Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (121661) > Сторінка 2028 з 2028

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 2020 2023 2024 2025 2026 2027 2028
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP10R12W1T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP10R12W1T7B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: AG-EASY1B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3110-SX2IT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+145.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2I INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; I2C; proximity detection; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: proximity detection
Operating temperature: -40...85°C
Interface: I2C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
48+162.27 грн
240+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
TLF80511TFV33ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLF80511TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159fa3199ac3f4b Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 400mA; TO252-3; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.32V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.4A
Case: TO252-3
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB068N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 134A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC070N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5-4R6 IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 24.2nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5L-4R2 IPC70N04S5L-4R2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 30nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29CD016J0PQFM110 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 66MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 66MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS721L1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.7W
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+519.63 грн
10+369.93 грн
25+347.92 грн
50+342.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS428L2ATMA1 ITS428L2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.16 грн
10+197.24 грн
100+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016SDA BTS5016SDA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5016SDA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 16mΩ
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+190.53 грн
10+131.21 грн
25+121.05 грн
100+115.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GW BTS723GW INFINEON TECHNOLOGIES BTS723GW.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷4.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...4.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 53mΩ
Supply voltage: 7...58V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+369.21 грн
4+301.36 грн
10+286.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G INFINEON TECHNOLOGIES ITS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+384.71 грн
10+319.13 грн
50+267.50 грн
100+240.41 грн
250+222.63 грн
500+213.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.73 грн
10+159.99 грн
100+126.98 грн
250+114.28 грн
500+104.97 грн
1000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452 INFINEON TECHNOLOGIES ISP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.87 грн
10+154.91 грн
100+121.05 грн
250+108.35 грн
500+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752TXUMA1 BSP752TXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.54 грн
10+86.34 грн
25+81.27 грн
50+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3321MC12NXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1ed332xmc12n-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; EiceDRIVER™; SOIC16; Ch: 1
Supply voltage: 3.5...5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Integrated circuit features: MOSFET
Case: SOIC16
Impulse rise time: 15ns
Pulse fall time: 15ns
Turn-on time: 85ns
Power dissipation: 0.81W
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.58 грн
3+182.85 грн
10+159.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N INFINEON TECHNOLOGIES BTS3118N-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Technology: HITFET®
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 2.17A
Output voltage: 42V
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.07 грн
10+83.80 грн
25+77.03 грн
100+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180P04P4L02.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 176nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4L0110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670ea376d6469 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+192.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ60R007CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8dd992bf0724 Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+1510.57 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101NA-BA25XIT INFINEON TECHNOLOGIES ?docID=45099 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SDSBHB203 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS128S_S25FS256S_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_MirrorBit(R)_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Application: automotive
Case: BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON TECHNOLOGIES FM16W08-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMBG65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0b8bd1650 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+273.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR INFINEON TECHNOLOGIES AUIR3241STR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117BKSA1 BTS117BKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
Kind of integrated circuit: low-side
Technology: SIPMOS™
Case: TO220-3
Mounting: THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: tube
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1081XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Infineon-NAC1080_NAC1081_DS_v01_03-EN-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017db42a43930b11 Category: Unclassified
Description: NAC1081XTMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T7B11BOMA1 FP10R12W1T7B11.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: AG-EASY1B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3110-SX2IT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+145.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2I Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; I2C; proximity detection; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: proximity detection
Operating temperature: -40...85°C
Interface: I2C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
48+162.27 грн
240+135.44 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
TLF80511TFV33ATMA2 Infineon-TLF80511TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159fa3199ac3f4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 400mA; TO252-3; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.32V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.4A
Case: TO252-3
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3.3...40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 134A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5-DTE.pdf
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5-4R6
IPC70N04S5-4R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 24.2nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5L-4R2
IPC70N04S5L-4R2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 30nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29CD016J0PQFM110
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 66MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 66MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1.pdf
BTS721L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.7W
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.63 грн
10+369.93 грн
25+347.92 грн
50+342.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS428L2ATMA1 ITS428L2.pdf
ITS428L2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L.pdf
BTS5210L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.16 грн
10+197.24 грн
100+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016SDA BTS5016SDA.pdf
BTS5016SDA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 16mΩ
Technology: High Current PROFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.53 грн
10+131.21 грн
25+121.05 грн
100+115.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GW BTS723GW.pdf
BTS723GW
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷4.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...4.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 53mΩ
Supply voltage: 7...58V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+369.21 грн
4+301.36 грн
10+286.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G.pdf
ITS716G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+384.71 грн
10+319.13 грн
50+267.50 грн
100+240.41 грн
250+222.63 грн
500+213.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G.pdf
BTS5210G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.73 грн
10+159.99 грн
100+126.98 грн
250+114.28 грн
500+104.97 грн
1000+102.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452.pdf
ISP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.87 грн
10+154.91 грн
100+121.05 грн
250+108.35 грн
500+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752TXUMA1 Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a
BSP752TXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.54 грн
10+86.34 грн
25+81.27 грн
50+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3321MC12NXUMA1 infineon-1ed332xmc12n-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; EiceDRIVER™; SOIC16; Ch: 1
Supply voltage: 3.5...5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Integrated circuit features: MOSFET
Case: SOIC16
Impulse rise time: 15ns
Pulse fall time: 15ns
Turn-on time: 85ns
Power dissipation: 0.81W
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.58 грн
3+182.85 грн
10+159.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSG-DTE.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N-DTE.pdf
BTS3118N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Technology: HITFET®
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 2.17A
Output voltage: 42V
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.07 грн
10+83.80 грн
25+77.03 грн
100+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 176nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon-IPB180N04S4L0110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670ea376d6469
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+192.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon-IPDQ60R007CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8dd992bf0724
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
750+1510.57 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101NA-BA25XIT ?docID=45099
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SDSBHB203 Infineon-S25FS128S_S25FS256S_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_MirrorBit(R)_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Application: automotive
Case: BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3G-DTE.pdf
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-DTE.pdf
FM16W08-SGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0b8bd1650
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+273.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 bcr112series.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112WH6327XTSA1 bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR.pdf
AUIR3241STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117BKSA1 Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc
BTS117BKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
Kind of integrated circuit: low-side
Technology: SIPMOS™
Case: TO220-3
Mounting: THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: tube
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1081XTMA1 Infineon-Infineon-NAC1080_NAC1081_DS_v01_03-EN-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017db42a43930b11
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: NAC1081XTMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 2020 2023 2024 2025 2026 2027 2028