Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122998) > Сторінка 2025 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2112STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 145ns
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.83 грн
10+128.51 грн
25+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDL05x06xx.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3034TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7311pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P10TFI010 S29GL128P10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP56
Interface: CFI; parallel
на замовлення 849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+610.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 96W
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.61 грн
5+105.46 грн
10+93.11 грн
25+77.44 грн
50+67.49 грн
100+59.28 грн
250+51.16 грн
500+46.51 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 35mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
31+13.51 грн
36+11.77 грн
50+10.61 грн
100+9.53 грн
250+8.54 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196WN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed4fc504e2643 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 150mA; 700mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Case: SOT343
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB639_659.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.4...40pF
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
37+11.36 грн
100+7.88 грн
250+7.21 грн
500+6.80 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.11 грн
5+121.88 грн
10+114.42 грн
15+109.44 грн
25+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 77A; 138W; TO247-3; 1.23mJ
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Turn-on switching energy: 1.23mJ
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 138W
Collector current: 77A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: Field Stop; Trench
Gate charge: 0.12µC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500 CY4500 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B micro; USB C plug; USB C socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY4533 CY4533 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB C socket
Kind of module: evaluation board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3280-MBR3 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB
Application - series/manufacturer: Arduino
Kind of module: 4-button capacitive keypad; buzzer; evaluation board; LED; proximity sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062-4343W INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CPROTO-062-4343W_PSoC_6_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0118571844&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Bluetooth,prototype board,WiFi
Connection: microSD; USB
Type of development kit: Cypress
Kind of module: Bluetooth; prototype board; WiFi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
6+69.98 грн
10+60.19 грн
25+48.42 грн
50+41.21 грн
100+35.65 грн
500+27.61 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
 EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Connection: screw terminal x2
Components: IMM101T-015M
Kind of module: motor driver
Application: motors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4357.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
 EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Components: IMM101T-046M
Kind of module: motor driver
Application: motors
Kit contents: prototype board
Connection: screw terminal x2
Type of development kit: evaluation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -200A
Gate charge: 14nC
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213SPBF IR2213SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2213PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -2...1.7A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 225ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFB010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Application: automotive
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFV011 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8; tube
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP35B60PD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 240nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.90 грн
10+112.76 грн
20+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R380P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R400CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.37 грн
10+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 83A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+339.30 грн
10+218.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.58 грн
7+67.99 грн
10+59.70 грн
50+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7 IPA60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R450E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ E6
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CPXKSA1 IPA60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3c00794f033f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
On-state resistance: 214mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.40 грн
10+97.01 грн
50+92.03 грн
100+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.66 грн
3+235.47 грн
10+194.84 грн
30+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+334.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4142N ITS4142N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.51 грн
10+129.34 грн
25+117.73 грн
100+101.15 грн
250+90.37 грн
500+82.08 грн
1000+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4130QEPDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4130QEPD.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.25A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Case: PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 75µs
Turn-on time: 75µs
On-state resistance: 0.13Ω
Output current: 1.25A
Power dissipation: 1.8W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...45V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04NG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB640E-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.8...76pF
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.68 грн
30+13.93 грн
100+8.71 грн
500+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V10-G FM24V10-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24V10-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of interface: serial
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Clock frequency: 3.4MHz
Memory organisation: 128kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V10-GTR FM24V10-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24V10-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of interface: serial
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Clock frequency: 3.4MHz
Memory organisation: 128kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP420.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
29+14.59 грн
100+13.93 грн
250+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP420F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP410H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT343
Current gain: 60
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 145ns
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.83 грн
10+128.51 грн
25+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05x06xx.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034.pdf
AUIRLS3034
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF irf7311pbf.pdf
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P10TFI010 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
S29GL128P10TFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP56
Interface: CFI; parallel
на замовлення 849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1
IPB014N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LS-DTE.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 96W
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.61 грн
5+105.46 грн
10+93.11 грн
25+77.44 грн
50+67.49 грн
100+59.28 грн
250+51.16 грн
500+46.51 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327.pdf
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 35mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
31+13.51 грн
36+11.77 грн
50+10.61 грн
100+9.53 грн
250+8.54 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196E6327HTSA1 Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WNH6327XTSA1 Infineon-BFP196WN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed4fc504e2643
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 150mA; 700mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Case: SOT343
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639_659.pdf
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.4...40pF
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
37+11.36 грн
100+7.88 грн
250+7.21 грн
500+6.80 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
5+121.88 грн
10+114.42 грн
15+109.44 грн
25+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF irfr024n.pdf
IRFU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 77A; 138W; TO247-3; 1.23mJ
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Turn-on switching energy: 1.23mJ
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 138W
Collector current: 77A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: Field Stop; Trench
Gate charge: 0.12µC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500 Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY4500
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B micro; USB C plug; USB C socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY4533 download
CY4533
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB C socket
Kind of module: evaluation board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3280-MBR3 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB
Application - series/manufacturer: Arduino
Kind of module: 4-button capacitive keypad; buzzer; evaluation board; LED; proximity sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062-4343W Infineon-CY8CPROTO-062-4343W_PSoC_6_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0118571844&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Bluetooth,prototype board,WiFi
Connection: microSD; USB
Type of development kit: Cypress
Kind of module: Bluetooth; prototype board; WiFi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.65 грн
6+69.98 грн
10+60.19 грн
25+48.42 грн
50+41.21 грн
100+35.65 грн
500+27.61 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Connection: screw terminal x2
Components: IMM101T-015M
Kind of module: motor driver
Application: motors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4357.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Components: IMM101T-046M
Kind of module: motor driver
Application: motors
Kit contents: prototype board
Connection: screw terminal x2
Type of development kit: evaluation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P04P4L-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58
IPD50P04P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -200A
Gate charge: 14nC
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213SPBF IR2213PBF.pdf
IR2213SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -2...1.7A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 280ns
Turn-off time: 225ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFB010 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Application: automotive
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFI013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFV011
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8; tube
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 80MHz
Memory: 512Mb FLASH
Case: WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD.pdf
AUIRGP35B60PD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 240nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR auirf7316q.pdf
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6-DTE.pdf
IPA60R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7S.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7.pdf
IPA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6-DTE.pdf
IPA60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.90 грн
10+112.76 грн
20+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6-DTE.pdf
IPA60R380P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CE-DTE.pdf
IPA60R400CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.37 грн
10+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7.pdf
IPA60R099C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 83A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+339.30 грн
10+218.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CE-DTE.pdf
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.58 грн
7+67.99 грн
10+59.70 грн
50+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R099P7 IPA60R099P7.pdf
IPA60R099P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R199CPXKSA1 IPA60R199CP-DTE.pdf
IPA60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6-DTE.pdf
IPA60R450E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ E6
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6-DTE.pdf
IPA60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6-DTE.pdf
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CPXKSA1 IPA60R165CP-DTE.pdf
IPA60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7SXKSA1 Infineon-IPA60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3c00794f033f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
On-state resistance: 214mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6-DTE.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.40 грн
10+97.01 грн
50+92.03 грн
100+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6-DTE.pdf
IPW60R190C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.66 грн
3+235.47 грн
10+194.84 грн
30+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6-DTE.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+334.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6-DTE.pdf
IPW60R190E6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4142N ITS4142N.pdf
ITS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -30...85°C
Power dissipation: 1.4W
Turn-on time: 150µs
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+212.51 грн
10+129.34 грн
25+117.73 грн
100+101.15 грн
250+90.37 грн
500+82.08 грн
1000+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4130QEPDXUMA1 ITS4130QEPD.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.25A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Case: PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 75µs
Turn-on time: 75µs
On-state resistance: 0.13Ω
Output current: 1.25A
Power dissipation: 1.8W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...45V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NG-dte.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LG-DTE.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E-DTE.pdf
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.8...76pF
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.68 грн
30+13.93 грн
100+8.71 грн
500+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V10-G FM24V10-DTE.pdf
FM24V10-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of interface: serial
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Clock frequency: 3.4MHz
Memory organisation: 128kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24V10-GTR FM24V10-DTE.pdf
FM24V10-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of interface: serial
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 1Mb FRAM
Clock frequency: 3.4MHz
Memory organisation: 128kx8bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420.pdf
BFP420H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.07 грн
29+14.59 грн
100+13.93 грн
250+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 BFP420F.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP410H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT343
Current gain: 60
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2050  [ Наступна Сторінка >> ]