Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 394 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1ED44171N01BXTSA1 1ED44171N01BXTSA1 INFINEON 3770296.pdf Description: INFINEON - 1ED44171N01BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, MOSFET, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7mV
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.50 грн
21+39.99 грн
100+31.41 грн
500+26.01 грн
1000+22.13 грн
2500+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM13645ATOBO2 EVALM13645ATOBO2 INFINEON Infineon-AN2016-15_EVAL-M1-36-45A_User_Manual-UM-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d2b0ce2497e69 Description: INFINEON - EVALM13645ATOBO2 - Evaluationsboard, IRSM836-045MA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-045MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Power Integrations
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-045MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8551.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXTMA1 XMC1302Q024X0064ABXTMA1 INFINEON 2290993.pdf Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1300
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.18 грн
10+197.51 грн
50+186.18 грн
100+161.61 грн
250+138.77 грн
500+129.05 грн
1000+118.65 грн
2500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024F0064ABXTMA1 XMC1302Q024F0064ABXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1302Q024F0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1300
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.89 грн
10+191.04 грн
50+179.70 грн
100+156.34 грн
250+133.91 грн
500+124.20 грн
1000+114.48 грн
2500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXTMA1 XMC1302Q024X0064ABXTMA1 INFINEON 2290993.pdf Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.61 грн
250+138.77 грн
500+129.05 грн
1000+118.65 грн
2500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024F0064ABXTMA1 XMC1302Q024F0064ABXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1302Q024F0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.34 грн
250+133.91 грн
500+124.20 грн
1000+114.48 грн
2500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-100-SO CYTVII-B-E-100-SO INFINEON Infineon-2-28207_0A_CYTVII-B-E-100-SO_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baddfeb537dd8 Description: INFINEON - CYTVII-B-E-100-SO - Evaluationsboard, CYT2B75CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT2B75CABES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CABES
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+93737.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-1M-SK CYTVII-B-E-1M-SK INFINEON Infineon-Traveo_II_CYTVII-B-E-1M-SK.-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e05744da1058 Description: INFINEON - CYTVII-B-E-1M-SK - Evaluationsboard, CYT2B75CADES, 32 Bit, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT2B75CADES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CADES
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4F, Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7971.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-176-SO CYTVII-B-E-176-SO INFINEON Infineon-CYTVII-B-E-1M-176-CPU_Evaluation_Board_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0349c21aad Description: INFINEON - CYTVII-B-E-176-SO - Evaluationsboard, CYT2B78CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT2B78CABES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B78CABES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+89609.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-176-SO CYTVII-B-H-176-SO INFINEON infineon-002-25907-0c-cytvii-b-h-8m-176-cpu-evaluation-board-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - CYTVII-B-H-176-SO - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT4BF8C
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+95518.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.59 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.74 грн
39+21.29 грн
100+12.14 грн
500+7.59 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F67904849-TLD5099EP_VB2G-UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f44509bdc7049 Description: INFINEON - TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP B2G, Power-Management, Aufwärtsregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP B2G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4188.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.25 грн
500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 2EDB7259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.66 грн
10+91.47 грн
50+84.19 грн
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
2500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB9259YXUMA1 2EDB9259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259XXUMA1 2EDR8259XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR8259X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eefabe111d Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.68 грн
250+70.77 грн
500+68.34 грн
1000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8258XXUMA1 2EDR8258XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16 Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.81 грн
250+63.62 грн
500+61.20 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 2EDB8259FXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.18 грн
10+130.33 грн
50+116.56 грн
100+89.45 грн
250+77.71 грн
500+67.44 грн
1000+59.11 грн
2500+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR6258XXUMA1 2EDR6258XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR6258X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f158d33a00c4 Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.81 грн
250+63.62 грн
500+61.20 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 2EDB8259FXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.45 грн
250+77.71 грн
500+67.44 грн
1000+59.11 грн
2500+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 2EDB7259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
2500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 2EDB8259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 INFINEON 448_TLE9166EQ.PDF Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9166EQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Türsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27219.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 TLS203B0EJVXUMA1 INFINEON 2211716.pdf Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.18 грн
250+50.51 грн
500+48.57 грн
1000+46.97 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3025ASXUMA1 1EDI3025ASXUMA1 INFINEON Infineon-1EDI3025AS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190886944052487 Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.41 грн
10+233.13 грн
25+215.32 грн
50+190.17 грн
100+166.52 грн
250+156.81 грн
500+152.64 грн
1000+147.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 GS66502BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.60 грн
5+961.66 грн
10+817.57 грн
50+684.76 грн
100+558.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 GS66508TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2 Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.00 грн
5+2023.69 грн
10+1721.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 GS61008TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+776.29 грн
5+652.44 грн
10+555.30 грн
50+464.52 грн
100+378.84 грн
250+371.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 GS61008PMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226 Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+794.91 грн
5+660.53 грн
10+549.63 грн
50+461.52 грн
100+376.75 грн
250+369.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 GS66508TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2 Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.00 грн
5+2023.69 грн
10+1721.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1 GS66516BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6 Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3683.12 грн
5+3161.01 грн
10+2638.08 грн
50+2400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506TTRXUMA1 GS66506TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235 Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2069.83 грн
5+1767.09 грн
10+1505.63 грн
50+1254.52 грн
100+1067.82 грн
250+1046.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BMRXUSA1 GS66504BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231 Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+843.47 грн
50+730.61 грн
100+625.15 грн
250+612.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508BTRXUMA1 GS66508BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66508B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161c92653de Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.00 грн
5+2023.69 грн
10+1721.76 грн
50+1440.93 грн
100+1175.36 грн
250+1151.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 GS66502BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1144.60 грн
5+961.66 грн
10+817.57 грн
50+684.76 грн
100+558.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61004BTRXUMA1 GS61004BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61004B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160deb7521f Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.50 грн
10+333.50 грн
100+276.84 грн
500+233.01 грн
1000+190.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 GS61008PMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226 Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+794.91 грн
5+660.53 грн
10+549.63 грн
50+461.52 грн
100+376.75 грн
250+369.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 GS61008TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+776.29 грн
5+652.44 грн
10+555.30 грн
50+464.52 грн
100+378.84 грн
250+371.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+799.76 грн
5+664.58 грн
10+552.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BTRXUMA1 GS66504BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231 Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.20 грн
5+1248.21 грн
10+1062.03 грн
50+888.46 грн
100+725.06 грн
250+710.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.98 грн
500+42.62 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1 MA5342MSXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.54 грн
10+350.50 грн
25+322.98 грн
50+287.13 грн
100+252.56 грн
250+240.07 грн
500+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1 MA5342MSXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+350.50 грн
25+322.98 грн
50+287.13 грн
100+252.56 грн
250+240.07 грн
500+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MA5302MSXUMA1 MA5302MSXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.59 грн
10+462.21 грн
25+440.36 грн
50+400.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12KM1HHPSA1 FF2MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4018769.pdf Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33003.99 грн
5+32344.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 FF2400R12IP7PBPSA1 INFINEON 4159880.pdf Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+70882.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7BPSA1 FF2400R12IP7BPSA1 INFINEON 4159879.pdf Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+64308.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 INFINEON 3671357.pdf Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 IMBG65R033M2HXTMA1 INFINEON 4470071.pdf Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+550.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 IMBG65R040M2HXTMA1 INFINEON 4159865.pdf Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.39 грн
5+560.16 грн
10+454.93 грн
50+380.34 грн
100+311.53 грн
250+305.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 INFINEON 4159864.pdf Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+650.01 грн
50+567.50 грн
100+489.85 грн
250+480.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 IMBG65R033M2HXTMA1 INFINEON 4470071.pdf Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+696.96 грн
5+631.39 грн
10+550.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON 4470072.pdf Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+414.45 грн
100+335.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 INFINEON 4159864.pdf Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.47 грн
5+772.24 грн
10+650.01 грн
50+567.50 грн
100+489.85 грн
250+480.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 IMBG65R040M2HXTMA1 INFINEON 4159865.pdf Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+454.93 грн
50+380.34 грн
100+311.53 грн
250+305.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON 4470069.pdf Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1371.25 грн
50+1148.53 грн
100+979.00 грн
250+969.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1 IMBG65R050M2HXTMA1 INFINEON 4159866.pdf Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+398.26 грн
50+367.56 грн
100+260.19 грн
250+255.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON 4470069.pdf Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1709.61 грн
5+1540.43 грн
10+1371.25 грн
50+1148.53 грн
100+979.00 грн
250+969.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 INFINEON 4470070.pdf Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+672.68 грн
50+563.74 грн
100+480.14 грн
250+475.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44171N01BXTSA1 3770296.pdf
1ED44171N01BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44171N01BXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Low-Side, MOSFET, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7mV
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.50 грн
21+39.99 грн
100+31.41 грн
500+26.01 грн
1000+22.13 грн
2500+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM13645ATOBO2 Infineon-AN2016-15_EVAL-M1-36-45A_User_Manual-UM-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d2b0ce2497e69
EVALM13645ATOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM13645ATOBO2 - Evaluationsboard, IRSM836-045MA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-045MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Power Integrations
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-045MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8551.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXTMA1 2290993.pdf
XMC1302Q024X0064ABXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1300
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.18 грн
10+197.51 грн
50+186.18 грн
100+161.61 грн
250+138.77 грн
500+129.05 грн
1000+118.65 грн
2500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024F0064ABXTMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1302Q024F0064ABXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024F0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC1000
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC1300
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.89 грн
10+191.04 грн
50+179.70 грн
100+156.34 грн
250+133.91 грн
500+124.20 грн
1000+114.48 грн
2500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024X0064ABXTMA1 2290993.pdf
XMC1302Q024X0064ABXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024X0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+161.61 грн
250+138.77 грн
500+129.05 грн
1000+118.65 грн
2500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302Q024F0064ABXTMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1302Q024F0064ABXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1302Q024F0064ABXTMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 13Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: 16KB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 22I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.34 грн
250+133.91 грн
500+124.20 грн
1000+114.48 грн
2500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-100-SO Infineon-2-28207_0A_CYTVII-B-E-100-SO_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baddfeb537dd8
CYTVII-B-E-100-SO
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-E-100-SO - Evaluationsboard, CYT2B75CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT2B75CABES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CABES
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+93737.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-1M-SK Infineon-Traveo_II_CYTVII-B-E-1M-SK.-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e05744da1058
CYTVII-B-E-1M-SK
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-E-1M-SK - Evaluationsboard, CYT2B75CADES, 32 Bit, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT2B75CADES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CADES
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4F, Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7971.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-176-SO Infineon-CYTVII-B-E-1M-176-CPU_Evaluation_Board_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0349c21aad
CYTVII-B-E-176-SO
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-E-176-SO - Evaluationsboard, CYT2B78CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT2B78CABES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B78CABES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+89609.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-176-SO infineon-002-25907-0c-cytvii-b-h-8m-176-cpu-evaluation-board-usermanual-en.pdf
CYTVII-B-H-176-SO
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-H-176-SO - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT4BF8C
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+95518.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141
BSS131IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.59 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141
BSS131IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.74 грн
39+21.29 грн
100+12.14 грн
500+7.59 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 Infineon-Z8F67904849-TLD5099EP_VB2G-UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f44509bdc7049
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP B2G, Power-Management, Aufwärtsregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP B2G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4188.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.25 грн
500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB7259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.66 грн
10+91.47 грн
50+84.19 грн
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
2500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB9259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB9259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259XXUMA1 Infineon-2EDR8259X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eefabe111d
2EDR8259XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.68 грн
250+70.77 грн
500+68.34 грн
1000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8258XXUMA1 Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16
2EDR8258XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.81 грн
250+63.62 грн
500+61.20 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+203.18 грн
10+130.33 грн
50+116.56 грн
100+89.45 грн
250+77.71 грн
500+67.44 грн
1000+59.11 грн
2500+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR6258XXUMA1 Infineon-2EDR6258X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f158d33a00c4
2EDR6258XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.81 грн
250+63.62 грн
500+61.20 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.45 грн
250+77.71 грн
500+67.44 грн
1000+59.11 грн
2500+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB7259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
2500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.85 грн
250+59.81 грн
500+57.52 грн
1000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 448_TLE9166EQ.PDF
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9166EQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Türsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27219.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 2211716.pdf
TLS203B0EJVXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.18 грн
250+50.51 грн
500+48.57 грн
1000+46.97 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3025ASXUMA1 Infineon-1EDI3025AS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190886944052487
1EDI3025ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.41 грн
10+233.13 грн
25+215.32 грн
50+190.17 грн
100+166.52 грн
250+156.81 грн
500+152.64 грн
1000+147.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d
GS66502BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.60 грн
5+961.66 грн
10+817.57 грн
50+684.76 грн
100+558.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2
GS66508TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2409.00 грн
5+2023.69 грн
10+1721.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+776.29 грн
5+652.44 грн
10+555.30 грн
50+464.52 грн
100+378.84 грн
250+371.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226
GS61008PMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+794.91 грн
5+660.53 грн
10+549.63 грн
50+461.52 грн
100+376.75 грн
250+369.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2
GS66508TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2409.00 грн
5+2023.69 грн
10+1721.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1 Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6
GS66516BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3683.12 грн
5+3161.01 грн
10+2638.08 грн
50+2400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506TTRXUMA1 Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235
GS66506TTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2069.83 грн
5+1767.09 грн
10+1505.63 грн
50+1254.52 грн
100+1067.82 грн
250+1046.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BMRXUSA1 Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231
GS66504BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+843.47 грн
50+730.61 грн
100+625.15 грн
250+612.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508BTRXUMA1 Infineon-GS66508B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161c92653de
GS66508BTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2409.00 грн
5+2023.69 грн
10+1721.76 грн
50+1440.93 грн
100+1175.36 грн
250+1151.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d
GS66502BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.60 грн
5+961.66 грн
10+817.57 грн
50+684.76 грн
100+558.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61004BTRXUMA1 Infineon-GS61004B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160deb7521f
GS61004BTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.50 грн
10+333.50 грн
100+276.84 грн
500+233.01 грн
1000+190.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226
GS61008PMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+794.91 грн
5+660.53 грн
10+549.63 грн
50+461.52 грн
100+376.75 грн
250+369.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+776.29 грн
5+652.44 грн
10+555.30 грн
50+464.52 грн
100+378.84 грн
250+371.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+799.76 грн
5+664.58 грн
10+552.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BTRXUMA1 Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231
GS66504BTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1486.20 грн
5+1248.21 грн
10+1062.03 грн
50+888.46 грн
100+725.06 грн
250+710.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.98 грн
500+42.62 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1
MA5342MSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+456.54 грн
10+350.50 грн
25+322.98 грн
50+287.13 грн
100+252.56 грн
250+240.07 грн
500+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1
MA5342MSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+350.50 грн
25+322.98 грн
50+287.13 грн
100+252.56 грн
250+240.07 грн
500+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MA5302MSXUMA1
MA5302MSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.59 грн
10+462.21 грн
25+440.36 грн
50+400.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12KM1HHPSA1 4018769.pdf
FF2MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+33003.99 грн
5+32344.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 4159880.pdf
FF2400R12IP7PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+70882.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7BPSA1 4159879.pdf
FF2400R12IP7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+64308.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R048M1HXTMA1 3671357.pdf
IMBG65R048M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 4470071.pdf
IMBG65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+550.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 4159865.pdf
IMBG65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+665.39 грн
5+560.16 грн
10+454.93 грн
50+380.34 грн
100+311.53 грн
250+305.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 4159864.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+650.01 грн
50+567.50 грн
100+489.85 грн
250+480.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 4470071.pdf
IMBG65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+696.96 грн
5+631.39 грн
10+550.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 4470072.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+414.45 грн
100+335.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 4159864.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.47 грн
5+772.24 грн
10+650.01 грн
50+567.50 грн
100+489.85 грн
250+480.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 4159865.pdf
IMBG65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+454.93 грн
50+380.34 грн
100+311.53 грн
250+305.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 4470069.pdf
IMBG65R010M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1371.25 грн
50+1148.53 грн
100+979.00 грн
250+969.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1 4159866.pdf
IMBG65R050M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+398.26 грн
50+367.56 грн
100+260.19 грн
250+255.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 4470069.pdf
IMBG65R010M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1709.61 грн
5+1540.43 грн
10+1371.25 грн
50+1148.53 грн
100+979.00 грн
250+969.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R026M2HXTMA1 4470070.pdf
IMBG65R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+672.68 грн
50+563.74 грн
100+480.14 грн
250+475.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]