Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4967.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10TIXYSMOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3704.02 грн
10+3295.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4016.52 грн
5+3758.79 грн
10+3500.26 грн
50+3010.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10TIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN21N100IXYSMODULE
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN21N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN21N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100LIXYSMOSFET Modules 22 Amps 1000V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4044.71 грн
10+3585.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN240N075L2IXYSMOSFET Modules SOT227 N-CH 75V 225A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3671.81 грн
10+3390.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 225A SOT227B
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4114.60 грн
10+3023.26 грн
100+2734.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN30N100LIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN30N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN30N100LIXYSMOSFET Modules 30 Amps 1000V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6580.10 грн
10+5394.50 грн
100+4516.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN320N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN320N10TMOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN320N10TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN320N10TIXYSSOT-227B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN32P60PIXYSMOSFET Modules -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1968.39 грн
10+1901.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2773.36 грн
10+2463.18 грн
100+2103.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN36N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN36N50IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN400N15X4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400 A, 150 V, 0.00235 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3162.80 грн
5+2846.28 грн
10+2199.54 грн
50+1979.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3866.71 грн
10+2999.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3925.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3087.89 грн
10+2239.94 грн
100+2089.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 3mohm 340A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2588.55 грн
10+1889.46 грн
100+1592.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 348 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2632.01 грн
10+2252.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2626.40 грн
5+2484.65 грн
10+2342.90 грн
50+2043.93 грн
100+1765.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50PIXYSMOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2780.23 грн
10+2202.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN44N50LWL
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN44N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3126.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4685.00 грн
10+4010.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.99mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 535 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Packaging: Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2916.26 грн
10+2105.33 грн
100+1937.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN500N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3882.02 грн
10+3191.45 грн
100+2374.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN550N055T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3263.47 грн
10+2634.93 грн
100+2117.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN5N250IXYSDiscrete Semiconductor Modules 2500V 5A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2804.42 грн
10+2014.31 грн
100+1704.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2747.21 грн
10+2211.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN600N04T2. - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2495.93 грн
5+2172.96 грн
10+1850.00 грн
25+1705.14 грн
50+1563.62 грн
100+1551.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3626.10 грн
10+2951.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3289.24 грн
5+3206.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2IXYSMOSFET Modules 60 Amps 500V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3395.56 грн
10+2617.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50L
Код товару: 29989
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LIXYSMOSFET Modules 62 Amps 500V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4920.17 грн
10+4516.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4IXYSMOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2294.58 грн
10+2115.78 грн
30+1961.95 грн
100+1678.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2169.91 грн
10+1856.88 грн
100+1624.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN660N04T4.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4. - MOSFET, N-CH, 40V, 660A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2561.97 грн
5+2462.91 грн
10+2363.04 грн
25+2034.20 грн
100+1729.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20IXYSMOSFET Modules 79 Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 485ns
Gate charge: 660nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150LIXYSMOSFET Modules 8 Amps 1500V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3281.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 7.5A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2809.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3894.04 грн
10+2854.99 грн
100+2615.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3621.87 грн
5+3424.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2IXYSMOSFET Modules 90 Amps 250V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3395.56 грн
10+2617.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2834.71 грн
10+2039.74 грн
100+1768.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PIXYSMOSFET Modules -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3061.32 грн
10+2435.66 грн
100+1915.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: PolarP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.65 грн
10+369.16 грн
100+294.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+665.90 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+531.56 грн
10+425.45 грн
25+350.67 грн
50+327.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+908.90 грн
19+784.54 грн
25+645.62 грн
50+581.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+376.71 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.41 грн
50+289.31 грн
100+265.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP01N100D. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.35 грн
25+487.27 грн
100+324.58 грн
250+281.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.31 грн
82+173.45 грн
100+167.56 грн
250+156.67 грн
500+141.12 грн
1000+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
50+111.96 грн
100+101.22 грн
500+77.35 грн
1000+71.69 грн
2000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.18 грн
86+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PIXYSMOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.25 грн
10+142.90 грн
100+109.07 грн
500+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P
Код товару: 161462
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 75Ω
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.18 грн
10+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.40 грн
10+134.17 грн
100+84.91 грн
500+71.11 грн
1000+61.16 грн
2500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DN-Channel, Depletion Mode, 500V, 200mA, 30 Ohm, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]