 50mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 70mOhm at -2.5V,VTH -0.45V to -1.0V ,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4055+3.52 грн
15000+3.23 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2305 G2305.pdf
G2305
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5.pdf
G230P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -48A; 105W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -48A
Power dissipation: 105W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5.pdf
G230P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5002 pF @ 30 V
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.95 грн
10+59.92 грн
100+39.68 грн
500+29.08 грн
1000+26.45 грн
2000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06D5 G230P06D5.pdf
G230P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F.pdf
G230P06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 42A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 67.57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4669 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06F G230P06F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -42A; 67.57W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -42A
Power dissipation: 67.57W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.41 грн
10+69.97 грн
100+46.66 грн
500+34.41 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Power dissipation: 115W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06K G230P06K.pdf
G230P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ -10A,- 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4581 pF @ -30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M.pdf
G230P06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -48A; 105W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -48A
Power dissipation: 105W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M.pdf
G230P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06M G230P06M.pdf
G230P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 48A 105W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4505 pF @ 30 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.27 грн
10+72.28 грн
100+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06S G230P06S.pdf
G230P06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -9A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06S G230P06S.pdf
G230P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 9A SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4784 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
G230P06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -60A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
G230P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-60A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,VTH -2.0V to -4.0V ,TO-220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G230P06T G230P06T.pdf
G230P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4499 pF @ 30 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.14 грн
50+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312.pdf
G2312
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.96 грн
22+14.14 грн
100+8.85 грн
500+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312.pdf
G2312
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2312 G2312.pdf
G2312
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Technology: Trench
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.77 грн
13+34.24 грн
25+18.33 грн
100+7.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.09 грн
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K.pdf
G23N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.75 грн
10+35.28 грн
100+22.92 грн
500+16.51 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K.pdf
G23N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G23N06K G23N06K.pdf
G23N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.