Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122998) > Сторінка 2028 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F3L400R12PT4B26BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F3L400R12PT4_B26-DS-v02_00-DE.pdf?fileId=db3a30433a747525013a879896ef6412 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Power dissipation: 2.15kW
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EconoPACK™ 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 580A; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 580A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+14998.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF2400R12IP7P_Rev1.00_6-9-23.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.4kA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+63264.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7455pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2336.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Supply voltage: 11.5...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5180-2EKA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.33Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
10+58.04 грн
25+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP50R06W2E3B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY2B-2
Technology: EasyPIM™ 2B
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.40 грн
12+35.32 грн
25+31.76 грн
100+28.02 грн
250+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD180N22S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1H811GAUMA1 ISO1H811GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ISO1H811G.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 11÷35VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: ISOFACE™
Case: PG-DSO-36
Output current: 0.625A
Number of channels: 8
Supply voltage: 11...35V DC
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
Turn-on time: 64µs
Turn-off time: 89µs
Power dissipation: 3.3W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.10 грн
10+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1 ITS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS711L1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.84 грн
10+218.89 грн
25+209.77 грн
50+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28413-24PVXI CY8C28413-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28433-24PVXI CY8C28433-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download description Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28403-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28445-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.04 грн
5+104.47 грн
10+92.86 грн
25+77.94 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.54 грн
50+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.43 грн
29+14.51 грн
50+10.30 грн
100+8.92 грн
500+6.61 грн
1000+5.75 грн
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.57 грн
24+17.66 грн
50+12.34 грн
100+10.50 грн
500+7.37 грн
1000+6.42 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF PVD1352NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 1.5Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+221.44 грн
150+184.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Case: SOT363
Type of transistor: NPN x2
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
47+8.95 грн
54+7.79 грн
100+7.05 грн
500+5.80 грн
600+5.72 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R080G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.25 грн
10+48.17 грн
75+39.38 грн
150+37.97 грн
525+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM10F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Frequency: 20kHz
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -10...10A
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Power dissipation: 26.1W
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+821.47 грн
3+674.90 грн
5+606.92 грн
10+493.33 грн
14+475.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R225C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.225Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6142D BTS6142D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6142D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-5
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Output current: 7A
Supply voltage: 5.5...38V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.24Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4264.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.16A
Case: PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 5.5...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH10G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5 IDH10G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 71A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 89W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 BTS70302EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
5+93.69 грн
10+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.47 грн
8+56.05 грн
10+46.43 грн
25+35.40 грн
50+29.18 грн
100+24.79 грн
250+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248LQI-BL583 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-psoc-4-4200-ble-family-datasheet-programmable-system-on-chip-datasheet-en.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN36; 32kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: QFN36
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 32kB SRAM; 256kB FLASH
Bluetooth version: 4.2
Clock frequency: 48MHz
Kind of core: 32-bit
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: watchdog
Supply voltage: 1.9...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 81.1W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.83 грн
5+94.52 грн
10+84.57 грн
25+72.96 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABBHV030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Operating frequency: 108MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDABHV030 INFINEON TECHNOLOGIES CYPR-S-A0005170124-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw infineon-512mb-64mb256mb-32mb128mb-16mb1-8v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; HyperBus; 100MHz; 1.7÷1.95V; FBGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: HyperBus
Operating frequency: 100MHz
Operating voltage: 1.7...1.95V
Case: FBGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL01GTFPBHV030 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; octal; 166MHz; 2.7÷3.6V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: octal
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Operating frequency: 166MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80BHV030 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7815pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR380L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.36 грн
97+4.31 грн
101+4.11 грн
500+3.91 грн
1000+3.78 грн
2500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.32 грн
33+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500851TMBAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS50085-1TMB-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa435af031147 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 118nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R110CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC8888FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70041EPPXUMA1 BTS70041EPPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70041EPP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO14-W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 15A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14-W
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 220µs
Turn-on time: 210µs
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.33 грн
10+101.15 грн
25+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5090-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
10+103.64 грн
25+92.03 грн
100+77.11 грн
250+69.65 грн
500+63.84 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ INFINEON TECHNOLOGIES BTS3050EJ.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
6+78.77 грн
25+65.50 грн
100+58.87 грн
250+54.72 грн
500+52.23 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R12PT4B26BOSA1 Infineon-F3L400R12PT4_B26-DS-v02_00-DE.pdf?fileId=db3a30433a747525013a879896ef6412
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Power dissipation: 2.15kW
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EconoPACK™ 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 580A; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 580A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+14998.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 FF2400R12IP7P_Rev1.00_6-9-23.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.4kA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+63264.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF irf7455pbf.pdf
IRF7455TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF irs2336.pdf
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Supply voltage: 11.5...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA.pdf
BTS5180-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.33Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.86 грн
10+58.04 грн
25+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 FP50R06W2E3B11.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY2B-2
Technology: EasyPIM™ 2B
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.40 грн
12+35.32 грн
25+31.76 грн
100+28.02 грн
250+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISO1H811GAUMA1 ISO1H811G.pdf
ISO1H811GAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 11÷35VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: ISOFACE™
Case: PG-DSO-36
Output current: 0.625A
Number of channels: 8
Supply voltage: 11...35V DC
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Operating temperature: -25...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: N-Channel
Turn-on time: 64µs
Turn-off time: 89µs
Power dissipation: 3.3W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
CY62157EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+591.10 грн
10+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1 ITS711L1.pdf
ITS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.84 грн
10+218.89 грн
25+209.77 грн
50+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28413-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28413-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28433-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28433-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 24
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI description download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28403-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28445-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG-DTE.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.04 грн
5+104.47 грн
10+92.86 грн
25+77.94 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: single transistor
Turn-off time: 105ns
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.54 грн
50+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA-DTE.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.43 грн
29+14.51 грн
50+10.30 грн
100+8.92 грн
500+6.61 грн
1000+5.75 грн
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.57 грн
24+17.66 грн
50+12.34 грн
100+10.50 грн
500+7.37 грн
1000+6.42 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858CE6327.pdf
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
PVD1352NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 1.5Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+221.44 грн
150+184.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Case: SOT363
Type of transistor: NPN x2
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
47+8.95 грн
54+7.79 грн
100+7.05 грн
500+5.80 грн
600+5.72 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Mounting: SMD
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.25 грн
10+48.17 грн
75+39.38 грн
150+37.97 грн
525+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GA.pdf
IGCM10F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Frequency: 20kHz
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -10...10A
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Power dissipation: 26.1W
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+821.47 грн
3+674.90 грн
5+606.92 грн
10+493.33 грн
14+475.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7-DTE.pdf
IPP65R225C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.225Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6142D BTS6142D.pdf
BTS6142D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-5
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Output current: 7A
Supply voltage: 5.5...38V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
On-state resistance: 0.24Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 TLE4264.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.16A
Case: PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 5.5...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6.pdf
IDH10G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5
IDH10G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 71A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 89W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f
BTS70302EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
5+93.69 грн
10+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG-DTE.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.47 грн
8+56.05 грн
10+46.43 грн
25+35.40 грн
50+29.18 грн
100+24.79 грн
250+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4248LQI-BL583 infineon-psoc-4-4200-ble-family-datasheet-programmable-system-on-chip-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN36; 32kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: QFN36
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 32kB SRAM; 256kB FLASH
Bluetooth version: 4.2
Clock frequency: 48MHz
Kind of core: 32-bit
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: watchdog
Supply voltage: 1.9...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP18P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 81.1W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.83 грн
5+94.52 грн
10+84.57 грн
25+72.96 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABBHV030 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Operating frequency: 108MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDABHV030 CYPR-S-A0005170124-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw infineon-512mb-64mb256mb-32mb128mb-16mb1-8v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; HyperBus; 100MHz; 1.7÷1.95V; FBGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: HyperBus
Operating frequency: 100MHz
Operating voltage: 1.7...1.95V
Case: FBGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL01GTFPBHV030 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; octal; 166MHz; 2.7÷3.6V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: octal
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Operating frequency: 166MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80BHV030 infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF irf7815pbf.pdf
IRF7815TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327-dte.pdf
BFR380L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.36 грн
97+4.31 грн
101+4.11 грн
500+3.91 грн
1000+3.78 грн
2500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327-dte.pdf
BFR193L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.32 грн
33+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500851TMBAKSA1 Infineon-BTS50085-1TMB-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa435af031147
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1.pdf
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDAATMA1 Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 118nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFDATMA1 IPB65R110CFD-DTE.pdf
IPB65R110CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC8888FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70041EPPXUMA1 BTS70041EPP.pdf
BTS70041EPPXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 15A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO14-W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 15A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14-W
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 220µs
Turn-on time: 210µs
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.33 грн
10+101.15 грн
25+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA.pdf
BTS5090-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.33 грн
10+103.64 грн
25+92.03 грн
100+77.11 грн
250+69.65 грн
500+63.84 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJ BTS3050EJ.pdf
BTS3050EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.65 грн
6+78.77 грн
25+65.50 грн
100+58.87 грн
250+54.72 грн
500+52.23 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2050  [ Наступна Сторінка >> ]