Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24882) > Сторінка 394 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.88 грн
500+35.33 грн
1000+25.47 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.26 грн
12+70.40 грн
100+46.88 грн
500+35.33 грн
1000+25.47 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bca636b84 Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.18 грн
500+43.91 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR10 INFINEON Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.85 грн
10+169.18 грн
25+162.58 грн
50+144.84 грн
100+128.04 грн
250+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFN010 S29AL008J70TFN010 INFINEON Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.28 грн
10+165.88 грн
25+162.58 грн
50+147.90 грн
100+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-F176K8384AA XMC7200D-F176K8384AA INFINEON 3795159.pdf Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1298.17 грн
5+1091.03 грн
10+1090.20 грн
25+1011.56 грн
50+933.04 грн
100+932.34 грн
250+931.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BF8CEDQ0AESGS CYT4BF8CEDQ0AESGS INFINEON 3968616.pdf Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2881.89 грн
5+2770.48 грн
10+2658.24 грн
25+2357.25 грн
50+1945.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBCJDQ0BZEGS CYT4BFBCJDQ0BZEGS INFINEON 3968616.pdf Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3095.64 грн
5+2992.48 грн
10+2889.32 грн
25+2569.52 грн
50+2149.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-E272K8384AA XMC7200D-E272K8384AA INFINEON 3795159.pdf Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1571.34 грн
5+1417.84 грн
10+1263.51 грн
25+1167.89 грн
50+1072.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 PASCO2V15AUMA1 INFINEON 4265838.pdf Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: 5%
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1841.21 грн
5+1775.19 грн
10+1442.60 грн
50+1183.22 грн
100+998.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT3BB8CEBQ1AEEGS CYT3BB8CEBQ1AEEGS INFINEON 3968615.pdf Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.52 грн
5+1181.81 грн
10+1151.27 грн
25+1041.45 грн
50+935.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5365.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.41 грн
500+92.73 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFIG10 S25FL512SDPMFIG10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.28 грн
10+688.29 грн
25+667.65 грн
50+604.64 грн
100+553.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL512SDABHI020 S26KL512SDABHI020 INFINEON CYPR-S-A0011121128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.58 грн
10+742.76 грн
25+741.93 грн
50+688.17 грн
100+634.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFVG10 S25FL512SDPMFVG10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.13 грн
10+595.86 грн
25+587.60 грн
50+537.20 грн
100+488.80 грн
250+481.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSBHB210 S25FS512SDSBHB210 INFINEON Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.63 грн
10+868.20 грн
25+848.39 грн
50+783.19 грн
100+656.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHBA10 S25FL512SAGBHBA10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.98 грн
10+810.43 грн
25+694.89 грн
50+644.49 грн
100+594.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHVB10 S25FL512SAGBHVB10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.30 грн
10+640.42 грн
25+575.22 грн
50+528.77 грн
100+482.44 грн
250+477.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGNFI010 S25FS512SAGNFI010 INFINEON Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+533.96 грн
10+530.66 грн
25+526.53 грн
50+485.86 грн
100+444.95 грн
250+442.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDPBHV020 S26KS512SDPBHV020 INFINEON CYPR-S-A0011121128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S26KS512SDPBHV020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 166MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1256.91 грн
10+1142.19 грн
25+977.14 грн
50+906.57 грн
100+836.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T11FHIV10 S29GL512T11FHIV10 INFINEON CYPR-S-A0011167131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+731.20 грн
10+647.85 грн
25+635.47 грн
50+571.69 грн
100+510.03 грн
250+509.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGBHI210 S25FS512SAGBHI210 INFINEON Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Description: INFINEON - S25FS512SAGBHI210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.28 грн
10+688.29 грн
25+636.29 грн
50+590.08 грн
100+543.98 грн
250+543.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHV210 S25FL512SAGBHV210 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SAGBHV210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.60 грн
10+765.04 грн
25+712.22 грн
50+637.59 грн
100+572.98 грн
250+557.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI010 S29GL512S10FHI010 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+798.05 грн
10+689.11 грн
25+670.96 грн
50+590.08 грн
100+514.27 грн
250+483.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFMR10 S25FL512SAGMFMR10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53 Description: INFINEON - S25FL512SAGMFMR10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.03 грн
10+1013.45 грн
25+981.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 S25FL512SAGMFA010 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.84 грн
10+621.44 грн
25+613.19 грн
50+561.72 грн
100+510.73 грн
250+503.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFBG10 S25FL512SAGMFBG10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SAGMFBG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.10 грн
10+845.09 грн
25+738.63 грн
50+668.24 грн
100+600.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.63 грн
10+730.38 грн
25+663.53 грн
50+596.98 грн
100+532.66 грн
250+514.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFVG11 S25FL512SAGMFVG11 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+824.46 грн
10+749.36 грн
25+680.86 грн
50+624.56 грн
100+568.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1 IKZA40N65EH7XKSA1 INFINEON Infineon-IKZA40N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a3517207d Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.30 грн
10+344.97 грн
100+342.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6503WE6327HTSA1 BAR6503WE6327HTSA1 INFINEON INFNS15696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6503WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.56 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pins, 0.45 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.45pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.56 грн
47+17.91 грн
100+8.42 грн
500+7.03 грн
1000+5.47 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 BAR6302LE6327XTMA1 INFINEON INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.64 грн
1000+4.19 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 BAR6302LE6327XTMA1 INFINEON INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.80 грн
118+7.01 грн
162+5.12 грн
500+4.64 грн
1000+4.19 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON INFNS15690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.49 грн
39+21.54 грн
100+9.82 грн
500+8.20 грн
1000+5.83 грн
5000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON INFNS15690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.90 грн
1000+4.24 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12W3T7B11BPSA1 FS150R12W3T7B11BPSA1 INFINEON 4013794.pdf Description: INFINEON - FS150R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6483.43 грн
5+6353.86 грн
10+6224.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2230S12TXUMA1 6ED2230S12TXUMA1 INFINEON INFN-S-A0010411346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6ED2230S12TXUMA1 - IBGT-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-24, 700/650ns Verzögerung, 13V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 650mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+521.58 грн
25+479.49 грн
50+423.02 грн
100+367.84 грн
250+351.57 грн
500+343.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-32LTXI CY7C65213A-32LTXI INFINEON 3759891.pdf Description: INFINEON - CY7C65213A-32LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, QFN, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.25 грн
10+185.69 грн
25+182.39 грн
50+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-28PVXI CY7C65213A-28PVXI INFINEON 3759891.pdf Description: INFINEON - CY7C65213A-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.91 грн
10+240.16 грн
25+229.43 грн
50+203.08 грн
100+178.26 грн
250+169.07 грн
500+128.74 грн
1000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-32LTXIT CY7C65213-32LTXIT INFINEON 3759891.pdf Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, QFN, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+213.75 грн
25+200.54 грн
50+174.72 грн
100+149.97 грн
250+142.18 грн
500+127.33 грн
1000+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-32LTXIT CY7C65213-32LTXIT INFINEON 3759891.pdf Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, QFN, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.97 грн
250+142.18 грн
500+127.33 грн
1000+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F3L500R12W3H7H11BPSA1 INFINEON 4198678.pdf Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
Dauer-Kollektorstrom: 325A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11771.85 грн
5+11053.03 грн
10+10302.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HPHPSA1 FF3MR20KM1HPHPSA1 INFINEON 4018764.pdf Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56615.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.78 грн
500+71.50 грн
1500+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR38163MTRPBFAUMA1 IR38163MTRPBFAUMA1 INFINEON INFN-S-A0004002246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.56 грн
10+243.46 грн
25+224.48 грн
50+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR38163MTRPBFAUMA1 IR38163MTRPBFAUMA1 INFINEON INFN-S-A0004002246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R012M1HXKSA1 IMYH200R012M1HXKSA1 INFINEON 4098645.pdf Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 552W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7609.12 грн
5+7591.79 грн
10+7574.46 грн
50+6017.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-G FM24CL64B-G INFINEON CYPR-S-A0008033726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM24CL64B-G - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2.7V bis 3.65V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.65V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.43 грн
10+207.97 грн
25+185.69 грн
50+170.89 грн
100+156.33 грн
250+150.67 грн
500+147.84 грн
1000+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 INFINEON 4198689.pdf Description: INFINEON - REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 - Referenzdesign-Board, 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA, PFC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: Cortex-M0
Unterart Anwendung: Blindstromkompensation (PFC)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46839.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF IRFH6200TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.00 грн
500+66.44 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49644MXTMA1 TLE49644MXTMA1 INFINEON Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005 Description: INFINEON - TLE49644MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.37 грн
500+17.78 грн
1000+16.13 грн
2500+15.70 грн
5000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E65E7XKSA1 IDWD40E65E7XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD40E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59deb058ed Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 149A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 89ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.44 грн
10+191.47 грн
100+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30E65E7XKSA1 IDWD30E65E7XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD30E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59d2d158ea Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 126A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 82ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.16 грн
10+188.99 грн
100+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FB50R07W2E3B23BOMA1 FB50R07W2E3B23BOMA1 INFINEON 4379512.pdf Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4633.97 грн
5+4394.64 грн
10+4154.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1 IQE022N06LM5ATMA1 INFINEON 3968295.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.22 грн
10+158.45 грн
100+116.37 грн
500+98.09 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1 IQE022N06LM5ATMA1 INFINEON 3968295.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.37 грн
500+98.09 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON 4410314.pdf Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.12 грн
10+263.27 грн
100+188.16 грн
500+144.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON 4410314.pdf Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.16 грн
500+144.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.48 грн
50+52.74 грн
250+39.20 грн
1000+27.51 грн
2000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 2718777.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.88 грн
500+35.33 грн
1000+25.47 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 2718777.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
12+70.40 грн
100+46.88 грн
500+35.33 грн
1000+25.47 грн
5000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bca636b84
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.18 грн
500+43.91 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFNR10 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J55TFNR10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.85 грн
10+169.18 грн
25+162.58 грн
50+144.84 грн
100+128.04 грн
250+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFN010 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J70TFN010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.28 грн
10+165.88 грн
25+162.58 грн
50+147.90 грн
100+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-F176K8384AA 3795159.pdf
XMC7200D-F176K8384AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.17 грн
5+1091.03 грн
10+1090.20 грн
25+1011.56 грн
50+933.04 грн
100+932.34 грн
250+931.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BF8CEDQ0AESGS 3968616.pdf
CYT4BF8CEDQ0AESGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2881.89 грн
5+2770.48 грн
10+2658.24 грн
25+2357.25 грн
50+1945.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBCJDQ0BZEGS 3968616.pdf
CYT4BFBCJDQ0BZEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3095.64 грн
5+2992.48 грн
10+2889.32 грн
25+2569.52 грн
50+2149.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-E272K8384AA 3795159.pdf
XMC7200D-E272K8384AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1571.34 грн
5+1417.84 грн
10+1263.51 грн
25+1167.89 грн
50+1072.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 4265838.pdf
PASCO2V15AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: 5%
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1841.21 грн
5+1775.19 грн
10+1442.60 грн
50+1183.22 грн
100+998.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT3BB8CEBQ1AEEGS 3968615.pdf
CYT3BB8CEBQ1AEEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.52 грн
5+1181.81 грн
10+1151.27 грн
25+1041.45 грн
50+935.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5365.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.41 грн
500+92.73 грн
1000+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFIG10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SDPMFIG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+740.28 грн
10+688.29 грн
25+667.65 грн
50+604.64 грн
100+553.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL512SDABHI020 CYPR-S-A0011121128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S26KL512SDABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+743.58 грн
10+742.76 грн
25+741.93 грн
50+688.17 грн
100+634.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFVG10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SDPMFVG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+670.13 грн
10+595.86 грн
25+587.60 грн
50+537.20 грн
100+488.80 грн
250+481.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSBHB210 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
S25FS512SDSBHB210
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.63 грн
10+868.20 грн
25+848.39 грн
50+783.19 грн
100+656.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHBA10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGBHBA10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.98 грн
10+810.43 грн
25+694.89 грн
50+644.49 грн
100+594.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHVB10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGBHVB10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+721.30 грн
10+640.42 грн
25+575.22 грн
50+528.77 грн
100+482.44 грн
250+477.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGNFI010 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
S25FS512SAGNFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+533.96 грн
10+530.66 грн
25+526.53 грн
50+485.86 грн
100+444.95 грн
250+442.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDPBHV020 CYPR-S-A0011121128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S26KS512SDPBHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26KS512SDPBHV020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 166MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 166MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1256.91 грн
10+1142.19 грн
25+977.14 грн
50+906.57 грн
100+836.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T11FHIV10 CYPR-S-A0011167131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL512T11FHIV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+731.20 грн
10+647.85 грн
25+635.47 грн
50+571.69 грн
100+510.03 грн
250+509.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGBHI210 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
S25FS512SAGBHI210
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SAGBHI210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+740.28 грн
10+688.29 грн
25+636.29 грн
50+590.08 грн
100+543.98 грн
250+543.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHV210 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGBHV210
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHV210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.60 грн
10+765.04 грн
25+712.22 грн
50+637.59 грн
100+572.98 грн
250+557.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI010 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL512S10FHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+798.05 грн
10+689.11 грн
25+670.96 грн
50+590.08 грн
100+514.27 грн
250+483.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFMR10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53
S25FL512SAGMFMR10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFMR10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.03 грн
10+1013.45 грн
25+981.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGMFA010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+699.84 грн
10+621.44 грн
25+613.19 грн
50+561.72 грн
100+510.73 грн
250+503.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFBG10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGMFBG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFBG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.10 грн
10+845.09 грн
25+738.63 грн
50+668.24 грн
100+600.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11TFIV20 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL512S11TFIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.63 грн
10+730.38 грн
25+663.53 грн
50+596.98 грн
100+532.66 грн
250+514.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFVG11 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGMFVG11
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG11 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+824.46 грн
10+749.36 грн
25+680.86 грн
50+624.56 грн
100+568.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA40N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a3517207d
IKZA40N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+499.30 грн
10+344.97 грн
100+342.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6503WE6327HTSA1 INFNS15696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6503WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.56 ohm, 30 V, SOD-323, 2 Pins, 0.45 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.45pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Widerstand bei If: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.56 грн
47+17.91 грн
100+8.42 грн
500+7.03 грн
1000+5.47 грн
5000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6302LE6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.64 грн
1000+4.19 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302LE6327XTMA1 INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6302LE6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6302LE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, TSLP-2-1, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-1
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.80 грн
118+7.01 грн
162+5.12 грн
500+4.64 грн
1000+4.19 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 INFNS15690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.49 грн
39+21.54 грн
100+9.82 грн
500+8.20 грн
1000+5.83 грн
5000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 INFNS15690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BA89202VH6127XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.36 ohm, 35 V, SC-79, 2 Pins, 0.85 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.85pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.90 грн
1000+4.24 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12W3T7B11BPSA1 4013794.pdf
FS150R12W3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS150R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6483.43 грн
5+6353.86 грн
10+6224.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2230S12TXUMA1 INFN-S-A0010411346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6ED2230S12TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2230S12TXUMA1 - IBGT-Treiber, High-Side und Low-Side, -40°C bis 125°C, SOIC-24, 700/650ns Verzögerung, 13V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 650mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 700ns
Ausgabeverzögerung: 650ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+521.58 грн
25+479.49 грн
50+423.02 грн
100+367.84 грн
250+351.57 грн
500+343.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-32LTXI 3759891.pdf
CY7C65213A-32LTXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213A-32LTXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, QFN, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+282.25 грн
10+185.69 грн
25+182.39 грн
50+166.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-28PVXI 3759891.pdf
CY7C65213A-28PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213A-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.91 грн
10+240.16 грн
25+229.43 грн
50+203.08 грн
100+178.26 грн
250+169.07 грн
500+128.74 грн
1000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-32LTXIT 3759891.pdf
CY7C65213-32LTXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, QFN, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.39 грн
10+213.75 грн
25+200.54 грн
50+174.72 грн
100+149.97 грн
250+142.18 грн
500+127.33 грн
1000+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-32LTXIT 3759891.pdf
CY7C65213-32LTXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-32LTXIT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, QFN, 32 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.97 грн
250+142.18 грн
500+127.33 грн
1000+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F3L500R12W3H7H11BPSA1 4198678.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
Dauer-Kollektorstrom: 325A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11771.85 грн
5+11053.03 грн
10+10302.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HPHPSA1 4018764.pdf
FF3MR20KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 325 A, 2 kV, 0.004 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+56615.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF INFN-S-A0012838349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.78 грн
500+71.50 грн
1500+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR38163MTRPBFAUMA1 INFN-S-A0004002246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR38163MTRPBFAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.56 грн
10+243.46 грн
25+224.48 грн
50+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR38163MTRPBFAUMA1 INFN-S-A0004002246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR38163MTRPBFAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR38163MTRPBFAUMA1 - DC/DC-POL-Abwärtsregler (Buck), einstellbar, Modul, 5.3V-16Vin, 0.5V bis 14V/30Aout, 1.5MHz, PQFN-34
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 500mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 14V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 5.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R012M1HXKSA1 4098645.pdf
IMYH200R012M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 552W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7609.12 грн
5+7591.79 грн
10+7574.46 грн
50+6017.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-G CYPR-S-A0008033726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM24CL64B-G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM24CL64B-G - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2.7V bis 3.65V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.65V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.43 грн
10+207.97 грн
25+185.69 грн
50+170.89 грн
100+156.33 грн
250+150.67 грн
500+147.84 грн
1000+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 4198689.pdf
REF3K3WTPSICTOLLTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF3K3WTPSICTOLLTOBO1 - Referenzdesign-Board, 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA, PFC
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: Cortex-M0
Unterart Anwendung: Blindstromkompensation (PFC)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDB9275F, ICE5QSAG, IMT65R048M1H, XMC1402-Q040X0064 AA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+46839.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH6200TRPBF INFN-S-A0012813949-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH6200TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.00 грн
500+66.44 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49644MXTMA1 Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005
TLE49644MXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49644MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.37 грн
500+17.78 грн
1000+16.13 грн
2500+15.70 грн
5000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E65E7XKSA1 Infineon-IDWD40E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59deb058ed
IDWD40E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 149A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 89ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.44 грн
10+191.47 грн
100+154.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD30E65E7XKSA1 Infineon-IDWD30E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59d2d158ea
IDWD30E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 126A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 82ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.16 грн
10+188.99 грн
100+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FB50R07W2E3B23BOMA1 4379512.pdf
FB50R07W2E3B23BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB50R07W2E3B23BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4633.97 грн
5+4394.64 грн
10+4154.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1 3968295.pdf
IQE022N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.22 грн
10+158.45 грн
100+116.37 грн
500+98.09 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1 3968295.pdf
IQE022N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.37 грн
500+98.09 грн
1000+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1 4410314.pdf
IMBG120R234M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.12 грн
10+263.27 грн
100+188.16 грн
500+144.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1 4410314.pdf
IMBG120R234M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+188.16 грн
500+144.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.48 грн
50+52.74 грн
250+39.20 грн
1000+27.51 грн
2000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]