Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 392 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+229.33 грн
50+220.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.65 грн
10+119.15 грн
100+79.73 грн
500+59.64 грн
1000+51.52 грн
5000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.63 грн
21+43.54 грн
100+29.56 грн
500+21.05 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.90 грн
10+127.21 грн
100+104.81 грн
500+81.52 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.83 грн
50+120.94 грн
250+97.65 грн
1000+79.27 грн
3000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.96 грн
10+153.19 грн
100+107.50 грн
500+82.69 грн
1000+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.83 грн
10+137.06 грн
100+120.04 грн
500+103.15 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.67 грн
50+144.23 грн
250+119.15 грн
1000+88.18 грн
3000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52 Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.23 грн
10+209.62 грн
100+166.62 грн
500+129.77 грн
1000+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.42 грн
10+177.38 грн
100+129.00 грн
500+99.82 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 3795148.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.42 грн
10+177.38 грн
100+129.00 грн
500+99.82 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52 Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.23 грн
10+209.62 грн
100+166.62 грн
500+129.77 грн
1000+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.04 грн
250+144.36 грн
500+129.77 грн
1000+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 6ED2742S01QXTMA1 INFINEON Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811 Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.79 грн
10+229.33 грн
25+208.73 грн
50+179.68 грн
100+152.04 грн
250+144.36 грн
500+129.77 грн
1000+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 IM12B20EC1XKMA1 INFINEON 4386888.pdf Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3623.65 грн
5+3362.06 грн
10+3099.58 грн
50+2756.74 грн
100+2305.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 IM12B10CC1XKMA1 INFINEON 4386886.pdf Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 16A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2970.58 грн
5+2777.98 грн
10+2585.38 грн
50+2293.40 грн
100+1892.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 IM12B15CC1XKMA1 INFINEON 4386887.pdf Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 22A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2348.88 грн
5+2275.42 грн
10+2201.06 грн
50+1960.66 грн
100+1748.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 FF600R12ME7B11BPSA1 INFINEON 3517982.pdf Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24706.19 грн
5+24211.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.44 грн
10+157.67 грн
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 IPD60R170CFD7ATMA1 INFINEON 2372022.pdf Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 S25FL064LABMFB013 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFB013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.19 грн
10+99.44 грн
50+98.54 грн
100+90.67 грн
250+81.39 грн
500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA001 S25FL064LABMFA001 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFA001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.77 грн
10+100.33 грн
50+99.44 грн
100+91.50 грн
250+82.16 грн
500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM010 S25FL064LABNFM010 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.58 грн
10+125.42 грн
50+119.15 грн
100+107.31 грн
250+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.01 грн
50+26.61 грн
100+23.47 грн
500+21.38 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.47 грн
500+21.38 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.29 грн
500+84.85 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.40 грн
10+133.48 грн
100+109.29 грн
500+84.85 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON 1849713.html Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.42 грн
250+50.52 грн
1000+37.93 грн
3000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.46 грн
500+28.28 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6 Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.34 грн
500+43.84 грн
1000+37.62 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.15 грн
10+107.50 грн
100+102.12 грн
500+77.69 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.12 грн
500+77.69 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 TLE4973RE35S5S0010XUMA1 INFINEON 4162927.pdf Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.96 грн
10+227.54 грн
25+224.85 грн
50+200.47 грн
100+178.14 грн
250+171.23 грн
500+163.55 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 TLE4973RE35S5S0010XUMA1 INFINEON 4162927.pdf Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.14 грн
250+171.23 грн
500+163.55 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.96 грн
500+13.31 грн
1000+10.75 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+23.29 грн
58+15.59 грн
100+14.96 грн
500+13.31 грн
1000+10.75 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 INFINEON 2876462.pdf Description: INFINEON - TLD22522EPXUMA1 - LED-TREIBER AECQ100, LINEAR, PG-TSDSO-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 INFINEON 4127733.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1484.40 грн
50+1297.68 грн
100+1123.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 INFINEON 4127733.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1814.06 грн
5+1649.23 грн
10+1484.40 грн
50+1297.68 грн
100+1123.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.88 грн
500+38.35 грн
1000+27.64 грн
5000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON 2718777.pdf Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.23 грн
12+76.41 грн
100+50.88 грн
500+38.35 грн
1000+27.64 грн
5000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.16 грн
500+47.66 грн
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR10 INFINEON CYPR-S-A0004001936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.50 грн
10+221.27 грн
25+205.15 грн
50+187.17 грн
100+169.70 грн
250+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFN010 S29AL008J70TFN010 INFINEON 3797081.pdf Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.73 грн
10+196.19 грн
25+183.65 грн
50+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-F176K8384AA XMC7200D-F176K8384AA INFINEON 3795159.pdf Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1409.15 грн
5+1184.29 грн
10+1183.40 грн
25+1098.04 грн
50+1012.80 грн
100+1012.04 грн
250+1011.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BF8CEDQ0AESGS CYT4BF8CEDQ0AESGS INFINEON 3968616.pdf Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2531.62 грн
5+2278.10 грн
10+1846.31 грн
25+1572.19 грн
50+1422.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBCJDQ0BZEGS CYT4BFBCJDQ0BZEGS INFINEON 3968616.pdf Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2415.17 грн
5+2285.27 грн
10+2155.38 грн
25+1911.58 грн
50+1729.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-E272K8384AA XMC7200D-E272K8384AA INFINEON Infineon-XMC-7200-Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184443173374425 Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1705.67 грн
5+1539.04 грн
10+1371.52 грн
25+1246.94 грн
50+1125.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 PASCO2V15AUMA1 INFINEON 4265838.pdf Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
Genauigkeit: ±5%
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Genauigkeit: 5%
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
Gas: Kohlendioxid
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1857.06 грн
5+1693.12 грн
10+1599.06 грн
50+1253.59 грн
100+1074.23 грн
250+1052.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT3BB8CEBQ1AEEGS CYT3BB8CEBQ1AEEGS INFINEON 3968615.pdf Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2072.96 грн
10+1752.25 грн
25+1673.42 грн
50+1472.37 грн
100+1283.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5823.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.67 грн
500+89.84 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFIG10 S25FL512SDPMFIG10 INFINEON INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.52 грн
10+516.00 грн
25+500.77 грн
50+453.36 грн
100+396.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL512SDABHI020 S26KL512SDABHI020 INFINEON CYPR-S-A0011121128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+830.44 грн
10+772.21 грн
25+748.02 грн
50+691.26 грн
100+635.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFVG10 S25FL512SDPMFVG10 INFINEON INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.04 грн
10+550.94 грн
25+534.81 грн
50+484.97 грн
100+423.86 грн
250+423.09 грн
500+422.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSBHB210 S25FS512SDSBHB210 INFINEON INFN-S-A0016395047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+670.98 грн
10+636.94 грн
25+625.29 грн
50+575.64 грн
100+496.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHBA10 S25FL512SAGBHBA10 INFINEON INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.94 грн
10+630.67 грн
25+612.75 грн
50+558.17 грн
100+492.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHVB10 S25FL512SAGBHVB10 INFINEON INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.29 грн
10+576.02 грн
25+561.69 грн
50+519.07 грн
100+450.73 грн
250+430.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGNFI010 S25FS512SAGNFI010 INFINEON INFN-S-A0016395047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.77 грн
10+425.52 грн
25+412.98 грн
50+375.16 грн
100+337.86 грн
250+323.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 INFNS16213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC600N25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+229.33 грн
50+220.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.65 грн
10+119.15 грн
100+79.73 грн
500+59.64 грн
1000+51.52 грн
5000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+55.63 грн
21+43.54 грн
100+29.56 грн
500+21.05 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+215.90 грн
10+127.21 грн
100+104.81 грн
500+81.52 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.83 грн
50+120.94 грн
250+97.65 грн
1000+79.27 грн
3000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.96 грн
10+153.19 грн
100+107.50 грн
500+82.69 грн
1000+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.83 грн
10+137.06 грн
100+120.04 грн
500+103.15 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 INFNS17235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.67 грн
50+144.23 грн
250+119.15 грн
1000+88.18 грн
3000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.23 грн
10+209.62 грн
100+166.62 грн
500+129.77 грн
1000+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.42 грн
10+177.38 грн
100+129.00 грн
500+99.82 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1 3795148.pdf
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.42 грн
10+177.38 грн
100+129.00 грн
500+99.82 грн
1000+91.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon-IQE050N08NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cda8ea797c52
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.23 грн
10+209.62 грн
100+166.62 грн
500+129.77 грн
1000+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
6ED2742S01QXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.04 грн
250+144.36 грн
500+129.77 грн
1000+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2742S01QXTMA1 Infineon-6ED2742S01Q-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cb757ef94811
6ED2742S01QXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED2742S01QXTMA1 - Gate-Treiber, High-Side oder Low-Side, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 32 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 140V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+345.79 грн
10+229.33 грн
25+208.73 грн
50+179.68 грн
100+152.04 грн
250+144.36 грн
500+129.77 грн
1000+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B20EC1XKMA1 4386888.pdf
IM12B20EC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B20EC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 30 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3623.65 грн
5+3362.06 грн
10+3099.58 грн
50+2756.74 грн
100+2305.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B10CC1XKMA1 4386886.pdf
IM12B10CC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B10CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 16 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 16A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2970.58 грн
5+2777.98 грн
10+2585.38 грн
50+2293.40 грн
100+1892.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM12B15CC1XKMA1 4386887.pdf
IM12B15CC1XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM12B15CC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 22 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 22A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2348.88 грн
5+2275.42 грн
10+2201.06 грн
50+1960.66 грн
100+1748.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME7B11BPSA1 3517982.pdf
FF600R12ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24706.19 грн
5+24211.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.44 грн
10+157.67 грн
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R170CFD7ATMA1 2372022.pdf
IPD60R170CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFB013 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFB013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFB013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+110.19 грн
10+99.44 грн
50+98.54 грн
100+90.67 грн
250+81.39 грн
500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA001 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFA001
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFA001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.77 грн
10+100.33 грн
50+99.44 грн
100+91.50 грн
250+82.16 грн
500+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFM010 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFM010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFM010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.58 грн
10+125.42 грн
50+119.15 грн
100+107.31 грн
250+93.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.01 грн
50+26.61 грн
100+23.47 грн
500+21.38 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.47 грн
500+21.38 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.29 грн
500+84.85 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.40 грн
10+133.48 грн
100+109.29 грн
500+84.85 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 1849713.html
BSC076N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.42 грн
250+50.52 грн
1000+37.93 грн
3000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.46 грн
500+28.28 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb01e1b37fb6
BSC067N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.34 грн
500+43.84 грн
1000+37.62 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 4129521.pdf
BSG0812NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.15 грн
10+107.50 грн
100+102.12 грн
500+77.69 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 4129521.pdf
BSG0812NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.12 грн
500+77.69 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 4162927.pdf
TLE4973RE35S5S0010XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.96 грн
10+227.54 грн
25+224.85 грн
50+200.47 грн
100+178.14 грн
250+171.23 грн
500+163.55 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35S5S0010XUMA1 4162927.pdf
TLE4973RE35S5S0010XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4973RE35S5S0010XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, VSON, 6 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: VSON
Bauform - Sensor: VSON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 210kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.14 грн
250+171.23 грн
500+163.55 грн
1000+158.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5502VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.96 грн
500+13.31 грн
1000+10.75 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5502VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5502VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 6.5 pF, 20 mA, 16 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 6.5pF
Produktpalette: BBY55
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+23.29 грн
58+15.59 грн
100+14.96 грн
500+13.31 грн
1000+10.75 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 2876462.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD22522EPXUMA1 - LED-TREIBER AECQ100, LINEAR, PG-TSDSO-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 4127733.pdf
AIMBG120R020M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1484.40 грн
50+1297.68 грн
100+1123.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 4127733.pdf
AIMBG120R020M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1814.06 грн
5+1649.23 грн
10+1484.40 грн
50+1297.68 грн
100+1123.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 2718777.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.88 грн
500+38.35 грн
1000+27.64 грн
5000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 2718777.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.23 грн
12+76.41 грн
100+50.88 грн
500+38.35 грн
1000+27.64 грн
5000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.16 грн
500+47.66 грн
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFNR10 CYPR-S-A0004001936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29AL008J55TFNR10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J55TFNR10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 55ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.50 грн
10+221.27 грн
25+205.15 грн
50+187.17 грн
100+169.70 грн
250+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFN010 3797081.pdf
S29AL008J70TFN010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70TFN010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8MB, 8M x 1 Bit, parallel, 70ns, TSOP-48
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 1 Bit
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 1 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+208.73 грн
10+196.19 грн
25+183.65 грн
50+166.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-F176K8384AA 3795159.pdf
XMC7200D-F176K8384AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-F176K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1409.15 грн
5+1184.29 грн
10+1183.40 грн
25+1098.04 грн
50+1012.80 грн
100+1012.04 грн
250+1011.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BF8CEDQ0AESGS 3968616.pdf
CYT4BF8CEDQ0AESGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BF8CEDQ0AESGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 81Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2531.62 грн
5+2278.10 грн
10+1846.31 грн
25+1572.19 грн
50+1422.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBCJDQ0BZEGS 3968616.pdf
CYT4BFBCJDQ0BZEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4BFBCJDQ0BZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CYT4BF
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 220I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4BF Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2415.17 грн
5+2285.27 грн
10+2155.38 грн
25+1911.58 грн
50+1729.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC7200D-E272K8384AA Infineon-XMC-7200-Datasheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d30184443173374425
XMC7200D-E272K8384AA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC7200D-E272K8384AA - ARM-MCU, XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7, 32 Bit, 350 MHz, 8 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 96Kanäle
Programmspeichergröße: 8MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 350MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC7000
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: XMC7200
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 191I/O(s)
Anzahl der Pins: 272Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC7000 Family XMC7200 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1705.67 грн
5+1539.04 грн
10+1371.52 грн
25+1246.94 грн
50+1125.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PASCO2V15AUMA1 4265838.pdf
PASCO2V15AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
Genauigkeit: ±5%
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Genauigkeit: 5%
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abtastmethode: Photoakustische Spektroskopie (PAS)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
Gas: Kohlendioxid
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1857.06 грн
5+1693.12 грн
10+1599.06 грн
50+1253.59 грн
100+1074.23 грн
250+1052.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYT3BB8CEBQ1AEEGS 3968615.pdf
CYT3BB8CEBQ1AEEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT3BB8CEBQ1AEEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TEQFP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 64Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 768KB
MCU-Baureihe: CYT3BB
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 148I/O(s)
Anzahl der Pins: 176Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT3BB Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2072.96 грн
10+1752.25 грн
25+1673.42 грн
50+1472.37 грн
100+1283.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1
TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5098EPB2BEVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLD5098EP, 8V bis 27Vin, 23Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5098EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 1A
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 23V
Core-Chip: TLD5098EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: Analog, Digital
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5823.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.67 грн
500+89.84 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFIG10 INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL512SDPMFIG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFIG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+554.52 грн
10+516.00 грн
25+500.77 грн
50+453.36 грн
100+396.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL512SDABHI020 CYPR-S-A0011121128-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S26KL512SDABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S26KL512SDABHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, parallel, 100MHz, FBGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 96ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 100MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+830.44 грн
10+772.21 грн
25+748.02 грн
50+691.26 грн
100+635.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPMFVG10 INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL512SDPMFVG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDPMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 66MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 66MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+593.04 грн
10+550.94 грн
25+534.81 грн
50+484.97 грн
100+423.86 грн
250+423.09 грн
500+422.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSBHB210 INFN-S-A0016395047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FS512SDSBHB210
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SDSBHB210 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 80MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 80MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+670.98 грн
10+636.94 грн
25+625.29 грн
50+575.64 грн
100+496.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHBA10 INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL512SAGBHBA10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHBA10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+679.94 грн
10+630.67 грн
25+612.75 грн
50+558.17 грн
100+492.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHVB10 INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL512SAGBHVB10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHVB10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+625.29 грн
10+576.02 грн
25+561.69 грн
50+519.07 грн
100+450.73 грн
250+430.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGNFI010 INFN-S-A0016395047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FS512SAGNFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: WSON
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.77 грн
10+425.52 грн
25+412.98 грн
50+375.16 грн
100+337.86 грн
250+323.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]