Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 394 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 INFINEON 4334667.pdf Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+686.63 грн
50+600.35 грн
100+498.07 грн
500+414.59 грн
1000+358.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 INFINEON 3983227.pdf Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.63 грн
5+414.47 грн
10+327.30 грн
50+296.49 грн
100+266.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 INFINEON 4162925.pdf Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.07 грн
5+560.33 грн
10+429.59 грн
50+391.47 грн
100+354.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD380N22KXPSA1 DD380N22KXPSA1 INFINEON 4148552.pdf Description: INFINEON - DD380N22KXPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 393 A, 1.16 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 15kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.16V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 393A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15845.76 грн
5+15529.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.12 грн
5+714.20 грн
10+665.28 грн
50+610.33 грн
100+519.92 грн
250+509.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.12 грн
5+714.20 грн
10+665.28 грн
50+610.33 грн
100+519.92 грн
250+509.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY22150FZXC CY22150FZXC INFINEON 2330440.pdf Description: INFINEON - CY22150FZXC - Taktgenerator, Flash & seriell programmierbar, 200MHz, 3.135V bis 3.465V, 6 Ausgänge, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+831.60 грн
10+727.54 грн
25+603.02 грн
50+502.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 TLE9371SJXTMA1 INFINEON 3982763.pdf Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.19 грн
10+96.06 грн
50+88.67 грн
100+73.92 грн
250+64.80 грн
500+63.28 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 TLE9371SJXTMA1 INFINEON 3982763.pdf Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.92 грн
250+64.80 грн
500+63.28 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371VSJXTMA1 TLE9371VSJXTMA1 INFINEON 3934862.pdf Description: INFINEON - TLE9371VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.16 грн
250+65.79 грн
500+64.19 грн
1000+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXI-1H CY2309SXI-1H INFINEON 2309545.pdf Description: INFINEON - CY2309SXI-1H - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 9 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 9Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1336.79 грн
10+1118.88 грн
25+1041.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR IRSM005-301MHTR INFINEON 3187053.pdf Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.99 грн
500+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR IRSM005-301MHTR INFINEON 3187053.pdf Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.60 грн
10+194.78 грн
25+178.77 грн
50+157.74 грн
100+137.99 грн
500+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGQ75N120S7XKSA1 IGQ75N120S7XKSA1 INFINEON Infineon-IGQ75N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a17a3786a Description: INFINEON - IGQ75N120S7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 154A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.79 грн
5+959.68 грн
10+952.56 грн
50+537.65 грн
100+424.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+24.64 грн
59+15.12 грн
100+9.43 грн
500+5.99 грн
1000+4.80 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.99 грн
1000+4.80 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 IPD650P06NMATMA1 INFINEON Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1 Description: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.20 грн
500+51.45 грн
1000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FV30LL-45ZXI CY62138FV30LL-45ZXI INFINEON CYPRS14040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62138FV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.89 грн
10+181.44 грн
25+176.99 грн
50+163.52 грн
100+150.18 грн
250+149.42 грн
500+148.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45ZSXI CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEON 2349551.pdf Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45ZSXI - IC, SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.11 грн
10+221.46 грн
25+212.57 грн
50+189.13 грн
100+170.77 грн
250+167.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXIT CY62126EV30LL-45ZSXIT INFINEON INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.79 грн
250+124.26 грн
500+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXI CY62136FV30LL-45ZSXI INFINEON CYPR-S-A0004048528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62136FV30LL-45ZSXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.12 грн
10+343.31 грн
25+284.61 грн
50+237.03 грн
100+202.02 грн
250+188.30 грн
500+178.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT CY62167ELL-45ZXIT INFINEON 4092542.pdf Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1168.69 грн
25+1133.11 грн
50+1025.75 грн
100+914.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167G30-45ZXI CY62167G30-45ZXI INFINEON 3797003.pdf Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2308.02 грн
5+2019.85 грн
10+1672.98 грн
25+1393.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXI CY62136EV30LL-45BVXI INFINEON CYPR-S-A0011119690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45BVXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.35 грн
10+356.65 грн
25+295.28 грн
50+246.11 грн
100+209.65 грн
250+195.92 грн
500+185.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT CY62167ELL-45ZXIT INFINEON 4092542.pdf Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.96 грн
10+1168.69 грн
25+1133.11 грн
50+1025.75 грн
100+914.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109D-10ZXI CY7C109D-10ZXI INFINEON CYPR-S-A0000248023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - CY7C109D-10ZXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, TSOP-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+213.46 грн
10+176.10 грн
25+175.21 грн
50+161.87 грн
100+148.66 грн
250+145.61 грн
500+144.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - MOSFET, N-KANAL, 40V, 162A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.25 грн
10+173.44 грн
100+106.73 грн
500+81.93 грн
1000+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V100-TGTR FM28V100-TGTR INFINEON CYPR-S-A0011121464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1763.70 грн
5+1697.89 грн
10+1632.07 грн
25+1467.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 INFINEON BTS426L1.pdf Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.57 грн
10+303.29 грн
25+279.28 грн
50+246.94 грн
100+216.51 грн
250+206.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 INFINEON BTS426L1.pdf Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.51 грн
250+206.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1 IMZA75R060M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbc1100b493c Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.17 грн
5+659.94 грн
10+645.71 грн
50+391.47 грн
100+320.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159874.pdf Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+729.32 грн
5+624.37 грн
10+518.53 грн
50+453.41 грн
100+392.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1 IMZA75R090M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+568.33 грн
10+542.54 грн
100+306.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1 IMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6c823d60eeb Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1585.82 грн
5+1581.37 грн
10+1576.04 грн
50+958.02 грн
100+882.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 IMZA120R030M1HXKSA1 INFINEON 4159461.pdf Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1214.05 грн
5+1127.77 грн
10+1040.61 грн
50+913.43 грн
100+808.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1 IMZA75R020M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6da53810eef Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.48 грн
5+1353.68 грн
10+1319.89 грн
50+881.22 грн
100+780.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1 IMZA75R040M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6f5b54e0f1a Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+843.16 грн
5+823.60 грн
10+804.03 грн
50+477.36 грн
100+407.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 IMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.60 грн
10+283.72 грн
100+244.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 IMZA65R040M2HXKSA1 INFINEON 4159873.pdf Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+865.40 грн
5+742.66 грн
10+619.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1 IMZA75R027M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6e380390f17 Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.20 грн
5+1064.63 грн
10+1037.05 грн
50+631.80 грн
100+567.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.61 грн
250+58.35 грн
1000+43.28 грн
3000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.63 грн
50+91.61 грн
250+58.35 грн
1000+43.28 грн
3000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.72 грн
500+71.03 грн
1000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 TLE9561QXXUMA1 INFINEON 3328497.pdf Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.84 грн
250+122.74 грн
500+118.16 грн
1000+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 TLE9561QXXUMA1 INFINEON 3328497.pdf Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.25 грн
10+167.21 грн
25+161.87 грн
50+144.53 грн
100+128.84 грн
250+122.74 грн
500+118.16 грн
1000+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1 IPU95R450P7AKMA1 INFINEON Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893 Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.02 грн
10+159.20 грн
100+101.39 грн
500+78.29 грн
1000+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.78 грн
50+146.75 грн
250+116.51 грн
1000+90.85 грн
3000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.00 грн
10+292.62 грн
100+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.75 грн
250+116.51 грн
1000+90.85 грн
3000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.74 грн
10+95.17 грн
100+75.33 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.20 грн
250+118.29 грн
1000+87.54 грн
3000+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.33 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 2ED4820EMXUMA2 INFINEON 3668052.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+378.00 грн
25+369.11 грн
50+333.66 грн
100+230.99 грн
250+226.42 грн
500+221.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW90N60EH3XKSA1 IKFW90N60EH3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0005066103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+760.45 грн
5+665.28 грн
10+551.44 грн
50+459.19 грн
100+408.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N120CH7XKSA1 IKW75N120CH7XKSA1 INFINEON 3974493.pdf Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 92A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.02 грн
5+501.63 грн
10+400.24 грн
50+355.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N65EH7XKSA1 IKY120N65EH7XKSA1 INFINEON 3983231.pdf Description: INFINEON - IKY120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+750.66 грн
5+635.04 грн
10+519.42 грн
50+477.36 грн
100+436.07 грн
250+431.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXC-1. CY2305SXC-1. INFINEON 2309545.pdf Description: INFINEON - CY2305SXC-1. - Taktpuffer-IC, 10MHz bis 133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Puffer ohne Verzögerung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.88 грн
10+278.39 грн
25+237.47 грн
50+203.17 грн
100+185.25 грн
250+180.68 грн
500+176.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.32 грн
500+45.09 грн
1000+38.19 грн
5000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXIT CY7C1049GN30-10VXIT INFINEON 2629516.pdf Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 4334667.pdf
IPTG020N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+686.63 грн
50+600.35 грн
100+498.07 грн
500+414.59 грн
1000+358.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 3983227.pdf
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+501.63 грн
5+414.47 грн
10+327.30 грн
50+296.49 грн
100+266.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 4162925.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+691.07 грн
5+560.33 грн
10+429.59 грн
50+391.47 грн
100+354.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD380N22KXPSA1 4148552.pdf
DD380N22KXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD380N22KXPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 393 A, 1.16 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 15kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.16V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 393A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15845.76 грн
5+15529.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 4013788.pdf
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+763.12 грн
5+714.20 грн
10+665.28 грн
50+610.33 грн
100+519.92 грн
250+509.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 4013788.pdf
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+763.12 грн
5+714.20 грн
10+665.28 грн
50+610.33 грн
100+519.92 грн
250+509.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY22150FZXC 2330440.pdf
CY22150FZXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY22150FZXC - Taktgenerator, Flash & seriell programmierbar, 200MHz, 3.135V bis 3.465V, 6 Ausgänge, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+831.60 грн
10+727.54 грн
25+603.02 грн
50+502.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 3982763.pdf
TLE9371SJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.19 грн
10+96.06 грн
50+88.67 грн
100+73.92 грн
250+64.80 грн
500+63.28 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 3982763.pdf
TLE9371SJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.92 грн
250+64.80 грн
500+63.28 грн
1000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371VSJXTMA1 3934862.pdf
TLE9371VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.16 грн
250+65.79 грн
500+64.19 грн
1000+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXI-1H 2309545.pdf
CY2309SXI-1H
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2309SXI-1H - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 9 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 9Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1336.79 грн
10+1118.88 грн
25+1041.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR 3187053.pdf
IRSM005-301MHTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.99 грн
500+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR 3187053.pdf
IRSM005-301MHTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.60 грн
10+194.78 грн
25+178.77 грн
50+157.74 грн
100+137.99 грн
500+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGQ75N120S7XKSA1 Infineon-IGQ75N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a17a3786a
IGQ75N120S7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGQ75N120S7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 154A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.79 грн
5+959.68 грн
10+952.56 грн
50+537.65 грн
100+424.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.64 грн
59+15.12 грн
100+9.43 грн
500+5.99 грн
1000+4.80 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.99 грн
1000+4.80 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1
IPD650P06NMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.20 грн
500+51.45 грн
1000+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FV30LL-45ZXI CYPRS14040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62138FV30LL-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62138FV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.89 грн
10+181.44 грн
25+176.99 грн
50+163.52 грн
100+150.18 грн
250+149.42 грн
500+148.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45ZSXI 2349551.pdf
CY62136EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45ZSXI - IC, SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.11 грн
10+221.46 грн
25+212.57 грн
50+189.13 грн
100+170.77 грн
250+167.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXIT INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62126EV30LL-45ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.79 грн
250+124.26 грн
500+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXI CYPR-S-A0004048528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62136FV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62136FV30LL-45ZSXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+393.12 грн
10+343.31 грн
25+284.61 грн
50+237.03 грн
100+202.02 грн
250+188.30 грн
500+178.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT 4092542.pdf
CY62167ELL-45ZXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1168.69 грн
25+1133.11 грн
50+1025.75 грн
100+914.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167G30-45ZXI 3797003.pdf
CY62167G30-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2308.02 грн
5+2019.85 грн
10+1672.98 грн
25+1393.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXI CYPR-S-A0011119690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62136EV30LL-45BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45BVXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+407.35 грн
10+356.65 грн
25+295.28 грн
50+246.11 грн
100+209.65 грн
250+195.92 грн
500+185.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT 4092542.pdf
CY62167ELL-45ZXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1262.96 грн
10+1168.69 грн
25+1133.11 грн
50+1025.75 грн
100+914.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109D-10ZXI description CYPR-S-A0000248023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C109D-10ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C109D-10ZXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, TSOP-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+213.46 грн
10+176.10 грн
25+175.21 грн
50+161.87 грн
100+148.66 грн
250+145.61 грн
500+144.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - MOSFET, N-KANAL, 40V, 162A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.25 грн
10+173.44 грн
100+106.73 грн
500+81.93 грн
1000+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V100-TGTR CYPR-S-A0011121464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM28V100-TGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1763.70 грн
5+1697.89 грн
10+1632.07 грн
25+1467.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 BTS426L1.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.57 грн
10+303.29 грн
25+279.28 грн
50+246.94 грн
100+216.51 грн
250+206.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 BTS426L1.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+216.51 грн
250+206.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbc1100b493c
IMZA75R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+674.17 грн
5+659.94 грн
10+645.71 грн
50+391.47 грн
100+320.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1 4159874.pdf
IMZA65R050M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+729.32 грн
5+624.37 грн
10+518.53 грн
50+453.41 грн
100+392.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c
IMZA75R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+568.33 грн
10+542.54 грн
100+306.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6c823d60eeb
IMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1585.82 грн
5+1581.37 грн
10+1576.04 грн
50+958.02 грн
100+882.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 4159461.pdf
IMZA120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1214.05 грн
5+1127.77 грн
10+1040.61 грн
50+913.43 грн
100+808.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6da53810eef
IMZA75R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1387.48 грн
5+1353.68 грн
10+1319.89 грн
50+881.22 грн
100+780.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6f5b54e0f1a
IMZA75R040M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+843.16 грн
5+823.60 грн
10+804.03 грн
50+477.36 грн
100+407.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c
IMZA75R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+461.60 грн
10+283.72 грн
100+244.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 4159873.pdf
IMZA65R040M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+865.40 грн
5+742.66 грн
10+619.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6e380390f17
IMZA75R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1092.20 грн
5+1064.63 грн
10+1037.05 грн
50+631.80 грн
100+567.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.61 грн
250+58.35 грн
1000+43.28 грн
3000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.63 грн
50+91.61 грн
250+58.35 грн
1000+43.28 грн
3000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.72 грн
500+71.03 грн
1000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 3328497.pdf
TLE9561QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.84 грн
250+122.74 грн
500+118.16 грн
1000+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 3328497.pdf
TLE9561QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.25 грн
10+167.21 грн
25+161.87 грн
50+144.53 грн
100+128.84 грн
250+122.74 грн
500+118.16 грн
1000+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1 Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893
IPU95R450P7AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+217.02 грн
10+159.20 грн
100+101.39 грн
500+78.29 грн
1000+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.78 грн
50+146.75 грн
250+116.51 грн
1000+90.85 грн
3000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.00 грн
10+292.62 грн
100+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+146.75 грн
250+116.51 грн
1000+90.85 грн
3000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.74 грн
10+95.17 грн
100+75.33 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.20 грн
250+118.29 грн
1000+87.54 грн
3000+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.33 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 3668052.pdf
2ED4820EMXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+378.00 грн
25+369.11 грн
50+333.66 грн
100+230.99 грн
250+226.42 грн
500+221.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW90N60EH3XKSA1 INFN-S-A0005066103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKFW90N60EH3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 77A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+760.45 грн
5+665.28 грн
10+551.44 грн
50+459.19 грн
100+408.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N120CH7XKSA1 3974493.pdf
IKW75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 92A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+603.02 грн
5+501.63 грн
10+400.24 грн
50+355.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N65EH7XKSA1 3983231.pdf
IKY120N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+750.66 грн
5+635.04 грн
10+519.42 грн
50+477.36 грн
100+436.07 грн
250+431.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXC-1. 2309545.pdf
CY2305SXC-1.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2305SXC-1. - Taktpuffer-IC, 10MHz bis 133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Puffer ohne Verzögerung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.88 грн
10+278.39 грн
25+237.47 грн
50+203.17 грн
100+185.25 грн
250+180.68 грн
500+176.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ025N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.32 грн
500+45.09 грн
1000+38.19 грн
5000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXIT 2629516.pdf
CY7C1049GN30-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+603.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]