Продукція > 2SA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SAApex Tool GroupDescription: TWEEZER POINTED MEDIUM 4.50"
товару немає в наявності
2SAWELLER EREMDescription: WELLER EREM - 2SA - Pinzette, Präzisionspinzette, gerade, spitz, Edelstahl, 115mm
tariffCode: 82032000
productTraceability: No
Pinzettenmaterial: Edelstahl
Pinzettentyp: Präzision
rohsCompliant: NA
Pinzettenspitzenmaterial: Edelstahl
euEccn: NLR
Pinzettenspitze: Gerade, spitz
Gesamtlänge: 115mm
hazardous: false
Ausführung der Spitzen: -
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1564.18 грн
2SAWellerAccess Tweezer Tool And Anti-Magnetic And Fine Point
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2111.66 грн
2SAApex Tool Group B.V.Tools and Accessories, Access Tweezer And Anti-Magnetic And Fine Point
товару немає в наявності
2SAApex Tool GroupPliers & Tweezers Erem 4.5" Tweezer Anti-Magntic Fine Pt
товару немає в наявності
2SA(MSA)1162GT1MOT
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA00025C
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA06830RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA06840RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA06840SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA07200RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A TO-92
товару немає в наявності
2SA07200RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A TO-92
товару немає в наявності
2SA0720ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 70V 0.5A TO-92
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA0720ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 70V 0.5A TO-92
товару немає в наявності
2SA07770QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA07770RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA07940RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 0.5A TO-126
товару немає в наявності
2SA0794ARPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
2SA08790QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA08850RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 35V 1A TO126B-A1
товару немає в наявності
2SA08860QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A TO-126
товару немає в наявності
2SA09000RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 18V 1A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
2SA09140RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
2SA0963Panasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A TO126A-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126A-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
2SA100NECCAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1001TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1002TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1003TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1006B-AZRenesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
2SA1007TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1007A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1008(4)-S6-AZRenesas2SA1008(4)-S6-AZ
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+98.86 грн
500+94.65 грн
1000+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 316
2SA1008(4)-S6-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 286
2SA1008-AZRenesasTrans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 25668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+98.86 грн
500+94.65 грн
1000+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 316
2SA1008-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 100V 2A MP-25
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: MP-25
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 25668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 286
2SA1008-YOFSC
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1009-AZRenesasTrans GP BJT PNP 350V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+155.15 грн
500+147.86 грн
1000+139.53 грн
Мінімальне замовлення: 202
2SA1009-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 400V 2A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 183
2SA1009-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SA1009-AZRenesasTrans GP BJT PNP 350V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+155.15 грн
500+147.86 грн
Мінімальне замовлення: 202
2SA1009A
Код товару: 168655		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SA1009ANEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1009ANECTO-220F
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1009ANECTO-220
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA101NECCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA101N/A
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1010(0)-S12-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1010(05)-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SA1010-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1011
Код товару: 152622		SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220C
fT: 100 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 1,15 A
товару немає в наявності
1+13.50 грн
2SA1012HTC10+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012
Код товару: 30147		Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 60 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 5 А
h21,max: 240
у наявності 45 шт:
9 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.50 грн
10+20.90 грн
2SA1012Toshiban/a
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 5A TO220AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
2SA1012-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1012-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1012-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1012-YTOS09+
на замовлення 16648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012-YToshibaBipolar Transistors - BJT Pb 220AB2 PLS PLN-N,DISCON(03-04)/PHASE-OUT(04-07)/OBSOLETE(07-07),DISCON-->2007-04-27
товару немає в наявності
2SA1012LUTC05+ TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012L-TM3-RUTC07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012L-TN3-RUTC07+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1012RDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; 15W; DPAK
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70...280
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
товару немає в наявності
2SA1012RDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, -50V, -5000mA, PNP
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.01 грн
10+94.32 грн
100+49.08 грн
500+48.60 грн
1000+47.03 грн
2500+26.18 грн
5000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SA1012RDiotec SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 5A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
2SA1012RDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 5A; 15W; DPAK
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70...280
Collector current: 5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
2SA1013LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 2A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.64 грн
14+19.52 грн
28+9.43 грн
100+4.95 грн
250+4.45 грн
283+3.55 грн
777+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1013LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 2A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
на замовлення 9146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.20 грн
23+15.66 грн
46+7.86 грн
100+4.12 грн
250+3.71 грн
283+2.95 грн
777+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1013 (KSA1013); биполярный; PNP; 160V; 1A; 0,9W; 50Mhz; Корпус: TO-92L; KEC (Korea)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
110+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 110
2SA1013-OTOSHIBA07+ TSOP
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1013-OKESENES09+
на замовлення 35334 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1013-O,T6MIBF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 160V 1A TO-92L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1013-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1013-O-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Mod Bulk
товару немає в наявності
2SA1013-O-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1013-R(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor PNP, 160V, 1A
товару немає в наявності
2SA1013-R(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1013-R-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1013-Y
Код товару: 30631		ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 50 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 1 А
h21,max: 200
у наявності 467 шт:
226 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
163 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+6.00 грн
10+5.00 грн
100+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1013-Y(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1013-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1013-Y-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 160V 1A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1013-YO
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015Lumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 0.1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+3.36 грн
89+3.20 грн
142+2.01 грн
200+1.86 грн
500+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 88
2SA1015EVVODescription: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.39 грн
79+3.63 грн
117+2.44 грн
500+1.73 грн
1000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SA1015HT Jinyu SemiconductorTransistor (PNP)
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+0.82 грн
60000+0.72 грн
300000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 15152
2SA1015EVVODescription: TRANS PNP ECB -150MA -50V SOT2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
2SA1015(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-BShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: PNP 50V 150MA 400MW TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.39 грн
86+3.35 грн
138+2.06 грн
500+1.39 грн
1000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SA1015-GRTOSHIBA0918+ TO-92
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GRToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1015-GRTOS08+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GR(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товару немає в наявності
2SA1015-GR(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-GR(TE2,F,TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
2SA1015-GR(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товару немає в наявності
2SA1015-GR(TE2FTToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-GR(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
2SA1015-GR(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1015-GR-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1015-GR-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
2SA1015-GR-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
на замовлення 19789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.68 грн
11+29.40 грн
100+17.43 грн
500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1015-GR-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-GR-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1015-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-GRY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-OMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTOR
товару немає в наявності
2SA1015-O(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товару немає в наявності
2SA1015-O(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товару немає в наявності
2SA1015-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1015-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-TIB
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-Y
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-YToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1015-Y(F)TOSHIBATO92
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-Y(F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товару немає в наявності
2SA1015-Y(TE2)TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-Y(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single
товару немає в наявності
2SA1015-Y(TE2,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1015-Y(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1015-Y(TPE2,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 21000
2SA1015-Y-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
2SA1015-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
товару немає в наявності
2SA1015-Y-APMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92 Ammo
товару немає в наявності
2SA1015-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1015-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-Y-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1015-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1015-Y/GRTOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015-YT2SPTTOS07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015GR
Код товару: 25436		ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 200...400
у наявності 140 шт:
93 шт - склад
47 шт - РАДІОМАГ-Харків
2+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1015LT1 BASOT23/SOT323
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015OTE2TToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товару немає в наявності
2SA1015Y
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1015Y
Код товару: 108505		ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
у наявності 4 шт:
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SA1015YLEADFREE(BULK)TOSHIBA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1016KG
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1016KGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 0.05A 400mW 3-Pin NP
товару немає в наявності
2SA1016KG-AAonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SA1016KG-AAON Semiconductor2SA1016KG-AA
на замовлення 15870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2715+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 2715
2SA1016KG-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1016KG-AA - 2SA1016KG-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1018PanasonicTO-92
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10180RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO92-B1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SA10180RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 200V 0.07A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SA1019
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA102NECCAN
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1020LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Mounting: THT
Current gain: 40...240
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
85+3.40 грн
115+2.40 грн
500+2.08 грн
565+1.79 грн
1545+1.69 грн
12000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 85
2SA1020LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Mounting: THT
Current gain: 40...240
Frequency: 100MHz
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.84 грн
185+1.93 грн
500+1.74 грн
565+1.49 грн
1545+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 140
2SA1020onsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товару немає в наявності
2SA1020Transistor 2SA1020
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2SA1020
Код товару: 36910		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 100 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 А
h21,max: 240
у наявності 73 шт:
26 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10.00 грн
10+8.00 грн
2SA1020ToshibaArray
товару немає в наявності
2SA1020onsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O(F,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-O(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O(TE6,F,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O,CKF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-O,CKF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O,F(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-O,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O,T6CSF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-O,T6CSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020-YTOSHIBA2007 TO-92
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1020-Y(6MBH1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(6MBH1,AFToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(F,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(HIT,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(HIT,F,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(ND1,AF)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(ND1,AF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CANO,CToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CANOAFToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CANOAFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CANOFMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CANOFMToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CN,A,FToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6CN,A,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6FJT,AFToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6FJT,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6ND1,AFToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6ND1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6ND3,AFToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6ND3,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6OMI,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6OMI,FMToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6TOJ,FMToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6TOJ,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6TR,A,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6TR,A,FToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6TR1,AFToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y(T6TR1,AFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1020-Y(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92
товару немає в наявності
2SA1020-Y(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP -50V -2A 900mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1020-Y(TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1020-Y,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y,F(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y,F(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y,HOF(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y,HOF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6F(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6KEHF(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6KEHF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6NSF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6NSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6WNLF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020-Y,T6WNLF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020-Y-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 Mod Bulk
товару немає в наявності
2SA1020-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Bipolar Transistors
товару немає в наявності
2SA1020-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020A,NSEIKIF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020A,NSEIKIF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020A,T6CSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020A,T6CSF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1020GonsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товару немає в наявності
2SA1020GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020L-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020L-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020L-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020L-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020L-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020L-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020L-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020L-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1020RLRAonsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товару немає в наявності
2SA1020RLRAON Semiconductor
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1020RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1020RLRA - 2SA1020RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1020RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2SA1020RLRAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 303750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4659+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 4659
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 2037
2SA1020RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1020RLRAG - TRANSISTOR, PNP, -50V, -2A, TO-92-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1020RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 27892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 2037
2SA1020RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 41940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 1665
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 2037
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
2SA1020RLRAGonsemiBipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP
товару немає в наявності
2SA1020RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
2SA1020RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
2SA1020YTOSHIBA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1022-Bpanasonic09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1022-B(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 20VCEO 30MA MINI-3P
товару немає в наявності
2SA1022-C(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP 20VCEO 30MA MINI-3P
товару немає в наявності
2SA10220BLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA10220BLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA10220CLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1023
Код товару: 35499		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
1+10.00 грн
2SA1024NECCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1024
Код товару: 153273		Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності 33 шт:
23 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+18.00 грн
2SA103NECCAN
на замовлення 843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1034-SPANSOT-23
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1034-TF.TPANASONIC94+ SOT-23
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10340SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 35V 0.05A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA10340SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 35V 0.05A MINI3-G1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1035PANASONIC
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1035-RT
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1035-R<TX>PANASONICSOT23
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1035-S/HSPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10350SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 55V 0.05A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA10350SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 55V 0.05A MINI3-G1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 82...390
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.84 грн
210+1.72 грн
500+1.55 грн
570+1.47 грн
1565+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 140
2SA1036LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 82...390
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
85+3.40 грн
125+2.14 грн
500+1.85 грн
570+1.76 грн
1565+1.67 грн
3000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 85
2SA1036 T146RROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-P-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036-QROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-Q-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036-RROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036/RROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036AKROHM09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHM
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1036KROHM99+ SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KROHMSOT23/
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K T146QROHMSOT23
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K T146QROHMSOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K T146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K-QROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K-RROHMSOT23
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036K/RROHMSOT-23
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KFRAT146ROHMDescription: ROHM - 2SA1036KFRAT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.34 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1036KFRAT146ROHMDescription: ROHM - 2SA1036KFRAT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.11 грн
60+12.80 грн
109+7.05 грн
500+5.34 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 59
2SA1036KFS T146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1036KT146PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036KT146P
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+20.37 грн
637+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 614
2SA1036KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
12+23.99 грн
100+15.29 грн
500+10.82 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1036KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 120...270
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
товару немає в наявності
2SA1036KT146QROHMDescription: ROHM - 2SA1036KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.58 грн
500+9.68 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1036KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 120...270
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
2SA1036KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+20.37 грн
637+19.63 грн
1000+18.99 грн
2500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 614
2SA1036KT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.5A
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.71 грн
13+25.39 грн
100+10.80 грн
1000+9.71 грн
3000+7.86 грн
9000+6.49 грн
24000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1036KT146QROHMDescription: ROHM - 2SA1036KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.88 грн
34+22.93 грн
100+11.58 грн
500+9.68 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SA1036KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 180...390
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
товару немає в наявності
2SA1036KT146RROHM10+ SOT-23
на замовлення 147800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 8897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+16.87 грн
811+15.41 грн
817+15.31 грн
1000+14.26 грн
2000+12.27 грн
3000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 741
2SA1036KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.5A
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.42 грн
13+25.86 грн
100+11.00 грн
1000+9.64 грн
3000+8.61 грн
9000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1036KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
12+23.99 грн
100+15.29 грн
500+10.82 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1036KT146R
Код товару: 119370		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SA1036KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 180...390
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
2SA1036KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1036KT146RROHMSOT-23
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1036KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.05 грн
18000+5.53 грн
27000+5.15 грн
36000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1036KT146S
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...560
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.84 грн
210+1.72 грн
500+1.55 грн
630+1.33 грн
1725+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 140
2SA1037LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...560
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
85+3.40 грн
125+2.14 грн
500+1.85 грн
630+1.60 грн
1725+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 85
2SA1037-QYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.08 грн
15000+0.98 грн
30000+0.91 грн
60000+0.79 грн
120000+0.73 грн
300000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037-QYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...270
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.27 грн
350+1.05 грн
500+0.95 грн
1100+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 175
2SA1037-QYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...270
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
125+2.72 грн
225+1.30 грн
500+1.14 грн
1100+0.92 грн
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 125
2SA1037-QYangjie Electronic Technology2SA1037-Q
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 11905
2SA1037-Q -TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
2SA1037-Q-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1037-Q-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
2SA1037-RYangjie Electronic Technology2SA1037-R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15307+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 15307
2SA1037-RYangjie TechnologyDescription: SOT-23 PNP 0.2W -0.15A -60V Tran
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.95 грн
15000+0.85 грн
30000+0.78 грн
60000+0.67 грн
120000+0.61 грн
300000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037-RYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
товару немає в наявності
2SA1037-RYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
2SA1037-R-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
2SA1037-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
2SA1037-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1037-SYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.01 грн
15000+0.91 грн
30000+0.85 грн
60000+0.73 грн
120000+0.67 грн
300000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037-SYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 270...560
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
товару немає в наявності
2SA1037-SYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.2W; SOT23
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 270...560
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
2SA1037-SYangjie Electronic Technology2SA1037-S
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13393+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 13393
2SA1037-S-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1037/2SC2412ROHMSOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/2SC2412??ROHMSOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/FQROHM
на замовлення 69371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/RROHMSOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037/SROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AROHM09+
на замовлення 149018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037A/RROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHMSOT23/
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
2SA1037AKROHM
на замовлення 49100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHMSOT23
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKROHM09+
на замовлення 192038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146QROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146QROHMSOT23
на замовлення 11198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146RROHMSOT23-FR PB-FREE
на замовлення 14306 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146R SOT23-FRROHM
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146SROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146SROHMSOT-23 0435+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK T146SROHMSOT23-FS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-QROHM07+ SOT-23
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-RROHM06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-R/2SA1037K-RROHM00+ SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-SROHM06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-T146-RROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK-T146RROHMSOT23
на замовлення 18780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/FQROHM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/FR
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/QROHMSOT-23
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/RROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/R/X
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK/SROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK146RROHMSOT23
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AK<T146Q>ROHMSOT23
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKFROHMSOT23
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKF-QROHMSOT23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKF-QROHM09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKFRROHM00+ 23
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKFSROHMSOT23
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKLT1LRC02+ SOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKQLT1GLRCSOT23
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKRTOSHIBA00+ SOT23
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKRLT1LRCSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKRLT1/2SA1037AK-RLRC07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT-146QROHM 
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
2SA1037AKT146QROHMSOT-23 03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146Q
Код товару: 177681		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.27 грн
30+9.75 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1786+7.00 грн
2305+5.42 грн
2609+4.79 грн
2738+4.40 грн
12000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 1786
2SA1037AKT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.46 грн
30+10.69 грн
100+4.31 грн
1000+3.55 грн
3000+2.73 грн
9000+2.26 грн
24000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SA1037AKT146QROHMSOT-23
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
6000+2.92 грн
9000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037AKT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...270
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.04 грн
35+7.72 грн
100+4.66 грн
381+2.63 грн
1046+2.49 грн
15000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SA1037AKT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+8.31 грн
1555+8.04 грн
2500+7.80 грн
5000+7.32 грн
10000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 1505
2SA1037AKT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...270
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+9.20 грн
58+6.19 грн
100+3.89 грн
381+2.19 грн
1046+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 42
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMD T/R
на замовлення 49855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1537+8.13 грн
1916+6.52 грн
2174+5.75 грн
2326+5.18 грн
12000+4.25 грн
24000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 1537
2SA1037AKT146RROHMDescription: ROHM - 2SA1037AKT146R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.95 грн
84+9.20 грн
186+4.14 грн
500+3.42 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 55
2SA1037AKT146RROHM
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.27 грн
30+9.75 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SA1037AKT146RROHM11+ SOT-23
на замовлення 193360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+22.08 грн
19+14.02 грн
100+6.13 грн
386+2.60 грн
1061+2.45 грн
24000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1037AKT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SC59,SOT346
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...390
Collector current: 0.15A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+18.40 грн
32+11.25 грн
100+5.11 грн
386+2.16 грн
1061+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SA1037AKT146R
Код товару: 27962		RohmТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 140 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 560
у наявності 996 шт:
890 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
21 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+3.50 грн
10+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SMD T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1037AKT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1037AKT146RROHMSOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
на замовлення 37240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.46 грн
31+10.45 грн
100+3.62 грн
1000+3.28 грн
3000+2.67 грн
9000+2.46 грн
24000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SA1037AKT146RROHMSOT23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146SROHM00+
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146SRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.96 грн
25+11.75 грн
100+7.31 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1037AKT146SROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.21 грн
25+12.81 грн
100+5.13 грн
1000+4.58 грн
3000+2.87 грн
9000+2.39 грн
24000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1037AKT146SROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037AKT146SRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1037AKT146SSOT23-FSROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037ALFS T146RROHMSOT23
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037ARROHM
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KROHMSOT23/
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KROHMSOT23
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K FRLT146RROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K HRLT146RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K-QROHMSOT23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K-RROHMSOT-23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K-RROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K/FQ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K/FS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KFS T146QROHMSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KKROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KLNROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KLNROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KLNT146RROHM
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KMCT146R/FRROHM
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KT146
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037KT146RROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
2SA1037KT147RROHM00+
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037K\FQROHMSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037RROHM09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037RT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037T146ROHM01+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037T146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1037T146SROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1038
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1038SROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
2SA1038STPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1038STPRRohm SemiconductorDescription: TRANS GP BJT PNP 120V 0.05A 3-PI
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
2SA1038STPRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 120V 0.05A 3PIN
товару немає в наявності
2SA1038STPSROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 120V 0.05A 3PIN
товару немає в наявності
2SA1038STPSRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 120V 0.05A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
2SA104NECCAN
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1040FUJITSU
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1040TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1041TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1042TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1043TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1044TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1045TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1046TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1046 (KA1046)
Код товару: 29977		NECТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220F
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 15 A
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
1+18.00 грн
10+15.90 грн
2SA1046 (KTA1046); биполярный; PNP; 60V; 3A; 20W; 30Mhz; Корпус: TO-220FP; KEC (Korea)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
36+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 36
2SA1048
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1048
Код товару: 153275		SecosТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92S
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 400
у наявності 85 шт:
72 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+44.00 грн
10+39.60 грн
2SA1048(T4MATT)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1048-GRToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
товару немає в наявності
2SA1048-GR(F)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1048-GR(T4PAIKFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F N-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1048-GR(T4PAIOKToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1048-GR(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1048-GR-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1048-GR-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1048-GR-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1048-GR-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1048-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1048-YToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1048-Y(TP4SONY)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON,DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-01),
товару немає в наявності
2SA1048-Y(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1048-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1048-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1048-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1048-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1049-GR(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
2SA1050ATOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1051TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1051ATOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052HITACHI
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCHITACHISOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MC2LHITACHISOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCTL SOT23-MCHITACHI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCTRHITACHISOT23/SOT323
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MCTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 30V 0.1A 3-MPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-MPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1052MCTR-ERenesasTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin MPAK T/R
на замовлення 13045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3308+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3308
2SA1052MDTR-ERENESASSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1052MDTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 30V 0.1A 3-MPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-MPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1052MDTR-ERenesasTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin MPAK T/R
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3308+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3308
2SA1060NEC00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1061NEC00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1062NEC00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1063A-T111-1RSOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1067TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1068TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1069NECPNP 5A 80V 30W 50MHz 2SA1069 T2SA1069
кількість в упаковці: 89 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
89+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 89
2SA1069ANEC00+ TO220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1069A-Z-E1RenesasTrans GP BJT PNP 80V 5A 1500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
товару немає в наявності
2SA1072TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1072ATOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1073TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1074TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1075
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1075
Код товару: 140381		SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 12 А
у наявності 7 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
2SA1079TOS00+ TO220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1083-D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1083-D-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1083-D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1083-D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1083-E-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1083-E-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1083-E-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1083-E-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1084ETZRenesas Electronics AmericaDescription: TRANS PNP 90V 0.1A TO-92
товару немає в наявності
2SA1084ETZ-ERenesas Electronics AmericaDescription: TRANS PNP 90V 0.1A TO-92
товару немає в наявності
2SA1084ETZ-ERenesasTrans GP BJT PNP 90V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Box
товару немає в наявності
2SA1085
Код товару: 87213		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SA1085EHITACHI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1090TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091TOSHIBATO-92
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091-0?T2SONY,F?TOSHIBATO92
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091-OToshiba
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1091-O(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10),
товару немає в наявності
2SA1091-O(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1091-R(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Bipolar Small Signal Transistors
товару немає в наявності
2SA1091-R(TPE2,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 300V 0.1A TO-92
товару немає в наявності
2SA1093TOS00+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1094TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1094TOS00+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1095TOS00+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1095TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1096SANKEN00+ TO126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA10960QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-126
товару немає в наявності
2SA10960RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 2A TO-126
товару немає в наявності
2SA1096AQPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 60V 2A TO-126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
2SA110TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1102
Код товару: 160964		SankenТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
fT: 20 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 6 А
h21,max: 50
товару немає в наявності
1+27.50 грн
2SA1104
Код товару: 160967		SankenТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3PN
Uке, В: 120 V
Uкб, В: 120 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 180
у наявності 8 шт:
8 шт - склад
1+36.00 грн
2SA1105SK2002 TO-3PH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1106SK2002 TO-3PH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1109TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA111TO-39
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA11100QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
2SA11100QPanasonicPanasonic
товару немає в наявності
2SA1115
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1116TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1117TOS03+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA112TO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1120TOS00+ Z-8HIA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121CTLHITACHISOT23-SC
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121CTL SOT23-SCHITACHI
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121SC91TR-ERenesas2SA1121SC91TR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1491+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 1491
2SA1121SCTL-ERENESASSOT23/SOT323
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121SCTLSOT23-SCHITACHI
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1121SCTRHITSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122CCHITACHISOT23
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122CCTL-ERenesas2SA1122CCTL-E
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3308+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3308
2SA1122CCTL-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CCTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CCTR-ERenesas2SA1122CCTR-E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3308+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3308
2SA1122CDHITACHI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1122CDTL-ERenesas2SA1122CDTL-E
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 1810
2SA1122CDTL-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SA1122CDTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1122CDTR-ERenesas2SA1122CDTR-E
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3308+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3308
2SA1123
Код товару: 153274		PanasonicТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92B
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 450
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+14.00 грн
2SA11230RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SA11230RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO92-B1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SA1124KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA11240RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA11240RPanasonicPanasonic
товару немає в наявності
2SA1126TO-39
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA11270RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 55V 0.1A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
2SA1129
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA113TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1133
Код товару: 58042		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SA1133NEC00+ TO220AB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1133-P
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1142-Y
Код товару: 169296		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SA1145-O
Код товару: 112787		ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
товару немає в наявності
1+10.00 грн
2SA1145-O (TE6,F,M)ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1145-O (TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1145-O(T6HMN,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F PLS-PW,PRE-ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1145-O(T6HMN,FMToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1145-O(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1145-O(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor PNP 150V 0.05A
товару немає в наявності
2SA1145-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1145-O(TPE6,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor PNP, -140V, -0.05A, TO-92MOD
товару немає в наявності
2SA1145-O(TPE6F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1145-O,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1145-O,T6F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1145-OTPE6CToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1145-Y
Код товару: 112786		Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 200 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 150 V
Iк, А: 0,05 A
у наявності 41 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+13.50 грн
2SA1145-Y(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 37700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1145-Y(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1145-Y,T6F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA115TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1150-O(T4PAIO-KToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1150-Y(TPE4)ToshibaBipolar Transistors - BJT N-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1152
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1152-ARenesas2SA1152-A
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+31.65 грн
1045+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 987
2SA1152-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 28887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 854
2SA1156-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SA1156-AZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SA1156-M(KM)
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1156-Y
Код товару: 112789		NECТранзистори > Біполярні PNP
Uке, В: 400 V
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 0,5 A
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20.00 грн
10+17.90 грн
2SA116TO-39
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1160
Код товару: 184995		Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92MOD
fT: 140 MHz
Uке, В: 10 V
Uкб, В: 20 V
Iк, А: 2 A
h21,max: 120
у наявності 8 шт:
8 шт - склад
1+11.00 грн
2SA1160-B (TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1160-B(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
2SA1160-B(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 10V 2A Transistor
товару немає в наявності
2SA1160-B(TE6FM)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162ToshibaArray
товару немає в наявності
2SA1162
Код товару: 27587		ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,15 A
h21,max: 400
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+5.20 грн
2SA1162-GATOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GRTOSHIBA
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GRTOSHIBASOT23
на замовлення 32428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GRToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162-GRTOSHIBAS-MINI
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GR LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товару немає в наявності
2SA1162-GR(T5L,F,T)TOSHIBA0750+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-GR(T5L,F,T)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GR(T5L,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON,DISCON(06-01)/PHASE-OUT(06-04)/OBSOLETE(06-07),
товару немає в наявності
2SA1162-GR(T5LIBM)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),INACTIVE,DISCON(05-10)/PHASE-OUT(07-01)/OBSOLETE(07-04),
товару немає в наявності
2SA1162-GR(T5R,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),DISCON-->2009-10-09
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85L,FTOSHIBACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 70...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85L,FTOSHIBACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 70...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TE85R,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1162-GR(TLSPFTToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 33299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.09 грн
53+5.97 грн
122+2.26 грн
1000+2.05 грн
3000+1.50 грн
9000+1.23 грн
24000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 46400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.35 грн
47+6.12 грн
100+3.80 грн
500+2.59 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.77 грн
9000+1.65 грн
15000+1.43 грн
21000+1.36 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+2.61 грн
345+2.22 грн
371+2.07 грн
500+1.64 грн
1000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 295
2SA1162-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.64 грн
1000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1162-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LXGF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.92 грн
22+13.31 грн
100+8.32 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1162-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 13280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.49 грн
24+13.13 грн
100+5.26 грн
1000+4.72 грн
3000+3.62 грн
9000+3.14 грн
24000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1162-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
15000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.06 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1162-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.12 грн
98+7.90 грн
120+6.44 грн
500+5.06 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 76
2SA1162-GR-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
2SA1162-GR-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
2SA1162-GRLXGF(BToshiba SOT23 N CHAN 50V
товару немає в наявності
2SA1162-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-O LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товару немає в наявності
2SA1162-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1162-O,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.35 грн
47+6.12 грн
100+3.80 грн
500+2.59 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SA1162-O,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 16928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.37 грн
61+5.19 грн
122+2.26 грн
1000+2.05 грн
3000+1.50 грн
9000+1.30 грн
24000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 39
2SA1162-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162-O,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.21 грн
24+13.13 грн
100+5.13 грн
1000+4.58 грн
3000+3.49 грн
9000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1162-O,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.66 грн
21+13.67 грн
100+8.58 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1162-O,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
2SA1162-O,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-O,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.12 грн
98+7.90 грн
120+6.44 грн
500+5.06 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 76
2SA1162-O,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.06 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1162-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162-YTOSHIBA10+ROHS SOT-23
на замовлення 150929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBASOT23
на замовлення 107750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHSOT23
на замовлення 20481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 13392 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBA06+ SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBAN/A 04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHIBASOT23-SY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YTOSHSOT25/
на замовлення 17948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-YToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162-Y LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товару немає в наявності
2SA1162-Y(T5L,F,T)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y(T5LCANOF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(T5LND)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10),
товару немає в наявності
2SA1162-Y(T5LND,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(T5RTORKF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10),
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TE85L,F)TOSHIBA1221+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85LF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TE85LЈ©TOSHIBATOSHIBA
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162-Y(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TE85R,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y(TLSPF,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM SIG POWER TRANS
товару немає в наявності
2SA1162-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 38548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.35 грн
47+6.12 грн
100+3.80 грн
500+2.59 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SA1162-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 12332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+10.61 грн
53+5.97 грн
122+2.26 грн
1000+2.05 грн
3000+1.50 грн
9000+1.23 грн
24000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 31
2SA1162-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.77 грн
9000+1.65 грн
15000+1.43 грн
21000+1.36 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 17798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+2.80 грн
4602+2.72 грн
5000+2.64 грн
10000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4465
2SA1162-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+3.37 грн
295+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 228
2SA1162-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LXGF(TToshibaTransistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1162-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.49 грн
24+13.13 грн
100+5.26 грн
1000+4.72 грн
3000+3.62 грн
9000+3.14 грн
24000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1162-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.92 грн
22+13.31 грн
100+8.32 грн
500+5.78 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1162-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
2SA1162-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1162-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.12 грн
98+7.90 грн
120+6.44 грн
500+5.06 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 76
2SA1162-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.06 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1162-Y-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
2SA1162-YLXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
2SA1162-YTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=80MHz
товару немає в наявності
2SA1162-YTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1162GRNEC10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162GRTOSHIBA07+ SOT-23
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162GR(T5LFJTNFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1162GRT5LTToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товару немає в наявності
2SA1162GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=80MHz
товару немає в наявності
2SA1162GT1ON Semiconductor2SA1162GT1
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 14085
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1162GT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162GT1 - 2SA1162GT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 137980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 15000
2SA1162S-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1162S-GR,LF(DToshiba2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 16130
2SA1162S-GR,LF(DToshiba2SA1162S-GR,LF(D
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16130+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 16130
2SA1162S-GR,LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162S-GR,LF(DToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162S-Y, LF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162S-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1162S-Y,LF(DToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1162S-Y,LF(DToshibaTRANSISTOR (SILICON)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 1271
2SA1162YN/A09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162YSOT-23
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162Y(SY)TOSHIBA
на замовлення 35370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1162YT1ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1162YT1 - 2SA1162YT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 15000
2SA1162YT1ON Semiconductor2SA1162YT1
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 14085
2SA1162YT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 130820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2SA1162YT5LTToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товару немає в наявності
2SA1163TOSHIBASOT-23
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1163ToshibaArray
товару немає в наявності
2SA1163-BLTOSHIBASOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1163-BL(5LGH,FTToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SA1163-BL(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1163-BL(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1163-BL(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-BL(TE85R)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-BL,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 55275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.64 грн
35+9.04 грн
100+3.90 грн
1000+3.49 грн
3000+2.67 грн
9000+2.26 грн
24000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 32080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.74 грн
28+10.47 грн
100+6.50 грн
500+4.48 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-BL,LF
Код товару: 208164		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
очікується 101 шт:
101 шт - очікується
2SA1163-BL,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-BL,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
6000+3.14 грн
9000+2.96 грн
15000+2.58 грн
21000+2.47 грн
30000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-BL,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-BL,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-BL,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.49 грн
66+11.65 грн
112+6.90 грн
500+5.27 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 47
2SA1163-GR(T5L,F,TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
2SA1163-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GR(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-07),
товару немає в наявності
2SA1163-GR(TE85R,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 33999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.01 грн
29+9.83 грн
100+6.11 грн
500+4.20 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
на замовлення 9193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.67 грн
32+9.98 грн
100+3.62 грн
1000+3.28 грн
3000+2.46 грн
9000+2.05 грн
24000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+2.93 грн
9000+2.76 грн
15000+2.41 грн
21000+2.30 грн
30000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1163-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.20 грн
107+7.21 грн
179+4.29 грн
500+3.28 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 76
2SA1163-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1163-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.28 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1163-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 19633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2627+4.76 грн
3068+4.07 грн
3233+3.87 грн
3297+3.65 грн
6000+3.16 грн
12000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 2627
2SA1163-GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
товару немає в наявності
2SA1163-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1163-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA11630BLTOSHIBASOT23
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA117TO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1171PEPHILIPS02+
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1171PETR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173NEC
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173-T1NECSOT-89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173-T2KEC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1173-T2/PLNEC
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1174NEC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1174 TLROHM
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1174TLROHM
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1175 (F94M)
Код товару: 185050		Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 180 MHZ
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,1 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+17.90 грн
2SA1175-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SA1175-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SA1178SK00+ TO126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1178M5-TB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179NECSOT23
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179SANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179-6-TB-EAptina Imaging2SA1179-6-TB-E
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 6508
2SA1179-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1179-6-TB-ESanyoDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 5323
2SA1179-7-TB
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179-M5-TBSANYOSOT-23 92+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179-M6SOT223-3
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179/M6SANYOSOT-23
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M5SANYOSOT-23
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6-TASANYOSOT23-M6
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6-TA SOT23-M6SANYO
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6-TASOT23-M6SANYO
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M6\M6SANYOSOT-23
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M7-TBSANYO09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179M7-TBSANYO
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179N6-CPASANYO07+ SOT-23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179N6-CPA-TBSONYOSOT23
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1179N6-CPA-TB-EAptina ImagingTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 8153
2SA1179N6-CPA-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-CPA-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5229000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1179N6-CPA-TB-EAptina ImagingTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 8153
2SA1179N6-CPA-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6408525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2SA1179N6-TB-EAptina ImagingTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 8153
2SA1179N6-TB-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SA1179N6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1179N6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA118TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1180N/A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182ROHM09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182ToshibaToshiba
товару немає в наявності
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
2SA1182-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.01 грн
29+10.11 грн
100+6.30 грн
500+4.34 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SA1182-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTOR
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.15 грн
32+9.90 грн
100+3.90 грн
1000+3.49 грн
3000+2.67 грн
9000+2.26 грн
24000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SA1182-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
2SA1182-GR,LF(BToshiba2SA1182-GR,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1182-OTOSHIBASOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-O TE85RTOSHIBASOT23-ZO
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
2SA1182-O(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
товару немає в наявності
2SA1182-O(TE85R)TOSHIBASOT23-ZO
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-O(TE85R) SOT23-ZTOSHIBA
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-YTOSHIBASOT23
на замовлення 93032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(T5L,F,T)TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -30V S-Mini -0.5A -0.25V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
2SA1182-Y(TE85L,F)TOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1182-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.74 грн
28+10.47 грн
100+6.49 грн
500+4.48 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SA1182-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
6000+3.15 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SA1182-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+15.95 грн
31+10.30 грн
100+4.03 грн
1000+3.62 грн
3000+2.73 грн
9000+2.32 грн
24000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1182-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.84 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA1182-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1182-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.57 грн
91+8.43 грн
145+5.29 грн
500+3.84 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 57
2SA1186Sanken Electric Co.Trans GP BJT PNP 150V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
2SA1186Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 150V 10A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
2SA1186Sanken Electric Co.Trans GP BJT PNP 150V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
2SA1186
Код товару: 168261		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SA119NEC/TOS
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA119NECCAN
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA1190DTZ-ERenesasTrans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 75472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1804+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 1804
2SA1190DTZ-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 110472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1475+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1475
2SA1190DTZ-ERenesasTrans GP BJT PNP 90V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1804+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 1804
2SA1194KVRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SA1197SANYO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)