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BSC0906NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY2305SXI-1 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Bauform - Takt-IC: SOIC Frequenz: 133.33MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Takt-IC: Taktpuffer Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R1K4C6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R210PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 64W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R210PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R950C6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 49W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TT425N18KOFHPSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, ModultariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 800A Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 250mA productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB083N15N5LFATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB083N15N5LFATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD20E65E7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 108A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 74ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2104SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPT014N10N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPT014N10N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SP4900111XTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSPtariffCode: 85423190 Genauigkeit: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Druckmessung: Absolutdruck usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebsdruck, max.: 920kPa Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP Bauform - Sensor: DSOSP euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Sensorausgang: Digital Betriebsdruck, min.: 100kPa Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckanschluss: - Versorgungsspannung, max.: 3.6V Medium: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Ausgangsschnittstelle: I2C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SP4900111XTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSPtariffCode: 85423190 Genauigkeit: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Druckmessung: Absolutdruck usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebsdruck, max.: 920kPa Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP Bauform - Sensor: DSOSP euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Sensorausgang: Digital Betriebsdruck, min.: 100kPa Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckanschluss: - Versorgungsspannung, max.: 3.6V Medium: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Ausgangsschnittstelle: I2C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IR2181SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET DRIVER HIGH/LOW SIDE, 2181tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC110N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC110N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF6785MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
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IRF6785MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
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BGA5H1BN6E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.7dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 18.1dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 2.3GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 2.69GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BGA5H1BN6E6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.7dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 18.1dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 2.3GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 2.69GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMBT3904E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF9310TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF9310TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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S29AL008J70BFI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29AL008J70BFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, CFI, parallel, FBGA, 48 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI49655MXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Unipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.0075T Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI49655MXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Unipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.0075T Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI493DW2BWA0XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA0XTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °CtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor rohsCompliant: YES Sensortyp: Energiesparend hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB Bauform - Sensor: SG-WFWLB euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI49611MXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI49611MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Latch, bipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.002T Anzahl der Pins: 3 Pins Sensorausgang: Digital Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 32V Betriebstemperatur, max.: 125°C Ausgangsschnittstelle: Open-Drain Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI493DW2BWA3XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA3XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °CtariffCode: 85423190 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor rohsCompliant: YES Sensortyp: Energiesparend hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB Bauform - Sensor: WFWLB euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI4971EVAL120ATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI4971EVAL120ATOBO1 - Evaluationsboard, TLI4971-A120T5-E0001, Stromsensor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLI4971-A120T5-E0001 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Stromsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLI4971 rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLI493DW2BWA3XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA3XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °CtariffCode: 85423190 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor rohsCompliant: YES Sensortyp: Energiesparend hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB Bauform - Sensor: WFWLB euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRS21814STR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRS21814STR - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 2 Kanäle, NSOIC-14, 10V bis 20VtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: CMOS, TTL MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY9BF568RPMC-G-MNE2 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY9BF568RPMC-G-MNE2 - ARM-MCU, FM4 Family MB9B560R Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 1 MBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: LQFP usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 24Kanäle Programmspeichergröße: 1MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 160MHz euEccn: NLR MCU-Familie: FM4 RAM-Speichergröße: 128KB MCU-Baureihe: MB9B560R Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s) Anzahl der Pins: 120Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: FM4 Family MB9B560R Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF9388TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IM72D128VV01XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IM72D128VV01XTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, VUI, LLGA, 5 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Audiosteuerung: MEMS-Mikrofon Versorgungsspannung: 1.62V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: VUI Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Bauform - Audio-IC: LLGA Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IM72D128VV01XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IM72D128VV01XTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, VUI, LLGA, 5 Pin(s), -40 °CtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: XENSIV Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD90P04P4L04ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD90P04P4L04ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1 - Debugger, Miniwiggler, Motorsteuerung/-treiber, 30MHztariffCode: 84719000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Lieferumfang des Kits: MiniWiggler DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1 euEccn: NLR Prozessorserie: - Merkmale: Taktrate bis 30MHz, USB 2.0, USB, JTAG- und DAP/SPD-Hotplug- und -Unplug-Funktion, 3 boardinterne Status-LEDs hazardous: false IC-Produkttyp: Debugger rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IKWH50N65WR6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKWH50N65WR6XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.55 V, 205 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256SAGMFM000 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 256Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit Speichergröße: 256Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256SAGNFI011 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: WSON IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 256Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit Speichergröße: 256Mbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256SAGBHI300 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGBHI300 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: BGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 256Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit Speichergröße: 256Mbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FS256SDSNFI000 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS256SDSNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 80MHz, WSON-8tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: WSON IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 256Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 80MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 80MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit Speichergröße: 256Mbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256LDPNFI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256LDPNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 66MHz, WSON-8tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: WSON IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 256Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 66MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 66MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit Speichergröße: 256Mbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256SAGMFNG00 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFNG00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 256Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit Speichergröße: 256Mbit Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BSC0906NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 13.87 грн |
| CY2305SXI-1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY2305SXI-1 - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-133.33MHz, 5 Ausgänge, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 133.33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 263.27 грн |
| 10+ | 177.88 грн |
| 25+ | 168.99 грн |
| 50+ | 148.66 грн |
| 100+ | 134.94 грн |
| 250+ | 129.60 грн |
| 500+ | 121.21 грн |
| IPD60R145CFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 129.85 грн |
| 500+ | 100.76 грн |
| 1000+ | 92.24 грн |
| IPD60R145CFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 241.92 грн |
| 10+ | 176.10 грн |
| 100+ | 129.85 грн |
| 500+ | 100.76 грн |
| 1000+ | 92.24 грн |
| IPD60R1K4C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.54 грн |
| 500+ | 30.97 грн |
| 1000+ | 27.98 грн |
| 5000+ | 27.37 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.74 грн |
| 500+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 44.29 грн |
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 67.86 грн |
| 15+ | 60.66 грн |
| 100+ | 56.74 грн |
| 500+ | 48.23 грн |
| 1000+ | 44.29 грн |
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.74 грн |
| 50+ | 39.85 грн |
| 100+ | 28.99 грн |
| 500+ | 22.55 грн |
| IPD60R1K0CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 63.42 грн |
| 20+ | 45.09 грн |
| 100+ | 29.62 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 16.70 грн |
| 5000+ | 12.12 грн |
| IPD60R950C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.40 грн |
| IPD60R1K0CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.62 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 16.70 грн |
| 5000+ | 12.12 грн |
| IPD60R1K5CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.19 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.47 грн |
| 500+ | 28.25 грн |
| 1000+ | 20.51 грн |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 77.38 грн |
| 17+ | 52.74 грн |
| 100+ | 36.47 грн |
| 500+ | 28.25 грн |
| 1000+ | 20.51 грн |
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.99 грн |
| 500+ | 22.55 грн |
| TT425N18KOFHPSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TT425N18KOFHPSA2 - Thyristor-Modul, Reihenschaltung - SCRs, 1.4kV, 800A, 7-polig, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 471A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22807.18 грн |
| IPB083N15N5LFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.09 грн |
| 10+ | 387.78 грн |
| 100+ | 313.96 грн |
| 500+ | 238.68 грн |
| IPB083N15N5LFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 387.78 грн |
| 100+ | 313.96 грн |
| 500+ | 238.68 грн |
| IDWD20E65E7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 108A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 74ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 108A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 74ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 250.81 грн |
| 10+ | 136.08 грн |
| 100+ | 110.29 грн |
| IPP60R199CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 311.29 грн |
| 10+ | 216.13 грн |
| 100+ | 147.64 грн |
| 500+ | 100.76 грн |
| 1000+ | 86.91 грн |
| IR2104SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 156.54 грн |
| 10+ | 124.52 грн |
| 50+ | 106.73 грн |
| 100+ | 96.63 грн |
| 250+ | 87.67 грн |
| 500+ | 85.38 грн |
| 1000+ | 84.62 грн |
| 2500+ | 83.10 грн |
| IPT014N10N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 582.56 грн |
| 10+ | 403.79 грн |
| 100+ | 300.62 грн |
| 500+ | 256.02 грн |
| 1000+ | 231.76 грн |
| IPT014N10N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 403.79 грн |
| 100+ | 300.62 грн |
| 500+ | 256.02 грн |
| 1000+ | 231.76 грн |
| SP4900111XTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 399.35 грн |
| 10+ | 342.42 грн |
| 25+ | 324.64 грн |
| 50+ | 289.88 грн |
| 100+ | 257.68 грн |
| 250+ | 247.76 грн |
| 500+ | 237.85 грн |
| SP4900111XTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SP4900111XTMA2 - Drucksensor, Absolutdruck, 100 kPa, 920 kPa, 3.6 V, DSOSP
tariffCode: 85423190
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 920kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: DSOSP
Bauform - Sensor: DSOSP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 100kPa
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Medium: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 257.68 грн |
| 250+ | 247.76 грн |
| 500+ | 237.85 грн |
| IR2181SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET DRIVER HIGH/LOW SIDE, 2181
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET DRIVER HIGH/LOW SIDE, 2181
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.91 грн |
| 10+ | 190.33 грн |
| 25+ | 170.77 грн |
| 50+ | 156.92 грн |
| 100+ | 142.56 грн |
| 250+ | 139.51 грн |
| 500+ | 137.22 грн |
| 1000+ | 134.17 грн |
| BSC110N15NS5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 188.56 грн |
| 500+ | 163.52 грн |
| 1000+ | 142.56 грн |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 136.97 грн |
| 500+ | 118.10 грн |
| 1000+ | 105.97 грн |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
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Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
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Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.25 грн |
| 10+ | 172.55 грн |
| 100+ | 136.97 грн |
| 500+ | 118.10 грн |
| 1000+ | 105.97 грн |
| BSC110N15NS5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
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Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 370.00 грн |
| 10+ | 265.04 грн |
| 100+ | 188.56 грн |
| 500+ | 163.52 грн |
| 1000+ | 142.56 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| BGA5H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.94 грн |
| 24+ | 37.09 грн |
| 100+ | 32.02 грн |
| 500+ | 26.76 грн |
| 1000+ | 23.33 грн |
| 2500+ | 21.19 грн |
| 5000+ | 20.74 грн |
| BGA5H1BN6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BGA5H1BN6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.69GHz, 18.1dB Verstärkung, 0.7dB Rauschmaß, 1.5V bis 3.6V, TSNP-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 18.1dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 2.69GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.02 грн |
| 500+ | 26.76 грн |
| 1000+ | 23.33 грн |
| 2500+ | 21.19 грн |
| 5000+ | 20.74 грн |
| SMBT3904E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 24.10 грн |
| 54+ | 16.63 грн |
| 250+ | 10.58 грн |
| 1000+ | 4.74 грн |
| 27000+ | 2.60 грн |
| IRF9310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 38.78 грн |
| IRF9310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S29AL008J70BFI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70BFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, CFI, parallel, FBGA, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S29AL008J70BFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, CFI, parallel, FBGA, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 220.57 грн |
| 10+ | 207.23 грн |
| 25+ | 196.56 грн |
| 50+ | 180.04 грн |
| 100+ | 163.14 грн |
| 250+ | 142.56 грн |
| 500+ | 140.27 грн |
| 1000+ | 128.84 грн |
| TLI49655MXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 27.84 грн |
| 38+ | 23.66 грн |
| 100+ | 20.99 грн |
| 500+ | 17.59 грн |
| TLI49655MXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI49655MXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0075 T, 0.005 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Unipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.005T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0075T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.99 грн |
| 500+ | 17.59 грн |
| TLI493DW2BWA0XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA0XTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: SG-WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA0XTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: SG-WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.77 грн |
| 250+ | 63.28 грн |
| TLI49611MXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI49611MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Latch, bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI49611MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Latch, bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.10 грн |
| 500+ | 18.50 грн |
| 1000+ | 16.31 грн |
| 2500+ | 15.55 грн |
| 5000+ | 13.49 грн |
| TLI493DW2BWA3XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA3XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423190
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA3XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423190
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 104.06 грн |
| 11+ | 84.85 грн |
| 50+ | 79.16 грн |
| 100+ | 69.29 грн |
| 250+ | 61.22 грн |
| 500+ | 58.24 грн |
| 1000+ | 56.19 грн |
| 2500+ | 53.97 грн |
| TLI4971EVAL120ATOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4971EVAL120ATOBO1 - Evaluationsboard, TLI4971-A120T5-E0001, Stromsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLI4971-A120T5-E0001
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Stromsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLI4971
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI4971EVAL120ATOBO1 - Evaluationsboard, TLI4971-A120T5-E0001, Stromsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLI4971-A120T5-E0001
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Stromsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLI4971
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7902.42 грн |
| TLI493DW2BWA3XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA3XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423190
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLI493DW2BWA3XTMA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, WFWLB, 5 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423190
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: WFWLB
Bauform - Sensor: WFWLB
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 69.29 грн |
| 250+ | 61.22 грн |
| 500+ | 58.24 грн |
| 1000+ | 56.19 грн |
| 2500+ | 53.97 грн |
| AUIRS21814STR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS21814STR - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 2 Kanäle, NSOIC-14, 10V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRS21814STR - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 2 Kanäle, NSOIC-14, 10V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 385.12 грн |
| 10+ | 257.04 грн |
| 25+ | 238.36 грн |
| 50+ | 203.99 грн |
| 100+ | 164.67 грн |
| 250+ | 156.28 грн |
| 500+ | 140.27 грн |
| 1000+ | 118.93 грн |
| CY9BF568RPMC-G-MNE2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY9BF568RPMC-G-MNE2 - ARM-MCU, FM4 Family MB9B560R Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: FM4
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: MB9B560R
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 120Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: FM4 Family MB9B560R Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY9BF568RPMC-G-MNE2 - ARM-MCU, FM4 Family MB9B560R Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: FM4
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: MB9B560R
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 120Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: FM4 Family MB9B560R Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSIO, I2C, LIN, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1343.01 грн |
| 10+ | 1062.85 грн |
| IRF9388TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.30 грн |
| 250+ | 36.91 грн |
| 1000+ | 23.95 грн |
| IM72D128VV01XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM72D128VV01XTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, VUI, LLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Audiosteuerung: MEMS-Mikrofon
Versorgungsspannung: 1.62V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: VUI
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Audio-IC: LLGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IM72D128VV01XTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, VUI, LLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Audiosteuerung: MEMS-Mikrofon
Versorgungsspannung: 1.62V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: VUI
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Audio-IC: LLGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 173.44 грн |
| 10+ | 142.31 грн |
| 50+ | 123.63 грн |
| 100+ | 107.36 грн |
| 250+ | 92.24 грн |
| 500+ | 86.15 грн |
| 1000+ | 81.57 грн |
| 2500+ | 80.05 грн |
| IM72D128VV01XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM72D128VV01XTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, VUI, LLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IM72D128VV01XTMA1 - Audiosteuerung, MEMS-Mikrofon, 1.62V bis 3.6V, VUI, LLGA, 5 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.36 грн |
| 250+ | 92.24 грн |
| 500+ | 86.15 грн |
| 1000+ | 81.57 грн |
| 2500+ | 80.05 грн |
| IPD90P04P4L04ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.30 грн |
| 50+ | 126.30 грн |
| 100+ | 117.40 грн |
| 500+ | 101.58 грн |
| 1000+ | 86.15 грн |
| IPD90P04P4L04ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.40 грн |
| 500+ | 101.58 грн |
| 1000+ | 86.15 грн |
| DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1 - Debugger, Miniwiggler, Motorsteuerung/-treiber, 30MHz
tariffCode: 84719000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: MiniWiggler DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Merkmale: Taktrate bis 30MHz, USB 2.0, USB, JTAG- und DAP/SPD-Hotplug- und -Unplug-Funktion, 3 boardinterne Status-LEDs
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1 - Debugger, Miniwiggler, Motorsteuerung/-treiber, 30MHz
tariffCode: 84719000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: MiniWiggler DAPMINIWIGGLERUSBTOBO1
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Merkmale: Taktrate bis 30MHz, USB 2.0, USB, JTAG- und DAP/SPD-Hotplug- und -Unplug-Funktion, 3 boardinterne Status-LEDs
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| IKWH50N65WR6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH50N65WR6XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.55 V, 205 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKWH50N65WR6XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.55 V, 205 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 320.19 грн |
| 10+ | 176.10 грн |
| 100+ | 143.20 грн |
| S25FL256SAGMFM000 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFM000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 459.83 грн |
| 10+ | 428.70 грн |
| 25+ | 415.36 грн |
| 50+ | 376.60 грн |
| 100+ | 338.48 грн |
| S25FL256SAGNFI011 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 371.77 грн |
| 10+ | 342.42 грн |
| 25+ | 332.64 грн |
| 50+ | 294.01 грн |
| 100+ | 261.49 грн |
| 250+ | 257.68 грн |
| 500+ | 250.05 грн |
| S25FL256SAGBHI300 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGBHI300 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL256SAGBHI300 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 347.76 грн |
| 10+ | 323.75 грн |
| 25+ | 314.85 грн |
| 50+ | 284.93 грн |
| 100+ | 257.68 грн |
| 250+ | 246.24 грн |
| 500+ | 240.14 грн |
| S25FS256SDSNFI000 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS256SDSNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 80MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FS256SDSNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 80MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 301.51 грн |
| 10+ | 299.73 грн |
| 25+ | 279.28 грн |
| 50+ | 251.89 грн |
| 100+ | 221.84 грн |
| S25FL256LDPNFI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256LDPNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 66MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL256LDPNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 66MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 315.74 грн |
| 10+ | 283.72 грн |
| 25+ | 267.71 грн |
| 50+ | 241.16 грн |
| 100+ | 211.93 грн |
| 250+ | 203.55 грн |
| S25FL256SAGMFNG00 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFNG00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFNG00 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 407.35 грн |
| 10+ | 328.19 грн |
| 25+ | 305.96 грн |
| 50+ | 275.84 грн |
| 100+ | 235.57 грн |
| 250+ | 229.47 грн |
| 500+ | 226.42 грн |

































