Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 392 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS2108STRPBF IRS2108STRPBF INFINEON IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.80 грн
14+61.36 грн
50+55.45 грн
100+45.48 грн
250+39.27 грн
500+37.61 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRS2108STRPBF INFINEON IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.80 грн
14+61.36 грн
50+55.45 грн
100+45.48 грн
250+39.27 грн
500+37.61 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 IAUC45N04S6L063HATMA1 INFINEON 3180276.pdf Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.50 грн
500+34.05 грн
1000+26.57 грн
5000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RLXECATV21TOBO1 KITXMC48RLXECATV21TOBO1 INFINEON 4146095.pdf Description: INFINEON - KITXMC48RLXECATV21TOBO1 - Evaluationsboard, XMC4800-F144F2048, Familie XMC4000, 32 Bit, ARM Cortex-M4
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4800-F144F2048
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4800-F144F2048
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL60UTR11WINGTOBO1 EVAL60UTR11WINGTOBO1 INFINEON Infineon-UG143158_KIT_CSK_BGT60UTR11AIP-Wingboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195a2f0bcac09f9 Description: INFINEON - EVAL60UTR11WINGTOBO1 - Wing-Board, BGT60UTR11AIP, FMCW-Radarsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Wing-Board
Lieferumfang des Kits: Wing-Board BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: FMCW-Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFCAV250KMT7INVTOBO1 REFCAV250KMT7INVTOBO1 INFINEON Infineon-KIT_XMC14_2GO-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801915a63408673fe Description: INFINEON - REFCAV250KMT7INVTOBO1 - EVAL BOARD
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+125387.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 INFINEON 4180406.pdf Description: INFINEON - EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 - Evaluationsboard, FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3890MC12M
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24984.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e Description: INFINEON - 1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8794.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 BGA123N6E6327XTSA1 INFINEON 3199841.pdf Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.00 грн
31+26.55 грн
100+22.91 грн
500+18.94 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 BGA123N6E6327XTSA1 INFINEON 3199841.pdf Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.91 грн
500+18.94 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 IPF048N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192 Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 4600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.90 грн
500+131.54 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.02 грн
10+340.79 грн
100+299.51 грн
500+252.56 грн
1000+215.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 IPF048N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192 Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 4600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.08 грн
10+229.89 грн
100+161.90 грн
500+131.54 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+299.51 грн
500+252.56 грн
1000+215.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.12 грн
10+297.89 грн
100+213.70 грн
500+184.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON IR2113SPBF.pdf Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.54 грн
250+133.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.19 грн
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 INFINEON 4421076.pdf Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.00 грн
5+779.53 грн
10+704.24 грн
50+590.80 грн
100+483.60 грн
250+469.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 INFINEON Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307 Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.37 грн
5+904.19 грн
10+752.00 грн
50+640.41 грн
100+537.03 грн
250+526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON 4421068.pdf Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.89 грн
10+279.27 грн
100+225.84 грн
500+186.41 грн
1000+147.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+681.58 грн
10+549.63 грн
100+440.36 грн
500+367.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON 4508764.pdf Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+552.87 грн
100+482.45 грн
500+403.64 грн
1000+345.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 INFINEON 4508761.pdf Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.84 грн
10+235.56 грн
100+187.80 грн
500+146.57 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 INFINEON 4421071.pdf Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.48 грн
5+777.91 грн
10+728.53 грн
50+621.62 грн
100+539.81 грн
250+523.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 IGT65R025D2XTMA1 INFINEON 4470075.pdf Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.37 грн
5+829.71 грн
10+633.82 грн
50+550.21 грн
100+473.20 грн
250+459.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+549.63 грн
100+440.36 грн
500+367.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 IGT65R045D2XTMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.58 грн
5+620.06 грн
10+533.45 грн
50+443.48 грн
100+371.90 грн
250+364.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421073.pdf Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.47 грн
5+824.05 грн
10+769.81 грн
50+656.95 грн
100+570.33 грн
250+552.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 INFINEON 4421071.pdf Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+728.53 грн
50+621.62 грн
100+539.81 грн
250+523.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 IGLT65R045D2ATMA1 INFINEON infineon-iglt65r045d2-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+704.24 грн
50+590.80 грн
100+483.60 грн
250+469.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+796.53 грн
50+658.45 грн
100+582.13 грн
250+553.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421073.pdf Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+769.81 грн
50+656.95 грн
100+570.33 грн
250+552.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+784.38 грн
5+688.06 грн
10+599.82 грн
50+501.36 грн
100+430.18 грн
250+421.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 IGT65R045D2XTMA1 INFINEON 4470076.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+533.45 грн
50+443.48 грн
100+371.90 грн
250+364.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 INFINEON 4508761.pdf Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.80 грн
500+146.57 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 INFINEON 4508763.pdf Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.65 грн
500+201.44 грн
1000+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 IGT65R025D2XTMA1 INFINEON 4470075.pdf Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+633.82 грн
50+550.21 грн
100+473.20 грн
250+459.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP EVAL_PMG1_S3_DUALDRP INFINEON Description: INFINEON - EVAL_PMG1_S3_DUALDRP - Evaluationskit, CYPM1322-97BZXI, Familie EZ-PD PMG1, ARM Cortex-M0, 32 Bit, Kurzanleitung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1322-97BZXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD PMG1
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1322-97BZXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13338.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 INFINEON Infineon-UG-2021-22_REF_Fridge_C101T_6ED-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179fa5f7b862090 Description: INFINEON - REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 - Referenzdesign-Board, IMC101T-T038, Produktfamilie iMOTION IMC100, Kühlschrankkompressoren
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board IMC101T-T038
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Kühlschrankkompressoren
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: iMOTION IMC100
euEccn: NLR
Prozessorkern: IMC101T-T038
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15187.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5GR4780AG6W1TOBO1 REF5GR4780AG6W1TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - REF5GR4780AG6W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5GR4780AG, isolierter Flyback-Wandler
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5GR4780AG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierter Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5GR4780AG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7427.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 INFINEON Infineon-Engineering_Report_Evaluation_board_EVAL_5BR3995BZ_BUCK1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018189f5fb11157e Description: INFINEON - EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isolierter Abwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR3995BZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6702.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 1ED3320MC12NXUMA1 INFINEON 4098588.pdf Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.05 грн
250+122.12 грн
500+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISSI20R02HCSTOBO1 EVALISSI20R02HCSTOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-iSSI20R02HCS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101903485f2631a7e Description: INFINEON - EVALISSI20R02HCSTOBO1 - Evaluationsboard, iSSI20R02H, Festkörper-Isolator mit kernloser Transformatortechnologie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: iSSI20R02H
Kit-Anwendungsbereich: Isolator
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard iSSI20R02H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Fortschrittlicher Festkörper-Isolator mit eisenloser Transformatortechnologie
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12597.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 AIMW120R060M1HXKSA1 INFINEON 3215551.pdf Description: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2132.97 грн
5+2122.45 грн
10+2111.92 грн
50+1284.58 грн
100+1172.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITMOTORDC250W24VTOBO1 KITMOTORDC250W24VTOBO1 INFINEON 4146093.pdf Description: INFINEON - KITMOTORDC250W24VTOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1000, XMC4000, 3-Phasen-Motor, Motor-Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1000, XMC4000
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Elektromotor-Steuerkarte XMC1000, XMC4000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8711.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa Description: INFINEON - IGP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.18 грн
10+156.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 IGD03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 45W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.06 грн
500+49.61 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 IGB03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 37W
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.04 грн
500+60.36 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 IGT65R045D2ATMA1 INFINEON infineon-igt65r045d2-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+599.82 грн
50+501.36 грн
100+430.18 грн
250+421.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 INFINEON 4406520.pdf Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.09 грн
500+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON 4520238.pdf Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.52 грн
10+105.23 грн
100+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 IGD03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.76 грн
10+80.95 грн
100+63.06 грн
500+49.61 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.99 грн
10+121.42 грн
100+97.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.18 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB070S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e29d6f6e Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.65 грн
10+162.70 грн
100+130.33 грн
500+101.47 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 IGB03N120S7ATMA1 INFINEON Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.14 грн
10+93.09 грн
100+75.04 грн
500+60.36 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: INFINEON - IGB15N120S7ATMA1 - IGBT, 34 A, 1.65 V, 141 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 141W
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.99 грн
500+181.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.60 грн
10+219.37 грн
100+169.18 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON 4508764.pdf Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.58 грн
10+552.87 грн
100+482.45 грн
500+403.64 грн
1000+345.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 IGB08N120S7ATMA1 INFINEON 4406520.pdf Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.46 грн
10+178.08 грн
100+144.09 грн
500+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.80 грн
14+61.36 грн
50+55.45 грн
100+45.48 грн
250+39.27 грн
500+37.61 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108STRPBF IRSDS08085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS2108STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2108STRPBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.80 грн
14+61.36 грн
50+55.45 грн
100+45.48 грн
250+39.27 грн
500+37.61 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 3180276.pdf
IAUC45N04S6L063HATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.50 грн
500+34.05 грн
1000+26.57 грн
5000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RLXECATV21TOBO1 4146095.pdf
KITXMC48RLXECATV21TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC48RLXECATV21TOBO1 - Evaluationsboard, XMC4800-F144F2048, Familie XMC4000, 32 Bit, ARM Cortex-M4
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4800-F144F2048
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4800-F144F2048
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL60UTR11WINGTOBO1 Infineon-UG143158_KIT_CSK_BGT60UTR11AIP-Wingboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195a2f0bcac09f9
EVAL60UTR11WINGTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL60UTR11WINGTOBO1 - Wing-Board, BGT60UTR11AIP, FMCW-Radarsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Wing-Board
Lieferumfang des Kits: Wing-Board BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: FMCW-Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2053.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFCAV250KMT7INVTOBO1 Infineon-KIT_XMC14_2GO-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801915a63408673fe
REFCAV250KMT7INVTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFCAV250KMT7INVTOBO1 - EVAL BOARD
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+125387.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 4180406.pdf
EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALFFXMR20KM1HDRTOBO1 - Evaluationsboard, FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: FF6MR20KM1H, FF4MR20KM1H, FF3MR20KM1H, 1ED3890MC12M
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3890MC12M
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24984.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 Infineon-Z8F80037256-1EDI302xAS_1EDI303xAS-evaluation-board-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462773f932401774914b0c60e9e
1EDI302XASEVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI302XASEVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI3020AS, 1EDI3021AS, 1EDI3023AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8794.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 3199841.pdf
BGA123N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.00 грн
31+26.55 грн
100+22.91 грн
500+18.94 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BGA123N6E6327XTSA1 3199841.pdf
BGA123N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA123N6E6327XTSA1 - HF-Verstärker, 1.55GHz bis 1.615GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.75dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 19dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.91 грн
500+18.94 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192
IPF048N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 4600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+161.90 грн
500+131.54 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+395.02 грн
10+340.79 грн
100+299.51 грн
500+252.56 грн
1000+215.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1 Infineon-IPF048N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f50f8cca0192
IPF048N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 4600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.08 грн
10+229.89 грн
100+161.90 грн
500+131.54 грн
1000+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+299.51 грн
500+252.56 грн
1000+215.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
IPF036N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.12 грн
10+297.89 грн
100+213.70 грн
500+184.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113SPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.54 грн
250+133.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0003823031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.19 грн
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 4421076.pdf
IGLT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+854.00 грн
5+779.53 грн
10+704.24 грн
50+590.80 грн
100+483.60 грн
250+469.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1 Infineon-IGT65R025D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57bd2f0307
IGT65R025D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1056.37 грн
5+904.19 грн
10+752.00 грн
50+640.41 грн
100+537.03 грн
250+526.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 4421068.pdf
IGLR65R140D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.89 грн
10+279.27 грн
100+225.84 грн
500+186.41 грн
1000+147.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+681.58 грн
10+549.63 грн
100+440.36 грн
500+367.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 4508764.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+552.87 грн
100+482.45 грн
500+403.64 грн
1000+345.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 4508761.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.84 грн
10+235.56 грн
100+187.80 грн
500+146.57 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 4421071.pdf
IGOT65R045D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+826.48 грн
5+777.91 грн
10+728.53 грн
50+621.62 грн
100+539.81 грн
250+523.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 4470075.pdf
IGT65R025D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1090.37 грн
5+829.71 грн
10+633.82 грн
50+550.21 грн
100+473.20 грн
250+459.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+549.63 грн
100+440.36 грн
500+367.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+715.58 грн
5+620.06 грн
10+533.45 грн
50+443.48 грн
100+371.90 грн
250+364.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 4421073.pdf
IGOT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.47 грн
5+824.05 грн
10+769.81 грн
50+656.95 грн
100+570.33 грн
250+552.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 4421071.pdf
IGOT65R045D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R045D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.054 ohm, 6 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+728.53 грн
50+621.62 грн
100+539.81 грн
250+523.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R045D2ATMA1 infineon-iglt65r045d2-datasheet-en.pdf
IGLT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+704.24 грн
50+590.80 грн
100+483.60 грн
250+469.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 4421077.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+796.53 грн
50+658.45 грн
100+582.13 грн
250+553.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R025D2AUMA1 4421073.pdf
IGOT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+769.81 грн
50+656.95 грн
100+570.33 грн
250+552.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+784.38 грн
5+688.06 грн
10+599.82 грн
50+501.36 грн
100+430.18 грн
250+421.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1 4470076.pdf
IGT65R045D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+533.45 грн
50+443.48 грн
100+371.90 грн
250+364.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 4508761.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.80 грн
500+146.57 грн
1000+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R080D2AUMA1 4508763.pdf
IGLD65R080D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.65 грн
500+201.44 грн
1000+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1 4470075.pdf
IGT65R025D2XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+633.82 грн
50+550.21 грн
100+473.20 грн
250+459.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP
EVAL_PMG1_S3_DUALDRP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL_PMG1_S3_DUALDRP - Evaluationskit, CYPM1322-97BZXI, Familie EZ-PD PMG1, ARM Cortex-M0, 32 Bit, Kurzanleitung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1322-97BZXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD PMG1
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1322-97BZXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13338.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 Infineon-UG-2021-22_REF_Fridge_C101T_6ED-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179fa5f7b862090
REFFRIDGEC101T6EDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFFRIDGEC101T6EDTOBO1 - Referenzdesign-Board, IMC101T-T038, Produktfamilie iMOTION IMC100, Kühlschrankkompressoren
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board IMC101T-T038
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Kühlschrankkompressoren
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: iMOTION IMC100
euEccn: NLR
Prozessorkern: IMC101T-T038
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15187.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5GR4780AG6W1TOBO1
REF5GR4780AG6W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5GR4780AG6W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5GR4780AG, isolierter Flyback-Wandler
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5GR4780AG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierter Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5GR4780AG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7427.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 Infineon-Engineering_Report_Evaluation_board_EVAL_5BR3995BZ_BUCK1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018189f5fb11157e
EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL5BR3995BZBUCK1TOBO1 - Evaluationsboard, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isolierter Abwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR3995BZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6702.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3320MC12NXUMA1 4098588.pdf
1ED3320MC12NXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3320MC12NXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.3A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 86ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.05 грн
250+122.12 грн
500+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISSI20R02HCSTOBO1 Infineon-EVAL-iSSI20R02HCS-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101903485f2631a7e
EVALISSI20R02HCSTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALISSI20R02HCSTOBO1 - Evaluationsboard, iSSI20R02H, Festkörper-Isolator mit kernloser Transformatortechnologie
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: iSSI20R02H
Kit-Anwendungsbereich: Isolator
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard iSSI20R02H
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Fortschrittlicher Festkörper-Isolator mit eisenloser Transformatortechnologie
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12597.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R060M1HXKSA1 3215551.pdf
AIMW120R060M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R060M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2132.97 грн
5+2122.45 грн
10+2111.92 грн
50+1284.58 грн
100+1172.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITMOTORDC250W24VTOBO1 4146093.pdf
KITMOTORDC250W24VTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITMOTORDC250W24VTOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1000, XMC4000, 3-Phasen-Motor, Motor-Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1000, XMC4000
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Elektromotor-Steuerkarte XMC1000, XMC4000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8711.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+203.18 грн
10+156.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d
IGD03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 45W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.06 грн
500+49.61 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf
IGB03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 37W
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.04 грн
500+60.36 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1 infineon-igt65r045d2-datasheet-en.pdf
IGT65R045D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+599.82 грн
50+501.36 грн
100+430.18 грн
250+421.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 4406520.pdf
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.09 грн
500+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 4520238.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.52 грн
10+105.23 грн
100+84.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1 Infineon-IGD03N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb75870326d
IGD03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.76 грн
10+80.95 грн
100+63.06 грн
500+49.61 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 4520237.pdf
IGLR70R200D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.99 грн
10+121.42 грн
100+97.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.18 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1 Infineon-IGB070S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e29d6f6e
IGB070S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.65 грн
10+162.70 грн
100+130.33 грн
500+101.47 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1 Infineon08012024DSIGB03N120S7v100en.pdf
IGB03N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.14 грн
10+93.09 грн
100+75.04 грн
500+60.36 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB15N120S7ATMA1 - IGBT, 34 A, 1.65 V, 141 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 141W
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+220.99 грн
500+181.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.60 грн
10+219.37 грн
100+169.18 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 4508764.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+630.58 грн
10+552.87 грн
100+482.45 грн
500+403.64 грн
1000+345.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1 4406520.pdf
IGB08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.46 грн
10+178.08 грн
100+144.09 грн
500+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]