Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (127306) > Сторінка 2116 з 2122

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 212 424 636 848 1060 1272 1484 1696 1908 2111 2112 2113 2114 2115 2116 2117 2118 2119 2120 2121 2122  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD113B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD113B102ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752T ISP752T INFINEON TECHNOLOGIES ISP752T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.63 грн
10+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752TFUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP752T-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90495f762324 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2301STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS2301STR INFINEON TECHNOLOGIES auirs2301s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf803c15be Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S53R1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ40N04S5-5R4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Case: DirectFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM73A135V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM73A135-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fadec36b84500 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4913HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tle4913-datasheet-en.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SC59; -5÷5mT; Usup: 2.4÷5.5VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.4...5.5V DC
Range of detectable magnetic field: -5...5mT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613LHALA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4961_3L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433899edae0138c3c365920311 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49644MXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
на замовлення 2688000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966V1KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4966V-1K-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b9c86b9394d76 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; TSOP6; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar,unipolar; PG-SSO-3-10; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar; unipolar
Case: PG-SSO-3-10
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+182.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOFHPSA3 INFINEON TECHNOLOGIES TT425N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+34125.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 TT425N18KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT425N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; SO8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R225C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R1K4CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R420CFDA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eac59c2420dff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; DPAK,TO252
Power dissipation: 86W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 IPD65R660CFDATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd65r660cfd-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Gate charge: 22nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 IPD65R950CFDATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 3.9A; 36.7W; DPAK
Power dissipation: 36.7W
Gate charge: 14.1nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 239A
Pulsed drain current: 956A
Power dissipation: 231W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 IDWD30G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-idwd30g120c5-datasheet-en.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 0.24kA
Power dissipation: 332W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5 IDH10G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 71A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7 IPA60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a15b2bd5ec3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R330P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1 IPW60R330P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R330P6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 93W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6XKSA1 IPP60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R330P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF150R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 225A; 62MM; 1.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 225A
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.25kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI043 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM040 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFA043 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFB043 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI041 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM041 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-JA.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee291e66904 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1845 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM043 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV043 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 23A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 40A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPAFKSA1 Infineon-IPW60R045CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee38caa259f4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD113B102ELSE6327XTSA1 Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD113B102ELE6327XTMA1 Infineon-ESD113-B1Series-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4614815da88014864b5329e1de7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752T ISP752T.pdf
ISP752T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.63 грн
10+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP752TFUMA1 Infineon-ISP752T-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c90495f762324
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2301STRPBF IRSDS10790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS2301STR auirs2301s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bf803c15be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1.pdf
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4.pdf
IPZ40N04S5-5R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668pbf.pdf
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Case: DirectFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG-DTE.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM73A135V01XTSA1 Infineon-IM73A135-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fadec36b84500
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4913HTSA1 infineon-tle4913-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SC59; -5÷5mT; Usup: 2.4÷5.5VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.4...5.5V DC
Range of detectable magnetic field: -5...5mT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613LHALA1 Infineon-TLE4961_3L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433899edae0138c3c365920311
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49644MXTSA1 Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
на замовлення 2688000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966V1KHTSA1 Infineon-TLE4966V-1K-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b9c86b9394d76
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; TSOP6; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar,unipolar; PG-SSO-3-10; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar; unipolar
Case: PG-SSO-3-10
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+182.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOF.pdf
TT425N16KOFHPSA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+34125.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 TT425N18KOF.pdf
TT425N18KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d
IRF8910TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; SO8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7-DTE.pdf
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFD-DTE.pdf
IPD65R1K4CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6-DTE.pdf
IPD65R250E6XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon-IPD65R420CFDA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eac59c2420dff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
IPD65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA2 Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6-DTE.pdf
IPD65R600C6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
IPD65R600E6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
IPD65R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; DPAK,TO252
Power dissipation: 86W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 infineon-ipd65r660cfd-datasheet-en.pdf
IPD65R660CFDATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Gate charge: 22nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
IPD65R660CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163
IPD65R950CFDATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 3.9A; 36.7W; DPAK
Power dissipation: 36.7W
Gate charge: 14.1nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
IPD65R950CFDBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 239A
Pulsed drain current: 956A
Power dissipation: 231W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30G120C5XKSA1 infineon-idwd30g120c5-datasheet-en.pdf
IDWD30G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 0.24kA
Power dissipation: 332W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5
IDH10G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 71A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 89W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C5XKSA2 IDH10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06a8f03d0169
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7 IPA60R080P7.pdf
IPA60R080P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R080P7XKSA1 Infineon-IPA60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a15b2bd5ec3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6-DTE.pdf
IPA60R330P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1 IPW60R330P6.pdf
IPW60R330P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 93W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R330P6XKSA1 IPP60R330P6-DTE.pdf
IPP60R330P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 93W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 93W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4HOSA1 FF150R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 225A; 62MM; 1.25kW
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 225A
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 1.25kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI043 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM040 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFA043 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFB043
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI041 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM041 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-JA.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee291e66904
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1845 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM043
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV043 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 23A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 40A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 212 424 636 848 1060 1272 1484 1696 1908 2111 2112 2113 2114 2115 2116 2117 2118 2119 2120 2121 2122  [ Наступна Сторінка >> ]