Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128844) > Сторінка 2116 з 2148
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE3AR4780JGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ICE3AR4780JZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ICE3AR4780VJZXKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ICE3AS03LJGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
ISC104N12LM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 63A; Idm: 252A; 94W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 63A Pulsed drain current: 252A Power dissipation: 94W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IR2108STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDK20G120C5XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 330W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO263-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2V Leakage current: 44µA Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 330W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BTS4140NHUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CYUSB3014-BZXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121 Type of integrated circuit: USB controller Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART Memory: 512kB SRAM Supply voltage: 1.15...1.25V DC Case: TFBGA121 Integrated circuit features: watchdog Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Number of inputs/outputs: 60 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CYUSB3014-BZXCT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGL65R080D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSC005N03LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSC005N03LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC817K40E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BGA427H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SIDC08D60C8X1SA3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 31428 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCP6925H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IR2114SSTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMZA120R020M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 71A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPB117N20NFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGLR65R140D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ISC151N20NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 74A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 200W Case: PG-TSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ISC151N08NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPT129N20NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 87A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 234W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
BCM846SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 65V Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Case: SOT363 Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCM846SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCP5116H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FZ2400R17HP4B28BOSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FZ2400R17HP4HOSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 2.4kA Electrical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| T280N65TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA Case: TO200AB Max. off-state voltage: 6.5kV Load current: 620A Max. load current: 440A Type of thyristor: hockey-puck Max. forward impulse current: 5.8kA Gate current: 350mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPI60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IPP60R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPDD60R190G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 76W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 18nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPA045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 39W |
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPC045N10L3X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 31190 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPI045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSC0702LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BAW101E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching Type of diode: switching |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
CY8C20324-12LQXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Clock frequency: 12MHz Case: QFN24 Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH Mounting: SMD Supply voltage: 2.4...5.25V DC Interface: I2C; SPI; UART Integrated circuit features: CapSense Kind of core: 8-bit |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BTN8962TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Case: PG-TO263-7 On-state resistance: 14.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...150°C Technology: NovalithIC™ Application: DC motors Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Number of channels: 1 Operating voltage: 5.5...40V DC Topology: MOSFET half-bridge Output current: -27...30A |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB3806PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB Power dissipation: 71W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: THT |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 702 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 858 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB4020PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 305nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 0.5µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.35kV |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ITS42008SBDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 8 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-DSO-36 Supply voltage: 11...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 3.3W Operating temperature: -40...125°C Turn-on time: 150µs Kind of package: reel; tape Turn-off time: 0.1ms On-state resistance: 0.2Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ITS4200SSJDXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-DSO-8 Supply voltage: 6...52V DC Technology: Industrial PROFET Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.15Ω |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BTS71202EPGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TLE7233EMXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TLE7233GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2ED300C17SROHSBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV Topology: IGBT half-bridge Mounting: PCB Supply voltage: 14...16V DC Output current: 30A Kind of output: IGBT driver Type of semiconductor module: gate driver board Operating temperature: -25...85°C Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter Technology: EiceDRIVER™; SiC Application: for medium and high power application Voltage class: 1.7kV Case: AG-EICE Frequency: 60kHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2ED300C17STROHSBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV Topology: IGBT half-bridge Mounting: PCB Supply voltage: 14...16V DC Output current: 30A Kind of output: IGBT driver Type of semiconductor module: gate driver board Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter Technology: EiceDRIVER™ Application: for medium and high power application Voltage class: 1.7kV Case: AG-EICE Frequency: 60kHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCV61BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCV61BE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
FM24CL04B-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 4b FRAM Interface: I2C Memory organisation: 512x8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| ICE3AR4780JGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3AR4780JZXKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3AR4780VJZXKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3AS03LJGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC104N12LM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 63A; Idm: 252A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 63A; Idm: 252A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2108STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IDK20G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 44µA
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 330W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO263-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 44µA
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 330W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS4140NHUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYUSB3014-BZXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYUSB3014-BZXCT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGL65R080D2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC005N03LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC005N03LS5IATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC817K40E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGA427H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIDC08D60C8X1SA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 31428 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCP6925H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2114SSTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IMZA120R020M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB117N20NFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 324.91 грн |
| 10+ | 270.06 грн |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLR65R140D2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLR65R200D2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC151N20NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 200W
Case: PG-TSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 200W
Case: PG-TSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC151N08NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT129N20NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCM846SH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT363
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCM846SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCP5116H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FZ2400R17HP4B28BOSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FZ2400R17HP4HOSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 2.4kA; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 2.4kA
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T280N65TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA
Case: TO200AB
Max. off-state voltage: 6.5kV
Load current: 620A
Max. load current: 440A
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 5.8kA
Gate current: 350mA
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 440A; 620A; Igt: 350mA
Case: TO200AB
Max. off-state voltage: 6.5kV
Load current: 620A
Max. load current: 440A
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 5.8kA
Gate current: 350mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R190C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.09 грн |
| IPI60R190C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.05 грн |
| 3+ | 216.88 грн |
| 10+ | 174.50 грн |
| IPB60R190C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP60R190E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPDD60R190G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 39W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 39W
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 162.87 грн |
| 10+ | 133.79 грн |
| 50+ | 116.34 грн |
| 100+ | 108.86 грн |
| 500+ | 93.90 грн |
| IPC045N10L3X1SA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 31190 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPI045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSC0702LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAW101E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C20324-12LQXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 12MHz
Case: QFN24
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN24; 512BSRAM,8kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 12MHz
Case: QFN24
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTN8962TAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...150°C
Technology: NovalithIC™
Application: DC motors
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -27...30A
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...150°C
Technology: NovalithIC™
Application: DC motors
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -27...30A
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.68 грн |
| 4+ | 250.95 грн |
| 10+ | 240.15 грн |
| IRFB3806PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Power dissipation: 71W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Power dissipation: 71W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 68.01 грн |
| 10+ | 42.96 грн |
| 50+ | 35.90 грн |
| 100+ | 33.24 грн |
| 250+ | 29.75 грн |
| IRFB4019PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 121.70 грн |
| 10+ | 76.03 грн |
| 25+ | 63.98 грн |
| IRFB4610PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 702 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.25 грн |
| 10+ | 131.29 грн |
| 20+ | 125.48 грн |
| 50+ | 116.34 грн |
| 100+ | 109.69 грн |
| 200+ | 103.04 грн |
| 500+ | 94.73 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 187.03 грн |
| 10+ | 99.72 грн |
| 20+ | 93.07 грн |
| 50+ | 83.93 грн |
| 100+ | 78.11 грн |
| 500+ | 65.65 грн |
| IRFB4020PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IHW40N135R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.35kV
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.29 грн |
| 10+ | 197.77 грн |
| 20+ | 181.98 грн |
| 30+ | 175.33 грн |
| ITS42008SBDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-36
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
On-state resistance: 0.2Ω
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-36
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
On-state resistance: 0.2Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITS4200SSJDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Industrial PROFET
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTS71202EPGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE7233EMXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE7233GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2ED300C17SROHSBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™; SiC
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2ED300C17STROHSBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
Category: IGBT modules
Description: Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: PCB
Supply voltage: 14...16V DC
Output current: 30A
Kind of output: IGBT driver
Type of semiconductor module: gate driver board
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: galvanically isolated; integrated DC/DC converter
Technology: EiceDRIVER™
Application: for medium and high power application
Voltage class: 1.7kV
Case: AG-EICE
Frequency: 60kHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCV61BE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV61BE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FM24CL04B-GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.

















