Результат пошуку "10N6" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
10N60 |
на замовлення 8995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 585 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 31.1nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 863 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 27.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220F кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 624 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP10N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP10N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 919 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB110N65F | onsemi / Fairchild | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6P03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6S03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS010N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS610N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 7 POS PLUG |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS610N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 7 POS PLUG |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS6BS10N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS6BS10N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS710N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS710N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FLS710N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon |
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA10N65ET6XKSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RF | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC |
на замовлення 5057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 6889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IKP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFB110N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN110N60P3 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP10N60P | IXYS | MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA10N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP10N60P | IXYS | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 110A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXK110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXN110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXR110N65B4H1 | IXYS | IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
10N65 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.48 грн |
11+ | 31.98 грн |
25+ | 28.82 грн |
33+ | 24.71 грн |
10N65 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.97 грн |
7+ | 39.85 грн |
25+ | 34.59 грн |
33+ | 29.65 грн |
89+ | 28.08 грн |
250+ | 27.34 грн |
10N65 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.58 грн |
AOT10N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.82 грн |
6+ | 66.57 грн |
15+ | 56.28 грн |
39+ | 53.53 грн |
100+ | 52.85 грн |
AOT10N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 95.79 грн |
5+ | 82.96 грн |
15+ | 67.53 грн |
39+ | 64.24 грн |
100+ | 63.41 грн |
500+ | 61.77 грн |
AOT10N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 77.61 грн |
6+ | 65.2 грн |
15+ | 55.59 грн |
40+ | 52.16 грн |
500+ | 50.79 грн |
AOT10N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 93.13 грн |
5+ | 81.25 грн |
15+ | 66.71 грн |
40+ | 62.59 грн |
500+ | 60.94 грн |
AOT10N65 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.74 грн |
AOTF10N60 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.56 грн |
5+ | 84.67 грн |
15+ | 66.71 грн |
40+ | 63.41 грн |
500+ | 60.94 грн |
AOTF10N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.26 грн |
AOTF10N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.26 грн |
AOTF10N65 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220F
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 94.01 грн |
5+ | 81.25 грн |
15+ | 65.89 грн |
40+ | 61.77 грн |
500+ | 60.12 грн |
BXP10N65CF |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.13 грн |
9+ | 38.3 грн |
25+ | 34.52 грн |
30+ | 26.49 грн |
83+ | 25.05 грн |
BXP10N65CF |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.95 грн |
6+ | 47.72 грн |
25+ | 41.43 грн |
30+ | 31.79 грн |
83+ | 30.06 грн |
FCB110N65F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 382.79 грн |
10+ | 334.14 грн |
25+ | 280.01 грн |
100+ | 256.95 грн |
250+ | 251.02 грн |
500+ | 228.62 грн |
800+ | 200.29 грн |
FLS010N6P03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 533.45 грн |
10+ | 458.4 грн |
100+ | 337.99 грн |
200+ | 323.5 грн |
500+ | 304.39 грн |
1000+ | 266.83 грн |
2500+ | 253 грн |
FLS010N6P03-PM |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 561.89 грн |
10+ | 478.1 грн |
50+ | 401.9 грн |
100+ | 381.47 грн |
250+ | 341.28 грн |
500+ | 320.86 грн |
1000+ | 281.33 грн |
FLS010N6PHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 820.93 грн |
10+ | 716.76 грн |
50+ | 581.77 грн |
100+ | 543.55 грн |
250+ | 495.46 грн |
500+ | 463.17 грн |
1000+ | 424.96 грн |
FLS010N6S03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 668.73 грн |
10+ | 593.26 грн |
50+ | 485.57 грн |
100+ | 461.2 грн |
250+ | 411.12 грн |
500+ | 386.09 грн |
1000+ | 341.28 грн |
FLS010N6S03-PM |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 551.9 грн |
10+ | 497.04 грн |
50+ | 366.32 грн |
100+ | 322.18 грн |
250+ | 285.94 грн |
500+ | 256.29 грн |
FLS010N6SHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 794.79 грн |
10+ | 737.98 грн |
50+ | 544.87 грн |
100+ | 478.98 грн |
250+ | 410.46 грн |
500+ | 385.43 грн |
FLS610N6PHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 906.25 грн |
10+ | 825.87 грн |
50+ | 609.44 грн |
100+ | 506 грн |
200+ | 497.43 грн |
500+ | 491.5 грн |
1000+ | 484.26 грн |
FLS610N6SHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1016.94 грн |
10+ | 925.13 грн |
50+ | 682.57 грн |
100+ | 583.08 грн |
250+ | 564.64 грн |
500+ | 552.78 грн |
1000+ | 538.28 грн |
FLS6BS10N6P03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 930.85 грн |
10+ | 812.99 грн |
50+ | 660.17 грн |
100+ | 616.03 грн |
250+ | 562 грн |
500+ | 525.76 грн |
1000+ | 482.28 грн |
FLS6BS10N6S03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1066.9 грн |
10+ | 931.94 грн |
50+ | 757.02 грн |
100+ | 706.29 грн |
250+ | 644.36 грн |
500+ | 602.85 грн |
1000+ | 553.43 грн |
FLS710N6P03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 801.71 грн |
10+ | 729.64 грн |
50+ | 538.28 грн |
100+ | 459.88 грн |
250+ | 444.72 грн |
500+ | 434.84 грн |
1000+ | 423.64 грн |
FLS710N6PHEC03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1150.68 грн |
10+ | 1047.11 грн |
50+ | 773.49 грн |
100+ | 761.63 грн |
250+ | 638.43 грн |
500+ | 624.59 грн |
1000+ | 608.12 грн |
FLS710N6S03 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 819.39 грн |
10+ | 765.26 грн |
50+ | 564.64 грн |
100+ | 472.4 грн |
200+ | 438.14 грн |
500+ | 419.69 грн |
1000+ | 400.58 грн |
IGB10N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.61 грн |
10+ | 87.13 грн |
100+ | 59.1 грн |
500+ | 50.14 грн |
1000+ | 40.78 грн |
2000+ | 38.41 грн |
5000+ | 36.57 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.3 грн |
6+ | 67.94 грн |
15+ | 53.53 грн |
41+ | 50.79 грн |
250+ | 50.1 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.56 грн |
5+ | 84.67 грн |
15+ | 64.24 грн |
41+ | 60.94 грн |
250+ | 60.12 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.23 грн |
10+ | 83.34 грн |
100+ | 57.32 грн |
500+ | 48.1 грн |
1000+ | 40.78 грн |
2000+ | 38.41 грн |
5000+ | 36.57 грн |
IGB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.36 грн |
IGD10N65T6ARMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 178.33 грн |
10+ | 146.23 грн |
100+ | 100.8 грн |
250+ | 92.9 грн |
500+ | 84.33 грн |
1000+ | 73.13 грн |
3000+ | 67.86 грн |
IGP10N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.56 грн |
5+ | 79.61 грн |
10+ | 72.06 грн |
13+ | 65.89 грн |
34+ | 62.45 грн |
IGP10N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.21 грн |
10+ | 86.47 грн |
13+ | 79.06 грн |
34+ | 74.94 грн |
IKA10N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.81 грн |
IKA10N65ET6XKSA2 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 57.03 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 115.3 грн |
5+ | 96.77 грн |
11+ | 78.92 грн |
28+ | 74.12 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 138.36 грн |
5+ | 120.59 грн |
11+ | 94.71 грн |
28+ | 88.94 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.44 грн |
10+ | 103.04 грн |
100+ | 73.79 грн |
250+ | 71.16 грн |
500+ | 61.87 грн |
1000+ | 52.44 грн |
2000+ | 49.81 грн |
IKB10N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 53.11 грн |
IKD10N60RATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.93 грн |
10+ | 81.07 грн |
100+ | 54.09 грн |
500+ | 45.72 грн |
1000+ | 37.42 грн |
2500+ | 35.45 грн |
5000+ | 33.73 грн |
IKD10N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.17 грн |
10+ | 64.93 грн |
100+ | 44.8 грн |
500+ | 38.61 грн |
1000+ | 32.15 грн |
2500+ | 30.83 грн |
5000+ | 29.32 грн |
IKD10N60RF |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.3 грн |
10+ | 93.95 грн |
100+ | 63.12 грн |
500+ | 53.76 грн |
1000+ | 43.81 грн |
2500+ | 42.76 грн |
5000+ | 42.56 грн |
IKD10N60RFATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.84 грн |
10+ | 94.71 грн |
100+ | 63.71 грн |
500+ | 53.83 грн |
1000+ | 43.88 грн |
2500+ | 41.24 грн |
5000+ | 39.27 грн |
IKP10N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKP10N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.5 грн |
IXFB110N60P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1752.54 грн |
25+ | 1432.77 грн |
50+ | 1181.98 грн |
100+ | 1143.77 грн |
250+ | 1085.13 грн |
500+ | 1054.16 грн |
IXFN110N60P3 |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2992.39 грн |
10+ | 2681.43 грн |
100+ | 2046.39 грн |
1000+ | 1981.17 грн |
IXFP10N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257.21 грн |
3+ | 222.36 грн |
6+ | 170.48 грн |
16+ | 161.42 грн |
IXFP10N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 284.4 грн |
10+ | 235.64 грн |
50+ | 193.04 грн |
100+ | 165.37 грн |
250+ | 156.15 грн |
500+ | 146.92 грн |
1000+ | 126.5 грн |
IXTA10N60P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.79 грн |
3+ | 212.1 грн |
6+ | 162.24 грн |
17+ | 153.18 грн |
IXTP10N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.64 грн |
10+ | 226.55 грн |
50+ | 185.8 грн |
100+ | 157.47 грн |
250+ | 148.9 грн |
500+ | 140.99 грн |
1000+ | 137.04 грн |
IXXH110N65C4 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 753.88 грн |
2+ | 525.97 грн |
6+ | 478.49 грн |
IXXK110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1282.89 грн |
10+ | 1114.55 грн |
25+ | 916.46 грн |
50+ | 890.11 грн |
100+ | 837.4 грн |
250+ | 782.72 грн |
IXXN110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2303.67 грн |
10+ | 1978.3 грн |
IXXR110N65B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1495.04 грн |
10+ | 1298.66 грн |
30+ | 1037.03 грн |
120+ | 975.76 грн |
270+ | 886.15 грн |
510+ | 855.19 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]