Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25909) > Сторінка 394 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FB50R07W2E3C36BPSA1 FB50R07W2E3C36BPSA1 INFINEON 4379513.pdf Description: INFINEON - FB50R07W2E3C36BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4142.18 грн
5+3573.42 грн
10+3004.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASXUMA2 1EDI2002ASXUMA2 INFINEON 2820298.pdf Description: INFINEON - 1EDI2002ASXUMA2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.65V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER SIL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 215ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+596.89 грн
10+465.91 грн
25+433.38 грн
50+394.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASXUMA2 1EDI2002ASXUMA2 INFINEON 2820298.pdf Description: INFINEON - 1EDI2002ASXUMA2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.65V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER SIL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 215ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ790H6327XTSA1 BFQ790H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.80 грн
500+87.34 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 INFINEON 4328974.pdf Description: INFINEON - ISK057N04LM6ATSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64 A, 5750 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.66 грн
20+46.15 грн
100+31.82 грн
500+25.14 грн
1000+19.89 грн
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 INFINEON 4328974.pdf Description: INFINEON - ISK057N04LM6ATSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64 A, 5750 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.82 грн
500+25.14 грн
1000+19.89 грн
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.90 грн
10+220.65 грн
100+167.02 грн
500+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 IPB65R110CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.02 грн
500+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9263BQXXUMA2 TLE9263BQXXUMA2 INFINEON 4098599.pdf Description: INFINEON - TLE9263BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.68 грн
10+254.93 грн
25+233.83 грн
50+207.33 грн
100+181.59 грн
250+172.55 грн
500+166.52 грн
1000+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA2 TLE92633BQXXUMA2 INFINEON 4098598.pdf Description: INFINEON - TLE92633BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.50 грн
250+207.21 грн
500+201.18 грн
1000+194.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA2 TLE92633BQXXUMA2 INFINEON 4098598.pdf Description: INFINEON - TLE92633BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.75 грн
10+287.46 грн
25+269.87 грн
50+242.43 грн
100+215.50 грн
250+207.21 грн
500+201.18 грн
1000+194.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9263BQXXUMA2 TLE9263BQXXUMA2 INFINEON 4098599.pdf Description: INFINEON - TLE9263BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.59 грн
250+172.55 грн
500+166.52 грн
1000+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 IAUMN08S5N013GAUMA1 INFINEON 4395756.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.27 грн
10+313.83 грн
100+274.27 грн
500+234.27 грн
1000+198.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 INFINEON 3811988.pdf Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+478.21 грн
50+420.38 грн
100+366.20 грн
250+353.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1 IAUMN10S5N016GAUMA1 INFINEON 4395757.pdf Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.09 грн
10+325.26 грн
100+285.70 грн
500+246.52 грн
1000+218.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG017N12NM6ATMA1 IPTG017N12NM6ATMA1 INFINEON 4159887.pdf Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+469.42 грн
50+412.22 грн
100+359.41 грн
250+337.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 INFINEON 3811988.pdf Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+653.15 грн
5+566.12 грн
10+478.21 грн
50+420.38 грн
100+366.20 грн
250+353.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 IAUMN08S5N012GAUMA1 INFINEON 4395755.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.61 грн
10+329.65 грн
100+288.33 грн
500+245.70 грн
1000+208.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 INFINEON 4334667.pdf Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+492.28 грн
500+409.77 грн
1000+354.14 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 IPTG020N13NM6ATMA1 INFINEON 4334667.pdf Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+678.64 грн
50+593.37 грн
100+492.28 грн
500+409.77 грн
1000+354.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 INFINEON Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+684.80 грн
5+586.34 грн
10+487.00 грн
50+451.40 грн
100+415.93 грн
250+299.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 INFINEON 4162925.pdf Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+683.04 грн
5+553.81 грн
10+424.59 грн
50+386.92 грн
100+350.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD380N22KXPSA1 DD380N22KXPSA1 INFINEON 4148552.pdf Description: INFINEON - DD380N22KXPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 393 A, 1.16 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 15kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchlassspannung, max.: 1.16V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 393A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16399.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.24 грн
5+705.89 грн
10+657.54 грн
50+603.23 грн
100+513.88 грн
250+503.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 IPT60T022S7XTMA1 INFINEON 4013788.pdf Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.24 грн
5+705.89 грн
10+657.54 грн
50+603.23 грн
100+513.88 грн
250+503.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY22150FZXC CY22150FZXC INFINEON 2330440.pdf Description: INFINEON - CY22150FZXC - Taktgenerator, Flash & seriell programmierbar, 200MHz, 3.135V bis 3.465V, 6 Ausgänge, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+821.93 грн
10+719.08 грн
25+596.01 грн
50+496.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 TLE9371SJXTMA1 INFINEON 3982763.pdf Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.71 грн
10+94.94 грн
50+87.64 грн
100+73.06 грн
250+64.05 грн
500+62.54 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 TLE9371SJXTMA1 INFINEON 3982763.pdf Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.06 грн
250+64.05 грн
500+62.54 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371VSJXTMA1 TLE9371VSJXTMA1 INFINEON 3934862.pdf Description: INFINEON - TLE9371VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.28 грн
250+65.03 грн
500+63.44 грн
1000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXI-1H CY2309SXI-1H INFINEON 2309545.pdf Description: INFINEON - CY2309SXI-1H - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 9 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 9Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1321.24 грн
10+1105.87 грн
25+1029.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR IRSM005-301MHTR INFINEON 3187053.pdf Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.38 грн
500+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR IRSM005-301MHTR INFINEON 3187053.pdf Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.57 грн
10+192.52 грн
25+176.69 грн
50+155.91 грн
100+136.38 грн
500+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGQ75N120S7XKSA1 IGQ75N120S7XKSA1 INFINEON Infineon-IGQ75N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a17a3786a Description: INFINEON - IGQ75N120S7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 154A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+955.55 грн
5+948.52 грн
10+941.48 грн
50+531.40 грн
100+419.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+24.35 грн
59+14.94 грн
100+9.32 грн
500+5.92 грн
1000+4.74 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.92 грн
1000+4.74 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 IPD650P06NMATMA1 INFINEON Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1 Description: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.39 грн
500+50.85 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FV30LL-45ZXI CY62138FV30LL-45ZXI INFINEON Infineon-CY62138FV30_MoBL_2-Mbit_(256_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebea2bb3263&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY62138FV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.45 грн
10+177.57 грн
25+176.69 грн
50+163.26 грн
100+149.94 грн
250+149.19 грн
500+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45ZSXI CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEON 2349551.pdf Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45ZSXI - IC, SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.73 грн
10+218.89 грн
25+210.10 грн
50+186.93 грн
100+168.78 грн
250+165.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXIT CY62126EV30LL-45ZSXIT INFINEON INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.33 грн
250+122.82 грн
500+122.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXI CY62136FV30LL-45ZSXI INFINEON CYPR-S-A0004048528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62136FV30LL-45ZSXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.55 грн
10+339.32 грн
25+281.30 грн
50+234.27 грн
100+199.67 грн
250+186.11 грн
500+176.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT CY62167ELL-45ZXIT INFINEON 4092542.pdf Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1155.10 грн
25+1119.93 грн
50+1013.82 грн
100+904.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167G30-45ZXI CY62167G30-45ZXI INFINEON 3797003.pdf Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2281.19 грн
5+1996.37 грн
10+1653.53 грн
25+1377.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXI CY62136EV30LL-45BVXI INFINEON CYPR-S-A0011119690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45BVXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.61 грн
10+352.51 грн
25+291.85 грн
50+243.25 грн
100+207.21 грн
250+193.65 грн
500+183.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT CY62167ELL-45ZXIT INFINEON 4092542.pdf Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.28 грн
10+1155.10 грн
25+1119.93 грн
50+1013.82 грн
100+904.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109D-10ZXI CY7C109D-10ZXI INFINEON CYPR-S-A0000248023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - CY7C109D-10ZXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, TSOP-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.98 грн
10+174.06 грн
25+173.18 грн
50+159.99 грн
100+146.93 грн
250+143.92 грн
500+143.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.59 грн
10+162.63 грн
100+89.67 грн
500+81.63 грн
1000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V100-TGTR FM28V100-TGTR INFINEON CYPR-S-A0011121464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.20 грн
5+1678.14 грн
10+1613.09 грн
25+1450.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 INFINEON BTS426L1.pdf Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.94 грн
10+299.76 грн
25+276.03 грн
50+244.07 грн
100+213.99 грн
250+204.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 INFINEON BTS426L1.pdf Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+213.99 грн
250+204.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1 IMZA75R060M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbc1100b493c Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+666.33 грн
5+652.27 грн
10+638.20 грн
50+386.92 грн
100+316.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159874.pdf Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+720.84 грн
5+617.11 грн
10+512.50 грн
50+448.14 грн
100+388.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1 IMZA75R090M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.73 грн
10+536.23 грн
100+303.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1 IMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6c823d60eeb Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1567.38 грн
5+1562.99 грн
10+1557.71 грн
50+946.88 грн
100+872.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 IMZA120R030M1HXKSA1 INFINEON 4159461.pdf Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.93 грн
5+1114.66 грн
10+1028.51 грн
50+902.80 грн
100+798.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1 IMZA75R020M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6da53810eef Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1371.35 грн
5+1337.94 грн
10+1304.54 грн
50+870.97 грн
100+771.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1 IMZA75R040M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6f5b54e0f1a Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+833.36 грн
5+814.02 грн
10+794.68 грн
50+471.81 грн
100+402.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 IMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.24 грн
10+280.42 грн
100+241.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 IMZA65R040M2HXKSA1 INFINEON 4159873.pdf Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+855.33 грн
5+734.02 грн
10+612.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1 IMZA75R027M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6e380390f17 Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1079.50 грн
5+1052.25 грн
10+1025.00 грн
50+624.45 грн
100+560.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.67 грн
250+66.81 грн
1000+41.63 грн
3000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FB50R07W2E3C36BPSA1 4379513.pdf
FB50R07W2E3C36BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FB50R07W2E3C36BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 45 A, 1.45 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 45A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4142.18 грн
5+3573.42 грн
10+3004.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASXUMA2 2820298.pdf
1EDI2002ASXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI2002ASXUMA2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.65V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER SIL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 215ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+596.89 грн
10+465.91 грн
25+433.38 грн
50+394.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI2002ASXUMA2 2820298.pdf
1EDI2002ASXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI2002ASXUMA2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.65V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER SIL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 215ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ790H6327XTSA1 INFN-S-A0009690430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFQ790H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.80 грн
500+87.34 грн
1000+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISK057N04LM6ATSA1 4328974.pdf
ISK057N04LM6ATSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISK057N04LM6ATSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64 A, 5750 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.66 грн
20+46.15 грн
100+31.82 грн
500+25.14 грн
1000+19.89 грн
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ISK057N04LM6ATSA1 4328974.pdf
ISK057N04LM6ATSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISK057N04LM6ATSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64 A, 5750 µohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39.1W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.82 грн
500+25.14 грн
1000+19.89 грн
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.90 грн
10+220.65 грн
100+167.02 грн
500+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R110CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef4f3d049df
IPB65R110CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R110CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.088 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+167.02 грн
500+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9263BQXXUMA2 4098599.pdf
TLE9263BQXXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9263BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.68 грн
10+254.93 грн
25+233.83 грн
50+207.33 грн
100+181.59 грн
250+172.55 грн
500+166.52 грн
1000+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA2 4098598.pdf
TLE92633BQXXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE92633BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+215.50 грн
250+207.21 грн
500+201.18 грн
1000+194.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA2 4098598.pdf
TLE92633BQXXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE92633BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.75 грн
10+287.46 грн
25+269.87 грн
50+242.43 грн
100+215.50 грн
250+207.21 грн
500+201.18 грн
1000+194.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9263BQXXUMA2 4098599.pdf
TLE9263BQXXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9263BQXXUMA2 - System-Basis-Chip, CAN FD, LIN, 5V Ausgangsspannung, VQFN-EP-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN-FD, LIN
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.2, SAE J2284, SAE J2602
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+181.59 грн
250+172.55 грн
500+166.52 грн
1000+162.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 4395756.pdf
IAUMN08S5N013GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN08S5N013GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0013 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.27 грн
10+313.83 грн
100+274.27 грн
500+234.27 грн
1000+198.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG039N15NM5ATMA1 3811988.pdf
IPTG039N15NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+478.21 грн
50+420.38 грн
100+366.20 грн
250+353.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN10S5N016GAUMA1 4395757.pdf
IAUMN10S5N016GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN10S5N016GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.09 грн
10+325.26 грн
100+285.70 грн
500+246.52 грн
1000+218.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG017N12NM6ATMA1 4159887.pdf
IPTG017N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 0.0017 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+469.42 грн
50+412.22 грн
100+359.41 грн
250+337.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG039N15NM5ATMA1 3811988.pdf
IPTG039N15NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+653.15 грн
5+566.12 грн
10+478.21 грн
50+420.38 грн
100+366.20 грн
250+353.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N012GAUMA1 4395755.pdf
IAUMN08S5N012GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0012 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.61 грн
10+329.65 грн
100+288.33 грн
500+245.70 грн
1000+208.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 4334667.pdf
IPTG020N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+492.28 грн
500+409.77 грн
1000+354.14 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG020N13NM6ATMA1 4334667.pdf
IPTG020N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+678.64 грн
50+593.37 грн
100+492.28 грн
500+409.77 грн
1000+354.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+684.80 грн
5+586.34 грн
10+487.00 грн
50+451.40 грн
100+415.93 грн
250+299.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 4162925.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+683.04 грн
5+553.81 грн
10+424.59 грн
50+386.92 грн
100+350.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DD380N22KXPSA1 4148552.pdf
DD380N22KXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD380N22KXPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 393 A, 1.16 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 15kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchlassspannung, max.: 1.16V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 393A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16399.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 4013788.pdf
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+754.24 грн
5+705.89 грн
10+657.54 грн
50+603.23 грн
100+513.88 грн
250+503.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1 4013788.pdf
IPT60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+754.24 грн
5+705.89 грн
10+657.54 грн
50+603.23 грн
100+513.88 грн
250+503.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY22150FZXC 2330440.pdf
CY22150FZXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY22150FZXC - Taktgenerator, Flash & seriell programmierbar, 200MHz, 3.135V bis 3.465V, 6 Ausgänge, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktgeber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+821.93 грн
10+719.08 грн
25+596.01 грн
50+496.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 3982763.pdf
TLE9371SJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.71 грн
10+94.94 грн
50+87.64 грн
100+73.06 грн
250+64.05 грн
500+62.54 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371SJXTMA1 3982763.pdf
TLE9371SJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371SJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-H-, CAN-L-, HS-CAN-, CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.06 грн
250+64.05 грн
500+62.54 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9371VSJXTMA1 3934862.pdf
TLE9371VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9371VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, 8 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 8Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.28 грн
250+65.03 грн
500+63.44 грн
1000+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXI-1H 2309545.pdf
CY2309SXI-1H
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2309SXI-1H - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 9 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 9Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1321.24 грн
10+1105.87 грн
25+1029.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR 3187053.pdf
IRSM005-301MHTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.38 грн
500+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-301MHTR 3187053.pdf
IRSM005-301MHTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-301MHTR - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
tariffCode: 85423911
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Nennspannung (Vces / Vdss): 100V
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Nano Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.57 грн
10+192.52 грн
25+176.69 грн
50+155.91 грн
100+136.38 грн
500+124.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGQ75N120S7XKSA1 Infineon-IGQ75N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a17a3786a
IGQ75N120S7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGQ75N120S7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 154A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+955.55 грн
5+948.52 грн
10+941.48 грн
50+531.40 грн
100+419.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.35 грн
59+14.94 грн
100+9.32 грн
500+5.92 грн
1000+4.74 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.92 грн
1000+4.74 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1
IPD650P06NMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.39 грн
500+50.85 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62138FV30LL-45ZXI Infineon-CY62138FV30_MoBL_2-Mbit_(256_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebea2bb3263&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62138FV30LL-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62138FV30LL-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.45 грн
10+177.57 грн
25+176.69 грн
50+163.26 грн
100+149.94 грн
250+149.19 грн
500+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45ZSXI 2349551.pdf
CY62136EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45ZSXI - IC, SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 2.2V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+372.73 грн
10+218.89 грн
25+210.10 грн
50+186.93 грн
100+168.78 грн
250+165.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXIT INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62126EV30LL-45ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.33 грн
250+122.82 грн
500+122.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXI CYPR-S-A0004048528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62136FV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62136FV30LL-45ZSXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+388.55 грн
10+339.32 грн
25+281.30 грн
50+234.27 грн
100+199.67 грн
250+186.11 грн
500+176.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT 4092542.pdf
CY62167ELL-45ZXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1155.10 грн
25+1119.93 грн
50+1013.82 грн
100+904.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167G30-45ZXI 3797003.pdf
CY62167G30-45ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2281.19 грн
5+1996.37 грн
10+1653.53 грн
25+1377.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXI CYPR-S-A0011119690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62136EV30LL-45BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45BVXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.61 грн
10+352.51 грн
25+291.85 грн
50+243.25 грн
100+207.21 грн
250+193.65 грн
500+183.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167ELL-45ZXIT 4092542.pdf
CY62167ELL-45ZXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP, 48 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1248.28 грн
10+1155.10 грн
25+1119.93 грн
50+1013.82 грн
100+904.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109D-10ZXI description CYPR-S-A0000248023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C109D-10ZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C109D-10ZXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, TSOP-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.98 грн
10+174.06 грн
25+173.18 грн
50+159.99 грн
100+146.93 грн
250+143.92 грн
500+143.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.59 грн
10+162.63 грн
100+89.67 грн
500+81.63 грн
1000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V100-TGTR CYPR-S-A0011121464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM28V100-TGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1743.20 грн
5+1678.14 грн
10+1613.09 грн
25+1450.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 BTS426L1.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+392.94 грн
10+299.76 грн
25+276.03 грн
50+244.07 грн
100+213.99 грн
250+204.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS426L1E3062ABUMA1 BTS426L1.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS426L1E3062ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 16A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+213.99 грн
250+204.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R060M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbc1100b493c
IMZA75R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+666.33 грн
5+652.27 грн
10+638.20 грн
50+386.92 грн
100+316.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1 4159874.pdf
IMZA65R050M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+720.84 грн
5+617.11 грн
10+512.50 грн
50+448.14 грн
100+388.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c
IMZA75R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+561.73 грн
10+536.23 грн
100+303.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6c823d60eeb
IMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1567.38 грн
5+1562.99 грн
10+1557.71 грн
50+946.88 грн
100+872.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 4159461.pdf
IMZA120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1199.93 грн
5+1114.66 грн
10+1028.51 грн
50+902.80 грн
100+798.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6da53810eef
IMZA75R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1371.35 грн
5+1337.94 грн
10+1304.54 грн
50+870.97 грн
100+771.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6f5b54e0f1a
IMZA75R040M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+833.36 грн
5+814.02 грн
10+794.68 грн
50+471.81 грн
100+402.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c
IMZA75R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+456.24 грн
10+280.42 грн
100+241.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 4159873.pdf
IMZA65R040M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+855.33 грн
5+734.02 грн
10+612.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6e380390f17
IMZA75R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1079.50 грн
5+1052.25 грн
10+1025.00 грн
50+624.45 грн
100+560.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.67 грн
250+66.81 грн
1000+41.63 грн
3000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]