Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123014) > Сторінка 2022 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES IRG4BC40W-STRRP.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70BFI020 S29AL016J70BFI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; BGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: BGA48
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70TFI010 S29AL016J70TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 16Mb FLASH
Kind of memory: NOR
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FXKLA1 IM393M6FXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a947c0278da Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; SIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6FXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; SIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 15A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 15A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6E2XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6E2XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6E-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6E2XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 20A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 20A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 20A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 205A; 107W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 107W
Drain current: 205A
Case: TSON8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4062D AUIRGP4062D INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP4062D.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB837_BB857.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SC79
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 0.45...7.2pF
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.22 грн
25+17.08 грн
28+15.34 грн
100+10.94 грн
500+8.62 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+144.27 грн
10+135.15 грн
25+130.17 грн
100+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 370A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.80 грн
10+228.84 грн
25+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4321PBF IRFP4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4321pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.79 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD120N16SOFHPSA1 TD120N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD120N16SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate current: 100mA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Max. load current: 190A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 2.25kA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode-thyristor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2109.02 грн
5+1802.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR129.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327 BCR129E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR129.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR133.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.39 грн
50+9.19 грн
100+7.74 грн
200+6.38 грн
250+5.99 грн
400+5.29 грн
500+4.97 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327 BCR133SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR133.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 14903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
49+9.29 грн
72+5.77 грн
250+4.59 грн
1000+4.45 грн
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.79 грн
10+98.67 грн
50+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 24mΩ
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
30+13.93 грн
34+12.35 грн
100+8.62 грн
500+7.46 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1 IPP60R385CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R385CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R385CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R385CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-VSON-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS116E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.29 грн
40+10.45 грн
46+9.12 грн
56+7.43 грн
100+5.51 грн
500+4.05 грн
1000+3.64 грн
3000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LTI-M445 CY8C4125LTI-M445 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4125AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 4kBSRAM,32kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 4kB SRAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LTI-M445 CY8C4245LTI-M445 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4245AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 4kBSRAM,32kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 4kB SRAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 48MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW75N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEPHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4200SMEP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: SOT223-4
On-state resistance: 0.15Ω
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 11...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQ CYPD3177-24LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C; transceiver; QFN24; 10mA; USB
Type of integrated circuit: interface
Interface: I2C
Kind of integrated circuit: transceiver
Data transfer rate: 1Mbps
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 10mA
Application: USB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
490+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIR2085TOBO1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-UG-2021-33_EVAL-PSIR2085-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c5627e7017c6fe78b1d0879 Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: EVALPSIR2085TOBO1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+12964.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90mA
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
13+33.99 грн
15+28.27 грн
100+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Technology: HEXFET®
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.83 грн
7+62.85 грн
10+57.13 грн
50+46.76 грн
100+42.95 грн
250+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF8MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728bcf5a7c92 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+9370.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.79 грн
4+134.32 грн
10+126.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R190CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R190C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1 IPL65R190E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R190E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.11 грн
10+44.52 грн
50+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+69.65 грн
10+62.18 грн
50+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R360P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK3
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 203nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC59
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3G-DTE.pdf
IPA032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP.pdf
IRG4BC40W-STRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70BFI020 Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803
S29AL016J70BFI020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; BGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: BGA48
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70TFI010 Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803
S29AL016J70TFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 16Mb FLASH
Kind of memory: NOR
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FXKLA1 Infineon-IM393-M6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a947c0278da
IM393M6FXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; SIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6FXKLA1 Infineon-IM393-S6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; SIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6E3XKLA1 Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6E3XKLA1 Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 15A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6EXKLA1 Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 15A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6E2XKLA1 Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6E3XKLA1 Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6EXKLA1 Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 10A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6E2XKLA1 Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6E-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6EXKLA1 Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 6A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6E2XKLA1 Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 20A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6E3XKLA1 Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 20A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6EXKLA1 Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; CIPOS™ Tiny; DIP34x15; 20A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: DIP34x15
Output current: 20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating voltage: 13.5...16.5/0...450V DC
Voltage class: 600V
Frequency: 20kHz
Technology: CIPOS™ Tiny
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 205A; 107W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 107W
Drain current: 205A
Case: TSON8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4062D AUIRGP4062D.pdf
AUIRGP4062D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB837_BB857.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SC79
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 0.45...7.2pF
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
25+17.08 грн
28+15.34 грн
100+10.94 грн
500+8.62 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.27 грн
10+135.15 грн
25+130.17 грн
100+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 370A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+376.80 грн
10+228.84 грн
25+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4321PBF irfp4321pbf.pdf
IRFP4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.79 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD120N16SOFHPSA1 TD120N16SOF.pdf
TD120N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate current: 100mA
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Max. load current: 190A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 2.25kA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode-thyristor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2109.02 грн
5+1802.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129.pdf
BCR129WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327 BCR129.pdf
BCR129E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133.pdf
BCR133E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.39 грн
50+9.19 грн
100+7.74 грн
200+6.38 грн
250+5.99 грн
400+5.29 грн
500+4.97 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327 BCR133.pdf
BCR133SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 14903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+9.29 грн
72+5.77 грн
250+4.59 грн
1000+4.45 грн
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3G-DTE.pdf
IPP200N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+201.79 грн
10+98.67 грн
50+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 24mΩ
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
30+13.93 грн
34+12.35 грн
100+8.62 грн
500+7.46 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R385CPXKSA1 IPP60R385CP-DTE.pdf
IPP60R385CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CPATMA1 IPB60R385CP-DTE.pdf
IPB60R385CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R385CPATMA1 Infineon-IPD60R385CP-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012385595fd16763
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CP-DTE.pdf
IPL60R385CPAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-VSON-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327.pdf
BAS116E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 5168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.29 грн
40+10.45 грн
46+9.12 грн
56+7.43 грн
100+5.51 грн
500+4.05 грн
1000+3.64 грн
3000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125LTI-M445 CY8C4125AZI-M443.pdf
CY8C4125LTI-M445
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 4kBSRAM,32kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 4kB SRAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245LTI-M445 CY8C4245AZI-M443.pdf
CY8C4245LTI-M445
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; QFN68; 4kBSRAM,32kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 4kB SRAM; 32kB FLASH
Clock frequency: 48MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CT.pdf
AIKW75N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4200SMEPHUMA1 ITS4200SMEP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: SOT223-4
On-state resistance: 0.15Ω
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 11...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQ Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad
CYPD3177-24LQXQ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C; transceiver; QFN24; 10mA; USB
Type of integrated circuit: interface
Interface: I2C
Kind of integrated circuit: transceiver
Data transfer rate: 1Mbps
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 10mA
Application: USB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
490+112.51 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIR2085TOBO1 Infineon-UG-2021-33_EVAL-PSIR2085-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c5627e7017c6fe78b1d0879
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: EVALPSIR2085TOBO1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12964.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90mA
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.64 грн
13+33.99 грн
15+28.27 грн
100+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Technology: HEXFET®
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.83 грн
7+62.85 грн
10+57.13 грн
50+46.76 грн
100+42.95 грн
250+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon-FF8MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b728bcf5a7c92
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+9370.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.79 грн
4+134.32 грн
10+126.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon-IPX65R190CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043399628450139afa2346920a1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1 IPB65R190C7-DTE.pdf
IPB65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFD-DTE.pdf
IPB65R190CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7-DTE.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R190E6AUMA1 IPL65R190E6-DTE.pdf
IPL65R190E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.11 грн
10+44.52 грн
50+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7.pdf
IPP60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+69.65 грн
10+62.18 грн
50+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK3
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ PFD7
Pulsed drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 198A; 300W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 203nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]