Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124853) > Сторінка 2028 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.93 грн
8+56.79 грн
10+48.84 грн
20+46.26 грн
50+42.87 грн
100+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.26 грн
5+96.18 грн
10+84.57 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.37 грн
10+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10.6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.04 грн
5+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.22 грн
5+104.47 грн
10+92.03 грн
50+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
10+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+462.52 грн
5+392.17 грн
10+364.81 грн
30+314.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.15 грн
10+44.27 грн
25+38.47 грн
75+32.50 грн
150+30.10 грн
375+27.28 грн
525+26.37 грн
1050+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.86 грн
14+30.18 грн
16+26.03 грн
100+15.34 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -270...130mA
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.75 грн
6+72.13 грн
10+65.50 грн
25+57.21 грн
50+53.06 грн
100+49.75 грн
250+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.83 грн
10+70.48 грн
50+54.47 грн
100+49.08 грн
250+43.11 грн
500+39.30 грн
1000+36.07 грн
1250+35.07 грн
2000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.29 грн
5+140.12 грн
10+123.54 грн
25+102.81 грн
50+91.20 грн
100+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.40 грн
3+180.75 грн
10+141.78 грн
30+123.54 грн
120+102.81 грн
300+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.14 грн
10+135.15 грн
30+133.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 94W
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF IR21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.26 грн
5+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -0.35...0.2A
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.40 грн
10+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -270...130mA
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
10+82.91 грн
50+69.65 грн
100+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
10+68.49 грн
20+61.27 грн
100+48.09 грн
200+43.53 грн
500+38.64 грн
1000+36.07 грн
3000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.47 грн
10+61.69 грн
25+52.07 грн
100+41.04 грн
200+36.81 грн
500+32.34 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
30+13.93 грн
34+12.44 грн
39+10.78 грн
50+9.78 грн
100+9.04 грн
250+8.46 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP06N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.90 грн
10+60.77 грн
20+54.31 грн
50+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.75 грн
10+56.21 грн
100+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.54 грн
10+67.99 грн
50+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.83 грн
5+154.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.44 грн
5+203.96 грн
10+179.92 грн
25+153.39 грн
50+135.98 грн
100+121.88 грн
125+117.73 грн
250+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 3.7A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.12 грн
5+228.84 грн
10+211.43 грн
25+191.53 грн
50+176.60 грн
100+163.34 грн
250+149.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65H5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.47 грн
10+135.98 грн
50+116.08 грн
100+108.61 грн
125+104.47 грн
150+101.98 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 80A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.51 грн
3+243.76 грн
10+195.67 грн
20+170.80 грн
30+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.86 грн
10+204.79 грн
20+182.41 грн
30+169.97 грн
120+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.58 грн
10+221.37 грн
30+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.68 грн
5+98.67 грн
10+86.23 грн
50+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.97 грн
10+168.31 грн
30+156.70 грн
120+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Power: 1.6W
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Kind of package: tube
Case: DIP14
Turn-off time: 111ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.62 грн
3+177.43 грн
10+160.85 грн
25+154.22 грн
50+148.41 грн
100+143.44 грн
250+137.63 грн
500+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.25 грн
22+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
33+12.93 грн
50+9.04 грн
100+7.80 грн
500+5.75 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
61+6.88 грн
81+5.12 грн
100+4.54 грн
500+3.46 грн
1000+3.09 грн
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.76 грн
10+94.52 грн
25+77.94 грн
50+69.65 грн
100+64.67 грн
500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.93 грн
8+56.79 грн
10+48.84 грн
20+46.26 грн
50+42.87 грн
100+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.26 грн
5+96.18 грн
10+84.57 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3-DTE.pdf
IGW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+355.37 грн
10+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60T.pdf
IKA15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10.6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.04 грн
5+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.22 грн
5+104.47 грн
10+92.03 грн
50+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RF.pdf
IKD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
10+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.52 грн
5+392.17 грн
10+364.81 грн
30+314.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.15 грн
10+44.27 грн
25+38.47 грн
75+32.50 грн
150+30.10 грн
375+27.28 грн
525+26.37 грн
1050+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.86 грн
14+30.18 грн
16+26.03 грн
100+15.34 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -270...130mA
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.75 грн
6+72.13 грн
10+65.50 грн
25+57.21 грн
50+53.06 грн
100+49.75 грн
250+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF description irlz44n.pdf
IRLZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.83 грн
10+70.48 грн
50+54.47 грн
100+49.08 грн
250+43.11 грн
500+39.30 грн
1000+36.07 грн
1250+35.07 грн
2000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF irlz44nspbf.pdf
IRLZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.29 грн
5+140.12 грн
10+123.54 грн
25+102.81 грн
50+91.20 грн
100+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T.pdf
IGB30N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.40 грн
3+180.75 грн
10+141.78 грн
30+123.54 грн
120+102.81 грн
300+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.14 грн
10+135.15 грн
30+133.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 94W
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CT.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF ir2106.pdf
IR21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF ir2106.pdf
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.26 грн
5+128.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -0.35...0.2A
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.40 грн
10+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -270...130mA
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
10+82.91 грн
50+69.65 грн
100+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
10+68.49 грн
20+61.27 грн
100+48.09 грн
200+43.53 грн
500+38.64 грн
1000+36.07 грн
3000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.47 грн
10+61.69 грн
25+52.07 грн
100+41.04 грн
200+36.81 грн
500+32.34 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
30+13.93 грн
34+12.44 грн
39+10.78 грн
50+9.78 грн
100+9.04 грн
250+8.46 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60T-DTE.pdf
IGP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.90 грн
10+60.77 грн
20+54.31 грн
50+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.75 грн
10+56.21 грн
100+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.54 грн
10+67.99 грн
50+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.53A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.83 грн
5+154.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.44 грн
5+203.96 грн
10+179.92 грн
25+153.39 грн
50+135.98 грн
100+121.88 грн
125+117.73 грн
250+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L.pdf
BTS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 3.7A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.12 грн
5+228.84 грн
10+211.43 грн
25+191.53 грн
50+176.60 грн
100+163.34 грн
250+149.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.47 грн
10+135.98 грн
50+116.08 грн
100+108.61 грн
125+104.47 грн
150+101.98 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 80A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.51 грн
3+243.76 грн
10+195.67 грн
20+170.80 грн
30+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ50N65H5XKSA1 IGZ50N65H5.pdf
IGZ50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.86 грн
10+204.79 грн
20+182.41 грн
30+169.97 грн
120+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.58 грн
10+221.37 грн
30+215.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
IKZ50N65NH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.68 грн
5+98.67 грн
10+86.23 грн
50+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.97 грн
10+168.31 грн
30+156.70 грн
120+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Power: 1.6W
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Kind of package: tube
Case: DIP14
Turn-off time: 111ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.62 грн
3+177.43 грн
10+160.85 грн
25+154.22 грн
50+148.41 грн
100+143.44 грн
250+137.63 грн
500+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.25 грн
22+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
33+12.93 грн
50+9.04 грн
100+7.80 грн
500+5.75 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5-DTE.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.82 грн
61+6.88 грн
81+5.12 грн
100+4.54 грн
500+3.46 грн
1000+3.09 грн
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate charge: 170nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.76 грн
10+94.52 грн
25+77.94 грн
50+69.65 грн
100+64.67 грн
500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]