Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149959) > Сторінка 2500 з 2500

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2495 2496 2497 2498 2499 2500
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 77nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.58 грн
10+75.01 грн
15+61.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFA6A1F3A75EA&compId=IR2011SPBF.pdf?ci_sign=e00761d8966cabb8635a24bc3b6e98b6b2e00d6b description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.82 грн
5+217.29 грн
6+166.25 грн
15+156.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF886A236055EA&compId=IRFS7440TRLPBF.pdf?ci_sign=f111aa57786a0567dac9690912c94d214b916756 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAED93866211C&compId=IPT020N10N3-DTE.pdf?ci_sign=7aae739c986093ff957dd2e9d4df66937580f02f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC92C2BCF2411C&compId=IPP220N25NFD-DTE.pdf?ci_sign=8473d47f003cb3d74123ea2cfe5e1878cb318853 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E0B3F440811C&compId=BSC037N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=068004eaadd07b73cbe8cb48d01465db41fd351d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA625C2D75F8BF&compId=IAUT260N10S5N019.pdf?ci_sign=1aa6b2f88c04f179f60d3021911e4032f4f93c2b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ABCB43F139F1A303005056AB0C4F&compId=irf7815pbf.pdf?ci_sign=38f5aecb8cc9f50903c245ba07a8c38492c46f1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE88A39EAC5820&compId=IKW30N65ES5.pdf?ci_sign=3c20a4d6d2a4a6234dfd9d5cb8e68d9172ce375c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.77 грн
5+192.55 грн
13+182.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5FF825DFA73D7&compId=IKW30N65EL5.pdf?ci_sign=3e84e8081f403beff14a277f197238a0c9aed21a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.87 грн
3+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW40E65D1E IDFW40E65D1E INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889BAB8A3156CF3D1&compId=IDFW40E65D1E.pdf?ci_sign=910f295e6f32641666b6b1f71d97f8f632622956 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 35A; tube; Ifsm: 120A; TO247-3; 57W
Power dissipation: 57W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013SXI-411T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B69CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb260n.pdf?ci_sign=78a2a1733f619070b086e75b575a83328dc7aeca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.04 грн
9+105.17 грн
24+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 221W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 77nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.58 грн
10+75.01 грн
15+61.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFA6A1F3A75EA&compId=IR2011SPBF.pdf?ci_sign=e00761d8966cabb8635a24bc3b6e98b6b2e00d6b
IR2011SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.82 грн
5+217.29 грн
6+166.25 грн
15+156.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7440TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF886A236055EA&compId=IRFS7440TRLPBF.pdf?ci_sign=f111aa57786a0567dac9690912c94d214b916756
IRFS7440TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBAED93866211C&compId=IPT020N10N3-DTE.pdf?ci_sign=7aae739c986093ff957dd2e9d4df66937580f02f
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC92C2BCF2411C&compId=IPP220N25NFD-DTE.pdf?ci_sign=8473d47f003cb3d74123ea2cfe5e1878cb318853
IPP220N25NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 Infineon-IPD320N20N3+G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f1701249669796017f3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E0B3F440811C&compId=BSC037N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=068004eaadd07b73cbe8cb48d01465db41fd351d
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA625C2D75F8BF&compId=IAUT260N10S5N019.pdf?ci_sign=1aa6b2f88c04f179f60d3021911e4032f4f93c2b
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7815TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ABCB43F139F1A303005056AB0C4F&compId=irf7815pbf.pdf?ci_sign=38f5aecb8cc9f50903c245ba07a8c38492c46f1b
IRF7815TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE88A39EAC5820&compId=IKW30N65ES5.pdf?ci_sign=3c20a4d6d2a4a6234dfd9d5cb8e68d9172ce375c
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.77 грн
5+192.55 грн
13+182.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5FF825DFA73D7&compId=IKW30N65EL5.pdf?ci_sign=3e84e8081f403beff14a277f197238a0c9aed21a
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.87 грн
3+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDFW40E65D1E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889BAB8A3156CF3D1&compId=IDFW40E65D1E.pdf?ci_sign=910f295e6f32641666b6b1f71d97f8f632622956
IDFW40E65D1E
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 35A; tube; Ifsm: 120A; TO247-3; 57W
Power dissipation: 57W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013SXI-411T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B69CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb260n.pdf?ci_sign=78a2a1733f619070b086e75b575a83328dc7aeca
IRFB260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.04 грн
9+105.17 грн
24+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2495 2496 2497 2498 2499 2500