Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 397 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.60 грн
500+54.38 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON 610314.pdf Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.18 грн
250+19.57 грн
1000+17.80 грн
2000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.38 грн
10+274.36 грн
25+254.71 грн
50+223.59 грн
100+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON 1849685.html Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.32 грн
54+15.23 грн
100+8.76 грн
500+6.42 грн
1000+5.66 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM16TOBO1 KITLGPWRBOM16TOBO1 INFINEON 4386889.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4233.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615.89 грн
10+434.89 грн
100+362.00 грн
500+299.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+603.60 грн
50+514.10 грн
100+431.03 грн
250+422.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+758.39 грн
5+666.67 грн
10+574.94 грн
50+489.76 грн
100+410.67 грн
250+402.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+972.97 грн
50+842.63 грн
100+720.95 грн
250+706.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+434.89 грн
100+362.00 грн
500+299.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+792.79 грн
50+675.32 грн
100+566.51 грн
250+555.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+574.94 грн
50+489.76 грн
100+410.67 грн
250+402.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384417.pdf Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+457.00 грн
50+389.38 грн
100+326.43 грн
250+320.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.16 грн
5+1115.48 грн
10+972.97 грн
50+842.63 грн
100+720.95 грн
250+706.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.58 грн
5+902.54 грн
10+771.50 грн
50+668.48 грн
100+572.13 грн
250+560.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+920.56 грн
50+823.62 грн
100+730.78 грн
250+716.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.79 грн
5+883.70 грн
10+792.79 грн
50+675.32 грн
100+566.51 грн
250+555.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1190.01 грн
5+1055.69 грн
10+920.56 грн
50+823.62 грн
100+730.78 грн
250+716.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384418.pdf Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.57 грн
10+420.15 грн
100+339.07 грн
500+279.86 грн
1000+221.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384413.pdf Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.09 грн
10+400.49 грн
100+324.32 грн
500+269.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON 4384417.pdf Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.17 грн
5+543.00 грн
10+457.00 грн
50+389.38 грн
100+326.43 грн
250+320.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+771.50 грн
50+668.48 грн
100+572.13 грн
250+560.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+796.07 грн
5+700.24 грн
10+603.60 грн
50+514.10 грн
100+431.03 грн
250+422.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR0680BG40W1TOBO1 REF5QR0680BG40W1TOBO1 INFINEON 4198687.pdf Description: INFINEON - REF5QR0680BG40W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG, AC/DC-Offline-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR0680BG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7741.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITT2G-B-HEVK INFINEON Infineon-KIT_T2G-B-H_EVK_TRAVEO_T2G_Body_High_evaluation_kit_guide-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701886921ead71a59 Description: INFINEON - KITT2G-B-HEVK - Body High Evaluation-Kit, CYT4BFBCHDES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYT4BFBCHDES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BFBCHDES, USB-A/Micro-B-Kabel, DC-Netzadapter, Jumper, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39986.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.46 грн
10+266.99 грн
100+192.46 грн
500+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.46 грн
500+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 INFINEON 4148565.pdf Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.18 грн
5+434.07 грн
10+325.96 грн
50+300.40 грн
100+275.18 грн
250+269.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 INFINEON 3629264.pdf Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.75 грн
10+170.35 грн
100+125.31 грн
500+89.74 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 INFINEON 3629264.pdf Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+89.74 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT1EDBAUXGANTOBO1 KIT1EDBAUXGANTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - KIT1EDBAUXGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB8275F, 1EDN7511B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDN7511B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB8275F, 1EDN7511B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9966.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS01GTFAMHI010 S25HS01GTFAMHI010 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HS01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+984.44 грн
10+914.00 грн
25+885.34 грн
50+737.68 грн
100+652.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL01GTFABHI030 S25HL01GTFABHI030 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL01GTFABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1274.36 грн
10+1187.55 грн
25+1135.13 грн
50+969.64 грн
100+868.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL01GTFPBHI030 S28HL01GTFPBHI030 INFINEON 3681707.pdf Description: INFINEON - S28HL01GTFPBHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1674.86 грн
10+1561.01 грн
25+1491.40 грн
50+1273.84 грн
100+1140.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S26HS01GTGABHI030 S26HS01GTGABHI030 INFINEON INFN-S-A0014825130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S26HS01GTGABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, HyperBus, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1172.81 грн
5+1055.69 грн
10+1042.59 грн
25+955.19 грн
50+870.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL01GTFAMHI010 S25HL01GTFAMHI010 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1128.58 грн
10+1051.60 грн
25+1019.66 грн
50+865.45 грн
100+777.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITT2G-B-HLITE KITT2G-B-HLITE INFINEON Description: INFINEON - KITT2G-B-HLITE - Body High Lite-Kit, CYT4BF8CEDQ0AE, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT4BF8CEDQ0AE
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8CEDQ0AE, USB-Micro-B-Kabel
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8455.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.05 грн
500+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2 Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+905.00 грн
50+751.37 грн
100+611.44 грн
250+599.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2 Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1170.35 грн
5+1037.67 грн
10+905.00 грн
50+751.37 грн
100+611.44 грн
250+599.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4770AZXKLA1 ICE5QR4770AZXKLA1 INFINEON 2920458.pdf Description: INFINEON - ICE5QR4770AZXKLA1 - AC/DC-WANDLER, FLYBACK, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.13 грн
10+143.32 грн
50+120.39 грн
100+89.74 грн
250+76.52 грн
500+70.20 грн
1000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1 IQE046N08LM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.12 грн
500+88.98 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1 IQE046N08LM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.24 грн
10+166.26 грн
100+117.12 грн
500+88.98 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1 IQE046N08LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d14d151c7 Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.17 грн
250+119.57 грн
1000+87.46 грн
3000+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1 IQE046N08LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.35 грн
10+173.63 грн
100+124.49 грн
500+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Lite_SBC_Evaluation_Board-Getting_Started-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a0167d02c0bcd1a6a Description: INFINEON - LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9461-3ES und TLE9471-3ES, Power-Management, System-Basis-Chip
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: System-Basis-Chips (SBC)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8377.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON 1835977.pdf Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.02 грн
33+25.39 грн
100+17.36 грн
500+13.54 грн
1000+11.58 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON 1835977.pdf Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.36 грн
500+13.54 грн
1000+11.58 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 PASCO2V15AUMA1 INFINEON 4265838.pdf Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: 5%
Genauigkeit: ±5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1461.92 грн
50+1146.07 грн
100+982.10 грн
250+962.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBF IRLU8743PBF INFINEON INFN-S-A0012905680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.08 грн
12+73.63 грн
100+65.27 грн
500+51.79 грн
1000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12W3T7B11BPSA1 FS200R12W3T7B11BPSA1 INFINEON 4013795.pdf Description: INFINEON - FS200R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7384.10 грн
5+6645.37 грн
10+5532.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED2106TOBO1 EVAL2ED2106TOBO1 INFINEON 4151578.pdf Description: INFINEON - EVAL2ED2106TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2106S06F, IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 2ED2106S06F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED2106S06F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3581.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1 IPDQ60R025CFD7XTMA1 INFINEON 3983244.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.85 грн
5+813.27 грн
10+684.68 грн
50+581.78 грн
100+487.19 грн
250+477.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7AXTMA1 INFINEON 4159464.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.55 грн
5+867.32 грн
10+727.27 грн
50+674.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7XTMA1 INFINEON 4159462.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+744.47 грн
50+651.75 грн
100+566.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7AXTMA1 INFINEON 4159466.pdf Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+704.34 грн
50+628.17 грн
100+555.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7XTMA1 INFINEON 4159462.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.72 грн
5+905.00 грн
10+813.27 грн
50+713.35 грн
100+619.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.60 грн
500+54.38 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF 610314.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.18 грн
250+19.57 грн
1000+17.80 грн
2000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 34V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+378.38 грн
10+274.36 грн
25+254.71 грн
50+223.59 грн
100+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 1849685.html
BB535E7904HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.32 грн
54+15.23 грн
100+8.76 грн
500+6.42 грн
1000+5.66 грн
5000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
KITLGPWRBOM16TOBO1 4386889.pdf
KITLGPWRBOM16TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4233.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+615.89 грн
10+434.89 грн
100+362.00 грн
500+299.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+603.60 грн
50+514.10 грн
100+431.03 грн
250+422.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+758.39 грн
5+666.67 грн
10+574.94 грн
50+489.76 грн
100+410.67 грн
250+402.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+972.97 грн
50+842.63 грн
100+720.95 грн
250+706.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 4384412.pdf
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+434.89 грн
100+362.00 грн
500+299.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+792.79 грн
50+675.32 грн
100+566.51 грн
250+555.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+574.94 грн
50+489.76 грн
100+410.67 грн
250+402.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 4384417.pdf
IMT40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+457.00 грн
50+389.38 грн
100+326.43 грн
250+320.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1257.16 грн
5+1115.48 грн
10+972.97 грн
50+842.63 грн
100+720.95 грн
250+706.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1033.58 грн
5+902.54 грн
10+771.50 грн
50+668.48 грн
100+572.13 грн
250+560.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+920.56 грн
50+823.62 грн
100+730.78 грн
250+716.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.79 грн
5+883.70 грн
10+792.79 грн
50+675.32 грн
100+566.51 грн
250+555.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1190.01 грн
5+1055.69 грн
10+920.56 грн
50+823.62 грн
100+730.78 грн
250+716.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R045M2HXTMA1 4384418.pdf
IMT40R045M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+567.57 грн
10+420.15 грн
100+339.07 грн
500+279.86 грн
1000+221.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 4384413.pdf
IMBG40R045M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+547.09 грн
10+400.49 грн
100+324.32 грн
500+269.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R036M2HXTMA1 4384417.pdf
IMT40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+628.17 грн
5+543.00 грн
10+457.00 грн
50+389.38 грн
100+326.43 грн
250+320.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+771.50 грн
50+668.48 грн
100+572.13 грн
250+560.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+796.07 грн
5+700.24 грн
10+603.60 грн
50+514.10 грн
100+431.03 грн
250+422.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR0680BG40W1TOBO1 4198687.pdf
REF5QR0680BG40W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR0680BG40W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG, AC/DC-Offline-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR0680BG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7741.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITT2G-B-HEVK Infineon-KIT_T2G-B-H_EVK_TRAVEO_T2G_Body_High_evaluation_kit_guide-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701886921ead71a59
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2G-B-HEVK - Body High Evaluation-Kit, CYT4BFBCHDES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYT4BFBCHDES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BFBCHDES, USB-A/Micro-B-Kabel, DC-Netzadapter, Jumper, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39986.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB060N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.46 грн
10+266.99 грн
100+192.46 грн
500+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB060N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.46 грн
500+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP069N20NM6AKSA1 4148565.pdf
IPP069N20NM6AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+542.18 грн
5+434.07 грн
10+325.96 грн
50+300.40 грн
100+275.18 грн
250+269.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1 3629264.pdf
BSC037N08NS5TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+204.75 грн
10+170.35 грн
100+125.31 грн
500+89.74 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1 3629264.pdf
BSC037N08NS5TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+89.74 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP INFN-S-A0012813553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7734TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+167.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT1EDBAUXGANTOBO1
KIT1EDBAUXGANTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT1EDBAUXGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB8275F, 1EDN7511B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDN7511B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB8275F, 1EDN7511B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9966.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS01GTFAMHI010 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HS01GTFAMHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25HS01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+984.44 грн
10+914.00 грн
25+885.34 грн
50+737.68 грн
100+652.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL01GTFABHI030 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL01GTFABHI030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL01GTFABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1274.36 грн
10+1187.55 грн
25+1135.13 грн
50+969.64 грн
100+868.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL01GTFPBHI030 3681707.pdf
S28HL01GTFPBHI030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S28HL01GTFPBHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1674.86 грн
10+1561.01 грн
25+1491.40 грн
50+1273.84 грн
100+1140.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S26HS01GTGABHI030 INFN-S-A0014825130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S26HS01GTGABHI030
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26HS01GTGABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, HyperBus, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.81 грн
5+1055.69 грн
10+1042.59 грн
25+955.19 грн
50+870.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL01GTFAMHI010 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL01GTFAMHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1128.58 грн
10+1051.60 грн
25+1019.66 грн
50+865.45 грн
100+777.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITT2G-B-HLITE
KITT2G-B-HLITE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2G-B-HLITE - Body High Lite-Kit, CYT4BF8CEDQ0AE, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYT4BF8CEDQ0AE
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8CEDQ0AE, USB-Micro-B-Kabel
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8455.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.05 грн
500+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+905.00 грн
50+751.37 грн
100+611.44 грн
250+599.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1170.35 грн
5+1037.67 грн
10+905.00 грн
50+751.37 грн
100+611.44 грн
250+599.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4770AZXKLA1 2920458.pdf
ICE5QR4770AZXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5QR4770AZXKLA1 - AC/DC-WANDLER, FLYBACK, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.13 грн
10+143.32 грн
50+120.39 грн
100+89.74 грн
250+76.52 грн
500+70.20 грн
1000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca
IQE046N08LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.12 грн
500+88.98 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca
IQE046N08LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.24 грн
10+166.26 грн
100+117.12 грн
500+88.98 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1 Infineon-IQE046N08LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d14d151c7
IQE046N08LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+171.17 грн
250+119.57 грн
1000+87.46 грн
3000+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd
IQE046N08LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.35 грн
10+173.63 грн
100+124.49 грн
500+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 Infineon-Lite_SBC_Evaluation_Board-Getting_Started-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a0167d02c0bcd1a6a
LITEDCDCSBCBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9461-3ES und TLE9471-3ES, Power-Management, System-Basis-Chip
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: System-Basis-Chips (SBC)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8377.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 1835977.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.02 грн
33+25.39 грн
100+17.36 грн
500+13.54 грн
1000+11.58 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 1835977.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.36 грн
500+13.54 грн
1000+11.58 грн
5000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 4265838.pdf
PASCO2V15AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: 5%
Genauigkeit: ±5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1461.92 грн
50+1146.07 грн
100+982.10 грн
250+962.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU8743PBF description INFN-S-A0012905680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU8743PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.08 грн
12+73.63 грн
100+65.27 грн
500+51.79 грн
1000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12W3T7B11BPSA1 4013795.pdf
FS200R12W3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS200R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7384.10 грн
5+6645.37 грн
10+5532.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED2106TOBO1 4151578.pdf
EVAL2ED2106TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED2106TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2106S06F, IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 2ED2106S06F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED2106S06F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3581.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1 3983244.pdf
IPDQ60R025CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.85 грн
5+813.27 грн
10+684.68 грн
50+581.78 грн
100+487.19 грн
250+477.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1 4159464.pdf
IPDQ60T022S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.55 грн
5+867.32 грн
10+727.27 грн
50+674.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 4159462.pdf
IPDQ60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+744.47 грн
50+651.75 грн
100+566.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1 4159466.pdf
IPQC60T022S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+704.34 грн
50+628.17 грн
100+555.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 4159462.pdf
IPDQ60T022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.72 грн
5+905.00 грн
10+813.27 грн
50+713.35 грн
100+619.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]