Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149514) > Сторінка 284 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
11+30.42 грн
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+35.75 грн
100+23.13 грн
500+16.59 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.25 грн
21+16.16 грн
100+10.14 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.00 грн
10+66.10 грн
100+43.94 грн
500+32.31 грн
1000+29.44 грн
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.33 грн
10+76.10 грн
100+50.96 грн
500+37.70 грн
1000+34.44 грн
2000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 ICE1HS01G1XUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE1HS01G_1-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043382e837301383116a3354a93 Description: IC OFFLINE SW HALF-BRIDGE 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 50kHz ~ 609kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.2V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA1 ICE3PCS02GXUMA1 Infineon Technologies infineon-ice3pcs02g-ds-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67fab472b4b Description: IC PFC CTRLR CCM 250KHZ 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 21kHz ~ 250kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 380 µA
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.53 грн
10+65.77 грн
25+59.57 грн
100+49.51 грн
250+46.45 грн
500+44.60 грн
1000+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB020N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac98fb6291b4d Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.40 грн
10+224.53 грн
100+179.00 грн
500+139.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81 Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.29 грн
10+177.30 грн
100+124.30 грн
500+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.61 грн
10+293.91 грн
100+212.23 грн
500+198.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.71 грн
10+52.73 грн
100+34.68 грн
500+25.26 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.73 грн
10+92.58 грн
100+62.62 грн
500+46.72 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.71 грн
10+71.18 грн
100+54.28 грн
500+40.89 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.66 грн
10+85.86 грн
100+57.83 грн
500+43.01 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipg20n04s4l-11-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.22 грн
10+72.58 грн
100+48.47 грн
500+35.79 грн
1000+32.67 грн
2000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.22 грн
10+87.34 грн
100+58.89 грн
500+43.83 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.02 грн
10+106.53 грн
100+72.60 грн
500+54.49 грн
1000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.17 грн
10+444.64 грн
100+327.52 грн
500+275.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR1168STRPBF IR1168STRPBF Infineon Technologies ir1168.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c467fa1658 Description: IC SECONDARY SIDE CTRLR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 8.6V ~ 18V
Applications: Secondary-Side Controller, Synchronous Rectifier
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Supply: 48 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.38 грн
10+147.12 грн
25+134.65 грн
100+113.48 грн
250+107.33 грн
500+103.63 грн
1000+98.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844STRPBF Infineon Technologies ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.98 грн
10+127.19 грн
25+116.22 грн
100+97.70 грн
250+92.29 грн
500+89.03 грн
1000+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR3537MTRPBF IR3537MTRPBF Infineon Technologies ir3537.pdf?fileId=5546d462533600a4015355cd6c46175c Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.34 грн
10+87.25 грн
25+82.76 грн
100+63.81 грн
250+59.65 грн
500+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.35 грн
10+116.12 грн
100+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7820-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.33 грн
10+90.21 грн
100+60.92 грн
500+45.40 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Infineon Technologies irfh3707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a2e0b1e78 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.21 грн
10+33.38 грн
100+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBF IRFH5006TRPBF Infineon Technologies irfh5006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aa6561e96 Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Infineon Technologies irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 7078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.59 грн
10+76.76 грн
100+55.61 грн
500+41.79 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF IRFH5215TRPBF Infineon Technologies irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2 Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF Infineon Technologies irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+56.34 грн
100+42.12 грн
500+39.08 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF Infineon Technologies irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF IRFH5406TRPBF Infineon Technologies irfh5406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e92861ece Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF Infineon Technologies irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+69.87 грн
100+46.38 грн
500+34.08 грн
1000+31.04 грн
2000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 22252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
10+35.84 грн
100+27.14 грн
500+19.57 грн
1000+16.91 грн
2000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS27952STRPBF IRS27952STRPBF Infineon Technologies irs27951s.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b77792849 Description: IC REG CTRLR BUCK/HALF-BRG 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down, Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: Up to 500Hz
Topology: Buck, Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 12V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Enable, Frequency Control
Output Phases: 2
Duty Cycle (Max): 50%
Clock Sync: No
Part Status: Active
Number of Outputs: 2
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.32 грн
10+121.70 грн
25+111.10 грн
100+93.30 грн
250+88.08 грн
500+84.93 грн
1000+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4205GXUMA1 TLE4205GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4205-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4393a186d4a&ack=t Description: IC MOTOR DRIVER 6V-32V 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 32V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 6V ~ 32V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-17
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4252DATMA1 TLE4252DATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4252D-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f918238f3a03 Description: IC REG LIN POS ADJ PG-TO252-5-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 250mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-5-11
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 200mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.18 грн
10+105.30 грн
25+95.95 грн
100+80.38 грн
250+75.77 грн
500+73.00 грн
1000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GHTMA2 TLE42662GHTMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4266-2-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f94369cf3e1b Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 17025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.18 грн
10+104.31 грн
25+94.93 грн
100+79.38 грн
250+74.75 грн
500+71.96 грн
1000+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4284DV50ATMA1 TLE4284DV50ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4284-DS-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f854dfc1f60 Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.03 грн
10+129.16 грн
25+121.86 грн
100+97.42 грн
250+91.48 грн
500+80.04 грн
1000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4946KHTSA1 TLE4946KHTSA1 Infineon Technologies TLE4946K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc901e4d6379 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 19mT Trip, -19mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49643KXTSA1 TLE49643KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4964_3K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b60139779f2b9f5404 Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 12.5mT Trip, 9.5mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 1.6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3-5
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.43 грн
10+34.36 грн
25+30.11 грн
50+28.63 грн
100+27.29 грн
500+24.19 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966KHTSA1 TLE4966KHTSA1 Infineon Technologies TLE4966K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc945ed46383 Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR TSOP-6-6
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10mT Trip, -10mT Release
Current - Output (Max): 10mA
Current - Supply (Max): 7mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
8+43.30 грн
10+41.08 грн
25+36.02 грн
50+34.31 грн
100+32.72 грн
500+29.06 грн
1000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBFXUMA1 XC161CJ16F40FBBFXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XC161_16-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41cd87f2ef8&ack=t Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 144TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, SLDM, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-7
Part Status: Last Time Buy
Number of I/O: 99
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2225.23 грн
10+1976.67 грн
25+1887.81 грн
100+1584.05 грн
250+1511.10 грн
500+1438.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBKXUMA1 XC161CJ16F40FBBKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XC161_16-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41cd87f2ef8&ack=t Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 144TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, SLDM, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-7
Part Status: Last Time Buy
Number of I/O: 99
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3309.31 грн
10+2608.52 грн
25+2464.11 грн
100+2163.55 грн
250+2092.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T038X0032ABXUMA1 XMC1302T038X0032ABXUMA1 Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.50 грн
10+133.26 грн
25+121.86 грн
100+102.49 грн
250+96.84 грн
500+93.44 грн
1000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Infineon Technologies irlh5030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599 Description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+137.77 грн
100+95.24 грн
500+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBF IRLH5034TRPBF Infineon Technologies irlh5034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356636815259b Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF Infineon Technologies irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5 Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.08 грн
10+73.31 грн
100+48.91 грн
500+36.07 грн
1000+32.91 грн
2000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies irlhs6276pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663ae1f25ab Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+36.16 грн
100+23.39 грн
500+16.77 грн
1000+14.66 грн
2000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72592GEXUMA4 TLE72592GEXUMA4 Infineon Technologies Infineon-TLE7259-2GE-DS-v01_50-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11de035e87 Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 PGDSO816
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kBd
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Full
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2109C Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR MOSFET
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA21V05X1SA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: CHIP BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA22V12X1SA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: CHIP BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V02X1SA1 Infineon Technologies Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V09X1SA1 Infineon Technologies Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V19X1SA1 Infineon Technologies Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 Infineon Technologies Infineon-1DN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.01 грн
6000+17.83 грн
9000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 Infineon Technologies Infineon-1DN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-WSON-6-1
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
11+30.42 грн
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.61 грн
10+35.75 грн
100+23.13 грн
500+16.59 грн
1000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.25 грн
21+16.16 грн
100+10.14 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+66.10 грн
100+43.94 грн
500+32.31 грн
1000+29.44 грн
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.33 грн
10+76.10 грн
100+50.96 грн
500+37.70 грн
1000+34.44 грн
2000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 Infineon-ICE1HS01G_1-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043382e837301383116a3354a93
ICE1HS01G1XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW HALF-BRIDGE 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 50kHz ~ 609kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.2V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA1 infineon-ice3pcs02g-ds-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67fab472b4b
ICE3PCS02GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM 250KHZ 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 21kHz ~ 250kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 380 µA
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.53 грн
10+65.77 грн
25+59.57 грн
100+49.51 грн
250+46.45 грн
500+44.60 грн
1000+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1 Infineon-IPB020N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac98fb6291b4d
IPB020N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.40 грн
10+224.53 грн
100+179.00 грн
500+139.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 Infineon-IPB031N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac9cfdf5b1b81
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.29 грн
10+177.30 грн
100+124.30 грн
500+103.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
IPB180N10S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.61 грн
10+293.91 грн
100+212.23 грн
500+198.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.71 грн
10+52.73 грн
100+34.68 грн
500+25.26 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
IPD60N10S4L12ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.73 грн
10+92.58 грн
100+62.62 грн
500+46.72 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPD80R1K4CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+71.18 грн
100+54.28 грн
500+40.89 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.66 грн
10+85.86 грн
100+57.83 грн
500+43.01 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1 infineon-ipg20n04s4l-11-datasheet-en.pdf
IPG20N04S4L11ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.22 грн
10+72.58 грн
100+48.47 грн
500+35.79 грн
1000+32.67 грн
2000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t
IPG20N06S2L35ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.22 грн
10+87.34 грн
100+58.89 грн
500+43.83 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
IPG20N10S4L22ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.02 грн
10+106.53 грн
100+72.60 грн
500+54.49 грн
1000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 Infineon-IPL65R070C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145da30e80145f091901e6b3d
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.17 грн
10+444.64 грн
100+327.52 грн
500+275.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR1168STRPBF ir1168.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c467fa1658
IR1168STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SECONDARY SIDE CTRLR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 8.6V ~ 18V
Applications: Secondary-Side Controller, Synchronous Rectifier
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Supply: 48 mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.38 грн
10+147.12 грн
25+134.65 грн
100+113.48 грн
250+107.33 грн
500+103.63 грн
1000+98.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF ir2184.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c955e616d4
IR21844STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.98 грн
10+127.19 грн
25+116.22 грн
100+97.70 грн
250+92.29 грн
500+89.03 грн
1000+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR3537MTRPBF ir3537.pdf?fileId=5546d462533600a4015355cd6c46175c
IR3537MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.34 грн
10+87.25 грн
25+82.76 грн
100+63.81 грн
250+59.65 грн
500+52.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
IRF100S201
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.35 грн
10+116.12 грн
100+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7820TRPBF infineon-irf7820-datasheet-en.pdf
IRF7820TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.33 грн
10+90.21 грн
100+60.92 грн
500+45.40 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF irfh3707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a2e0b1e78
IRFH3707TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.21 грн
10+33.38 грн
100+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5006TRPBF irfh5006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561aa6561e96
IRFH5006TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0
IRFH5210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 7078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.59 грн
10+76.76 грн
100+55.61 грн
500+41.79 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5215TRPBF irfh5215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b15111eb2
IRFH5215TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe
IRFH5301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.76 грн
10+56.34 грн
100+42.12 грн
500+39.08 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5304TRPBF irfh5304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b6a2a1ec7
IRFH5304TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5406TRPBF irfh5406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561e92861ece
IRFH5406TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562334f61f47
IRFHM830TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.97 грн
10+69.87 грн
100+46.38 грн
500+34.08 грн
1000+31.04 грн
2000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61
IRFHS9301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 22252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.95 грн
10+35.84 грн
100+27.14 грн
500+19.57 грн
1000+16.91 грн
2000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRLPBF irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
IRFR120NTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0
IRFS4410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS27952STRPBF irs27951s.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b77792849
IRS27952STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR BUCK/HALF-BRG 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down, Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: Up to 500Hz
Topology: Buck, Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 12V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Enable, Frequency Control
Output Phases: 2
Duty Cycle (Max): 50%
Clock Sync: No
Part Status: Active
Number of Outputs: 2
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.32 грн
10+121.70 грн
25+111.10 грн
100+93.30 грн
250+88.08 грн
500+84.93 грн
1000+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4205GXUMA1 Infineon-TLE4205-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4393a186d4a&ack=t
TLE4205GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 6V-32V 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 32V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 6V ~ 32V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-17
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4252DATMA1 Infineon-TLE4252D-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f918238f3a03
TLE4252DATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ PG-TO252-5-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 250mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-5-11
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 200mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.18 грн
10+105.30 грн
25+95.95 грн
100+80.38 грн
250+75.77 грн
500+73.00 грн
1000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GHTMA2 Infineon-TLE4266-2-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f94369cf3e1b
TLE42662GHTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 150MA PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 17025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.18 грн
10+104.31 грн
25+94.93 грн
100+79.38 грн
250+74.75 грн
500+71.96 грн
1000+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4284DV50ATMA1 Infineon-TLE4284-DS-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f854dfc1f60
TLE4284DV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 1A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.03 грн
10+129.16 грн
25+121.86 грн
100+97.42 грн
250+91.48 грн
500+80.04 грн
1000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4946KHTSA1 TLE4946K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc901e4d6379
TLE4946KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 19mT Trip, -19mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49643KXTSA1 Infineon-TLE4964_3K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b60139779f2b9f5404
TLE49643KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 12.5mT Trip, 9.5mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 1.6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3-5
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
10+34.36 грн
25+30.11 грн
50+28.63 грн
100+27.29 грн
500+24.19 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966KHTSA1 TLE4966K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc945ed46383
TLE4966KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR TSOP-6-6
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10mT Trip, -10mT Release
Current - Output (Max): 10mA
Current - Supply (Max): 7mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
8+43.30 грн
10+41.08 грн
25+36.02 грн
50+34.31 грн
100+32.72 грн
500+29.06 грн
1000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBFXUMA1 Infineon-XC161_16-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41cd87f2ef8&ack=t
XC161CJ16F40FBBFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 144TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, SLDM, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-7
Part Status: Last Time Buy
Number of I/O: 99
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2225.23 грн
10+1976.67 грн
25+1887.81 грн
100+1584.05 грн
250+1511.10 грн
500+1438.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XC161CJ16F40FBBKXUMA1 Infineon-XC161_16-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41cd87f2ef8&ack=t
XC161CJ16F40FBBKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 144TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, SLDM, SPI, UART/USART
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-7
Part Status: Last Time Buy
Number of I/O: 99
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3309.31 грн
10+2608.52 грн
25+2464.11 грн
100+2163.55 грн
250+2092.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T038X0032ABXUMA1
XMC1302T038X0032ABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.50 грн
10+133.26 грн
25+121.86 грн
100+102.49 грн
250+96.84 грн
500+93.44 грн
1000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF irlh5030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356635f1a2599
IRLH5030TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.56 грн
10+137.77 грн
100+95.24 грн
500+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5034TRPBF irlh5034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356636815259b
IRLH5034TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF irlhm630pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663951725a5
IRLHM630TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.08 грн
10+73.31 грн
100+48.91 грн
500+36.07 грн
1000+32.91 грн
2000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF irlhs6276pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663ae1f25ab
IRLHS6276TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.46 грн
10+36.16 грн
100+23.39 грн
500+16.77 грн
1000+14.66 грн
2000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72592GEXUMA4 Infineon-TLE7259-2GE-DS-v01_50-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11de035e87
TLE72592GEXUMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 PGDSO816
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kBd
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 300 mV
Duplex: Full
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2109C fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR MOSFET
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA21V05X1SA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: CHIP BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA22V12X1SA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: CHIP BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V02X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V09X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V19X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 Infineon-1DN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN7512BXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-SOT23-5-1
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.01 грн
6000+17.83 грн
9000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512GXTMA1 Infineon-1DN751x_1EDN851x_Rev+2.0-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157e176df0b3ca7
1EDN7512GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-WSON-6-1
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 279 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]