Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149763) > Сторінка 2497 з 2497

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492 2493 2494 2495 2496 2497
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AA377C7252F1A303005056AB0C4F&compId=irf7759l2pbf.pdf?ci_sign=d4e941edcf85e33880fdc73e03ad22892cf18692 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 26A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DirectFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AA377C7252F1A303005056AB0C4F&compId=irf7759l2pbf.pdf?ci_sign=d4e941edcf85e33880fdc73e03ad22892cf18692
IRF7759L2TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 26A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DirectFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60454DEB0411C&compId=IPT004N03L-DTE.pdf?ci_sign=ef66a83d0f89948fa0e0107be067086fb28ef786
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492 2493 2494 2495 2496 2497