Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 394 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CYTVII-B-E-1M-SK CYTVII-B-E-1M-SK INFINEON Infineon-Traveo_II_CYTVII-B-E-1M-SK.-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e05744da1058 Description: INFINEON - CYTVII-B-E-1M-SK - Evaluationsboard, CYT2B75CADES, 32 Bit, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT2B75CADES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CADES
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4F, Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8097.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-176-SO CYTVII-B-E-176-SO INFINEON Infineon-CYTVII-B-E-1M-176-CPU_Evaluation_Board_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0349c21aad Description: INFINEON - CYTVII-B-E-176-SO - Evaluationsboard, CYT2B78CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B78CABES
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
Prozessorfamilie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT2B78CABES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+103115.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-176-SO CYTVII-B-H-176-SO INFINEON infineon-002-25907-0c-cytvii-b-h-8m-176-cpu-evaluation-board-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - CYTVII-B-H-176-SO - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT4BF8C
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+97030.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.62 грн
500+6.64 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 BSS131IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141 Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.75 грн
54+15.29 грн
100+9.62 грн
500+6.64 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 INFINEON infineon-z8f67904849-tld5099ep-vb2g-ug-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP B2G, Power-Management, Aufwärtsregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP B2G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4254.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.50 грн
500+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 2EDB7259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.63 грн
10+92.92 грн
50+85.52 грн
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB9259YXUMA1 2EDB9259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259XXUMA1 2EDR8259XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR8259X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eefabe111d Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.94 грн
250+71.89 грн
500+69.43 грн
1000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8258XXUMA1 2EDR8258XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16 Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.98 грн
250+64.63 грн
500+62.17 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 2EDB8259FXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.40 грн
10+132.39 грн
50+118.41 грн
100+90.86 грн
250+78.94 грн
500+68.51 грн
1000+60.05 грн
2500+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR6258XXUMA1 2EDR6258XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR6258X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f158d33a00c4 Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.98 грн
250+64.63 грн
500+62.17 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 2EDB8259FXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.86 грн
250+78.94 грн
500+68.51 грн
1000+60.05 грн
2500+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 2EDB7259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 2EDB8259YXUMA1 INFINEON 4425924.pdf Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 INFINEON 448_TLE9166EQ.PDF Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9166EQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Türsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27650.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 TLS203B0EJVXUMA1 INFINEON 2211716.pdf Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.10 грн
250+51.31 грн
500+49.34 грн
1000+47.72 грн
2500+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3025ASXUMA1 1EDI3025ASXUMA1 INFINEON Infineon-1EDI3025AS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190886944052487 Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.61 грн
10+256.56 грн
25+236.00 грн
50+208.45 грн
100+182.55 грн
250+173.39 грн
500+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 GS66502BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1162.73 грн
5+976.89 грн
10+830.52 грн
50+695.60 грн
100+567.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 GS66508TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2 Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2447.15 грн
5+2055.74 грн
10+1749.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 GS61008TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.58 грн
5+662.77 грн
10+564.10 грн
50+471.88 грн
100+384.83 грн
250+377.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 GS61008PMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226 Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+807.50 грн
5+670.99 грн
10+558.34 грн
50+468.83 грн
100+382.72 грн
250+374.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 GS66508TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2 Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2447.15 грн
5+2055.74 грн
10+1749.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1 GS66516BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6 Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3741.45 грн
5+3211.07 грн
10+2679.86 грн
50+2438.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506TTRXUMA1 GS66506TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235 Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2102.61 грн
5+1795.07 грн
10+1529.47 грн
50+1274.38 грн
100+1084.73 грн
250+1062.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BMRXUSA1 GS66504BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231 Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+856.83 грн
50+742.18 грн
100+635.05 грн
250+622.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508BTRXUMA1 GS66508BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66508B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161c92653de Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2447.15 грн
5+2055.74 грн
10+1749.02 грн
50+1463.75 грн
100+1193.97 грн
250+1170.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 GS66502BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1162.73 грн
5+976.89 грн
10+830.52 грн
50+695.60 грн
100+567.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61004BTRXUMA1 GS61004BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61004B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160deb7521f Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.86 грн
10+338.79 грн
100+281.23 грн
500+236.70 грн
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 GS61008PMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226 Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+807.50 грн
5+670.99 грн
10+558.34 грн
50+468.83 грн
100+382.72 грн
250+374.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 GS61008TTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.58 грн
5+662.77 грн
10+564.10 грн
50+471.88 грн
100+384.83 грн
250+377.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+812.43 грн
5+675.11 грн
10+561.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BTRXUMA1 GS66504BTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231 Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.74 грн
5+1267.98 грн
10+1078.85 грн
50+902.53 грн
100+736.54 грн
250+721.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.93 грн
500+43.29 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1 MA5342MSXUMA1 INFINEON 4180404.pdf Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.06 грн
10+329.74 грн
25+305.07 грн
50+270.30 грн
100+237.53 грн
250+228.36 грн
500+224.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1 MA5342MSXUMA1 INFINEON 4180404.pdf Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+329.74 грн
25+305.07 грн
50+270.30 грн
100+237.53 грн
250+228.36 грн
500+224.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MA5302MSXUMA1 MA5302MSXUMA1 INFINEON 4180403.pdf Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.55 грн
10+291.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12KM1HHPSA1 FF2MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4018769.pdf Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33526.67 грн
5+32856.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 FF2400R12IP7PBPSA1 INFINEON 4159880.pdf Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+72005.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7BPSA1 FF2400R12IP7BPSA1 INFINEON 4159879.pdf Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65326.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 INFINEON 3671357.pdf Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 IMBG65R033M2HXTMA1 INFINEON 4470071.pdf Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+559.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 IMBG65R040M2HXTMA1 INFINEON 4159865.pdf Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.93 грн
5+569.03 грн
10+462.13 грн
50+386.36 грн
100+316.47 грн
250+310.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 INFINEON 4159864.pdf Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+660.30 грн
50+576.49 грн
100+497.61 грн
250+487.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 IMBG65R033M2HXTMA1 INFINEON 4470071.pdf Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.00 грн
5+641.39 грн
10+559.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 IMBG65R060M2HXTMA1 INFINEON 4470072.pdf Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+421.02 грн
100+340.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 INFINEON 4159864.pdf Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.64 грн
5+784.47 грн
10+660.30 грн
50+576.49 грн
100+497.61 грн
250+487.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 IMBG65R040M2HXTMA1 INFINEON 4159865.pdf Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+462.13 грн
50+386.36 грн
100+316.47 грн
250+310.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON 4470069.pdf Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1392.97 грн
50+1166.72 грн
100+994.51 грн
250+985.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1 IMBG65R050M2HXTMA1 INFINEON 4159866.pdf Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+404.57 грн
50+373.38 грн
100+264.31 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON 4470069.pdf Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1736.69 грн
5+1564.83 грн
10+1392.97 грн
50+1166.72 грн
100+994.51 грн
250+985.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 INFINEON 4470070.pdf Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+683.33 грн
50+572.67 грн
100+487.74 грн
250+483.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1 IMBG65R050M2HXTMA1 INFINEON 4159866.pdf Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.10 грн
5+484.33 грн
10+404.57 грн
50+373.38 грн
100+264.31 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R026M2HXTMA1 IMBG65R026M2HXTMA1 INFINEON 4470070.pdf Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.72 грн
5+768.02 грн
10+683.33 грн
50+572.67 грн
100+487.74 грн
250+483.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON 4159862.pdf Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1698.04 грн
50+1575.99 грн
100+1302.52 грн
250+1267.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 IMBG65R007M2HXTMA1 INFINEON 4159862.pdf Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1953.78 грн
5+1826.32 грн
10+1698.04 грн
50+1575.99 грн
100+1302.52 грн
250+1267.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1 IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON 2830775.pdf Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.00 грн
5+680.86 грн
10+652.90 грн
50+421.49 грн
100+338.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1 INFINEON IMW65R010M2HXKSA1.pdf Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1739.16 грн
5+1453.82 грн
10+1168.48 грн
50+1063.64 грн
100+961.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1 IMW65R040M2HXKSA1 INFINEON 4159869.pdf Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.55 грн
5+641.39 грн
10+590.41 грн
50+425.30 грн
100+358.76 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-1M-SK Infineon-Traveo_II_CYTVII-B-E-1M-SK.-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e05744da1058
CYTVII-B-E-1M-SK
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-E-1M-SK - Evaluationsboard, CYT2B75CADES, 32 Bit, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT2B75CADES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75CADES
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4F, Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8097.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-E-176-SO Infineon-CYTVII-B-E-1M-176-CPU_Evaluation_Board_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0349c21aad
CYTVII-B-E-176-SO
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-E-176-SO - Evaluationsboard, CYT2B78CABES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M4F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B78CABES
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4F
Prozessorfamilie: Traveo II
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT2B78CABES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+103115.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-176-SO infineon-002-25907-0c-cytvii-b-h-8m-176-cpu-evaluation-board-usermanual-en.pdf
CYTVII-B-H-176-SO
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-H-176-SO - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT4BF8C
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+97030.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141
BSS131IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.62 грн
500+6.64 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131IXUSA1 Infineon-BSS131I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c0def5141
BSS131IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 440mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+24.75 грн
54+15.29 грн
100+9.62 грн
500+6.64 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 infineon-z8f67904849-tld5099ep-vb2g-ug-usermanual-en.pdf
TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5099EPVB2GEVALKTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP B2G, Power-Management, Aufwärtsregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP B2G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4254.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+80.50 грн
500+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB7259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+126.63 грн
10+92.92 грн
50+85.52 грн
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB9259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB9259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB9259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259XXUMA1 Infineon-2EDR8259X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eefabe111d
2EDR8259XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+80.94 грн
250+71.89 грн
500+69.43 грн
1000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8258XXUMA1 Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16
2EDR8258XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+74.98 грн
250+64.63 грн
500+62.17 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+206.40 грн
10+132.39 грн
50+118.41 грн
100+90.86 грн
250+78.94 грн
500+68.51 грн
1000+60.05 грн
2500+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR6258XXUMA1 Infineon-2EDR6258X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f158d33a00c4
2EDR6258XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+74.98 грн
250+64.63 грн
500+62.17 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259FXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+90.86 грн
250+78.94 грн
500+68.51 грн
1000+60.05 грн
2500+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB7259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB7259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 4425924.pdf
2EDB8259YXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259YXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.94 грн
250+60.76 грн
500+58.43 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 448_TLE9166EQ.PDF
TLE9166EQEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9166EQEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9166EQ, Türsteuerung, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9166EQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9166EQ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Türsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+27650.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 2211716.pdf
TLS203B0EJVXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJVXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.3V bis 20Vin, 270mV Dropout, 1.22V bis 20Vout/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.22V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.10 грн
250+51.31 грн
500+49.34 грн
1000+47.72 грн
2500+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3025ASXUMA1 Infineon-1EDI3025AS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190886944052487
1EDI3025ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3025ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+339.61 грн
10+256.56 грн
25+236.00 грн
50+208.45 грн
100+182.55 грн
250+173.39 грн
500+167.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d
GS66502BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1162.73 грн
5+976.89 грн
10+830.52 грн
50+695.60 грн
100+567.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2
GS66508TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2447.15 грн
5+2055.74 грн
10+1749.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+788.58 грн
5+662.77 грн
10+564.10 грн
50+471.88 грн
100+384.83 грн
250+377.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226
GS61008PMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+807.50 грн
5+670.99 грн
10+558.34 грн
50+468.83 грн
100+382.72 грн
250+374.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508TMRXUSA1 Infineon-GS66508T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cc5853e2
GS66508TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2447.15 грн
5+2055.74 грн
10+1749.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1 Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6
GS66516BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3741.45 грн
5+3211.07 грн
10+2679.86 грн
50+2438.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506TTRXUMA1 Infineon-GS66506T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f3b95235
GS66506TTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66506TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22.5 A, 0.09 ohm, 4.5 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2102.61 грн
5+1795.07 грн
10+1529.47 грн
50+1274.38 грн
100+1084.73 грн
250+1062.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BMRXUSA1 Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231
GS66504BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+856.83 грн
50+742.18 грн
100+635.05 грн
250+622.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508BTRXUMA1 Infineon-GS66508B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161c92653de
GS66508BTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2447.15 грн
5+2055.74 грн
10+1749.02 грн
50+1463.75 грн
100+1193.97 грн
250+1170.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502BMRXUSA1 Infineon-GS66502B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160ee26522d
GS66502BMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1162.73 грн
5+976.89 грн
10+830.52 грн
50+695.60 грн
100+567.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61004BTRXUMA1 Infineon-GS61004B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160deb7521f
GS61004BTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61004BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+407.86 грн
10+338.79 грн
100+281.23 грн
500+236.70 грн
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008PMRXUSA1 Infineon-GS61008P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160e7ba5226
GS61008PMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+807.50 грн
5+670.99 грн
10+558.34 грн
50+468.83 грн
100+382.72 грн
250+374.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TTRXUMA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+788.58 грн
5+662.77 грн
10+564.10 грн
50+471.88 грн
100+384.83 грн
250+377.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+812.43 грн
5+675.11 грн
10+561.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504BTRXUMA1 Infineon-GS66504B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160f1095231
GS66504BTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1509.74 грн
5+1267.98 грн
10+1078.85 грн
50+902.53 грн
100+736.54 грн
250+721.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+60.93 грн
500+43.29 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1 4180404.pdf
MA5342MSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+430.06 грн
10+329.74 грн
25+305.07 грн
50+270.30 грн
100+237.53 грн
250+228.36 грн
500+224.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MA5342MSXUMA1 4180404.pdf
MA5342MSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - MA5342MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Mono, 4 x Stereo
Versorgungsspannung: 60V bis 120V, ±30V bis ±60V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Lastimpedanz: 8ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 200W x 2 bei 8 Ohm, 400W x 1 bei 16 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+329.74 грн
25+305.07 грн
50+270.30 грн
100+237.53 грн
250+228.36 грн
500+224.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MA5302MSXUMA1 4180403.pdf
MA5302MSXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - MA5302MSXUMA1 - Audioleistungsverstärker, MERUS, 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono, 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 32V bis 64V, ±17V bis ±32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 2ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 220W x 2 bei 1 Ohm, 400W x 2 bei 4 Ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 42Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+381.55 грн
10+291.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2MR12KM1HHPSA1 4018769.pdf
FF2MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00196ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+33526.67 грн
5+32856.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7PBPSA1 4159880.pdf
FF2400R12IP7PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+72005.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF2400R12IP7BPSA1 4159879.pdf
FF2400R12IP7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2400R12IP7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2.4kA
Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+65326.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R048M1HXTMA1 3671357.pdf
IMBG65R048M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R048M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 183W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 4470071.pdf
IMBG65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+559.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 4159865.pdf
IMBG65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+675.93 грн
5+569.03 грн
10+462.13 грн
50+386.36 грн
100+316.47 грн
250+310.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 4159864.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+660.30 грн
50+576.49 грн
100+497.61 грн
250+487.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R033M2HXTMA1 4470071.pdf
IMBG65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+708.00 грн
5+641.39 грн
10+559.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1 4470072.pdf
IMBG65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+421.02 грн
100+340.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 4159864.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+908.64 грн
5+784.47 грн
10+660.30 грн
50+576.49 грн
100+497.61 грн
250+487.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R040M2HXTMA1 4159865.pdf
IMBG65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+462.13 грн
50+386.36 грн
100+316.47 грн
250+310.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 4470069.pdf
IMBG65R010M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1392.97 грн
50+1166.72 грн
100+994.51 грн
250+985.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1 4159866.pdf
IMBG65R050M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+404.57 грн
50+373.38 грн
100+264.31 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1 4470069.pdf
IMBG65R010M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1736.69 грн
5+1564.83 грн
10+1392.97 грн
50+1166.72 грн
100+994.51 грн
250+985.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R026M2HXTMA1 4470070.pdf
IMBG65R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+683.33 грн
50+572.67 грн
100+487.74 грн
250+483.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1 4159866.pdf
IMBG65R050M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+564.10 грн
5+484.33 грн
10+404.57 грн
50+373.38 грн
100+264.31 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R026M2HXTMA1 4470070.pdf
IMBG65R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+852.72 грн
5+768.02 грн
10+683.33 грн
50+572.67 грн
100+487.74 грн
250+483.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 4159862.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1698.04 грн
50+1575.99 грн
100+1302.52 грн
250+1267.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1 4159862.pdf
IMBG65R007M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1953.78 грн
5+1826.32 грн
10+1698.04 грн
50+1575.99 грн
100+1302.52 грн
250+1267.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R060M1HXKSA1 2830775.pdf
IMW120R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+708.00 грн
5+680.86 грн
10+652.90 грн
50+421.49 грн
100+338.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R010M2HXKSA1 IMW65R010M2HXKSA1.pdf
IMW65R010M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1739.16 грн
5+1453.82 грн
10+1168.48 грн
50+1063.64 грн
100+961.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R040M2HXKSA1 4159869.pdf
IMW65R040M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+691.55 грн
5+641.39 грн
10+590.41 грн
50+425.30 грн
100+358.76 грн
250+355.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]