Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25137) > Сторінка 393 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGT24ATR22E6433XUMA1 BGT24ATR22E6433XUMA1 INFINEON 4379514.pdf Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.42 грн
10+712.94 грн
25+664.40 грн
50+592.08 грн
100+522.87 грн
250+512.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 BGT24MR2E6327XUMA1 INFINEON INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON 3189134.pdf Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.34 грн
10+143.09 грн
100+100.41 грн
500+68.77 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.05 грн
500+57.03 грн
1000+47.55 грн
5000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC004NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72be9124a3e Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.41 грн
500+68.77 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.64 грн
10+114.64 грн
100+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.22 грн
50+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.37 грн
10+99.58 грн
100+71.29 грн
500+53.23 грн
1000+45.83 грн
5000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.96 грн
21+40.67 грн
100+27.61 грн
500+19.66 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.17 грн
10+124.68 грн
100+105.43 грн
500+76.77 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.97 грн
50+112.97 грн
250+91.21 грн
1000+74.05 грн
3000+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.20 грн
10+143.09 грн
100+100.41 грн
500+77.23 грн
1000+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0066 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.19 грн
10+133.05 грн
100+110.46 грн
500+90.91 грн
1000+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.32 грн
50+169.87 грн
250+148.11 грн
1000+126.65 грн
3000+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795150.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.53 грн
10+218.40 грн
100+153.97 грн
500+131.31 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.65 грн
10+165.68 грн
100+120.50 грн
500+93.24 грн
1000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.65 грн
10+165.68 грн
100+120.50 грн
500+93.24 грн
1000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795150.pdf Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.53 грн
10+218.40 грн
100+153.97 грн
500+131.31 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.84 грн
250+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.63 грн
10+206.69 грн
25+189.95 грн
50+162.40 грн
100+134.84 грн
250+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 IM12B20EC1XKMA1 INFINEON 4386888.pdf Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3531.22 грн
5+3276.00 грн
10+3019.94 грн
50+2686.91 грн
100+2247.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 IM12B10CC1XKMA1 INFINEON 4386886.pdf Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 16A
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2731.26 грн
5+2624.98 грн
10+2518.71 грн
50+2233.91 грн
100+1844.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 IM12B15CC1XKMA1 INFINEON 4386887.pdf Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 22A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3032.50 грн
5+2914.51 грн
10+2796.52 грн
50+2480.22 грн
100+2047.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 FF600R12ME7B11BPSA1 INFINEON 3517982.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15690.49 грн
5+15689.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.38 грн
10+147.27 грн
100+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 S25FL064LABMFB013 INFINEON Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL064LABMFB013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.21 грн
10+121.33 грн
50+113.80 грн
100+97.90 грн
250+88.94 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA001 S25FL064LABMFA001 INFINEON Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL064LABMFA001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.95 грн
10+118.82 грн
50+116.31 грн
100+104.90 грн
250+95.39 грн
500+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM010 S25FL064LABNFM010 INFINEON Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL064LABNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.21 грн
10+138.91 грн
50+134.72 грн
100+121.21 грн
250+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.49 грн
50+28.87 грн
100+24.60 грн
500+20.75 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.46 грн
500+25.87 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.82 грн
500+90.13 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.03 грн
10+152.29 грн
100+118.82 грн
500+90.13 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.14 грн
500+37.84 грн
1000+30.48 грн
5000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.06 грн
500+26.42 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.93 грн
500+42.27 грн
1000+34.57 грн
5000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.29 грн
10+100.41 грн
100+95.39 грн
500+72.57 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.39 грн
500+72.57 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 TLE4973RE35S5S0010XUMA1 INFINEON 4162927.pdf Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.08 грн
10+223.42 грн
25+210.87 грн
50+188.04 грн
100+167.12 грн
250+159.94 грн
500+152.77 грн
1000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 TLE4973RE35S5S0010XUMA1 INFINEON 4162927.pdf Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.12 грн
250+159.94 грн
500+152.77 грн
1000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.48 грн
500+12.74 грн
1000+11.26 грн
5000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.27 грн
51+16.65 грн
100+16.48 грн
500+12.74 грн
1000+11.26 грн
5000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 INFINEON 2876462.pdf Description: INFINEON - TLD22522EPXUMA1 - LED-TREIBER AECQ100, LINEAR, PG-TSDSO-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1554.74 грн
50+1327.14 грн
100+1117.46 грн
250+1095.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2014.97 грн
5+1784.86 грн
10+1554.74 грн
50+1327.14 грн
100+1117.46 грн
250+1095.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.53 грн
500+35.82 грн
1000+25.82 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.56 грн
12+71.38 грн
100+47.53 грн
500+35.82 грн
1000+25.82 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bca636b84 Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.99 грн
500+44.52 грн
1000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR10 INFINEON Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.69 грн
10+171.54 грн
25+164.85 грн
50+146.86 грн
100+129.82 грн
250+129.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFN010 S29AL008J70TFN010 INFINEON Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.69 грн
10+168.19 грн
25+164.85 грн
50+149.96 грн
100+135.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-F176K8384AA XMC7200D-F176K8384AA INFINEON 3795159.pdf Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1316.26 грн
5+1106.23 грн
10+1105.39 грн
25+1025.66 грн
50+946.04 грн
100+945.32 грн
250+944.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BF8CEDQ0AESGS CYT4BF8CEDQ0AESGS INFINEON 3968616.pdf Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2922.04 грн
5+2809.08 грн
10+2695.27 грн
25+2390.09 грн
50+1972.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBCJDQ0BZEGS CYT4BFBCJDQ0BZEGS INFINEON 3968616.pdf Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3138.77 грн
5+3034.17 грн
10+2929.57 грн
25+2605.32 грн
50+2179.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-E272K8384AA XMC7200D-E272K8384AA INFINEON 3795159.pdf Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1593.23 грн
5+1437.59 грн
10+1281.11 грн
25+1184.17 грн
50+1087.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 PASCO2V15AUMA1 INFINEON 4265838.pdf Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±5%
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1734.65 грн
5+1581.52 грн
10+1493.66 грн
50+1170.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT3BB8CEBQ1AEEGS CYT3BB8CEBQ1AEEGS INFINEON Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1487.80 грн
5+1343.87 грн
10+1199.94 грн
25+1049.74 грн
50+949.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5439.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.97 грн
500+94.02 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFIG10 S25FL512SDPMFIG10 INFINEON Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+750.59 грн
10+697.88 грн
25+676.96 грн
50+613.06 грн
100+561.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24ATR22E6433XUMA1 4379514.pdf
BGT24ATR22E6433XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24ATR22E6433XUMA1 - HF-Transceiver, 24GHz bis 24.25GHz, 400kbit/s, 3dBm, 1.71V bis 3.465V, 18mA Tx/25mA Rx, VQFN-EP-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 18mA
Bauform - HF-IC: VQFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 3dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Kfz-Nahbereichsradar, intelligenter Heckklappenöffner, freihändiger Heckklappenöffner, Bewegungserfassung
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: 105°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Empfangsstrom: 25mA
Empfindlichkeit (dBm): 2dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: 400Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 24.25GHz
Betriebstemperatur, max.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.42 грн
10+712.94 грн
25+664.40 грн
50+592.08 грн
100+522.87 грн
250+512.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MR2E6327XUMA1 INFNS29828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGT24MR2E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT24MR2E6327XUMA1 - HF-Transceiver Silizium-Germanium, MMIC, 24GHz-26GHz, 11dBm Ausgang, 26dB Verstärkung, 3.3V, VQFN-32
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: VQFN
Ausgangsleistung (dBm): 11dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 24GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Frequenz, max.: 26GHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 3189134.pdf
BSC004NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.34 грн
10+143.09 грн
100+100.41 грн
500+68.77 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 INFN-S-A0003614497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.05 грн
500+57.03 грн
1000+47.55 грн
5000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC004NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72be9124a3e
BSC004NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.41 грн
500+68.77 грн
1000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000277069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC061N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.64 грн
10+114.64 грн
100+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.22 грн
50+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.37 грн
10+99.58 грн
100+71.29 грн
500+53.23 грн
1000+45.83 грн
5000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.96 грн
21+40.67 грн
100+27.61 грн
500+19.66 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.17 грн
10+124.68 грн
100+105.43 грн
500+76.77 грн
1000+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.97 грн
50+112.97 грн
250+91.21 грн
1000+74.05 грн
3000+66.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.20 грн
10+143.09 грн
100+100.41 грн
500+77.23 грн
1000+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 INFNS16173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0066 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+168.19 грн
10+133.05 грн
100+110.46 грн
500+90.91 грн
1000+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.32 грн
50+169.87 грн
250+148.11 грн
1000+126.65 грн
3000+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 3795150.pdf
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+371.53 грн
10+218.40 грн
100+153.97 грн
500+131.31 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.65 грн
10+165.68 грн
100+120.50 грн
500+93.24 грн
1000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.65 грн
10+165.68 грн
100+120.50 грн
500+93.24 грн
1000+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 3795150.pdf
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+371.53 грн
10+218.40 грн
100+153.97 грн
500+131.31 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
6ED2742S01QXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.84 грн
250+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
6ED2742S01QXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.63 грн
10+206.69 грн
25+189.95 грн
50+162.40 грн
100+134.84 грн
250+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 4386888.pdf
IM12B20EC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3531.22 грн
5+3276.00 грн
10+3019.94 грн
50+2686.91 грн
100+2247.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 4386886.pdf
IM12B10CC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 16A
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2731.26 грн
5+2624.98 грн
10+2518.71 грн
50+2233.91 грн
100+1844.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 4386887.pdf
IM12B15CC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 22A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3032.50 грн
5+2914.51 грн
10+2796.52 грн
50+2480.22 грн
100+2047.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 3517982.pdf
FF600R12ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15690.49 грн
5+15689.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.38 грн
10+147.27 грн
100+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABMFB013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFB013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.21 грн
10+121.33 грн
50+113.80 грн
100+97.90 грн
250+88.94 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA001 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABMFA001
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFA001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.95 грн
10+118.82 грн
50+116.31 грн
100+104.90 грн
250+95.39 грн
500+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM010 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABNFM010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.21 грн
10+138.91 грн
50+134.72 грн
100+121.21 грн
250+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.49 грн
50+28.87 грн
100+24.60 грн
500+20.75 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 Infineon-IPD075N03LG-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431936bc4b011951d824f83aeb
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.46 грн
500+25.87 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.82 грн
500+90.13 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.03 грн
10+152.29 грн
100+118.82 грн
500+90.13 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7
BSC076N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.14 грн
500+37.84 грн
1000+30.48 грн
5000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.06 грн
500+26.42 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 INFNS27793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.93 грн
500+42.27 грн
1000+34.57 грн
5000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 4129521.pdf
BSG0812NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.29 грн
10+100.41 грн
100+95.39 грн
500+72.57 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 4129521.pdf
BSG0812NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.39 грн
500+72.57 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 4162927.pdf
TLE4973RE35S5S0010XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.08 грн
10+223.42 грн
25+210.87 грн
50+188.04 грн
100+167.12 грн
250+159.94 грн
500+152.77 грн
1000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 4162927.pdf
TLE4973RE35S5S0010XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+167.12 грн
250+159.94 грн
500+152.77 грн
1000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5502VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.48 грн
500+12.74 грн
1000+11.26 грн
5000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5502VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.27 грн
51+16.65 грн
100+16.48 грн
500+12.74 грн
1000+11.26 грн
5000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 2876462.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD22522EPXUMA1 - LED-TREIBER AECQ100, LINEAR, PG-TSDSO-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
AIMBG120R020M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1554.74 грн
50+1327.14 грн
100+1117.46 грн
250+1095.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
AIMBG120R020M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2014.97 грн
5+1784.86 грн
10+1554.74 грн
50+1327.14 грн
100+1117.46 грн
250+1095.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 2718777.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.53 грн
500+35.82 грн
1000+25.82 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 2718777.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.56 грн
12+71.38 грн
100+47.53 грн
500+35.82 грн
1000+25.82 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528bca636b84
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.99 грн
500+44.52 грн
1000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFNR10 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J55TFNR10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.69 грн
10+171.54 грн
25+164.85 грн
50+146.86 грн
100+129.82 грн
250+129.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFN010 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J70TFN010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.69 грн
10+168.19 грн
25+164.85 грн
50+149.96 грн
100+135.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-F176K8384AA 3795159.pdf
XMC7200D-F176K8384AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1316.26 грн
5+1106.23 грн
10+1105.39 грн
25+1025.66 грн
50+946.04 грн
100+945.32 грн
250+944.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BF8CEDQ0AESGS 3968616.pdf
CYT4BF8CEDQ0AESGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2922.04 грн
5+2809.08 грн
10+2695.27 грн
25+2390.09 грн
50+1972.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBCJDQ0BZEGS 3968616.pdf
CYT4BFBCJDQ0BZEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3138.77 грн
5+3034.17 грн
10+2929.57 грн
25+2605.32 грн
50+2179.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-E272K8384AA 3795159.pdf
XMC7200D-E272K8384AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1593.23 грн
5+1437.59 грн
10+1281.11 грн
25+1184.17 грн
50+1087.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 4265838.pdf
PASCO2V15AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gas: Kohlendioxid
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: ±5%
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1734.65 грн
5+1581.52 грн
10+1493.66 грн
50+1170.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT3BB8CEBQ1AEEGS
CYT3BB8CEBQ1AEEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1487.80 грн
5+1343.87 грн
10+1199.94 грн
25+1049.74 грн
50+949.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5439.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.97 грн
500+94.02 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFIG10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SDPMFIG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+750.59 грн
10+697.88 грн
25+676.96 грн
50+613.06 грн
100+561.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]