Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24882) > Сторінка 396 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA75R060M1HXKSA1 IMZA75R060M1HXKSA1 INFINEON 4159481.pdf Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+741.11 грн
5+630.52 грн
10+519.93 грн
50+449.84 грн
100+384.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159874.pdf Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.73 грн
5+579.35 грн
10+481.14 грн
50+420.72 грн
100+364.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1 IMZA75R090M1HXKSA1 INFINEON 4159548.pdf Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.22 грн
5+491.04 грн
10+406.87 грн
50+360.94 грн
100+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1 IMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON 4159485.pdf Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1840.38 грн
5+1631.59 грн
10+1422.79 грн
50+1298.17 грн
100+1071.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 IMZA120R030M1HXKSA1 INFINEON 4159461.pdf Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.51 грн
5+1046.46 грн
10+965.58 грн
50+847.57 грн
100+749.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1 IMZA75R020M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6da53810eef Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.39 грн
5+1366.67 грн
10+1166.13 грн
50+1017.69 грн
100+879.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1 IMZA75R040M1HXKSA1 INFINEON 4159482.pdf Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.30 грн
5+738.63 грн
10+618.14 грн
50+550.23 грн
100+485.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 IMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.20 грн
10+340.02 грн
100+280.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 IMZA65R040M2HXKSA1 INFINEON 4159873.pdf Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+803.00 грн
5+689.11 грн
10+575.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1 IMZA75R027M1HXKSA1 INFINEON 4159483.pdf Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1203.26 грн
5+1050.59 грн
10+897.91 грн
50+781.66 грн
100+672.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.00 грн
500+44.68 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.64 грн
10+86.65 грн
100+60.00 грн
500+44.68 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.91 грн
500+77.40 грн
1000+57.30 грн
5000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 TLE9561QXXUMA1 INFINEON 3328497.pdf Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.55 грн
250+113.89 грн
500+109.64 грн
1000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 TLE9561QXXUMA1 INFINEON 3328497.pdf Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.00 грн
10+155.15 грн
25+150.20 грн
50+134.11 грн
100+119.55 грн
250+113.89 грн
500+109.64 грн
1000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1 IPU95R450P7AKMA1 INFINEON INFN-S-A0006116754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.64 грн
10+116.37 грн
100+105.64 грн
500+71.04 грн
1000+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0037 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.30 грн
10+162.58 грн
100+118.84 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.40 грн
10+343.32 грн
100+267.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0037 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.84 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.32 грн
10+88.31 грн
100+69.90 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.53 грн
250+146.08 грн
1000+124.91 грн
3000+105.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF INFINEON irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074 Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.97 грн
500+63.53 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+267.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.90 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 2ED4820EMXUMA2 INFINEON 3668052.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+445.65 грн
25+419.24 грн
50+364.01 грн
100+313.37 грн
250+296.39 грн
500+266.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW90N60EH3XKSA1 IKFW90N60EH3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0005066103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1016.75 грн
5+799.70 грн
10+661.88 грн
50+565.56 грн
100+480.32 грн
250+471.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N120CH7XKSA1 IKW75N120CH7XKSA1 INFINEON 3974493.pdf Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+768.34 грн
5+618.96 грн
10+469.59 грн
50+411.52 грн
100+357.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N65EH7XKSA1 IKY120N65EH7XKSA1 INFINEON 3983231.pdf Description: INFINEON - IKY120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.11 грн
5+790.62 грн
10+670.13 грн
50+580.88 грн
100+498.71 грн
250+460.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON INFNS27672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.02 грн
250+9.49 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.12 грн
500+35.17 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.19 грн
250+58.18 грн
1000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.05 грн
500+41.84 грн
1000+35.44 грн
5000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXIT CY7C1049GN30-10VXIT INFINEON Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXI-1 CY2305SXI-1 INFINEON 2309545.pdf Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.28 грн
10+165.06 грн
25+156.80 грн
50+137.94 грн
100+125.21 грн
250+120.26 грн
500+112.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.49 грн
500+93.49 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.48 грн
10+163.41 грн
100+120.49 грн
500+93.49 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.54 грн
500+28.74 грн
1000+25.96 грн
5000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON 3154684.pdf Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.92 грн
500+55.87 грн
1000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON 3154684.pdf Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+93.26 грн
100+67.92 грн
500+55.87 грн
1000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.80 грн
50+36.97 грн
100+26.90 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.36 грн
18+46.05 грн
100+32.27 грн
500+21.53 грн
1000+18.18 грн
5000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.47 грн
500+40.00 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.27 грн
500+21.53 грн
1000+18.18 грн
5000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.88 грн
500+22.38 грн
1000+15.99 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.84 грн
500+26.21 грн
1000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.80 грн
17+48.94 грн
100+33.84 грн
500+26.21 грн
1000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.90 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 TT425N18KOFHPSA2 INFINEON 2577593.pdf Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21162.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON 2718766.pdf Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.38 грн
10+359.00 грн
100+261.62 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON 2718766.pdf Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+359.00 грн
100+261.62 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD20E65E7XKSA1 IDWD20E65E7XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD20E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59c6e758e7 Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 108A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 74ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.00 грн
10+163.41 грн
100+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.99 грн
10+229.43 грн
100+157.63 грн
500+108.05 грн
1000+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.47 грн
10+109.76 грн
50+99.03 грн
100+89.66 грн
250+81.35 грн
500+78.52 грн
1000+77.11 грн
2500+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 IPT014N10N5ATMA1 INFINEON 3934896.pdf Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.56 грн
10+374.68 грн
100+278.95 грн
500+237.56 грн
1000+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 IPT014N10N5ATMA1 INFINEON 3934896.pdf Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+374.68 грн
100+278.95 грн
500+237.56 грн
1000+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 SP4900111XTMA2 INFINEON 4092645.pdf Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.86 грн
10+272.34 грн
25+269.04 грн
50+245.99 грн
100+224.24 грн
250+214.34 грн
500+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 SP4900111XTMA2 INFINEON 4092645.pdf Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+272.34 грн
25+269.04 грн
50+245.99 грн
100+224.24 грн
250+214.34 грн
500+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON 60011.pdf description Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.42 грн
10+147.73 грн
25+144.42 грн
50+132.58 грн
100+121.67 грн
250+120.96 грн
500+120.26 грн
1000+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.01 грн
500+131.04 грн
1000+115.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R060M1HXKSA1 4159481.pdf
IMZA75R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 750 V, 0.055 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+741.11 грн
5+630.52 грн
10+519.93 грн
50+449.84 грн
100+384.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R050M2HXKSA1 4159874.pdf
IMZA65R050M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+676.73 грн
5+579.35 грн
10+481.14 грн
50+420.72 грн
100+364.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R090M1HXKSA1 4159548.pdf
IMZA75R090M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+575.22 грн
5+491.04 грн
10+406.87 грн
50+360.94 грн
100+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R016M1HXKSA1 4159485.pdf
IMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1840.38 грн
5+1631.59 грн
10+1422.79 грн
50+1298.17 грн
100+1071.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1 4159461.pdf
IMZA120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1126.51 грн
5+1046.46 грн
10+965.58 грн
50+847.57 грн
100+749.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R020M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc6da53810eef
IMZA75R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 750 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1566.39 грн
5+1366.67 грн
10+1166.13 грн
50+1017.69 грн
100+879.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R040M1HXKSA1 4159482.pdf
IMZA75R040M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.30 грн
5+738.63 грн
10+618.14 грн
50+550.23 грн
100+485.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c
IMZA75R140M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+509.20 грн
10+340.02 грн
100+280.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 4159873.pdf
IMZA65R040M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+803.00 грн
5+689.11 грн
10+575.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R027M1HXKSA1 4159483.pdf
IMZA75R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1203.26 грн
5+1050.59 грн
10+897.91 грн
50+781.66 грн
100+672.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.00 грн
500+44.68 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.64 грн
10+86.65 грн
100+60.00 грн
500+44.68 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.91 грн
500+77.40 грн
1000+57.30 грн
5000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 3328497.pdf
TLE9561QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.55 грн
250+113.89 грн
500+109.64 грн
1000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 3328497.pdf
TLE9561QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.00 грн
10+155.15 грн
25+150.20 грн
50+134.11 грн
100+119.55 грн
250+113.89 грн
500+109.64 грн
1000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1 INFN-S-A0006116754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPU95R450P7AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.64 грн
10+116.37 грн
100+105.64 грн
500+71.04 грн
1000+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0037 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.30 грн
10+162.58 грн
100+118.84 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.40 грн
10+343.32 грн
100+267.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0037 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.84 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.32 грн
10+88.31 грн
100+69.90 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+167.53 грн
250+146.08 грн
1000+124.91 грн
3000+105.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.97 грн
500+63.53 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+267.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.90 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 3668052.pdf
2ED4820EMXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+445.65 грн
25+419.24 грн
50+364.01 грн
100+313.37 грн
250+296.39 грн
500+266.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW90N60EH3XKSA1 INFN-S-A0005066103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKFW90N60EH3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.75 грн
5+799.70 грн
10+661.88 грн
50+565.56 грн
100+480.32 грн
250+471.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N120CH7XKSA1 3974493.pdf
IKW75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+768.34 грн
5+618.96 грн
10+469.59 грн
50+411.52 грн
100+357.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N65EH7XKSA1 3983231.pdf
IKY120N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+911.11 грн
5+790.62 грн
10+670.13 грн
50+580.88 грн
100+498.71 грн
250+460.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 INFNS27672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.02 грн
250+9.49 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.12 грн
500+35.17 грн
1000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7493TRPBF description INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7493TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.19 грн
250+58.18 грн
1000+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ025N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.05 грн
500+41.84 грн
1000+35.44 грн
5000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXIT Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1049GN30-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+545.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXI-1 2309545.pdf
CY2305SXI-1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.28 грн
10+165.06 грн
25+156.80 грн
50+137.94 грн
100+125.21 грн
250+120.26 грн
500+112.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 2643869.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.49 грн
500+93.49 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 2643869.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.48 грн
10+163.41 грн
100+120.49 грн
500+93.49 грн
1000+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K4C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.54 грн
500+28.74 грн
1000+25.96 грн
5000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 3154684.pdf
IPD60R210PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.92 грн
500+55.87 грн
1000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 3154684.pdf
IPD60R210PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.70 грн
10+93.26 грн
100+67.92 грн
500+55.87 грн
1000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.80 грн
50+36.97 грн
100+26.90 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.36 грн
18+46.05 грн
100+32.27 грн
500+21.53 грн
1000+18.18 грн
5000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.47 грн
500+40.00 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.27 грн
500+21.53 грн
1000+18.18 грн
5000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 2354542.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.88 грн
500+22.38 грн
1000+15.99 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.84 грн
500+26.21 грн
1000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.80 грн
17+48.94 грн
100+33.84 грн
500+26.21 грн
1000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.90 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 2577593.pdf
TT425N18KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21162.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 2718766.pdf
IPB083N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.38 грн
10+359.00 грн
100+261.62 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 2718766.pdf
IPB083N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+359.00 грн
100+261.62 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD20E65E7XKSA1 Infineon-IDWD20E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59c6e758e7
IDWD20E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 108A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 74ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.00 грн
10+163.41 грн
100+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.99 грн
10+229.43 грн
100+157.63 грн
500+108.05 грн
1000+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description 59961.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.47 грн
10+109.76 грн
50+99.03 грн
100+89.66 грн
250+81.35 грн
500+78.52 грн
1000+77.11 грн
2500+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 3934896.pdf
IPT014N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+540.56 грн
10+374.68 грн
100+278.95 грн
500+237.56 грн
1000+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 3934896.pdf
IPT014N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+374.68 грн
100+278.95 грн
500+237.56 грн
1000+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 4092645.pdf
SP4900111XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+321.86 грн
10+272.34 грн
25+269.04 грн
50+245.99 грн
100+224.24 грн
250+214.34 грн
500+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 4092645.pdf
SP4900111XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+272.34 грн
25+269.04 грн
50+245.99 грн
100+224.24 грн
250+214.34 грн
500+204.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description 60011.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.42 грн
10+147.73 грн
25+144.42 грн
50+132.58 грн
100+121.67 грн
250+120.96 грн
500+120.26 грн
1000+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+170.01 грн
500+131.04 грн
1000+115.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 401 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]