Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122998) > Сторінка 2027 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ 2
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.42 грн
10+91.20 грн
20+81.25 грн
50+69.65 грн
100+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.00 грн
10+47.18 грн
50+33.41 грн
100+28.94 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
12+37.56 грн
100+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD075N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.61 грн
14+30.68 грн
15+27.69 грн
25+23.80 грн
50+21.39 грн
100+19.73 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.43 грн
13+33.83 грн
50+26.45 грн
100+24.29 грн
500+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
6+73.96 грн
10+65.33 грн
50+46.02 грн
100+39.63 грн
250+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R125G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
Gate charge: 27nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.48 грн
10+222.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R2K0P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 9nC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.36 грн
10+44.11 грн
50+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 153A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSV236SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.56W; PG-SOT-363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 0.56W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U50N16W1R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U134N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U104N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3c35823305 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO2B; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
60+6.96 грн
65+6.38 грн
79+5.31 грн
100+4.87 грн
500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
33+12.60 грн
38+11.11 грн
100+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.14 грн
17+24.71 грн
19+21.97 грн
25+18.82 грн
50+17.08 грн
100+16.33 грн
250+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.59 грн
25+18.82 грн
100+16.67 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.08 грн
10+169.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 IPA600N25NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB600N25N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC600N25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3014-BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+103.64 грн
10+91.20 грн
50+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
25+17.16 грн
100+9.70 грн
500+6.49 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4041KV13-667FCXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C4021KV13_CY7C4041KV13_72-Mbit_QDR-IV_HP_SRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4cc743a40 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 667MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.68 грн
10+114.42 грн
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
10+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAW60R180P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e659c3d5009 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 26W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N16KOFHPSA1 TD500N16KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD500N16KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N18KOF TD500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD500N18KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT500N14KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFXPSA1 TT500N16KOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT570N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ600N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: buck chopper
Power dissipation: 2kW
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KS4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e003d864bc4 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3B1HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KE3_B1-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433c1965d75 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433be115d71 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; screw; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7c1e8565958 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 62MM; screw; 2.4kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KP4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R12KP4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120c8ca11e73293 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; screw; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ400R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 2.5kW
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ 2
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.42 грн
10+91.20 грн
20+81.25 грн
50+69.65 грн
100+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.00 грн
10+47.18 грн
50+33.41 грн
100+28.94 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.36 грн
12+37.56 грн
100+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LG-DTE.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.61 грн
14+30.68 грн
15+27.69 грн
25+23.80 грн
50+21.39 грн
100+19.73 грн
500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG-DTE.pdf
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.43 грн
13+33.83 грн
50+26.45 грн
100+24.29 грн
500+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.65 грн
6+73.96 грн
10+65.33 грн
50+46.02 грн
100+39.63 грн
250+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7.pdf
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
Gate charge: 27nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.48 грн
10+222.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7.pdf
IPD80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 9nC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.36 грн
10+44.11 грн
50+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237
IDW40G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 153A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5B.pdf
IDW40G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSV236SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.56W; PG-SOT-363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 0.56W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 DDB6U134N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 DDB6U104N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3c35823305
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO2B; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.93 грн
60+6.96 грн
65+6.38 грн
79+5.31 грн
100+4.87 грн
500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
33+12.60 грн
38+11.11 грн
100+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.14 грн
17+24.71 грн
19+21.97 грн
25+18.82 грн
50+17.08 грн
100+16.33 грн
250+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.59 грн
25+18.82 грн
100+16.67 грн
500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.08 грн
10+169.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d
IPA600N25NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3G-DTE.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3G-DTE.pdf
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3014-BZXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.64 грн
10+91.20 грн
50+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf
IRFR2405TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327.pdf
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
25+17.16 грн
100+9.70 грн
500+6.49 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG-DTE.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4041KV13-667FCXC Infineon-CY7C4021KV13_CY7C4041KV13_72-Mbit_QDR-IV_HP_SRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4cc743a40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 667MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.68 грн
10+114.42 грн
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
10+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAW60R180P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e659c3d5009
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 26W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N16KOFHPSA1 TD500N16KOF.pdf
TD500N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N18KOF TD500N18KOF.pdf
TD500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOF.pdf
TT500N14KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFXPSA1 TT500N16KOF.pdf
TT500N16KOFXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOF.pdf
TT570N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF.pdf
TZ600N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF.pdf
TZ500N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF.pdf
TZ500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3.pdf
DF400R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: buck chopper
Power dissipation: 2kW
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4PHOSA1 Infineon-FZ400R12KS4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e003d864bc4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3B1HOSA1 Infineon-FZ400R12KE3_B1-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433c1965d75
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE3HOSA1 Infineon-FZ400R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433be115d71
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 400A; 62MM; screw; 2.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Power dissipation: 2.25kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KE4HOSA1 Infineon-FZ400R12KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011fb7c1e8565958
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 62MM; screw; 2.4kW
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Topology: NTC thermistor
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KP4HOSA1 Infineon-FZ400R12KP4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120c8ca11e73293
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; screw; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 2.4kW
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4HOSA1 FZ400R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Power dissipation: 2.5kW
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2050  [ Наступна Сторінка >> ]