Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124875) > Сторінка 2026 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+334.84 грн
10+268.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 268W
Gate charge: 436nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.50 грн
10+45.68 грн
50+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.90 грн
10+75.78 грн
50+58.70 грн
100+52.32 грн
250+44.44 грн
500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
10+73.96 грн
100+50.41 грн
250+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.35 грн
10+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7.2A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 67nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.83 грн
10+93.69 грн
50+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 64nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 186ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 64nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.61 грн
12+37.23 грн
25+33.83 грн
50+31.51 грн
75+30.68 грн
150+28.85 грн
525+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 PVG612 INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+429.48 грн
3+376.42 грн
5+359.01 грн
10+347.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVG612ASPBF.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Operate time: 3.5ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Release time: 0.5ms
Max. operating current: 4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1454.53 грн
5+1199.74 грн
25+1049.67 грн
100+900.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+504.49 грн
5+432.80 грн
10+414.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 90mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 6GHz
на замовлення 8757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
28+15.26 грн
31+13.43 грн
37+11.36 грн
50+10.12 грн
100+9.29 грн
250+8.46 грн
500+8.13 грн
3000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Collector current: 90mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Frequency: 6GHz
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
38+11.03 грн
100+9.19 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10888 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.11 грн
8+54.06 грн
10+45.27 грн
25+34.49 грн
50+28.19 грн
100+23.63 грн
125+22.47 грн
500+17.99 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.79 грн
20+20.73 грн
23+18.07 грн
100+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 29578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.86 грн
16+26.20 грн
50+17.58 грн
100+14.92 грн
250+11.94 грн
500+10.20 грн
1000+8.62 грн
3000+6.96 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 106.7nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.47 грн
10+88.72 грн
25+77.11 грн
50+69.65 грн
100+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.69 грн
10+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.61 грн
5+104.47 грн
10+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.80 грн
3+183.24 грн
10+160.85 грн
25+150.90 грн
55+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.30 грн
10+152.56 грн
25+141.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.86 грн
3+213.91 грн
10+175.77 грн
25+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.11 грн
4+125.20 грн
10+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60AE6327-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.43 грн
27+15.75 грн
30+14.01 грн
100+9.95 грн
500+8.21 грн
1000+7.05 грн
3000+5.47 грн
6000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES BTS452R-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
Case: PG-TO252-5-11
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
10+99.49 грн
100+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
52+8.75 грн
83+5.01 грн
250+4.46 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.72 грн
5+147.58 грн
10+121.88 грн
15+109.44 грн
25+95.35 грн
50+82.08 грн
100+73.79 грн
125+71.30 грн
250+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.44 грн
10+161.68 грн
25+124.37 грн
50+106.96 грн
100+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.72 грн
10+93.69 грн
50+73.79 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Polarisation: bipolar
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.05 грн
10+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.16 грн
10+276.93 грн
25+232.98 грн
50+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.75 грн
10+56.88 грн
100+37.81 грн
250+32.50 грн
500+29.43 грн
1000+27.44 грн
2000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.44 грн
10+121.88 грн
25+106.13 грн
50+97.01 грн
100+87.89 грн
500+73.79 грн
1000+68.82 грн
1250+67.16 грн
2000+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.58 грн
5+174.12 грн
10+155.05 грн
25+134.32 грн
100+111.10 грн
500+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.86 грн
10+80.42 грн
25+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.54 грн
10+49.33 грн
20+46.35 грн
40+43.53 грн
50+42.78 грн
100+40.38 грн
200+38.06 грн
500+35.32 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR81.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
Mounting: SMD
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.18 грн
18+23.55 грн
25+20.89 грн
100+18.74 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
61+7.32 грн
100+6.05 грн
250+5.39 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
31+13.43 грн
100+7.69 грн
250+6.04 грн
500+5.02 грн
1000+4.16 грн
2500+3.24 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.46 грн
157+2.65 грн
179+2.32 грн
213+1.95 грн
250+1.75 грн
500+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
291+1.54 грн
371+1.12 грн
410+1.01 грн
1000+0.94 грн
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC860CWH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.63 грн
110+3.86 грн
250+3.42 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+334.84 грн
10+268.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 268W
Gate charge: 436nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD.pdf
SPW35N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.50 грн
10+45.68 грн
50+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.90 грн
10+75.78 грн
50+58.70 грн
100+52.32 грн
250+44.44 грн
500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
10+73.96 грн
100+50.41 грн
250+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.35 грн
10+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60T.pdf
IKA10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7.2A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 67nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.83 грн
10+93.69 грн
50+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60R.pdf
IKD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 64nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RF.pdf
IKD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 186ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 64nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.61 грн
12+37.23 грн
25+33.83 грн
50+31.51 грн
75+30.68 грн
150+28.85 грн
525+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 description pvg612.pdf
PVG612
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+429.48 грн
3+376.42 грн
5+359.01 грн
10+347.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF.pdf
PVG612ASPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Operate time: 3.5ms
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Release time: 0.5ms
Max. operating current: 4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1454.53 грн
5+1199.74 грн
25+1049.67 грн
100+900.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Max. operating current: 2.4A
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+504.49 грн
5+432.80 грн
10+414.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Collector current: 90mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 6GHz
на замовлення 8757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
28+15.26 грн
31+13.43 грн
37+11.36 грн
50+10.12 грн
100+9.29 грн
250+8.46 грн
500+8.13 грн
3000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Collector current: 90mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Frequency: 6GHz
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
38+11.03 грн
100+9.19 грн
500+8.83 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10888 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.11 грн
8+54.06 грн
10+45.27 грн
25+34.49 грн
50+28.19 грн
100+23.63 грн
125+22.47 грн
500+17.99 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+26.79 грн
20+20.73 грн
23+18.07 грн
100+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 29578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.86 грн
16+26.20 грн
50+17.58 грн
100+14.92 грн
250+11.94 грн
500+10.20 грн
1000+8.62 грн
3000+6.96 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 106.7nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.47 грн
10+88.72 грн
25+77.11 грн
50+69.65 грн
100+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+177.69 грн
10+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.61 грн
5+104.47 грн
10+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.80 грн
3+183.24 грн
10+160.85 грн
25+150.90 грн
55+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 1W
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+214.30 грн
10+152.56 грн
25+141.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.86 грн
3+213.91 грн
10+175.77 грн
25+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Turn-off time: 270ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
4+125.20 грн
10+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327-DTE.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.43 грн
27+15.75 грн
30+14.01 грн
100+9.95 грн
500+8.21 грн
1000+7.05 грн
3000+5.47 грн
6000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R-DTE.pdf
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
Case: PG-TO252-5-11
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
10+99.49 грн
100+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+8.75 грн
83+5.01 грн
250+4.46 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+210.72 грн
5+147.58 грн
10+121.88 грн
15+109.44 грн
25+95.35 грн
50+82.08 грн
100+73.79 грн
125+71.30 грн
250+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.44 грн
10+161.68 грн
25+124.37 грн
50+106.96 грн
100+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.72 грн
10+93.69 грн
50+73.79 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1.pdf
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Polarisation: bipolar
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.05 грн
10+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.16 грн
10+276.93 грн
25+232.98 грн
50+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.75 грн
10+56.88 грн
100+37.81 грн
250+32.50 грн
500+29.43 грн
1000+27.44 грн
2000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.44 грн
10+121.88 грн
25+106.13 грн
50+97.01 грн
100+87.89 грн
500+73.79 грн
1000+68.82 грн
1250+67.16 грн
2000+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.58 грн
5+174.12 грн
10+155.05 грн
25+134.32 грн
100+111.10 грн
500+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+117.86 грн
10+80.42 грн
25+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.54 грн
10+49.33 грн
20+46.35 грн
40+43.53 грн
50+42.78 грн
100+40.38 грн
200+38.06 грн
500+35.32 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81.pdf
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
Mounting: SMD
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.18 грн
18+23.55 грн
25+20.89 грн
100+18.74 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+7.32 грн
100+6.05 грн
250+5.39 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
31+13.43 грн
100+7.69 грн
250+6.04 грн
500+5.02 грн
1000+4.16 грн
2500+3.24 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.46 грн
157+2.65 грн
179+2.32 грн
213+1.95 грн
250+1.75 грн
500+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CE6327.pdf
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
291+1.54 грн
371+1.12 грн
410+1.01 грн
1000+0.94 грн
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327.pdf
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.63 грн
110+3.86 грн
250+3.42 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]