Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25912) > Сторінка 395 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 INFINEON INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.17 грн
50+90.08 грн
250+67.12 грн
1000+41.82 грн
3000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.08 грн
500+70.52 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 TLE9561QXXUMA1 INFINEON 3328497.pdf Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.93 грн
250+121.87 грн
500+117.33 грн
1000+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 TLE9561QXXUMA1 INFINEON 3328497.pdf Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.56 грн
10+166.03 грн
25+160.73 грн
50+143.51 грн
100+127.93 грн
250+121.87 грн
500+117.33 грн
1000+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1 IPU95R450P7AKMA1 INFINEON Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893 Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.49 грн
10+158.08 грн
100+100.68 грн
500+77.74 грн
1000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.41 грн
50+145.72 грн
250+115.69 грн
1000+90.21 грн
3000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.28 грн
10+290.55 грн
100+231.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.72 грн
250+115.69 грн
1000+90.21 грн
3000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.82 грн
10+94.50 грн
100+74.80 грн
500+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.19 грн
250+117.46 грн
1000+86.93 грн
3000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 INFINEON IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3 Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.80 грн
500+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 2ED4820EMXUMA2 INFINEON 3668052.pdf Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+445.99 грн
25+415.08 грн
50+366.57 грн
100+297.49 грн
250+282.35 грн
500+253.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW90N60EH3XKSA1 IKFW90N60EH3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0005066103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.03 грн
5+855.76 грн
10+708.28 грн
50+605.20 грн
100+513.99 грн
250+504.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N120CH7XKSA1 IKW75N120CH7XKSA1 INFINEON 3974493.pdf Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+822.20 грн
5+662.35 грн
10+502.51 грн
50+440.37 грн
100+382.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N65EH7XKSA1 IKY120N65EH7XKSA1 INFINEON 3983231.pdf Description: INFINEON - IKY120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.99 грн
5+846.05 грн
10+717.11 грн
50+621.60 грн
100+533.67 грн
250+492.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXC-1. CY2305SXC-1. INFINEON 2309545.pdf Description: INFINEON - CY2305SXC-1. - Taktpuffer-IC, 10MHz bis 133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Puffer ohne Verzögerung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.32 грн
10+276.42 грн
25+235.80 грн
50+201.73 грн
100+183.95 грн
250+179.40 грн
500+174.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.91 грн
500+44.78 грн
1000+37.92 грн
5000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXIT CY7C1049GN30-10VXIT INFINEON 2629516.pdf Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXI-1 CY2305SXI-1 INFINEON 2309545.pdf Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.41 грн
10+176.63 грн
25+167.80 грн
50+147.61 грн
100+133.98 грн
250+128.69 грн
500+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.94 грн
500+100.05 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 INFINEON 2643869.pdf Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.21 грн
10+174.86 грн
100+128.94 грн
500+100.05 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.24 грн
500+30.75 грн
1000+27.78 грн
5000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.34 грн
500+47.89 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.38 грн
15+60.23 грн
100+56.34 грн
500+47.89 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.45 грн
50+39.56 грн
100+28.79 грн
500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.97 грн
20+44.78 грн
100+29.41 грн
500+20.09 грн
1000+16.58 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.41 грн
500+20.09 грн
1000+16.58 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.21 грн
500+28.05 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.83 грн
17+52.37 грн
100+36.21 грн
500+28.05 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.79 грн
500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 TT425N18KOFHPSA2 INFINEON 2577593.pdf Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22646.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON 2718766.pdf Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.98 грн
10+526.35 грн
100+435.39 грн
500+372.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON 2718766.pdf Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+526.35 грн
100+435.39 грн
500+372.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD20E65E7XKSA1 IDWD20E65E7XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD20E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59c6e758e7 Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 108A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 74ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.05 грн
10+135.12 грн
100+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.10 грн
10+214.60 грн
100+146.60 грн
500+100.05 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.36 грн
10+149.25 грн
50+122.76 грн
100+109.89 грн
250+99.16 грн
500+94.62 грн
1000+92.35 грн
2500+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 IPT014N10N5ATMA1 INFINEON 3934896.pdf Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.46 грн
10+400.95 грн
100+298.50 грн
500+254.22 грн
1000+230.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 IPT014N10N5ATMA1 INFINEON 3934896.pdf Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+400.95 грн
100+298.50 грн
500+254.22 грн
1000+230.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 SP4900111XTMA2 INFINEON 4092645.pdf Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.53 грн
10+340.01 грн
25+322.35 грн
50+287.84 грн
100+255.86 грн
250+246.02 грн
500+236.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 SP4900111XTMA2 INFINEON 4092645.pdf Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+255.86 грн
250+246.02 грн
500+236.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON 60011.pdf description Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.33 грн
10+201.36 грн
25+177.51 грн
50+163.19 грн
100+149.12 грн
250+146.85 грн
500+146.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.23 грн
500+162.37 грн
1000+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098627.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.00 грн
500+117.27 грн
1000+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098627.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.62 грн
10+171.33 грн
100+136.00 грн
500+117.27 грн
1000+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.39 грн
10+263.18 грн
100+187.23 грн
500+162.37 грн
1000+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5H1BN6E6327XTSA1 BGA5H1BN6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0004843243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.63 грн
24+36.83 грн
100+31.79 грн
500+26.57 грн
1000+23.16 грн
2500+21.04 грн
5000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5H1BN6E6327XTSA1 BGA5H1BN6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0004843243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.79 грн
500+26.57 грн
1000+23.16 грн
2500+21.04 грн
5000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904E6327HTSA1 SMBT3904E6327HTSA1 INFINEON 1932449.pdf Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+16.69 грн
94+9.45 грн
250+7.22 грн
1000+4.26 грн
27000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON 610313.pdf Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.56 грн
250+68.00 грн
1000+45.68 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI010 INFINEON 2330416.pdf Description: INFINEON - S29AL008J70BFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, CFI, parallel, FBGA, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.02 грн
10+205.77 грн
25+195.17 грн
50+178.77 грн
100+161.99 грн
250+141.55 грн
500+139.28 грн
1000+127.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49655MXTSA1 TLI49655MXTSA1 INFINEON INFN-S-A0002787041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.64 грн
38+23.49 грн
100+20.84 грн
500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49655MXTSA1 TLI49655MXTSA1 INFINEON INFN-S-A0002787041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.84 грн
500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTSA1 TLI493DW2BWA0XTSA1 INFINEON 3166332.pdf Description: INFINEON - TLI493DW2BWA0XTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: SG-WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.26 грн
250+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1 INFNS29221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC066N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0055 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.17 грн
50+90.08 грн
250+67.12 грн
1000+41.82 грн
3000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.08 грн
500+70.52 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 3328497.pdf
TLE9561QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.93 грн
250+121.87 грн
500+117.33 грн
1000+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9561QXXUMA1 3328497.pdf
TLE9561QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9561QXXUMA1 - Motortreiber, DC, AEC-Q100, 4 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.56 грн
10+166.03 грн
25+160.73 грн
50+143.51 грн
100+127.93 грн
250+121.87 грн
500+117.33 грн
1000+112.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R450P7AKMA1 Infineon-IPU95R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c5739505893
IPU95R450P7AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+215.49 грн
10+158.08 грн
100+100.68 грн
500+77.74 грн
1000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.41 грн
50+145.72 грн
250+115.69 грн
1000+90.21 грн
3000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+383.28 грн
10+290.55 грн
100+231.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 INFNS16156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC042NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 4200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.72 грн
250+115.69 грн
1000+90.21 грн
3000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.82 грн
10+94.50 грн
100+74.80 грн
500+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+142.19 грн
250+117.46 грн
1000+86.93 грн
3000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121e31c838554d3
IPB020NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+231.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.80 грн
500+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED4820EMXUMA2 3668052.pdf
2ED4820EMXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED4820EMXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, MOSFET, 24 Pin(s), TSDSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 300mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 3µs
Ausgabeverzögerung: 3µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+445.99 грн
25+415.08 грн
50+366.57 грн
100+297.49 грн
250+282.35 грн
500+253.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW90N60EH3XKSA1 INFN-S-A0005066103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKFW90N60EH3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW90N60EH3XKSA1 - IGBT, 77 A, 1.85 V, 178 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1088.03 грн
5+855.76 грн
10+708.28 грн
50+605.20 грн
100+513.99 грн
250+504.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N120CH7XKSA1 3974493.pdf
IKW75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N120CH7XKSA1 - IGBT, 92 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 92A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+822.20 грн
5+662.35 грн
10+502.51 грн
50+440.37 грн
100+382.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N65EH7XKSA1 3983231.pdf
IKY120N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.99 грн
5+846.05 грн
10+717.11 грн
50+621.60 грн
100+533.67 грн
250+492.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXC-1. 2309545.pdf
CY2305SXC-1.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2305SXC-1. - Taktpuffer-IC, 10MHz bis 133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Puffer ohne Verzögerung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+360.32 грн
10+276.42 грн
25+235.80 грн
50+201.73 грн
100+183.95 грн
250+179.40 грн
500+174.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ025N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.91 грн
500+44.78 грн
1000+37.92 грн
5000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10VXIT 2629516.pdf
CY7C1049GN30-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+599.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
CY2305SXI-1 2309545.pdf
CY2305SXI-1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.41 грн
10+176.63 грн
25+167.80 грн
50+147.61 грн
100+133.98 грн
250+128.69 грн
500+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 2643869.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.94 грн
500+100.05 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R145CFD7ATMA1 2643869.pdf
IPD60R145CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.21 грн
10+174.86 грн
100+128.94 грн
500+100.05 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K4C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.24 грн
500+30.75 грн
1000+27.78 грн
5000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
IPD60R210PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.34 грн
500+47.89 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
IPD60R210PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.38 грн
15+60.23 грн
100+56.34 грн
500+47.89 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.45 грн
50+39.56 грн
100+28.79 грн
500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.97 грн
20+44.78 грн
100+29.41 грн
500+20.09 грн
1000+16.58 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.41 грн
500+20.09 грн
1000+16.58 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 2354542.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.21 грн
500+28.05 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009651505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.83 грн
17+52.37 грн
100+36.21 грн
500+28.05 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.79 грн
500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 2577593.pdf
TT425N18KOFHPSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22646.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 2718766.pdf
IPB083N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+566.98 грн
10+526.35 грн
100+435.39 грн
500+372.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 2718766.pdf
IPB083N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+526.35 грн
100+435.39 грн
500+372.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD20E65E7XKSA1 Infineon-IDWD20E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59c6e758e7
IDWD20E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 108A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 74ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.05 грн
10+135.12 грн
100+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+309.10 грн
10+214.60 грн
100+146.60 грн
500+100.05 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description 59961.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.36 грн
10+149.25 грн
50+122.76 грн
100+109.89 грн
250+99.16 грн
500+94.62 грн
1000+92.35 грн
2500+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 3934896.pdf
IPT014N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+578.46 грн
10+400.95 грн
100+298.50 грн
500+254.22 грн
1000+230.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N10N5ATMA1 3934896.pdf
IPT014N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+400.95 грн
100+298.50 грн
500+254.22 грн
1000+230.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 4092645.pdf
SP4900111XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+396.53 грн
10+340.01 грн
25+322.35 грн
50+287.84 грн
100+255.86 грн
250+246.02 грн
500+236.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SP4900111XTMA2 4092645.pdf
SP4900111XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+255.86 грн
250+246.02 грн
500+236.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description 60011.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+201.36 грн
25+177.51 грн
50+163.19 грн
100+149.12 грн
250+146.85 грн
500+146.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.23 грн
500+162.37 грн
1000+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1 4098627.pdf
BSC160N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.00 грн
500+117.27 грн
1000+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1 4098627.pdf
BSC160N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.62 грн
10+171.33 грн
100+136.00 грн
500+117.27 грн
1000+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+367.39 грн
10+263.18 грн
100+187.23 грн
500+162.37 грн
1000+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF 44122.pdf
IRF6785MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF 44122.pdf
IRF6785MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5H1BN6E6327XTSA1 INFN-S-A0004843243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA5H1BN6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.63 грн
24+36.83 грн
100+31.79 грн
500+26.57 грн
1000+23.16 грн
2500+21.04 грн
5000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BGA5H1BN6E6327XTSA1 INFN-S-A0004843243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA5H1BN6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.79 грн
500+26.57 грн
1000+23.16 грн
2500+21.04 грн
5000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904E6327HTSA1 1932449.pdf
SMBT3904E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+16.69 грн
94+9.45 грн
250+7.22 грн
1000+4.26 грн
27000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF 610313.pdf
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF INFN-S-A0012838366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.56 грн
250+68.00 грн
1000+45.68 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70BFI010 2330416.pdf
S29AL008J70BFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70BFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, CFI, parallel, FBGA, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+219.02 грн
10+205.77 грн
25+195.17 грн
50+178.77 грн
100+161.99 грн
250+141.55 грн
500+139.28 грн
1000+127.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49655MXTSA1 INFN-S-A0002787041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI49655MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.64 грн
38+23.49 грн
100+20.84 грн
500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TLI49655MXTSA1 INFN-S-A0002787041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI49655MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.84 грн
500+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTSA1 3166332.pdf
TLI493DW2BWA0XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA0XTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: SG-WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.26 грн
250+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 390 391 392 393 394 395 396 397 398 399 400 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]