Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1082) > Сторінка 9 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.35 грн
10+37.20 грн
100+25.85 грн
500+18.94 грн
1000+15.39 грн
2000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+49.65 грн
100+34.41 грн
500+26.98 грн
1000+22.97 грн
2000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
16+21.03 грн
100+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6.pdf Description: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S G2K8P15S Goford Semiconductor GOFORD-G2K8P15S.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.73 грн
16000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.40 грн
15000+4.81 грн
30000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
15+21.67 грн
100+13.67 грн
500+9.59 грн
1000+8.55 грн
2000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.72 грн
15000+3.36 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
15+21.59 грн
100+10.88 грн
500+8.34 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 GOFORD Semiconductor G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 G300P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.47 грн
15000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.58 грн
10+45.77 грн
100+29.78 грн
500+21.49 грн
1000+19.41 грн
2000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T GOFORD Semiconductor G300P06T.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.49 грн
50+48.50 грн
100+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
21+15.85 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 GOFORD Semiconductor G3035.pdf P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.07 грн
15000+2.82 грн
30000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf G3035L.pdf P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.90 грн
15000+3.57 грн
30000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor GOFORD-G3035L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
15000+3.20 грн
30000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
16+21.51 грн
100+10.84 грн
500+8.31 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T G30N02T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=623 Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T G30N02T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=623 Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=623 N-CH,20V,30A,RD(max) Less Than 13mOhm at 4.5V,VTH 0.5V to 1.2V,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+39.14 грн
100+25.30 грн
500+18.14 грн
1000+16.34 грн
2000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 GOFORD Semiconductor G30N03D3.pdf N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.28 грн
15000+9.45 грн
30000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.66 грн
10+51.76 грн
100+33.88 грн
500+24.57 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 GOFORD Semiconductor G30N04D3.pdf N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.68 грн
15000+11.24 грн
30000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+54.42 грн
100+37.68 грн
500+29.54 грн
1000+25.14 грн
2000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=665 Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=665 Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.43 грн
10+45.93 грн
100+31.79 грн
500+24.93 грн
1000+21.22 грн
2000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=665 Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03S G33N03S Goford Semiconductor GOFORD-G33N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 8A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G3401A GOFORD Semiconductor Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4167+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L Goford Semiconductor G3401L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L Goford Semiconductor G3401L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.59 грн
17+19.81 грн
100+12.57 грн
500+8.83 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L GOFORD Semiconductor G3401L.pdf P-CH 30V -4.2A 60mOhm/MAX at -10V,70mOhm/MAX at -4.5V SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B Goford Semiconductor G3404B.pdf Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
21+15.85 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B GOFORD Semiconductor G3404B.pdf N-CH,30V,5.6A,RD(max) Less Than 22mOhm at 10V,RD(max) Less Than 35mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.07 грн
15000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B Goford Semiconductor G3404B.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
15000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.35 грн
10+37.20 грн
100+25.85 грн
500+18.94 грн
1000+15.39 грн
2000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.62 грн
10+49.65 грн
100+34.41 грн
500+26.98 грн
1000+22.97 грн
2000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE.pdf
G2K2P10SE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.23 грн
16+21.03 грн
100+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6.pdf
G2K3N10L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S GOFORD-G2K8P15S.pdf
G2K8P15S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.73 грн
16000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+5.40 грн
15000+4.81 грн
30000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.11 грн
15+21.67 грн
100+13.67 грн
500+9.59 грн
1000+8.55 грн
2000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.72 грн
15000+3.36 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
15+21.59 грн
100+10.88 грн
500+8.34 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2
Виробник: GOFORD Semiconductor
G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
G300P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.47 грн
15000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.58 грн
10+45.77 грн
100+29.78 грн
500+21.49 грн
1000+19.41 грн
2000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
492+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.49 грн
50+48.50 грн
100+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.87 грн
21+15.85 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.07 грн
15000+2.82 грн
30000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD-G3035L.pdf G3035L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+3.90 грн
15000+3.57 грн
30000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD-G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.63 грн
15000+3.20 грн
30000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
16+21.51 грн
100+10.84 грн
500+8.31 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
G30N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
G30N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,30A,RD(max) Less Than 13mOhm at 4.5V,VTH 0.5V to 1.2V,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
729+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.50 грн
10+39.14 грн
100+25.30 грн
500+18.14 грн
1000+16.34 грн
2000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.28 грн
15000+9.45 грн
30000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.66 грн
10+51.76 грн
100+33.88 грн
500+24.57 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.68 грн
15000+11.24 грн
30000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.50 грн
10+54.42 грн
100+37.68 грн
500+29.54 грн
1000+25.14 грн
2000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 products-detail.php?ProId=665
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 products-detail.php?ProId=665
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.43 грн
10+45.93 грн
100+31.79 грн
500+24.93 грн
1000+21.22 грн
2000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D52 products-detail.php?ProId=665
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DFN5*6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5*6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03S GOFORD-G33N03S.pdf
G33N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 8A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G3401A
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4167+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
G3401L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
G3401L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 15 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.59 грн
17+19.81 грн
100+12.57 грн
500+8.83 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3401L G3401L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH 30V -4.2A 60mOhm/MAX at -10V,70mOhm/MAX at -4.5V SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B.pdf
G3404B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.87 грн
21+15.85 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,5.6A,RD(max) Less Than 22mOhm at 10V,RD(max) Less Than 35mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.07 грн
15000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G3404B G3404B.pdf
G3404B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
15000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]