Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1301) > Сторінка 19 з 22
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRGSL4640DPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 65A TO-262Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRGSL4B60KD1PBF | International Rectifier |
Description: IGBT NPT 600V 11A TO-262Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 63 W |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRGSL6B60KDPBF | International Rectifier |
Description: IGBT NPT 600V 13A TO262Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-262 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 25ns/215ns Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 18.2 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 26 A Power - Max: 90 W |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL2203N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL2505 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL2703 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A IRL2703 TIRL2703 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRL2910SHR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 7147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRL2910SHR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 7147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRL3103SHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRL3215PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 11212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL3502PBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL3705N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL3713 | International Rectifier |
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL3713 | International Rectifier |
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL3716L | International Rectifier |
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL3803 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRL3803S | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803sкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRL3803STRLPBF | International Rectifier |
Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL520N | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL540NSTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540nsкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRL60SL216 | International Rectifier |
Description: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL6283MTRPBF | International Rectifier |
Description: DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8292 pF @ 10 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRL6297SDTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFETSAPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 35µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA Part Status: Active |
на замовлення 82977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL6342TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 9.9A 14.6mΩ 2.5W IRL6342 International Rectifier TIRL6342 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRL7486MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V |
на замовлення 39875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRL7833 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRL7833 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRL8113PBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLB3034 IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLB3813 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLB4132 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLB8748 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLHM630TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 21A 2.7W IRLHM630TR TIRLHM630 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLI3705N | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω IRLI3705N TIRLI3705n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLI3705NPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLIZ44NPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRLIZ44N - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLL014NHR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLL014NHR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLL014NTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free |
на замовлення 183 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLL2703TR | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω IRLL2703 TIRLL2703кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLL2705 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705 кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLL2705TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLL2705TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLL2705TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLL3303 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 30V 4.6A 1W 0.031Ω IRLL3303 TIRLL3303кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 |
на замовлення 677 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML5103TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6402TR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6402TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLR2905ZTRLPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR2908TR | International Rectifier |
N-MOSFET 80V 30A IRLR2908 TIRLR2908 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR3110Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR3410 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR3410 IRLR3410TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR3410TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR3410TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR3802 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 12V; 12V; 30mOhm; 84A; 88W; -55°C ~ 175°C; IRLR3802 TIRLR3802 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLR3802PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V |
на замовлення 3740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRGSL4640DPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 65A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-262
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT 600V 65A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-262
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/104ns
Switching Energy: 115µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 109+ | 186.90 грн |
| IRGSL4B60KD1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT NPT 600V 11A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 63 W
Description: IGBT NPT 600V 11A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
Switching Energy: 73µJ (on), 47µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 11 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A
Power - Max: 63 W
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 99.99 грн |
| IRGSL6B60KDPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT NPT 600V 13A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/215ns
Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 18.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 26 A
Power - Max: 90 W
Description: IGBT NPT 600V 13A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/215ns
Switching Energy: 110µJ (on), 135µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 18.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 26 A
Power - Max: 90 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 270+ | 78.16 грн |
| IRL2203N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRL2203N TIRL2203n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 74.04 грн |
| IRL2505 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 55V 104A 200W 0.008Ω IRL2505 TIRL2505
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 107.33 грн |
| IRL2703 |
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 43.11 грн |
| IRL2910SHR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRL2910SHR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRL3103SHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL3215PBF |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 150V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 196.78 грн |
| 25+ | 176.36 грн |
| 100+ | 101.17 грн |
| 500+ | 85.03 грн |
| 1000+ | 62.98 грн |
| 2500+ | 58.87 грн |
| 5000+ | 56.49 грн |
| 10000+ | 54.10 грн |
| IRL3502PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 314.66 грн |
| 25+ | 180.07 грн |
| 100+ | 126.24 грн |
| 500+ | 117.25 грн |
| 1000+ | 104.42 грн |
| 2500+ | 97.06 грн |
| IRL3705N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 53.13 грн |
| IRL3713 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 249.23 грн |
| IRL3713 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 249.23 грн |
| IRL3716L |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 112.45 грн |
| IRL3803 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRL3803S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803S smd TIRL3803s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 105.62 грн |
| IRL3803STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Description: IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 203.90 грн |
| IRL520N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω IRL520N TIRL520n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 61.45 грн |
| IRL540NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 80.44 грн |
| IRL60SL216 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Description: IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 337.86 грн |
| IRL6283MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8292 pF @ 10 V
Description: DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8292 pF @ 10 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 205+ | 98.73 грн |
| IRL6297SDTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFETSA
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFETSA
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SA
Part Status: Active
на замовлення 82977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 498+ | 43.31 грн |
| IRL6342TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 9.9A 14.6mΩ 2.5W IRL6342 International Rectifier TIRL6342
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 30V 9.9A 14.6mΩ 2.5W IRL6342 International Rectifier TIRL6342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.49 грн |
| IRL7486MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
Description: IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 25 V
на замовлення 39875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 264+ | 76.35 грн |
| IRL7833 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 96.02 грн |
| IRL7833 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 30V 150A 140W 0.0038Ω IRL7833 TIRL7833
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 96.02 грн |
| IRL8113PBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLB3034 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.70 грн |
| IRLB3034 IRLB3034 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 118.81 грн |
| IRLB3813 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 85.35 грн |
| IRLB4132 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 28.80 грн |
| IRLB8748 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.07 грн |
| IRLHM630TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 21A 2.7W IRLHM630TR TIRLHM630
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 21A 2.7W IRLHM630TR TIRLHM630
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 98.58 грн |
| IRLI3705N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω IRLI3705N TIRLI3705n
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω IRLI3705N TIRLI3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 84.29 грн |
| IRLI3705NPBF |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.75 грн |
| IRLIZ44NPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRLIZ44N - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: IRLIZ44N - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLL014NHR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7273+ | 0.10 грн |
| IRLL014NHR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLL014NTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.46 грн |
| IRLL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 27.40 грн |
| IRLL2703TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω IRLL2703 TIRLL2703
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω IRLL2703 TIRLL2703
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 19.16 грн |
| IRLL2705 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
кількість в упаковці: 20 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 29.70 грн |
| IRLL2705TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
кількість в упаковці: 20 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL2705 smd TIRLL2705
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 26.46 грн |
| IRLL2705TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.22 грн |
| 2501+ | 35.83 грн |
| IRLL2705TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRLL3303 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 4.6A 1W 0.031Ω IRLL3303 TIRLL3303
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 30V 4.6A 1W 0.031Ω IRLL3303 TIRLL3303
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 176.46 грн |
| IRLML2402TRPBF |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
на замовлення 677 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.88 грн |
| IRLML5103TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6402TR | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLML6402TR | ![]() |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23)
P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.72 грн |
| IRLR2905ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 510+ | 40.10 грн |
| IRLR2908TR |
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 50.78 грн |
| IRLR3110Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 44.60 грн |
| IRLR3410 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 180.07 грн |
| 25+ | 162.44 грн |
| 100+ | 92.82 грн |
| 500+ | 78.76 грн |
| 1000+ | 58.01 грн |
| 2500+ | 54.10 грн |
| 5000+ | 51.71 грн |
| 10000+ | 50.12 грн |
| IRLR3410 IRLR3410TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 23.76 грн |
| IRLR3410TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.86 грн |
| IRLR3410TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.86 грн |
| IRLR3802 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 12V; 12V; 30mOhm; 84A; 88W; -55°C ~ 175°C; IRLR3802 TIRLR3802
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 12V; 12V; 30mOhm; 84A; 88W; -55°C ~ 175°C; IRLR3802 TIRLR3802
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 35.42 грн |
| IRLR3802PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
Description: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 429+ | 47.75 грн |










