Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1037) > Сторінка 9 з 18

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.46 грн
16+20.49 грн
100+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
17+19.30 грн
100+11.57 грн
500+10.06 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6 Goford Semiconductor GOFORD-G2K3N10L6.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S G2K8P15S Goford Semiconductor GOFORD-G2K8P15S.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.25 грн
16000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.18 грн
15+21.12 грн
100+13.32 грн
500+9.35 грн
1000+8.33 грн
2000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.26 грн
15000+4.69 грн
30000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
15000+3.27 грн
30000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.09 грн
15+21.04 грн
100+10.61 грн
500+8.12 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 GOFORD Semiconductor G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 G300P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.99 грн
15000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.64 грн
10+44.60 грн
100+29.01 грн
500+20.94 грн
1000+18.92 грн
2000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T GOFORD Semiconductor G300P06T.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.73 грн
50+47.26 грн
100+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 GOFORD Semiconductor G3035.pdf P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.02 грн
15000+2.78 грн
30000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.18 грн
21+15.29 грн
100+9.60 грн
500+6.69 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.09 грн
16+20.96 грн
100+10.57 грн
500+8.09 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf G3035L.pdf P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.84 грн
15000+3.51 грн
30000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
15000+3.12 грн
30000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=623 N-CH,20V,30A,RD(max) Less Than 13mOhm at 4.5V,VTH 0.5V to 1.2V,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T G30N02T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=623 Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T G30N02T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=623 Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.82 грн
10+38.14 грн
100+24.65 грн
500+17.68 грн
1000+15.92 грн
2000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 GOFORD Semiconductor G30N03D3.pdf N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.13 грн
15000+9.32 грн
30000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.46 грн
10+50.43 грн
100+33.01 грн
500+23.94 грн
1000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 GOFORD Semiconductor G30N04D3.pdf N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.82 грн
10+53.03 грн
100+36.71 грн
500+28.78 грн
1000+24.50 грн
2000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.36 грн
15000+10.95 грн
30000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=665 Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.00 грн
10+44.75 грн
100+30.97 грн
500+24.29 грн
1000+20.67 грн
2000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=665 Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=665 Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03S G33N03S Goford Semiconductor GOFORD-G33N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 8A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G3401A GOFORD Semiconductor Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4167+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L Goford Semiconductor G3401L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L Goford Semiconductor G3401L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.55 грн
16+19.78 грн
100+12.55 грн
500+8.82 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L GOFORD Semiconductor G3401L.pdf P-CH 30V -4.2A 60mOhm/MAX at -10V,70mOhm/MAX at -4.5V SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L Goford Semiconductor G3401L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B Goford Semiconductor G3404B.pdf Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+4.95 грн
9000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B Goford Semiconductor G3404B.pdf Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.00 грн
20+15.76 грн
100+9.90 грн
500+6.90 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B GOFORD Semiconductor G3404B.pdf N-CH,30V,5.6A,RD(max) Less Than 22mOhm at 10V,RD(max) Less Than 35mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.02 грн
15000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL GOFORD Semiconductor G3404LL.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.76 грн
15000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL Goford Semiconductor G3404LL.pdf Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 541 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL Goford Semiconductor G3404LL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
15000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL Goford Semiconductor G3404LL.pdf Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 541 pF @ 15 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.18 грн
16+20.80 грн
100+13.17 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.46 грн
16+20.49 грн
100+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6.pdf
G2K3N10L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6.pdf
G2K3N10L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
17+19.30 грн
100+11.57 грн
500+10.06 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 GOFORD-G2K3N10L6.pdf
G2K3N10L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S GOFORD-G2K8P15S.pdf
G2K8P15S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.25 грн
16000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.18 грн
15+21.12 грн
100+13.32 грн
500+9.35 грн
1000+8.33 грн
2000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+5.26 грн
15000+4.69 грн
30000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.63 грн
15000+3.27 грн
30000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.09 грн
15+21.04 грн
100+10.61 грн
500+8.12 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2
Виробник: GOFORD Semiconductor
G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
G300P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.99 грн
15000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.64 грн
10+44.60 грн
100+29.01 грн
500+20.94 грн
1000+18.92 грн
2000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
492+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.73 грн
50+47.26 грн
100+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.02 грн
15000+2.78 грн
30000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.18 грн
21+15.29 грн
100+9.60 грн
500+6.69 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.09 грн
16+20.96 грн
100+10.57 грн
500+8.09 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD-G3035L.pdf G3035L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+3.84 грн
15000+3.51 грн
30000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD-G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.54 грн
15000+3.12 грн
30000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,30A,RD(max) Less Than 13mOhm at 4.5V,VTH 0.5V to 1.2V,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
G30N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
G30N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.82 грн
10+38.14 грн
100+24.65 грн
500+17.68 грн
1000+15.92 грн
2000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.13 грн
15000+9.32 грн
30000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.46 грн
10+50.43 грн
100+33.01 грн
500+23.94 грн
1000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.82 грн
10+53.03 грн
100+36.71 грн
500+28.78 грн
1000+24.50 грн
2000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.36 грн
15000+10.95 грн
30000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 products-detail.php?ProId=665
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.00 грн
10+44.75 грн
100+30.97 грн
500+24.29 грн
1000+20.67 грн
2000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 products-detail.php?ProId=665
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 products-detail.php?ProId=665
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03S GOFORD-G33N03S.pdf
G33N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 8A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G3401A
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4167+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
G3401L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
G3401L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.55 грн
16+19.78 грн
100+12.55 грн
500+8.82 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH 30V -4.2A 60mOhm/MAX at -10V,70mOhm/MAX at -4.5V SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
G3401L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B.pdf
G3404B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.69 грн
6000+4.95 грн
9000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B.pdf
G3404B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.00 грн
20+15.76 грн
100+9.90 грн
500+6.90 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,5.6A,RD(max) Less Than 22mOhm at 10V,RD(max) Less Than 35mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.02 грн
15000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3261+3.76 грн
15000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
G3404LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 541 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
G3404LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.47 грн
15000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3404LL G3404LL.pdf
G3404LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 541 pF @ 15 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.18 грн
16+20.80 грн
100+13.17 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]