Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149887) > Сторінка 1297 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLMS1503TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS1902TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS2002TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS5703TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS6802TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLP3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC Case: TO247AC Drain-source voltage: 40V Drain current: 327A On-state resistance: 1.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 341W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 108nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLR024NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLR120NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLR120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLR2703TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 96A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLR2705TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 20A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLR2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 761 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR2908TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 39A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR3103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR3105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 25A Power dissipation: 57W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLR3110ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 14mΩ Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 250A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLR3110ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 921 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3114ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLR3410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.105Ω Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3410TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR3636TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Power dissipation: 143W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3705ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR3915TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 61A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR6225TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 100A Power dissipation: 63W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR7833TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 140A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR8103VTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 89A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR8256TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 81A Power dissipation: 63W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLR8726TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR8743TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLR9343TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -20A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLS3034TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 1kA Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLS3036TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLS3813TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLS4030TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.9A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 638 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLU3110ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLU3410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLU7843PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLU8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLZ24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 10nC On-state resistance: 60mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 343 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLZ24NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube On-state resistance: 35mΩ Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 21A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 35mΩ Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate-source voltage: ±16V Kind of package: tube Gate charge: 32nC On-state resistance: 22mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLZ44ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 51A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRMCK099M | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRS10752LTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6 Mounting: SMD Case: SOT23-6 Operating temperature: -40...125°C Turn-on time: 225ns Turn-off time: 255ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: single transistor Voltage class: 100V Supply voltage: 10...18V DC Output current: -240...160mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRS2003STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: reel; tape Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 750ns Turn-off time: 180ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: reel; tape Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRS2007SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRLMS1503TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS1902TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS2002TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS5703TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLP3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 108nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 108nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 437.66 грн |
6+ | 203.87 грн |
16+ | 185.31 грн |
400+ | 177.97 грн |
IRLR024NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR024NTRLPBF SMD N channel transistors
IRLR024NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
10+ | 49.06 грн |
50+ | 21.38 грн |
138+ | 20.18 грн |
1000+ | 19.82 грн |
2000+ | 19.45 грн |
IRLR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLR120NTRLPBF SMD N channel transistors
IRLR120NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
50+ | 35.15 грн |
57+ | 19.08 грн |
155+ | 17.98 грн |
4000+ | 17.34 грн |
IRLR2703TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR2705TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.18 грн |
10+ | 45.73 грн |
50+ | 34.86 грн |
59+ | 18.35 грн |
161+ | 17.34 грн |
4000+ | 16.70 грн |
IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.61 грн |
10+ | 76.50 грн |
35+ | 30.82 грн |
96+ | 29.17 грн |
IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.78 грн |
10+ | 62.78 грн |
25+ | 54.22 грн |
35+ | 30.92 грн |
96+ | 29.17 грн |
2000+ | 28.53 грн |
IRLR2908TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3105TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3110ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3110ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 921 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.27 грн |
10+ | 118.13 грн |
16+ | 69.72 грн |
43+ | 66.05 грн |
2000+ | 65.13 грн |
10000+ | 63.30 грн |
IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3410TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.89 грн |
10+ | 62.21 грн |
38+ | 28.81 грн |
103+ | 27.25 грн |
2000+ | 26.24 грн |
IRLR3410TRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR3636TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.99 грн |
10+ | 123.09 грн |
22+ | 48.71 грн |
61+ | 46.05 грн |
IRLR3705ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.36 грн |
10+ | 111.46 грн |
14+ | 79.59 грн |
38+ | 75.25 грн |
500+ | 72.47 грн |
IRLR3915TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.87 грн |
10+ | 60.88 грн |
28+ | 39.17 грн |
76+ | 36.97 грн |
1000+ | 35.59 грн |
IRLR7833TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR7843TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
5+ | 84.79 грн |
10+ | 75.23 грн |
19+ | 56.88 грн |
52+ | 54.13 грн |
500+ | 52.29 грн |
IRLR8103VTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR8256TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 81A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 81A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLR8726TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.39 грн |
10+ | 36.20 грн |
50+ | 28.71 грн |
57+ | 18.90 грн |
156+ | 17.89 грн |
1000+ | 17.61 грн |
2000+ | 17.25 грн |
IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 72.12 грн |
IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLS3034TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
Case: D2PAK-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 299.35 грн |
5+ | 260.08 грн |
6+ | 200.91 грн |
15+ | 189.90 грн |
800+ | 185.31 грн |
IRLS3036TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLS3036TRLPBF SMD N channel transistors
IRLS3036TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLS3813TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLS3813TRLPBF SMD N channel transistors
IRLS3813TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLS4030TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLTS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
11+ | 27.34 грн |
50+ | 18.26 грн |
100+ | 15.32 грн |
113+ | 9.45 грн |
311+ | 8.99 грн |
1000+ | 8.72 грн |
IRLTS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.46 грн |
10+ | 29.44 грн |
25+ | 23.67 грн |
50+ | 20.55 грн |
59+ | 18.16 грн |
100+ | 17.89 грн |
163+ | 17.16 грн |
IRLU024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.31 грн |
25+ | 34.11 грн |
39+ | 27.71 грн |
107+ | 26.24 грн |
525+ | 25.96 грн |
750+ | 25.50 грн |
1050+ | 25.23 грн |
IRLU120NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
10+ | 43.44 грн |
37+ | 29.63 грн |
100+ | 27.98 грн |
10050+ | 26.97 грн |
IRLU3110ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 170.92 грн |
10+ | 92.41 грн |
14+ | 80.73 грн |
37+ | 76.14 грн |
300+ | 75.23 грн |
3000+ | 73.39 грн |
IRLU3410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLU7843PBF |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLU7843PBF THT N channel transistors
IRLU7843PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLU8743PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLZ24NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 60mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 60mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.11 грн |
10+ | 49.06 грн |
34+ | 31.56 грн |
94+ | 29.82 грн |
IRLZ24NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLZ34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.52 грн |
25+ | 65.64 грн |
38+ | 28.35 грн |
105+ | 26.79 грн |
IRLZ34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLZ44NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
25+ | 58.97 грн |
31+ | 35.23 грн |
84+ | 33.30 грн |
IRLZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLZ44ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRMCK099M |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRMCK099M Motor and PWM drivers
IRMCK099M Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRS10752LTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Voltage class: 100V
Supply voltage: 10...18V DC
Output current: -240...160mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Voltage class: 100V
Supply voltage: 10...18V DC
Output current: -240...160mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRS2003STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 180ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRS2005STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRS2007SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -600...290mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.