| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IMZC120R040M2HXKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 218W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLB4030PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB4030PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| FM24CL16B-DGTR | INFINEON |
Description: INFINEON - FM24CL16B-DGTR - FRAM, 16kbit, 2.7 bis 3.65V Versorgung, I2C, 1MHz, 2K x 8 Bit, DFN-EP-8, -40 bis 85°C tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP Speicherdichte: 16Kbit Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.65V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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IPQC60R040S7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 272W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPQC60R040S7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 272W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGOT65R035D2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 7.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFS7537TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| S27KL0642DPBHI023 | INFINEON |
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI023 - DRAM, PSRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 166 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: PSRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 64Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| S70KL1282DPBHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S70KL1282DPBHI020 - DRAM, PSRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, 166 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: PSRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZC120R007M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZC120R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 201 A, 1.2 kV, 0.0075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 711W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256SAGNFI003 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP tariffCode: 85423275 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL256SAGNFV001 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: WSON rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 256Mbit Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 133MHz Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Speichergröße: 256Mbit Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| S25FL256LAGNFV013 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256LAGNFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 256Mbit Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| S25FL256SAGNFI013 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s) tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 256Mbit Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2125PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2125PBF - Leistungstreiber, High- & Low-Side, 0V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3.3A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.6A Versorgungsspannung, min.: 0V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 170ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2109PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2109PBF - MOSFET-Treiber, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, DIP-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL5BR2280BZ1700MATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL5BR2280BZ1700MATOBO1 - Evaluationsboard ICE5BR2280BZ-1, nicht isolierter Abwärtswandler, Power-Management - Spannungsregler tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR2280BZ-1 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Nicht isolierter Abwärtswandler SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: ICE5BR2280BZ-1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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EVAL5BR4780BZ1450MATOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL5BR4780BZ1450MATOBO1 - Evaluationsboard ICE5BR4780BZ-1, nicht isolierter Abwärtswandler, Power-Management - Spannungsregler tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR4780BZ-1 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Nicht isolierter Abwärtswandler SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: ICE5BR4780BZ-1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRLML9303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| FF300R12KT4PHOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12KT4PHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 mA, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 300mA Produktpalette: 62mm C-Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| REF500WCYCLOBDSGANTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REF500WCYCLOBDSGANTOBO1 - Referenzdesign PSC3M5FDS2AFQ1 ARM Cortex-M33F Cyclo-Konverter-basierter Mikro-Solarwechselrichter tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: TBA Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board PSC3M5FDS2AFQ1 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Prozessorserie: Cortex-M33F Unterart Anwendung: Mikro-Solarwechselrichter Prozessorfamilie: PSOC C3 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: ARM |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZC120R040M2HXKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLB4030PBFXKMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB4030PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
Description: INFINEON - IRLB4030PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FM24CL16B-DGTR |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM24CL16B-DGTR - FRAM, 16kbit, 2.7 bis 3.65V Versorgung, I2C, 1MHz, 2K x 8 Bit, DFN-EP-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
Speicherdichte: 16Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.65V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
Description: INFINEON - FM24CL16B-DGTR - FRAM, 16kbit, 2.7 bis 3.65V Versorgung, I2C, 1MHz, 2K x 8 Bit, DFN-EP-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-EP
Speicherdichte: 16Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.65V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60R040S7XTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: INFINEON - IPQC60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60R040S7XTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: INFINEON - IPQC60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.036 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGOT65R035D2AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7537TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S27KL0642DPBHI023 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI023 - DRAM, PSRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 166 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: PSRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI023 - DRAM, PSRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 166 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: PSRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S70KL1282DPBHI020 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70KL1282DPBHI020 - DRAM, PSRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, 166 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: PSRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Description: INFINEON - S70KL1282DPBHI020 - DRAM, PSRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, 166 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: PSRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZC120R007M2HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 201 A, 1.2 kV, 0.0075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 711W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
Description: INFINEON - IMZC120R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 201 A, 1.2 kV, 0.0075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 711W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S25FL256SAGNFI003 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S25FL256SAGNFV001 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV001 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S25FL256LAGNFV013 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256LAGNFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FL256LAGNFV013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S25FL256SAGNFI013 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IR2125PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125PBF - Leistungstreiber, High- & Low-Side, 0V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 0V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IR2125PBF - Leistungstreiber, High- & Low-Side, 0V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 0V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IR2109PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2109PBF - MOSFET-Treiber, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IR2109PBF - MOSFET-Treiber, 2fach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVAL5BR2280BZ1700MATOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL5BR2280BZ1700MATOBO1 - Evaluationsboard ICE5BR2280BZ-1, nicht isolierter Abwärtswandler, Power-Management - Spannungsregler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR2280BZ-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Nicht isolierter Abwärtswandler
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVAL5BR2280BZ1700MATOBO1 - Evaluationsboard ICE5BR2280BZ-1, nicht isolierter Abwärtswandler, Power-Management - Spannungsregler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR2280BZ-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Nicht isolierter Abwärtswandler
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVAL5BR4780BZ1450MATOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL5BR4780BZ1450MATOBO1 - Evaluationsboard ICE5BR4780BZ-1, nicht isolierter Abwärtswandler, Power-Management - Spannungsregler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR4780BZ-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Nicht isolierter Abwärtswandler
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVAL5BR4780BZ1450MATOBO1 - Evaluationsboard ICE5BR4780BZ-1, nicht isolierter Abwärtswandler, Power-Management - Spannungsregler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE5BR4780BZ-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Nicht isolierter Abwärtswandler
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML9303TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF300R12KT4PHOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KT4PHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 mA, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300mA
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FF300R12KT4PHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 mA, 1.75 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300mA
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| REF500WCYCLOBDSGANTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF500WCYCLOBDSGANTOBO1 - Referenzdesign PSC3M5FDS2AFQ1 ARM Cortex-M33F Cyclo-Konverter-basierter Mikro-Solarwechselrichter
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board PSC3M5FDS2AFQ1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
Unterart Anwendung: Mikro-Solarwechselrichter
Prozessorfamilie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: ARM
Description: INFINEON - REF500WCYCLOBDSGANTOBO1 - Referenzdesign PSC3M5FDS2AFQ1 ARM Cortex-M33F Cyclo-Konverter-basierter Mikro-Solarwechselrichter
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board PSC3M5FDS2AFQ1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
Unterart Anwendung: Mikro-Solarwechselrichter
Prozessorfamilie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)