Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 309 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPSA70R2K0P7SAKMA1 IPSA70R2K0P7SAKMA1 INFINEON Infineon-IPSA70R2K0P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9329b21385 Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.11 грн
44+18.83 грн
100+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 INFINEON INFN-S-A0004583969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.21 грн
50+68.66 грн
100+42.68 грн
500+27.34 грн
1000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.19 грн
17+51.23 грн
100+34.62 грн
500+25.27 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.15 грн
10+96.21 грн
100+74.66 грн
500+54.98 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON 1852912.pdf Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.96 грн
10+172.68 грн
100+134.86 грн
500+96.97 грн
1000+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.39 грн
10+532.03 грн
25+440.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.32 грн
500+55.43 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 INFINEON infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.91 грн
72+11.43 грн
154+5.36 грн
500+4.83 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195 Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.36 грн
87+9.54 грн
139+5.94 грн
500+5.37 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195 Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.37 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 INFINEON 3208416.pdf Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.81 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5235XUMA1 TDA5235XUMA1 INFINEON INFNS14894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS)
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 902MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: 15mA
Empfindlichkeit (dBm): -117dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 902MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.30 грн
250+180.44 грн
500+173.39 грн
1000+145.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R12OE4B81BPSA1 FS450R12OE4B81BPSA1 INFINEON 3097853.pdf Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40194.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4B81BPSA1 FS300R17OE4B81BPSA1 INFINEON 3097852.pdf Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32236.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2ED020I12F2XUMA1 INFINEON 2211688.pdf Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+411.15 грн
50+380.72 грн
200+321.46 грн
500+274.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR460L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 INFINEON Infineon-BFR460L3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f04152e393e Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 22GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.00 грн
500+15.50 грн
1000+13.74 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 BTS712204ESAXUMA1 INFINEON 2718620.pdf Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 31628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.51 грн
250+125.46 грн
500+124.05 грн
1000+115.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 BTS712204ESAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS71220-4ESA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163feaaf85408d1 Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 31628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.25 грн
10+201.46 грн
25+185.02 грн
50+158.06 грн
100+132.51 грн
250+125.46 грн
500+124.05 грн
1000+115.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.88 грн
91+9.13 грн
115+7.20 грн
500+6.31 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
111+7.43 грн
500+6.53 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXI CYPM1111-40LQXI INFINEON 3920238.pdf Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.35 грн
10+114.30 грн
25+113.48 грн
50+103.84 грн
100+95.15 грн
250+93.74 грн
500+93.04 грн
1000+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1211-40LQXI CYPM1211-40LQXI INFINEON download Infineon-PMG1-S2_DATASHEET_POWER_DELIVERY_MICROCONTROLLER_GEN1-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4788733e Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.34 грн
10+214.62 грн
25+198.17 грн
50+169.51 грн
100+141.67 грн
250+129.69 грн
500+125.46 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1311-48LDXI CYPM1311-48LDXI INFINEON 3920240.pdf Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.93 грн
10+308.36 грн
25+285.34 грн
50+243.58 грн
100+204.40 грн
250+188.89 грн
500+183.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1011-24LQXI CYPM1011-24LQXI INFINEON 3920237.pdf Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.10 грн
10+124.17 грн
25+113.48 грн
50+96.97 грн
100+80.35 грн
250+78.24 грн
500+76.83 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1322-97BZXI CYPM1322-97BZXI INFINEON 3920240.pdf Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.60 грн
10+385.66 грн
25+356.88 грн
50+316.88 грн
100+278.41 грн
250+257.97 грн
500+253.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+424.30 грн
50+295.20 грн
250+211.33 грн
1000+179.44 грн
2000+162.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBF IRF7779L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+539.43 грн
50+340.43 грн
250+255.73 грн
1000+225.25 грн
2000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+295.20 грн
250+211.33 грн
1000+179.44 грн
2000+162.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.20 грн
10+194.88 грн
100+138.15 грн
500+106.90 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR INFINEON INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+385.54 грн
250+377.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.15 грн
500+106.90 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+281.23 грн
250+201.46 грн
1000+169.51 грн
2000+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.03 грн
10+510.65 грн
100+418.55 грн
500+330.62 грн
1000+280.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+510.65 грн
100+418.55 грн
500+330.62 грн
1000+280.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762TXUMA1 BSP762TXUMA1 INFINEON 2333299.pdf Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 7A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.55 грн
10+135.68 грн
50+124.17 грн
100+103.08 грн
250+90.22 грн
500+85.99 грн
1000+83.87 грн
2500+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.66 грн
250+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1 INFINEON Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.80 грн
10+159.53 грн
25+143.90 грн
50+128.28 грн
100+112.77 грн
250+106.43 грн
500+104.31 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 1EDI60I12AHXUMA1 INFINEON 2354779.pdf Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.27 грн
10+189.13 грн
25+173.50 грн
50+153.48 грн
100+133.92 грн
250+126.87 грн
500+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 2ED020I06FIXUMA1 INFINEON INFN-S-A0008993653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.15 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON INFNS16692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4002ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 40 V, 200 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS400
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.89 грн
500+48.41 грн
1000+41.73 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.27 грн
12+69.16 грн
100+57.89 грн
500+48.41 грн
1000+41.73 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.05 грн
50+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 INFINEON Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 INFINEON 3208405.pdf Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.07 грн
58+14.23 грн
111+7.42 грн
500+6.81 грн
1000+5.55 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC886CM8FFI5VACFXUMA1 XC886CM8FFI5VACFXUMA1 INFINEON INFNS13207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XC886CM8FFI5VACFXUMA1 - 8-Bit-MCU, XC800 Family XC88X Series Microcontrollers, 8051, 24 MHz, 32 KB, 48 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
MCU-Familie: XC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
RAM-Speichergröße: 1.75KB
MCU-Baureihe: XC88x
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: XC800 Family XC88X Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+542.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 IPDD60R145CFD7XTMA1 INFINEON 3177170.pdf Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.08 грн
10+151.30 грн
25+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 IPDD60R145CFD7XTMA1 INFINEON 3177170.pdf Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.114ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4BPSA1 FP25R12KT4BPSA1 INFINEON 1926742.pdf Description: INFINEON - FP25R12KT4BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.85 V, 160 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5398.38 грн
5+4764.39 грн
10+4129.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48N AUIRFZ48N INFINEON IRSDS13108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS2201XUMA1 XDPS2201XUMA1 INFINEON Infineon-XDPS2201-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b3d4ea4a2055 Description: INFINEON - XDPS2201XUMA1 - Hybrid-Flyback-Controller, 11V bis 24V Versorgungsspannung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Hybrid-Flyback-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21084S06JXUMA1 2ED21084S06JXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef Description: INFINEON - 2ED21084S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.00 грн
250+54.41 грн
500+49.90 грн
1000+45.81 грн
2500+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS2201XUMA1 XDPS2201XUMA1 INFINEON Infineon-XDPS2201-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b3d4ea4a2055 Description: INFINEON - XDPS2201XUMA1 - Hybrid-Flyback-Controller, 11V bis 24V Versorgungsspannung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Hybrid-Flyback-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA2 2EDF7275KXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA1 2EDF7275KXUMA1 INFINEON INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LGA
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA2 2EDF7275KXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LGA
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA1 2EDF7275FXUMA1 INFINEON Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060 Description: INFINEON - 2EDF7275FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 2EDi
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.71 грн
250+124.05 грн
500+107.13 грн
1000+90.22 грн
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD40DP06NMATMA1 IPD40DP06NMATMA1 INFINEON Infineon-IPD40DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0667894e724f Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.328 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.60 грн
500+21.76 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon-IPSA70R2K0P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9329b21385
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
36+23.11 грн
44+18.83 грн
100+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1 INFN-S-A0004583969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPSA70R360P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+96.21 грн
50+68.66 грн
100+42.68 грн
500+27.34 грн
1000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70R1K4CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+79.19 грн
17+51.23 грн
100+34.62 грн
500+25.27 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.15 грн
10+96.21 грн
100+74.66 грн
500+54.98 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 1852912.pdf
IPB65R190CFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+263.96 грн
10+172.68 грн
100+134.86 грн
500+96.97 грн
1000+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDFKSA1 INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R110CFDFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+641.39 грн
10+532.03 грн
25+440.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+75.32 грн
500+55.43 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf
SN7002IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+18.91 грн
72+11.43 грн
154+5.36 грн
500+4.83 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
51+16.36 грн
87+9.54 грн
139+5.94 грн
500+5.37 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+5.37 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 3208416.pdf
SN7002IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+4.81 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5235XUMA1 INFNS14894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5235XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS)
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 902MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: 15mA
Empfindlichkeit (dBm): -117dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 902MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+190.30 грн
250+180.44 грн
500+173.39 грн
1000+145.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R12OE4B81BPSA1 3097853.pdf
FS450R12OE4B81BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+40194.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4B81BPSA1 3097852.pdf
FS300R17OE4B81BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+32236.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2211688.pdf
2ED020I12F2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+411.15 грн
50+380.72 грн
200+321.46 грн
500+274.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR460L3E6327XTMA1 Infineon-BFR460L3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f04152e393e
BFR460L3E6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 22GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+19.00 грн
500+15.50 грн
1000+13.74 грн
5000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 2718620.pdf
BTS712204ESAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 31628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+132.51 грн
250+125.46 грн
500+124.05 грн
1000+115.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 Infineon-BTS71220-4ESA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163feaaf85408d1
BTS712204ESAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 31628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+267.25 грн
10+201.46 грн
25+185.02 грн
50+158.06 грн
100+132.51 грн
250+125.46 грн
500+124.05 грн
1000+115.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+14.88 грн
91+9.13 грн
115+7.20 грн
500+6.31 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.54 грн
111+7.43 грн
500+6.53 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXI 3920238.pdf
CYPM1111-40LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+160.35 грн
10+114.30 грн
25+113.48 грн
50+103.84 грн
100+95.15 грн
250+93.74 грн
500+93.04 грн
1000+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1211-40LQXI download Infineon-PMG1-S2_DATASHEET_POWER_DELIVERY_MICROCONTROLLER_GEN1-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4788733e
CYPM1211-40LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+285.34 грн
10+214.62 грн
25+198.17 грн
50+169.51 грн
100+141.67 грн
250+129.69 грн
500+125.46 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1311-48LDXI 3920240.pdf
CYPM1311-48LDXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+402.93 грн
10+308.36 грн
25+285.34 грн
50+243.58 грн
100+204.40 грн
250+188.89 грн
500+183.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1011-24LQXI 3920237.pdf
CYPM1011-24LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+166.10 грн
10+124.17 грн
25+113.48 грн
50+96.97 грн
100+80.35 грн
250+78.24 грн
500+76.83 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1322-97BZXI 3920240.pdf
CYPM1322-97BZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+501.60 грн
10+385.66 грн
25+356.88 грн
50+316.88 грн
100+278.41 грн
250+257.97 грн
500+253.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+424.30 грн
50+295.20 грн
250+211.33 грн
1000+179.44 грн
2000+162.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBF INFN-S-A0012826943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7779L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+539.43 грн
50+340.43 грн
250+255.73 грн
1000+225.25 грн
2000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+295.20 грн
250+211.33 грн
1000+179.44 грн
2000+162.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+295.20 грн
10+194.88 грн
100+138.15 грн
500+106.90 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7759L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+385.54 грн
250+377.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+138.15 грн
500+106.90 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7769L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+281.23 грн
250+201.46 грн
1000+169.51 грн
2000+153.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7759L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+569.03 грн
10+510.65 грн
100+418.55 грн
500+330.62 грн
1000+280.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7759L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+510.65 грн
100+418.55 грн
500+330.62 грн
1000+280.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762TXUMA1 2333299.pdf
BSP762TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 7A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+182.55 грн
10+135.68 грн
50+124.17 грн
100+103.08 грн
250+90.22 грн
500+85.99 грн
1000+83.87 грн
2500+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+66.66 грн
250+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI60H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+213.80 грн
10+159.53 грн
25+143.90 грн
50+128.28 грн
100+112.77 грн
250+106.43 грн
500+104.31 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 2354779.pdf
1EDI60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+253.27 грн
10+189.13 грн
25+173.50 грн
50+153.48 грн
100+133.92 грн
250+126.87 грн
500+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 INFN-S-A0008993653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED020I06FIXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.15 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFNS16692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4002ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 40 V, 200 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS400
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0921NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.89 грн
500+48.41 грн
1000+41.73 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0921NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+91.27 грн
12+69.16 грн
100+57.89 грн
500+48.41 грн
1000+41.73 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+40.05 грн
50+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 Infineon-BSS127-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f686060131049ef4883edb
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
BSS127IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 3208405.pdf
BSS127IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+26.07 грн
58+14.23 грн
111+7.42 грн
500+6.81 грн
1000+5.55 грн
5000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC886CM8FFI5VACFXUMA1 INFNS13207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XC886CM8FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC886CM8FFI5VACFXUMA1 - 8-Bit-MCU, XC800 Family XC88X Series Microcontrollers, 8051, 24 MHz, 32 KB, 48 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
MCU-Familie: XC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
RAM-Speichergröße: 1.75KB
MCU-Baureihe: XC88x
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: XC800 Family XC88X Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+542.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 3177170.pdf
IPDD60R145CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.08 грн
10+151.30 грн
25+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 3177170.pdf
IPDD60R145CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.114ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4BPSA1 1926742.pdf
FP25R12KT4BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KT4BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.85 V, 160 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5398.38 грн
5+4764.39 грн
10+4129.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48N IRSDS13108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFZ48N
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS2201XUMA1 Infineon-XDPS2201-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b3d4ea4a2055
XDPS2201XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XDPS2201XUMA1 - Hybrid-Flyback-Controller, 11V bis 24V Versorgungsspannung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Hybrid-Flyback-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+401.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21084S06JXUMA1 Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef
2ED21084S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21084S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.00 грн
250+54.41 грн
500+49.90 грн
1000+45.81 грн
2500+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS2201XUMA1 Infineon-XDPS2201-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b3d4ea4a2055
XDPS2201XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XDPS2201XUMA1 - Hybrid-Flyback-Controller, 11V bis 24V Versorgungsspannung, SOIC-14
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Hybrid-Flyback-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA2 2921642.pdf
2EDF7275KXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+201.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA1 INFN-S-A0008993695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDF7275KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LGA
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275KXUMA2 2921642.pdf
2EDF7275KXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275KXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LGA
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7275FXUMA1 Infineon-2EDF7175F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b09026be3060
2EDF7275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7275FXUMA1 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 2EDi
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+152.71 грн
250+124.05 грн
500+107.13 грн
1000+90.22 грн
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD40DP06NMATMA1 Infineon-IPD40DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0667894e724f
IPD40DP06NMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.328 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+29.60 грн
500+21.76 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]