Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 391 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f description Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.75 грн
50+62.08 грн
100+46.03 грн
500+33.46 грн
1000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.82 грн
500+57.42 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQI-S433 CY8C4146LQI-S433 INFINEON infineon-psoc-4-psoc-4100s-datasheet-programmable-system-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integratio Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.80 грн
10+155.61 грн
25+146.60 грн
50+128.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZI-S423 CY8C4146AZI-S423 INFINEON INFN-S-A0018352244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 64KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.11 грн
10+180.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4124LQI-443T CY8C4124LQI-443T INFINEON CYPR-S-A0003980258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.71 грн
10+192.46 грн
25+171.17 грн
50+146.02 грн
100+125.66 грн
250+118.64 грн
500+112.32 грн
1000+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF INFINEON IRSDS10976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.75 грн
250+46.52 грн
1000+30.72 грн
3000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.53 грн
500+12.55 грн
1000+10.46 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2051.60 грн
50+1904.29 грн
100+1643.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2686.32 грн
5+2369.37 грн
10+2051.60 грн
50+1904.29 грн
100+1643.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1 IAUAN04S7N004AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212 Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.45 грн
500+144.50 грн
1000+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 INFINEON 3097835.pdf Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.60 грн
10+178.54 грн
100+141.69 грн
500+111.79 грн
1000+101.09 грн
2000+98.28 грн
5000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 INFINEON 3097835.pdf Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.69 грн
500+111.79 грн
1000+101.09 грн
2000+98.28 грн
5000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327HTSA1 BCV61CE6327HTSA1 INFINEON 2331321.pdf Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.85 грн
250+11.71 грн
1000+7.51 грн
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF IRS2181STRPBF INFINEON 844875.pdf Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.33 грн
250+67.95 грн
500+65.08 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2183STRPBF IRS2183STRPBF INFINEON 844888.pdf Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.57 грн
250+67.60 грн
500+64.72 грн
1000+62.62 грн
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 1ED3320MC12NXUMA1 INFINEON 4098588.pdf Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.89 грн
10+190.83 грн
25+175.27 грн
50+154.38 грн
100+134.78 грн
250+128.47 грн
500+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3050ASXUMA1 1EDI3050ASXUMA1 INFINEON 4130656.pdf Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 4.55V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+371.01 грн
25+343.16 грн
50+304.96 грн
100+268.16 грн
250+254.83 грн
500+247.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10352.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100-F100K4160AA XMC7100-F100K4160AA INFINEON 3795158.pdf Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1214.58 грн
10+1086.81 грн
25+925.47 грн
50+858.60 грн
100+791.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100D-F100K4160AA XMC7100D-F100K4160AA INFINEON 3795158.pdf Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.12 грн
10+1182.64 грн
25+1123.67 грн
50+988.65 грн
100+862.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 TLE5009A16DE2210XUMA1 INFINEON 2343216.pdf Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+402.95 грн
10+358.72 грн
25+336.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 TLE5009A16DE2210XUMA1 INFINEON 2343216.pdf Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.69 грн
500+201.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.41 грн
55+15.07 грн
100+9.42 грн
500+6.50 грн
1000+4.72 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.50 грн
1000+4.72 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2 Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.67 грн
11+79.36 грн
100+52.83 грн
500+35.59 грн
1000+29.84 грн
5000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1 IDH08G120C5XKSA1 INFINEON 3929311.pdf Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.54 грн
10+222.77 грн
100+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-28LTXC CY7C65634-28LTXC INFINEON INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-G FM25040B-G INFINEON CYPR-S-A0011126796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
10+103.19 грн
25+98.28 грн
50+90.50 грн
100+82.84 грн
250+82.13 грн
500+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 INFINEON 4384461.pdf Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4277.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 INFINEON 4384460.pdf Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
euEccn: NLR
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10598.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.06 грн
250+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.76 грн
250+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.49 грн
250+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF INFINEON IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.89 грн
10+411.14 грн
25+382.47 грн
50+339.94 грн
100+299.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 BGT24ATR22E6433XUMA1 INFINEON 4379514.pdf Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.06 грн
10+766.58 грн
25+727.27 грн
50+645.66 грн
100+568.62 грн
250+558.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.18 грн
10+130.22 грн
100+90.91 грн
500+62.59 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.91 грн
500+62.59 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.70 грн
10+108.11 грн
100+83.54 грн
500+65.40 грн
1000+56.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.66 грн
50+201.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.90 грн
10+108.93 грн
100+72.89 грн
500+54.53 грн
1000+47.10 грн
5000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.86 грн
21+39.80 грн
100+27.03 грн
500+19.24 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.38 грн
10+116.30 грн
100+95.82 грн
500+74.53 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.70 грн
50+110.56 грн
250+89.27 грн
1000+72.48 грн
3000+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.75 грн
10+140.05 грн
100+98.28 грн
500+75.59 грн
1000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.70 грн
10+125.31 грн
100+109.75 грн
500+94.30 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.46 грн
50+131.86 грн
250+108.93 грн
1000+80.61 грн
3000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52 Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.70 грн
10+160.52 грн
100+113.02 грн
500+82.89 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.60 грн
10+162.16 грн
100+117.94 грн
500+91.26 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.60 грн
10+162.16 грн
100+117.94 грн
500+91.26 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52 Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.70 грн
10+160.52 грн
100+113.02 грн
500+82.89 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.00 грн
250+131.98 грн
500+118.64 грн
1000+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.13 грн
10+209.66 грн
25+190.83 грн
50+164.27 грн
100+139.00 грн
250+131.98 грн
500+118.64 грн
1000+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 IM12B20EC1XKMA1 INFINEON 4386888.pdf Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3312.86 грн
5+3073.71 грн
10+2833.74 грн
50+2520.30 грн
100+2108.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 IM12B10CC1XKMA1 INFINEON 4386886.pdf Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 16A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2715.80 грн
5+2539.72 грн
10+2363.63 грн
50+2096.70 грн
100+1730.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 IM12B15CC1XKMA1 INFINEON 4386887.pdf Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 22A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2147.42 грн
5+2080.26 грн
10+2012.28 грн
50+1792.50 грн
100+1598.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 FF600R12ME7B11BPSA1 INFINEON 3517982.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21694.49 грн
5+21260.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.75 грн
50+62.08 грн
100+46.03 грн
500+33.46 грн
1000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.82 грн
500+57.42 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQI-S433 infineon-psoc-4-psoc-4100s-datasheet-programmable-system-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integratio
CY8C4146LQI-S433
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.80 грн
10+155.61 грн
25+146.60 грн
50+128.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZI-S423 INFN-S-A0018352244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4146AZI-S423
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 64KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.11 грн
10+180.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4124LQI-443T CYPR-S-A0003980258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4124LQI-443T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.71 грн
10+192.46 грн
25+171.17 грн
50+146.02 грн
100+125.66 грн
250+118.64 грн
500+112.32 грн
1000+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRSDS10976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR9343TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.75 грн
250+46.52 грн
1000+30.72 грн
3000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.53 грн
500+12.55 грн
1000+10.46 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 4410324.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2051.60 грн
50+1904.29 грн
100+1643.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 4410324.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2686.32 грн
5+2369.37 грн
10+2051.60 грн
50+1904.29 грн
100+1643.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212
IAUAN04S7N004AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+174.45 грн
500+144.50 грн
1000+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 3097835.pdf
BSC0403NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.60 грн
10+178.54 грн
100+141.69 грн
500+111.79 грн
1000+101.09 грн
2000+98.28 грн
5000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 3097835.pdf
BSC0403NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.69 грн
500+111.79 грн
1000+101.09 грн
2000+98.28 грн
5000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327HTSA1 2331321.pdf
BCV61CE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.85 грн
250+11.71 грн
1000+7.51 грн
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF 844875.pdf
IRS2181STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.33 грн
250+67.95 грн
500+65.08 грн
1000+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2183STRPBF 844888.pdf
IRS2183STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.57 грн
250+67.60 грн
500+64.72 грн
1000+62.62 грн
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 4098588.pdf
1ED3320MC12NXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+253.89 грн
10+190.83 грн
25+175.27 грн
50+154.38 грн
100+134.78 грн
250+128.47 грн
500+123.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3050ASXUMA1 4130656.pdf
1EDI3050ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 4.55V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+371.01 грн
25+343.16 грн
50+304.96 грн
100+268.16 грн
250+254.83 грн
500+247.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10352.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100-F100K4160AA 3795158.pdf
XMC7100-F100K4160AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1214.58 грн
10+1086.81 грн
25+925.47 грн
50+858.60 грн
100+791.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100D-F100K4160AA 3795158.pdf
XMC7100D-F100K4160AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1307.12 грн
10+1182.64 грн
25+1123.67 грн
50+988.65 грн
100+862.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 2343216.pdf
TLE5009A16DE2210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.95 грн
10+358.72 грн
25+336.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 2343216.pdf
TLE5009A16DE2210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t
IPB80N08S207ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+236.69 грн
500+201.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 45894.pdf
BAS7004E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.41 грн
55+15.07 грн
100+9.42 грн
500+6.50 грн
1000+4.72 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 45894.pdf
BAS7004E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.50 грн
1000+4.72 грн
5000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2
IAUC45N04S6N070HATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.67 грн
11+79.36 грн
100+52.83 грн
500+35.59 грн
1000+29.84 грн
5000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1 3929311.pdf
IDH08G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.54 грн
10+222.77 грн
100+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-28LTXC INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C65634-28LTXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-G CYPR-S-A0011126796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM25040B-G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.29 грн
10+103.19 грн
25+98.28 грн
50+90.50 грн
100+82.84 грн
250+82.13 грн
500+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 4384461.pdf
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4277.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 4384460.pdf
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
euEccn: NLR
IC-Funktion: NFC/I2C-Brücken-Tag
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10598.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.06 грн
250+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4115TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.76 грн
250+115.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF INFN-S-A0012838730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.49 грн
250+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH7914TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGT24MR2E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+529.89 грн
10+411.14 грн
25+382.47 грн
50+339.94 грн
100+299.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 4379514.pdf
BGT24ATR22E6433XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.06 грн
10+766.58 грн
25+727.27 грн
50+645.66 грн
100+568.62 грн
250+558.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGT24MR2E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
BSC004NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.18 грн
10+130.22 грн
100+90.91 грн
500+62.59 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
BSC004NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.91 грн
500+62.59 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.70 грн
10+108.11 грн
100+83.54 грн
500+65.40 грн
1000+56.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.66 грн
50+201.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.90 грн
10+108.93 грн
100+72.89 грн
500+54.53 грн
1000+47.10 грн
5000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.86 грн
21+39.80 грн
100+27.03 грн
500+19.24 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.38 грн
10+116.30 грн
100+95.82 грн
500+74.53 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.70 грн
50+110.56 грн
250+89.27 грн
1000+72.48 грн
3000+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+204.75 грн
10+140.05 грн
100+98.28 грн
500+75.59 грн
1000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.70 грн
10+125.31 грн
100+109.75 грн
500+94.30 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.46 грн
50+131.86 грн
250+108.93 грн
1000+80.61 грн
3000+73.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.70 грн
10+160.52 грн
100+113.02 грн
500+82.89 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.60 грн
10+162.16 грн
100+117.94 грн
500+91.26 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.60 грн
10+162.16 грн
100+117.94 грн
500+91.26 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.70 грн
10+160.52 грн
100+113.02 грн
500+82.89 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
6ED2742S01QXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.00 грн
250+131.98 грн
500+118.64 грн
1000+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
6ED2742S01QXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.13 грн
10+209.66 грн
25+190.83 грн
50+164.27 грн
100+139.00 грн
250+131.98 грн
500+118.64 грн
1000+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 4386888.pdf
IM12B20EC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3312.86 грн
5+3073.71 грн
10+2833.74 грн
50+2520.30 грн
100+2108.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 4386886.pdf
IM12B10CC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 16A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2715.80 грн
5+2539.72 грн
10+2363.63 грн
50+2096.70 грн
100+1730.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 4386887.pdf
IM12B15CC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 22A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2147.42 грн
5+2080.26 грн
10+2012.28 грн
50+1792.50 грн
100+1598.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 3517982.pdf
FF600R12ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21694.49 грн
5+21260.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]