Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149889) > Сторінка 1296 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL3705NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate-source voltage: ±16V Gate charge: 65.3nC On-state resistance: 10mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL3705NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 86A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRL3803PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL3803STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL520NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 49.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL60B216 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL60HS118 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL6372TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL7833PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL7833STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK Case: D2PAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRL80HS120 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 91nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 57nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 620A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8721PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 62A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 7.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLH5030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLHM620TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLHM630TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.7W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3 Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLHS6242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLHS6276TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2 Case: PQFN2X2 Drain-source voltage: 20V Drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 4.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLHS6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLHS6376TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL014NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.4nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLL2703TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLL2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 582 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0100TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13509 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6781 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 705 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 46mΩ Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6302PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.4nC On-state resistance: 0.6Ω Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLML6302TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 667 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 17A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6004 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6402TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLML9303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRL3705NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.37 грн |
10+ | 98.13 грн |
21+ | 51.37 грн |
57+ | 48.62 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3705ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3803PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL3803PBF THT N channel transistors
IRL3803PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3803STRLPBF | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL3803STRLPBF SMD N channel transistors
IRL3803STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL520NPBF THT N channel transistors
IRL520NPBF THT N channel transistors
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.33 грн |
31+ | 34.95 грн |
85+ | 33.12 грн |
IRL530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.41 грн |
10+ | 90.41 грн |
30+ | 36.97 грн |
80+ | 34.95 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.54 грн |
25+ | 81.07 грн |
29+ | 37.61 грн |
79+ | 35.50 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.02 грн |
10+ | 132.42 грн |
18+ | 60.55 грн |
49+ | 56.88 грн |
IRL60B216 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL60B216 THT N channel transistors
IRL60B216 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL60HS118 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL60HS118 SMD N channel transistors
IRL60HS118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.13 грн |
61+ | 17.80 грн |
166+ | 16.88 грн |
IRL6372TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
10+ | 48.01 грн |
37+ | 29.54 грн |
101+ | 27.89 грн |
500+ | 26.88 грн |
IRL7833PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7833PBF THT N channel transistors
IRL7833PBF THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.05 грн |
14+ | 81.65 грн |
37+ | 77.06 грн |
IRL7833STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL80HS120 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL80HS120 SMD N channel transistors
IRL80HS120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 316.15 грн |
6+ | 186.72 грн |
17+ | 169.72 грн |
250+ | 163.29 грн |
IRLB3036PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 91nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 91nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.83 грн |
5+ | 233.40 грн |
14+ | 211.92 грн |
IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
On-state resistance: 1.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 57nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.71 грн |
10+ | 108.25 грн |
12+ | 93.57 грн |
32+ | 88.07 грн |
IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.75 грн |
7+ | 167.67 грн |
19+ | 153.20 грн |
500+ | 149.53 грн |
1000+ | 146.78 грн |
IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.72 грн |
10+ | 58.88 грн |
31+ | 35.50 грн |
83+ | 33.67 грн |
500+ | 32.48 грн |
2000+ | 32.38 грн |
IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.60 грн |
10+ | 57.35 грн |
31+ | 35.32 грн |
84+ | 33.39 грн |
5000+ | 32.11 грн |
IRLB8721PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 53.06 грн |
32+ | 33.94 грн |
88+ | 32.11 грн |
250+ | 31.01 грн |
IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.31 грн |
10+ | 63.30 грн |
20+ | 54.13 грн |
55+ | 51.37 грн |
IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLH5030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLH5030TRPBF SMD N channel transistors
IRLH5030TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHM620TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHM630TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 28.68 грн |
50+ | 20.00 грн |
78+ | 13.85 грн |
214+ | 13.12 грн |
500+ | 12.66 грн |
IRLHS6242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6242TRPBF SMD N channel transistors
IRLHS6242TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS6276TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6342TRPBF SMD N channel transistors
IRLHS6342TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS6376TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.33 грн |
10+ | 37.34 грн |
50+ | 27.43 грн |
61+ | 17.80 грн |
167+ | 16.79 грн |
1000+ | 16.15 грн |
IRLL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.47 грн |
10+ | 29.53 грн |
50+ | 22.84 грн |
78+ | 13.85 грн |
214+ | 13.12 грн |
2500+ | 12.66 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.16 грн |
10+ | 47.06 грн |
48+ | 22.57 грн |
131+ | 21.38 грн |
1000+ | 20.73 грн |
2500+ | 20.55 грн |
IRLL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.17 грн |
10+ | 46.11 грн |
32+ | 34.59 грн |
86+ | 32.66 грн |
100+ | 32.20 грн |
500+ | 32.11 грн |
IRLL2703TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLL2703TRPBF SMD N channel transistors
IRLL2703TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
10+ | 55.16 грн |
38+ | 28.99 грн |
102+ | 27.43 грн |
1000+ | 26.42 грн |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
17+ | 17.81 грн |
100+ | 11.38 грн |
161+ | 6.70 грн |
441+ | 6.33 грн |
IRLML0040TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
17+ | 16.86 грн |
50+ | 11.16 грн |
100+ | 9.67 грн |
189+ | 5.68 грн |
520+ | 5.37 грн |
6000+ | 5.16 грн |
IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.49 грн |
12+ | 25.82 грн |
50+ | 18.62 грн |
100+ | 16.51 грн |
140+ | 7.71 грн |
384+ | 7.25 грн |
24000+ | 7.06 грн |
IRLML0100TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13509 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
12+ | 25.06 грн |
50+ | 19.36 грн |
100+ | 17.06 грн |
142+ | 7.61 грн |
250+ | 7.52 грн |
390+ | 7.16 грн |
IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.61 грн |
16+ | 17.91 грн |
50+ | 13.21 грн |
100+ | 11.65 грн |
213+ | 5.05 грн |
586+ | 4.77 грн |
IRLML2060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
15+ | 19.82 грн |
50+ | 14.31 грн |
171+ | 6.33 грн |
468+ | 5.96 грн |
IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
25+ | 11.72 грн |
100+ | 8.89 грн |
194+ | 5.54 грн |
532+ | 5.24 грн |
45000+ | 5.15 грн |
IRLML2246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.74 грн |
18+ | 15.91 грн |
50+ | 11.10 грн |
100+ | 9.45 грн |
193+ | 5.60 грн |
529+ | 5.23 грн |
3000+ | 5.14 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
14+ | 20.96 грн |
50+ | 15.05 грн |
100+ | 13.39 грн |
132+ | 8.16 грн |
362+ | 7.71 грн |
9000+ | 7.52 грн |
IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.61 грн |
13+ | 23.05 грн |
15+ | 18.81 грн |
50+ | 12.94 грн |
100+ | 11.01 грн |
139+ | 7.71 грн |
381+ | 7.34 грн |
IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
14+ | 20.48 грн |
50+ | 14.22 грн |
100+ | 12.29 грн |
171+ | 6.33 грн |
468+ | 5.96 грн |
3000+ | 5.78 грн |
IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
13+ | 23.72 грн |
50+ | 15.78 грн |
100+ | 13.39 грн |
151+ | 7.06 грн |
415+ | 6.70 грн |
3000+ | 6.61 грн |
IRLML6244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.61 грн |
15+ | 20.20 грн |
50+ | 13.94 грн |
100+ | 12.11 грн |
205+ | 5.23 грн |
563+ | 4.95 грн |
IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
17+ | 17.43 грн |
50+ | 11.87 грн |
100+ | 10.21 грн |
218+ | 4.92 грн |
600+ | 4.65 грн |
6000+ | 4.56 грн |
IRLML6302PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLML6302TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLML6302TRPBF SMD P channel transistors
IRLML6302TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.76 грн |
141+ | 7.61 грн |
389+ | 7.16 грн |
IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.69 грн |
17+ | 17.53 грн |
50+ | 12.48 грн |
75+ | 11.47 грн |
100+ | 10.83 грн |
149+ | 7.25 грн |
408+ | 6.79 грн |
IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
17+ | 17.24 грн |
50+ | 11.47 грн |
100+ | 9.82 грн |
155+ | 6.97 грн |
425+ | 6.61 грн |
1000+ | 6.51 грн |
IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
16+ | 18.29 грн |
50+ | 13.12 грн |
100+ | 11.65 грн |
204+ | 5.23 грн |
558+ | 4.95 грн |
IRLML6402TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
14+ | 20.58 грн |
50+ | 14.22 грн |
100+ | 12.38 грн |
173+ | 6.24 грн |
475+ | 5.87 грн |
9000+ | 5.69 грн |
IRLML9301TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLML9303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.67 грн |
19+ | 15.15 грн |
50+ | 10.18 грн |
100+ | 8.99 грн |
178+ | 6.05 грн |
487+ | 5.69 грн |
3000+ | 5.60 грн |