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IRLS3036TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLS3034TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPW60R016CM8XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 521W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4247AZI-M485 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-M485 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-64tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 128KB MPU-Familie: PSoC 4 Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C42xx CPU-Geschwindigkeit: 48MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: PSoC 4200M Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML2060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF013N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 232A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPF013N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 232A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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ITS4075QEPDXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ITS4075QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 4.1A, 0.075 Ohm, TSDSO-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.075ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 4.1A IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 24V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ITS4075QEPDXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ITS4075QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 4.1A, 0.075 Ohm, TSDSO-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.075ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 4.1A IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 24V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE4241SYSSHIELDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4241SYSSHIELDTOBO1 - Shield-Board, TLE4241GM, 8V bis 40Vin, 16Vout, 0.325A, linear, PWM tariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Arduino- und Evaluationsboard-Shield TLE4241GM hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausgangsstrom: 32.5mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 16V Core-Chip: TLE4241GM Eingangsspannung, max.: 40V Dimmsteuerung: PWM euEccn: NLR Bausteintopologie: Linear Eingangsspannung, min.: 8V Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6402ELE6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6402ELE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, TSLP-2-19, 2 Pins, 0.23 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-19 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.23pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.85ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6402ELE6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6402ELE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, TSLP-2-19, 2 Pins, 0.23 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-19 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.23pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.85ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4024LQI-S411 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S411 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 2KB MCU-Baureihe: CY8C40xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1021DV33-10VXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1020DV33-10ZSXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Kbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 512Kbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1041GE30-10ZSXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1049GN-10VXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049GN-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1049GN30-10ZSXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1061G30-10BV1XI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1061G30-10BVJXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1041GN30-10BVJXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1049G-10VXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049G-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1061G30-10BVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR5505TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 67975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR3636TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4146LQI-S433 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 40Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4146AZI-S423 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Programmspeichergröße: 64KB MPU-Familie: PSoC 4 Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: CY8C41xx CPU-Geschwindigkeit: 48MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: PSoC 4100S Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Bauform - MPU: TQFP Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+ SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4124LQI-443T | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 4KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 40Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR9343TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML0100TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMBG120R008M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 189A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMBG120R008M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 189A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUAN04S7N004AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC0403NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC0403NSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCV61CE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mWtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRS2181STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRS2183STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1ED3320MC12NXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423919 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3.3A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 86ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1EDI3050ASXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 4.55V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS euEccn: NLR Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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XMC7100-F100K4160AA | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 BitADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+ hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 37Kanäle Programmspeichergröße: 4MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 250MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC7000 RAM-Speichergröße: 768KB MCU-Baureihe: XMC7100 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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XMC7100D-F100K4160AA | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 BitADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+ hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 37Kanäle Programmspeichergröße: 4MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 250MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC7000 RAM-Speichergröße: 768KB MCU-Baureihe: XMC7100 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE5009A16DE2210XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16tariffCode: 90318080 rohsCompliant: YES Sensortyp: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Magnetfeld, max.: 0.06T MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: SOIC Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance) Bauform - Sensor: SOIC euEccn: NLR Magnetfeld, min.: 0.024T Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE5009A16DE2210XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16tariffCode: 90318080 rohsCompliant: YES Sensortyp: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Magnetfeld, max.: 0.06T MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: SOIC Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance) Bauform - Sensor: SOIC euEccn: NLR Magnetfeld, min.: 0.024T Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IPB80N08S207ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS7004E6433HTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS7004E6433HTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUC45N04S6N070HATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 41W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDH08G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C65634-28LTXC | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 5A991.b.4.b Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: USB-Hub-Controller Anzahl der Pins: 28Pin(s) Übertragungsrate: 480Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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FM25040B-G | INFINEON |
Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 4Kbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-TagtariffCode: 85437090 Prozessorkern: NBT2000 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel euEccn: NLR Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-TagtariffCode: 85437090 Prozessorkern: NBT2000 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFS4229TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFS4115TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFS4615TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRLS3036TRLPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 147.19 грн |
| 500+ | 112.70 грн |
| 1000+ | 85.58 грн |
| IRLS3034TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 128.25 грн |
| IPW60R016CM8XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 925.31 грн |
| 5+ | 869.36 грн |
| 10+ | 812.55 грн |
| 50+ | 703.36 грн |
| CY8C4247AZI-M485 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-M485 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-64
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4200M
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-M485 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-64
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 51I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4200M
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 428.66 грн |
| IRLML2060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.17 грн |
| 500+ | 8.79 грн |
| 1000+ | 7.27 грн |
| 5000+ | 5.87 грн |
| IPF013N04NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 85.99 грн |
| 500+ | 69.30 грн |
| IPF013N04NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 187.64 грн |
| 10+ | 97.27 грн |
| 100+ | 85.99 грн |
| 500+ | 69.30 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.38 грн |
| 16+ | 55.60 грн |
| 100+ | 45.02 грн |
| 500+ | 38.21 грн |
| 1000+ | 31.65 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.02 грн |
| 500+ | 38.21 грн |
| 1000+ | 31.65 грн |
| IRFZ44ZSTRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFZ44ZSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0111 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| ITS4075QEPDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4075QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 4.1A, 0.075 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ITS4075QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 4.1A, 0.075 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 271.14 грн |
| 10+ | 211.75 грн |
| 25+ | 207.44 грн |
| 50+ | 188.63 грн |
| ITS4075QEPDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS4075QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 4.1A, 0.075 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ITS4075QEPDXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 24V, 4 Ausgänge, 4.1A, 0.075 Ohm, TSDSO-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 4.1A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 211.75 грн |
| 25+ | 207.44 грн |
| 50+ | 188.63 грн |
| TLE4241SYSSHIELDTOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4241SYSSHIELDTOBO1 - Shield-Board, TLE4241GM, 8V bis 40Vin, 16Vout, 0.325A, linear, PWM
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Arduino- und Evaluationsboard-Shield TLE4241GM
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 32.5mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 16V
Core-Chip: TLE4241GM
Eingangsspannung, max.: 40V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE4241SYSSHIELDTOBO1 - Shield-Board, TLE4241GM, 8V bis 40Vin, 16Vout, 0.325A, linear, PWM
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Arduino- und Evaluationsboard-Shield TLE4241GM
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 32.5mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 16V
Core-Chip: TLE4241GM
Eingangsspannung, max.: 40V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8350.19 грн |
| BAR6402ELE6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6402ELE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, TSLP-2-19, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6402ELE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, TSLP-2-19, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.99 грн |
| 1000+ | 4.39 грн |
| 5000+ | 3.96 грн |
| BAR6402ELE6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6402ELE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, TSLP-2-19, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6402ELE6327XTMA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, TSLP-2-19, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 12.39 грн |
| 125+ | 6.94 грн |
| 152+ | 5.70 грн |
| 500+ | 4.99 грн |
| 1000+ | 4.39 грн |
| 5000+ | 3.96 грн |
| CY8C4024LQI-S411 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S411 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S411 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.96 грн |
| 10+ | 119.65 грн |
| 25+ | 110.18 грн |
| 50+ | 99.91 грн |
| CY7C1021DV33-10VXI | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 226.38 грн |
| 10+ | 208.30 грн |
| 25+ | 200.56 грн |
| 50+ | 183.83 грн |
| 100+ | 167.48 грн |
| 250+ | 163.05 грн |
| CY7C1020DV33-10ZSXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 512Kbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 512Kbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 484.61 грн |
| 10+ | 451.04 грн |
| 25+ | 438.12 грн |
| 50+ | 396.44 грн |
| 100+ | 345.29 грн |
| 250+ | 340.86 грн |
| CY7C1041GE30-10ZSXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 487.19 грн |
| 10+ | 453.62 грн |
| 25+ | 440.71 грн |
| 50+ | 398.84 грн |
| 100+ | 355.62 грн |
| 250+ | 346.76 грн |
| CY7C1049GN-10VXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1049GN-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 674.83 грн |
| 10+ | 590.48 грн |
| 25+ | 488.91 грн |
| 50+ | 407.63 грн |
| 100+ | 346.76 грн |
| 250+ | 323.89 грн |
| CY7C1049GN30-10ZSXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 475.14 грн |
| 10+ | 430.38 грн |
| 25+ | 421.77 грн |
| 50+ | 369.26 грн |
| 100+ | 332.74 грн |
| 250+ | 323.89 грн |
| CY7C1061G30-10BV1XI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2045.16 грн |
| 5+ | 1968.55 грн |
| 10+ | 1891.08 грн |
| 25+ | 1671.28 грн |
| 50+ | 1503.62 грн |
| CY7C1061G30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2095.08 грн |
| 5+ | 1996.95 грн |
| 10+ | 1897.97 грн |
| 25+ | 1639.31 грн |
| 50+ | 1412.87 грн |
| CY7C1041GN30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 674.83 грн |
| 10+ | 590.48 грн |
| 25+ | 488.91 грн |
| 50+ | 407.63 грн |
| 100+ | 346.76 грн |
| 250+ | 323.89 грн |
| CY7C1049G-10VXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049G-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1049G-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 685.16 грн |
| 10+ | 599.95 грн |
| 25+ | 496.66 грн |
| 50+ | 414.02 грн |
| 100+ | 352.66 грн |
| 250+ | 329.05 грн |
| CY7C1061G30-10BVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2521.15 грн |
| 5+ | 2478.98 грн |
| 10+ | 2435.94 грн |
| IRFR5505TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.48 грн |
| 50+ | 46.22 грн |
| 100+ | 42.18 грн |
| 500+ | 35.41 грн |
| 1000+ | 29.73 грн |
| IRLR3636TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 64.04 грн |
| 500+ | 52.19 грн |
| 1000+ | 46.78 грн |
| 5000+ | 38.73 грн |
| CY8C4146LQI-S433 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 172.15 грн |
| 10+ | 163.54 грн |
| 25+ | 154.08 грн |
| 50+ | 135.08 грн |
| CY8C4146AZI-S423 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 64KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 64KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 303.85 грн |
| 10+ | 189.37 грн |
| CY8C4124LQI-443T |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 267.70 грн |
| 10+ | 202.28 грн |
| 25+ | 179.90 грн |
| 50+ | 153.46 грн |
| 100+ | 132.06 грн |
| 250+ | 124.69 грн |
| 500+ | 118.05 грн |
| 1000+ | 117.31 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 70.15 грн |
| 250+ | 48.89 грн |
| 1000+ | 32.29 грн |
| 3000+ | 24.05 грн |
| IRLML0100TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.33 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 10.70 грн |
| 5000+ | 8.26 грн |
| IMBG120R008M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2156.19 грн |
| 50+ | 2001.38 грн |
| 100+ | 1727.17 грн |
| IMBG120R008M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2823.28 грн |
| 5+ | 2490.17 грн |
| 10+ | 2156.19 грн |
| 50+ | 2001.38 грн |
| 100+ | 1727.17 грн |
| IAUAN04S7N004AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 183.34 грн |
| 500+ | 151.86 грн |
| 1000+ | 132.80 грн |
| BSC0403NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 253.92 грн |
| 10+ | 187.64 грн |
| 100+ | 148.91 грн |
| 500+ | 117.49 грн |
| 1000+ | 106.24 грн |
| 2000+ | 103.29 грн |
| 5000+ | 97.39 грн |
| BSC0403NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 148.91 грн |
| 500+ | 117.49 грн |
| 1000+ | 106.24 грн |
| 2000+ | 103.29 грн |
| 5000+ | 97.39 грн |
| BCV61CE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.76 грн |
| 250+ | 12.31 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| 5000+ | 6.65 грн |
| IRS2181STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 82.33 грн |
| 250+ | 71.42 грн |
| 500+ | 68.39 грн |
| 1000+ | 66.18 грн |
| IRS2183STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.53 грн |
| 250+ | 71.05 грн |
| 500+ | 68.02 грн |
| 1000+ | 65.81 грн |
| 2500+ | 62.49 грн |
| 1ED3320MC12NXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 266.83 грн |
| 10+ | 200.56 грн |
| 25+ | 184.20 грн |
| 50+ | 162.25 грн |
| 100+ | 141.66 грн |
| 250+ | 135.02 грн |
| 500+ | 129.85 грн |
| 1EDI3050ASXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 4.55V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 4.55V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 389.92 грн |
| 25+ | 360.66 грн |
| 50+ | 320.51 грн |
| 100+ | 281.84 грн |
| 250+ | 267.82 грн |
| 500+ | 260.44 грн |
| 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10880.81 грн |
| XMC7100-F100K4160AA |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1276.50 грн |
| 10+ | 1142.22 грн |
| 25+ | 972.65 грн |
| 50+ | 902.38 грн |
| 100+ | 832.23 грн |
| XMC7100D-F100K4160AA |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1373.77 грн |
| 10+ | 1242.93 грн |
| 25+ | 1180.96 грн |
| 50+ | 1039.06 грн |
| 100+ | 906.01 грн |
| TLE5009A16DE2210XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 423.49 грн |
| 10+ | 377.01 грн |
| 25+ | 353.77 грн |
| TLE5009A16DE2210XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IPB80N08S207ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 248.76 грн |
| 500+ | 211.81 грн |
| BAS7004E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.07 грн |
| 61+ | 14.29 грн |
| 100+ | 8.95 грн |
| 500+ | 5.66 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| 5000+ | 3.76 грн |
| BAS7004E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.66 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| 5000+ | 3.76 грн |
| IAUC45N04S6N070HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 106.73 грн |
| 12+ | 72.30 грн |
| 100+ | 55.00 грн |
| 500+ | 37.49 грн |
| 1000+ | 31.43 грн |
| 5000+ | 25.60 грн |
| IDH08G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 278.02 грн |
| 10+ | 234.13 грн |
| 100+ | 178.18 грн |
| CY7C65634-28LTXC |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FM25040B-G |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 148.91 грн |
| 10+ | 137.72 грн |
| 25+ | 133.42 грн |
| 50+ | 123.09 грн |
| 100+ | 112.88 грн |
| 250+ | 112.14 грн |
| 500+ | 111.41 грн |
| NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4597.30 грн |
| NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12428.45 грн |
| IRFS4229TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 156.66 грн |
| 250+ | 141.66 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 134.28 грн |
| 250+ | 121.74 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.43 грн |
| 250+ | 55.70 грн |





































