Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 391 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C1021DV33-10VXI CY7C1021DV33-10VXI INFINEON INFN-S-A0013891107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.92 грн
10+215.24 грн
25+207.23 грн
50+189.95 грн
100+173.05 грн
250+168.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEON Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 512Kbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.74 грн
10+466.05 грн
25+452.71 грн
50+409.64 грн
100+356.78 грн
250+352.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI CY7C1041GE30-10ZSXI INFINEON INFN-S-A0013890948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.41 грн
10+468.72 грн
25+455.38 грн
50+412.12 грн
100+367.45 грн
250+358.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN-10VXIT CY7C1049GN-10VXIT INFINEON CYPR-S-A0011119760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1049GN-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.30 грн
10+610.14 грн
25+505.19 грн
50+421.20 грн
100+358.31 грн
250+334.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT CY7C1049GN30-10ZSXIT INFINEON CYPR-S-A0011119760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.96 грн
10+444.71 грн
25+435.81 грн
50+381.56 грн
100+343.82 грн
250+334.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10BV1XI CY7C1061G30-10BV1XI INFINEON CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2113.24 грн
5+2034.08 грн
10+1954.04 грн
25+1726.92 грн
50+1553.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10BVJXI CY7C1061G30-10BVJXI INFINEON CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2164.83 грн
5+2063.44 грн
10+1961.15 грн
25+1693.88 грн
50+1459.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GN30-10BVJXI CY7C1041GN30-10BVJXI INFINEON 3797008.pdf Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.30 грн
10+610.14 грн
25+505.19 грн
50+421.20 грн
100+358.31 грн
250+334.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G-10VXIT CY7C1049G-10VXIT INFINEON CYPR-S-A0005170120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1049G-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.97 грн
10+619.92 грн
25+513.19 грн
50+427.81 грн
100+364.40 грн
250+340.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10BVXI CY7C1061G30-10BVXI INFINEON CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2605.09 грн
5+2561.51 грн
10+2517.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -18A, TO-252AA-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.29 грн
50+47.76 грн
100+43.58 грн
500+36.59 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.86 грн
500+55.25 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQI-S433 CY8C4146LQI-S433 INFINEON Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.88 грн
10+168.99 грн
25+159.20 грн
50+139.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZI-S423 CY8C4146AZI-S423 INFINEON INFN-S-A0018352244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 64KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.96 грн
10+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4124LQI-443T CY8C4124LQI-443T INFINEON CYPR-S-A0003980258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+276.61 грн
10+209.01 грн
25+185.89 грн
50+158.57 грн
100+136.46 грн
250+128.84 грн
500+121.98 грн
1000+121.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF INFINEON IRSDS10976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.49 грн
250+50.52 грн
1000+33.37 грн
3000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.03 грн
500+13.63 грн
1000+11.36 грн
5000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2227.98 грн
50+2068.01 грн
100+1784.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON 4410324.pdf Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2917.27 грн
5+2573.07 грн
10+2227.98 грн
50+2068.01 грн
100+1784.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1 IAUAN04S7N004AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212 Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+189.44 грн
500+156.92 грн
1000+137.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 INFINEON 3097835.pdf Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.38 грн
10+193.89 грн
100+153.87 грн
500+121.40 грн
1000+109.78 грн
2000+106.73 грн
5000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 INFINEON 3097835.pdf Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.87 грн
500+121.40 грн
1000+109.78 грн
2000+106.73 грн
5000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327HTSA1 BCV61CE6327HTSA1 INFINEON 2331321.pdf Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.39 грн
250+12.72 грн
1000+8.16 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF IRS2181STRPBF INFINEON 844875.pdf Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.07 грн
250+73.80 грн
500+70.67 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2183STRPBF IRS2183STRPBF INFINEON 844888.pdf Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.24 грн
250+73.41 грн
500+70.29 грн
1000+68.00 грн
2500+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 1ED3320MC12NXUMA1 INFINEON 4098588.pdf Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+275.72 грн
10+207.23 грн
25+190.33 грн
50+167.65 грн
100+146.37 грн
250+139.51 грн
500+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3050ASXUMA1 1EDI3050ASXUMA1 INFINEON 4130656.pdf Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 4.55V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+402.90 грн
25+372.66 грн
50+331.18 грн
100+291.22 грн
250+276.73 грн
500+269.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11243.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100-F100K4160AA XMC7100-F100K4160AA INFINEON 3795158.pdf Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1319.00 грн
10+1180.25 грн
25+1005.04 грн
50+932.42 грн
100+859.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100D-F100K4160AA XMC7100D-F100K4160AA INFINEON 3795158.pdf Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1419.50 грн
10+1284.31 грн
25+1220.27 грн
50+1073.65 грн
100+936.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 TLE5009A16DE2210XUMA1 INFINEON 2343216.pdf Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+437.59 грн
10+389.56 грн
25+365.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 TLE5009A16DE2210XUMA1 INFINEON 2343216.pdf Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+257.04 грн
500+218.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.50 грн
55+16.37 грн
100+10.23 грн
500+7.06 грн
1000+5.12 грн
5000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 BAS7004E6433HTMA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.06 грн
1000+5.12 грн
5000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2 Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.29 грн
12+74.71 грн
100+56.83 грн
500+38.73 грн
1000+32.48 грн
5000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1 IDH08G120C5XKSA1 INFINEON 3929311.pdf Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+287.28 грн
10+241.92 грн
100+184.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-28LTXC CY7C65634-28LTXC INFINEON INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-G FM25040B-G INFINEON CYPR-S-A0011126796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
10+112.07 грн
25+106.73 грн
50+98.28 грн
100+89.96 грн
250+89.20 грн
500+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 INFINEON Infineon-OPTIGA_Authenticate_NBT_DSE-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84d5b8d24f50 Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4645.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 INFINEON 4384460.pdf Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12842.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.87 грн
250+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.75 грн
250+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.44 грн
250+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF INFINEON IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.45 грн
10+446.48 грн
25+415.36 грн
50+369.17 грн
100+325.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 BGT24ATR22E6433XUMA1 INFINEON 4379514.pdf Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.90 грн
10+832.49 грн
25+789.80 грн
50+701.17 грн
100+617.51 грн
250+606.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.67 грн
10+141.42 грн
100+98.72 грн
500+67.97 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.72 грн
500+67.97 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.44 грн
10+117.40 грн
100+90.72 грн
500+71.03 грн
1000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+227.69 грн
50+218.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.33 грн
10+118.29 грн
100+79.16 грн
500+59.22 грн
1000+51.15 грн
5000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.23 грн
21+43.23 грн
100+29.35 грн
500+20.89 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.35 грн
10+126.30 грн
100+104.06 грн
500+80.94 грн
1000+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.65 грн
50+120.07 грн
250+96.95 грн
1000+78.71 грн
3000+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.35 грн
10+152.09 грн
100+106.73 грн
500+82.09 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.65 грн
10+136.08 грн
100+119.18 грн
500+102.41 грн
1000+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.23 грн
50+143.20 грн
250+118.29 грн
1000+87.54 грн
3000+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10VXI description INFN-S-A0013891107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1021DV33-10VXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.92 грн
10+215.24 грн
25+207.23 грн
50+189.95 грн
100+173.05 грн
250+168.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1020DV33-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Kbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 512Kbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+500.74 грн
10+466.05 грн
25+452.71 грн
50+409.64 грн
100+356.78 грн
250+352.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI INFN-S-A0013890948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1041GE30-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.41 грн
10+468.72 грн
25+455.38 грн
50+412.12 грн
100+367.45 грн
250+358.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN-10VXIT CYPR-S-A0011119760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1049GN-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+697.30 грн
10+610.14 грн
25+505.19 грн
50+421.20 грн
100+358.31 грн
250+334.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT CYPR-S-A0011119760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1049GN30-10ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+490.96 грн
10+444.71 грн
25+435.81 грн
50+381.56 грн
100+343.82 грн
250+334.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10BV1XI CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1061G30-10BV1XI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2113.24 грн
5+2034.08 грн
10+1954.04 грн
25+1726.92 грн
50+1553.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10BVJXI CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1061G30-10BVJXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVJXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2164.83 грн
5+2063.44 грн
10+1961.15 грн
25+1693.88 грн
50+1459.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GN30-10BVJXI 3797008.pdf
CY7C1041GN30-10BVJXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+697.30 грн
10+610.14 грн
25+505.19 грн
50+421.20 грн
100+358.31 грн
250+334.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G-10VXIT CYPR-S-A0005170120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1049G-10VXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049G-10VXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 4.5V bis 5.5V, SOJ-36
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+707.97 грн
10+619.92 грн
25+513.19 грн
50+427.81 грн
100+364.40 грн
250+340.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10BVXI CYPR-S-A0011122887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1061G30-10BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2605.09 грн
5+2561.51 грн
10+2517.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -18A, TO-252AA-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.29 грн
50+47.76 грн
100+43.58 грн
500+36.59 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.86 грн
500+55.25 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LQI-S433 Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4146LQI-S433
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146LQI-S433 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.88 грн
10+168.99 грн
25+159.20 грн
50+139.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZI-S423 INFN-S-A0018352244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4146AZI-S423
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146AZI-S423 - PROGRAMMIERBARES SOC, 48MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 64KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4100S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.96 грн
10+195.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4124LQI-443T CYPR-S-A0003980258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4124LQI-443T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4124LQI-443T - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.61 грн
10+209.01 грн
25+185.89 грн
50+158.57 грн
100+136.46 грн
250+128.84 грн
500+121.98 грн
1000+121.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRSDS10976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR9343TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.49 грн
250+50.52 грн
1000+33.37 грн
3000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.03 грн
500+13.63 грн
1000+11.36 грн
5000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 4410324.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2227.98 грн
50+2068.01 грн
100+1784.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1 4410324.pdf
IMBG120R008M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2917.27 грн
5+2573.07 грн
10+2227.98 грн
50+2068.01 грн
100+1784.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212
IAUAN04S7N004AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.44 грн
500+156.92 грн
1000+137.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 3097835.pdf
BSC0403NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.38 грн
10+193.89 грн
100+153.87 грн
500+121.40 грн
1000+109.78 грн
2000+106.73 грн
5000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0403NSATMA1 3097835.pdf
BSC0403NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0403NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 11692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.87 грн
500+121.40 грн
1000+109.78 грн
2000+106.73 грн
5000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327HTSA1 2331321.pdf
BCV61CE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV61CE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.39 грн
250+12.72 грн
1000+8.16 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF 844875.pdf
IRS2181STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2181STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung,1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.07 грн
250+73.80 грн
500+70.67 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2183STRPBF 844888.pdf
IRS2183STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2183STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 1.4Aout, 220ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.24 грн
250+73.41 грн
500+70.29 грн
1000+68.00 грн
2500+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 4098588.pdf
1ED3320MC12NXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+275.72 грн
10+207.23 грн
25+190.33 грн
50+167.65 грн
100+146.37 грн
250+139.51 грн
500+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3050ASXUMA1 4130656.pdf
1EDI3050ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3050ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 4.55V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+402.90 грн
25+372.66 грн
50+331.18 грн
100+291.22 грн
250+276.73 грн
500+269.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI303XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11243.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100-F100K4160AA 3795158.pdf
XMC7100-F100K4160AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1319.00 грн
10+1180.25 грн
25+1005.04 грн
50+932.42 грн
100+859.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7100D-F100K4160AA 3795158.pdf
XMC7100D-F100K4160AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7100D-F100K4160AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 37Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: XMC7100
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 72I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7100 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1419.50 грн
10+1284.31 грн
25+1220.27 грн
50+1073.65 грн
100+936.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 2343216.pdf
TLE5009A16DE2210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+437.59 грн
10+389.56 грн
25+365.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16DE2210XUMA1 2343216.pdf
TLE5009A16DE2210XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5009A16DE2210XUMA1 - GMR-Winkelsensor, Analogausgänge, AEC-Q100, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-16
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: 0.06T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.024T
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S207ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N08S2_07_GREEN-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426df983adf&ack=t
IPB80N08S207ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+257.04 грн
500+218.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 45894.pdf
BAS7004E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.50 грн
55+16.37 грн
100+10.23 грн
500+7.06 грн
1000+5.12 грн
5000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6433HTMA1 45894.pdf
BAS7004E6433HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004E6433HTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.06 грн
1000+5.12 грн
5000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2
IAUC45N04S6N070HATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6N070HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+110.29 грн
12+74.71 грн
100+56.83 грн
500+38.73 грн
1000+32.48 грн
5000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G120C5XKSA1 3929311.pdf
IDH08G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+287.28 грн
10+241.92 грн
100+184.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65634-28LTXC INFN-S-A0024277571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C65634-28LTXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65634-28LTXC - USB-Schnittstelle, HX2VL, USB-Hub-Controller, USB 2.0, 4.75 V, 5.25 V, QFN-EP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.b.4.b
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Hub-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-G CYPR-S-A0011126796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM25040B-G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM25040B-G - FRAM, 4kB (512 x 8), SPI, 20MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.51 грн
10+112.07 грн
25+106.73 грн
50+98.28 грн
100+89.96 грн
250+89.20 грн
500+88.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 Infineon-OPTIGA_Authenticate_NBT_DSE-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84d5b8d24f50
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA Authenticate NBT-Shield NBT2000, Host-MCU-Board-Adapter, Shield-Antenne, UMCC/Jumper-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4645.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 4384460.pdf
NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - NBT2000A8K0T4KITV1TOBO1 - Evaluationskit, NBT2000, 13.56MHz, NFC-I2C-Brücken-Tag
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: NBT2000
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: OPTIGA NBT-Shield NBT2000, MCU-Board-Adapter, Prototyping-Kit CY8CPROTO-062S2-43439, Antenne, Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: NFC-I2C-Brücken-Tag
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12842.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+161.87 грн
250+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4115TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.75 грн
250+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF INFN-S-A0012838730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.44 грн
250+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRSDS18739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH7914TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGT24MR2E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+575.45 грн
10+446.48 грн
25+415.36 грн
50+369.17 грн
100+325.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 4379514.pdf
BGT24ATR22E6433XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Frequenzgang HF, max.: 24.25GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+957.90 грн
10+832.49 грн
25+789.80 грн
50+701.17 грн
100+617.51 грн
250+606.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGT24MR2E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 26GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 24GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
BSC004NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.67 грн
10+141.42 грн
100+98.72 грн
500+67.97 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
BSC004NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.72 грн
500+67.97 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 Infineon-BSC061N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3ab1bb62b69
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.44 грн
10+117.40 грн
100+90.72 грн
500+71.03 грн
1000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+227.69 грн
50+218.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.33 грн
10+118.29 грн
100+79.16 грн
500+59.22 грн
1000+51.15 грн
5000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+55.23 грн
21+43.23 грн
100+29.35 грн
500+20.89 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.35 грн
10+126.30 грн
100+104.06 грн
500+80.94 грн
1000+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.65 грн
50+120.07 грн
250+96.95 грн
1000+78.71 грн
3000+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.35 грн
10+152.09 грн
100+106.73 грн
500+82.09 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.65 грн
10+136.08 грн
100+119.18 грн
500+102.41 грн
1000+90.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.23 грн
50+143.20 грн
250+118.29 грн
1000+87.54 грн
3000+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]