Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148590) > Сторінка 287 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120N04S401ATMA1 IPB120N04S401ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c2ebd3b5d27&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.00 грн
10+166.52 грн
100+116.32 грн
500+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.54 грн
10+132.65 грн
100+97.62 грн
500+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_00-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c3debd55d57&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.39 грн
10+190.36 грн
100+139.87 грн
500+116.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+163.54 грн
100+114.32 грн
500+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.44 грн
10+162.92 грн
100+128.22 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S403ATMA1 IPB80N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c53fc8b5dab&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.47 грн
10+110.05 грн
100+75.24 грн
500+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.53 грн
10+101.92 грн
100+69.41 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S209ATMA2 IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.06 грн
10+127.59 грн
100+92.29 грн
500+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.26 грн
10+164.46 грн
100+129.78 грн
500+105.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.50 грн
10+173.04 грн
100+122.27 грн
500+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 IPD096N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.25 грн
10+87.75 грн
100+59.17 грн
500+44.05 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.65 грн
10+111.81 грн
100+76.35 грн
500+57.43 грн
1000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+58.32 грн
100+42.92 грн
500+37.35 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD26N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351ff5b22&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
10+64.22 грн
100+42.62 грн
500+31.30 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+69.66 грн
100+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+56.25 грн
100+50.61 грн
500+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.97 грн
10+49.58 грн
100+32.50 грн
500+23.62 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.28 грн
100+73.96 грн
500+55.63 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+56.25 грн
100+37.19 грн
500+27.20 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+53.64 грн
100+35.62 грн
500+25.97 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA1 IPD70P04P409ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51 Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 IPD75N04S406ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+63.07 грн
100+41.83 грн
500+30.70 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.47 грн
10+109.51 грн
100+74.66 грн
500+56.09 грн
1000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
10+82.23 грн
100+55.26 грн
500+41.02 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+69.58 грн
100+46.32 грн
500+34.13 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.84 грн
10+64.45 грн
100+42.82 грн
500+31.45 грн
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.36 грн
10+122.15 грн
100+83.70 грн
500+63.12 грн
1000+58.16 грн
2000+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf622fcf6c0a Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.35 грн
10+100.01 грн
100+67.77 грн
500+50.65 грн
1000+46.49 грн
2000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1 IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_35A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4550adaa5193 Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.63 грн
10+88.28 грн
100+57.97 грн
500+43.30 грн
1000+37.01 грн
2000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_65A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4555276651ce Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.58 грн
10+72.42 грн
100+48.33 грн
500+35.68 грн
1000+32.57 грн
2000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415AATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLU300N04S4-1R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4de4e2cb319a Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.70 грн
10+210.51 грн
100+151.41 грн
500+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4 Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.80 грн
10+69.20 грн
100+46.06 грн
500+33.93 грн
1000+30.93 грн
2000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR3846MTRPBF IR3846MTRPBF Infineon Technologies ir3846m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d568a417ee Description: IC REG BUCK ADJ 35A 34PQFN
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Infineon Technologies irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975 Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 8595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+39.39 грн
100+32.03 грн
500+25.07 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011STRPBF IRS2011STRPBF Infineon Technologies INFN-S-A0001467921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+125.45 грн
25+114.55 грн
100+96.26 грн
250+90.91 грн
500+87.67 грн
1000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2308STRPBF IRS2308STRPBF Infineon Technologies irs2308.pdf?fileId=5546d462533600a40153567a98ac2804 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 18354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+54.41 грн
25+49.17 грн
100+40.71 грн
250+38.11 грн
500+36.55 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4427STRPBF IRS4427STRPBF Infineon Technologies IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+65.37 грн
25+59.22 грн
100+49.18 грн
250+46.14 грн
500+44.30 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
33+9.43 грн
100+5.01 грн
500+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.96 грн
10+98.70 грн
100+66.99 грн
500+50.12 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJXUMA1 Infineon Technologies TLD5045EJ.pdf Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 700MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 50kHz ~ 300kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 700mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 5V
Voltage - Supply (Max): 40V
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
10+79.24 грн
25+71.91 грн
100+59.92 грн
250+56.31 грн
500+54.13 грн
1000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5095ELXUMA1 TLD5095ELXUMA1 Infineon Technologies TLD5095EL_TLD5098EL_Product_Brief.pdf?fileId=db3a30432c59a87e012c5e9d1deb3520 Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 14SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz ~ 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-3
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Voltage - Supply (Max): 45V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4242EJXUMA1 TLE4242EJXUMA1 Infineon Technologies TLE4242EJ.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 500MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 40V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 42V
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4242GATMA3 TLE4242GATMA3 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC LED DRV LIN PWM 500MA TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Voltage - Output: 4V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 42V
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42664GHTMA2 TLE42664GHTMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42664G-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9558df83e3a Description: IC REG LIN 5V 100MA PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+87.82 грн
25+79.82 грн
100+66.62 грн
250+62.67 грн
500+60.29 грн
1000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42744DV33ATMA1 TLE42744DV33ATMA1 Infineon Technologies TLE42744_Rev_1.3.pdf Description: IC REG LIN 3.3V 400MA PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Grade: Automotive
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 15130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.84 грн
10+74.18 грн
25+67.22 грн
100+55.93 грн
250+52.52 грн
500+50.46 грн
1000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42744GSV33HTMA1 TLE42744GSV33HTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE42744GS%20V33-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019519be588f741b Description: IC REG LIN 3.3V 400MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 19007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.72 грн
10+91.73 грн
25+83.44 грн
100+69.74 грн
250+65.65 грн
500+63.19 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42994EXUMA1 TLE42994EXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE42994-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8524621f51 Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SSOP-14-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-2
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable, Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 66dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 2 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE46782LDXUMA1 TLE46782LDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4678-2LD-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2394641bd Description: IC REG LINEAR 5V 200MA TSON-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Part Status: Obsolete
PSRR: 65dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 6 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49631MXTSA1 TLE49631MXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4963-1M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edc65d27c4 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 2mT Trip, -2mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 2.4mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
13+23.91 грн
14+21.92 грн
25+20.40 грн
50+17.09 грн
100+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49646MXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4964_6M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e2117c81fe3 Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E2010FUMA1 TLE5009E2010FUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5009_EXXXX-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771b1fec2f3a7f Description: SENSOR ANGLE 360DEG SOLDER TAB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.87 грн
5+184.53 грн
10+176.18 грн
25+156.03 грн
50+149.67 грн
100+143.86 грн
500+130.00 грн
1000+125.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EMXUMA1 Infineon Technologies TLE7181EM_Rev1.2_3-14-19.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.63 грн
10+216.34 грн
25+198.85 грн
100+168.63 грн
250+160.06 грн
500+154.89 грн
1000+148.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 TLE7182EMXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7182EM-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30432f5008fe012f5442920c3996&ack=t Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.55 грн
10+199.48 грн
25+183.22 грн
100+155.17 грн
250+147.17 грн
500+142.35 грн
1000+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8080EMXUMA1 TLE8080EMXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8080EM-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a446d32b90bb5 Description: ENGINECONTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Applications: Small Engine
Supplier Device Package: PG-SSOP-24
Part Status: Active
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8366EV50XUMA1 TLE8366EV50XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8366-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2def641fa Description: IC REG BUCK 5V 1.8A PGDSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.52 грн
10+146.98 грн
25+134.45 грн
100+113.23 грн
250+107.05 грн
500+103.33 грн
1000+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9201SGAUMA1 TLE9201SGAUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9201SG-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304345087709014518190f481cec Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 6A 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 5V ~ 28V
Rds On (Typ): 100mOhm LS, 100mOhm HS
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 6A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-17
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Load Type: Inductive
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.29 грн
10+208.83 грн
25+191.86 грн
100+162.63 грн
250+154.31 грн
500+149.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S401ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c2ebd3b5d27&ack=t
IPB120N04S401ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.00 грн
10+166.52 грн
100+116.32 грн
500+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.54 грн
10+132.65 грн
100+97.62 грн
500+79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_00-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c3debd55d57&ack=t
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
10+190.36 грн
100+139.87 грн
500+116.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
IPB180N04S401ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.23 грн
10+163.54 грн
100+114.32 грн
500+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.44 грн
10+162.92 грн
100+128.22 грн
500+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S403ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c53fc8b5dab&ack=t
IPB80N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.47 грн
10+110.05 грн
100+75.24 грн
500+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t
IPB80N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.53 грн
10+101.92 грн
100+69.41 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S209ATMA2 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N06S209ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.06 грн
10+127.59 грн
100+92.29 грн
500+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.26 грн
10+164.46 грн
100+129.78 грн
500+105.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPx80N06S2L-06.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.50 грн
10+173.04 грн
100+122.27 грн
500+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD096N08N3GATMA1 Infineon-IPD096N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1f35150315fe
IPD096N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
10+87.75 грн
100+59.17 грн
500+44.05 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.65 грн
10+111.81 грн
100+76.35 грн
500+57.43 грн
1000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.23 грн
10+58.32 грн
100+42.92 грн
500+37.35 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 Infineon-IPD26N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351ff5b22&ack=t
IPD26N06S2L35ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+64.22 грн
100+42.62 грн
500+31.30 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon-IPD30N03S2L_20-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270c9e3b6a&ack=t
IPD30N03S2L20ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+69.66 грн
100+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t
IPD30N06S2L13ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+56.25 грн
100+50.61 грн
500+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 3213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.97 грн
10+49.58 грн
100+32.50 грн
500+23.62 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon-IPD50N03S2L_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4270cfc3b6e&ack=t
IPD50N03S2L06ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.08 грн
10+108.28 грн
100+73.96 грн
500+55.63 грн
1000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N03S4L06ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+56.25 грн
100+37.19 грн
500+27.20 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
10+53.64 грн
100+35.62 грн
500+25.97 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA1 Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
IPD70P04P409ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1 Infineon-IPD75N04S4_06-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8994c25e57&ack=t
IPD75N04S406ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+63.07 грн
100+41.83 грн
500+30.70 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.47 грн
10+109.51 грн
100+74.66 грн
500+56.09 грн
1000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
10+82.23 грн
100+55.26 грн
500+41.02 грн
1000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+69.58 грн
100+46.32 грн
500+34.13 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+64.45 грн
100+42.82 грн
500+31.45 грн
1000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1 Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142
IPG20N04S408AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.36 грн
10+122.15 грн
100+83.70 грн
500+63.12 грн
1000+58.16 грн
2000+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf622fcf6c0a
IPG20N04S4L07ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.35 грн
10+100.01 грн
100+67.77 грн
500+50.65 грн
1000+46.49 грн
2000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5
IPG20N04S4L11AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_35A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4550adaa5193
IPG20N06S2L35AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.63 грн
10+88.28 грн
100+57.97 грн
500+43.30 грн
1000+37.01 грн
2000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_65A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4555276651ce
IPG20N06S2L65AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.58 грн
10+72.42 грн
100+48.33 грн
500+35.68 грн
1000+32.57 грн
2000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570
IPG20N06S415AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon-IPLU300N04S4-1R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4de4e2cb319a
IPLU300N04S41R1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.70 грн
10+210.51 грн
100+151.41 грн
500+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5-3R1-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d660139b148a4
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.80 грн
10+69.20 грн
100+46.06 грн
500+33.93 грн
1000+30.93 грн
2000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR3846MTRPBF ir3846m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d568a417ee
IR3846MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 35A 34PQFN
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975
IRF40R207
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 8595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
10+39.39 грн
100+32.03 грн
500+25.07 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011STRPBF INFN-S-A0001467921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS2011STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.08 грн
10+125.45 грн
25+114.55 грн
100+96.26 грн
250+90.91 грн
500+87.67 грн
1000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2308STRPBF irs2308.pdf?fileId=5546d462533600a40153567a98ac2804
IRS2308STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 18354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+54.41 грн
25+49.17 грн
100+40.71 грн
250+38.11 грн
500+36.55 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4427STRPBF IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS4427STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+65.37 грн
25+59.22 грн
100+49.18 грн
250+46.14 грн
500+44.30 грн
1000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
33+9.43 грн
100+5.01 грн
500+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.96 грн
10+98.70 грн
100+66.99 грн
500+50.12 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJ.pdf
TLD5045EJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 700MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 50kHz ~ 300kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 700mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 5V
Voltage - Supply (Max): 40V
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
10+79.24 грн
25+71.91 грн
100+59.92 грн
250+56.31 грн
500+54.13 грн
1000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5095ELXUMA1 TLD5095EL_TLD5098EL_Product_Brief.pdf?fileId=db3a30432c59a87e012c5e9d1deb3520
TLD5095ELXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 14SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz ~ 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-3
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Voltage - Supply (Max): 45V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4242EJXUMA1 TLE4242EJ.pdf
TLE4242EJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER LINEAR 500MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 40V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 42V
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4242GATMA3 fundamentals-of-power-semiconductors
TLE4242GATMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRV LIN PWM 500MA TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Voltage - Output: 4V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 42V
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42664GHTMA2 Infineon-TLE42664G-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9558df83e3a
TLE42664GHTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 100MA PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+87.82 грн
25+79.82 грн
100+66.62 грн
250+62.67 грн
500+60.29 грн
1000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42744DV33ATMA1 TLE42744_Rev_1.3.pdf
TLE42744DV33ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 400MA PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Grade: Automotive
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 15130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+74.18 грн
25+67.22 грн
100+55.93 грн
250+52.52 грн
500+50.46 грн
1000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42744GSV33HTMA1 Infineon-TLE42744GS%20V33-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019519be588f741b
TLE42744GSV33HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 400MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 19007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+91.73 грн
25+83.44 грн
100+69.74 грн
250+65.65 грн
500+63.19 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42994EXUMA1 Infineon-TLE42994-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8524621f51
TLE42994EXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SSOP-14-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-2
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable, Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 66dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 2 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE46782LDXUMA1 Infineon-TLE4678-2LD-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2394641bd
TLE46782LDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA TSON-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Part Status: Obsolete
PSRR: 65dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 6 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49631MXTSA1 Infineon-TLE4963-1M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287edc65d27c4
TLE49631MXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 2mT Trip, -2mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 2.4mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
13+23.91 грн
14+21.92 грн
25+20.40 грн
50+17.09 грн
100+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49646MXTSA1 Infineon-TLE4964_6M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e2117c81fe3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E2010FUMA1 Infineon-TLE5009_EXXXX-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a01771b1fec2f3a7f
TLE5009E2010FUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANGLE 360DEG SOLDER TAB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: Gull Wing
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Output Signal: Cosine, Sine
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.87 грн
5+184.53 грн
10+176.18 грн
25+156.03 грн
50+149.67 грн
100+143.86 грн
500+130.00 грн
1000+125.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EM_Rev1.2_3-14-19.pdf
TLE7181EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.63 грн
10+216.34 грн
25+198.85 грн
100+168.63 грн
250+160.06 грн
500+154.89 грн
1000+148.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 Infineon-TLE7182EM-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30432f5008fe012f5442920c3996&ack=t
TLE7182EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 7V ~ 34V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 55 V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-4
Rise / Fall Time (Typ): 250ns, 200ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 4
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.55 грн
10+199.48 грн
25+183.22 грн
100+155.17 грн
250+147.17 грн
500+142.35 грн
1000+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8080EMXUMA1 Infineon-TLE8080EM-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a446d32b90bb5
TLE8080EMXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ENGINECONTR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Applications: Small Engine
Supplier Device Package: PG-SSOP-24
Part Status: Active
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8366EV50XUMA1 Infineon-TLE8366-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2def641fa
TLE8366EV50XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 5V 1.8A PGDSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.52 грн
10+146.98 грн
25+134.45 грн
100+113.23 грн
250+107.05 грн
500+103.33 грн
1000+98.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9201SGAUMA1 Infineon-TLE9201SG-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304345087709014518190f481cec
TLE9201SGAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 6A 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 5V ~ 28V
Rds On (Typ): 100mOhm LS, 100mOhm HS
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 6A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-17
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Load Type: Inductive
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.29 грн
10+208.83 грн
25+191.86 грн
100+162.63 грн
250+154.31 грн
500+149.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 292 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]