НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EMDApex Tool GroupDescription: TIP REPLACEMENT CONICAL .015"
товар відсутній
EMD 12-H 3 MM KLARPhoenix ContactElectronics housing
товар відсутній
EMD 12-REL/KSR-G 24/21Phoenix ContactElectromechanical Relay Relay Module
товар відсутній
EMD-BL-3V-400-PTPhoenix ContactElectromechanical Relay 400/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-BL-C-10Phoenix ContactElectromechanical Relay 5/10A SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-BL-V-230Phoenix ContactElectromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-BL-V-230-PTPhoenix ContactElectromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-FL-3V-230Phoenix ContactElectromechanical Relay 132 to 230VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-FL-3V-400PHOENIX CONTACTCategory: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: overvoltage; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
EMD-FL-3V-400PHOENIX CONTACTCategory: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: overvoltage; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
товар відсутній
EMD-FL-3V-400Phoenix ContactElectromechanical Relay 400/230VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-FL-3V-500Phoenix ContactElectromechanical Relay 3 to 500VAC DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-FL-3V-690Phoenix ContactElectromechanical Relay 3 to 690VAC 5A DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-FL-C-10Phoenix ContactElectromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-FL-C-10Phoenix ContactUnspecified Connectors EMD-FL-C-10
товар відсутній
EMD-FL-V-300Phoenix ContactElectromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-SL-C-UC-10Phoenix ContactElectromechanical Relay SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-SL-PH-400Phoenix ContactElectromechanical Relay 400VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-SL-PH-690Phoenix ContactElectromechanical Relay 208 to 690VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-SL-PS- 24ACPhoenix ContactRelay Accessory Power Module Pluggable
товар відсутній
EMD-SL-PS- 24DCPhoenix ContactRelay Accessory Power Module Pluggable
товар відсутній
EMD-SL-PS45-230ACPhoenix ContactAC to DC Power Modules
товар відсутній
EMD-SL-PTCPhoenix ContactElectromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD-SL-V-UV-300Phoenix ContactElectromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
товар відсутній
EMD12 T2RRHOMsot-563 04+
на замовлення 11038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD1280AWFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA
товар відсутній
EMD1280AXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12V
Packaging: Box
Accessory Type: Adapter
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2269.82 грн
10+ 2015.39 грн
EMD1280UXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA
товар відсутній
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
на замовлення 3529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD12FHAT2RROHM SEMICONDUCTOREMD12FHAT2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD12FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 8321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.55 грн
15+ 21.29 грн
100+ 10.51 грн
500+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
товар відсутній
EMD12T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 6630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.01 грн
15+ 21.22 грн
100+ 9.85 грн
1000+ 6.48 грн
2500+ 5.29 грн
8000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товар відсутній
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.75 грн
15+ 18.87 грн
100+ 11.35 грн
500+ 9.85 грн
1000+ 6.7 грн
2000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD12T2RROHM SEMICONDUCTOREMD12T2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD19T2R
на замовлення 5346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD1S-WRECTRON
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD1S-WRECTRONSOP-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD1S-WRECTRONSO-4
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD1S-WRectronBridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP
товар відсутній
EMD2ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній
EMD2 T2RROHMSOT23-6
на замовлення 8621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD2 T2RROHMSOT153-D2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD2 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD2000AmphenolEMD2000
товар відсутній
EMD22ROHMEMT6
на замовлення 19104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD22ROHM09+
на замовлення 49118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD22ROHMSOT26/
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD22 T2RROHMSOT23-6
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD22-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN Digital Transistors
товар відсутній
EMD22FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
товар відсутній
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1406+8.16 грн
1412+ 8.13 грн
1737+ 6.6 грн
2000+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 1406
EMD22FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
товар відсутній
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.29 грн
1000+ 3.26 грн
5000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
товар відсутній
EMD22FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товар відсутній
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung
Bauform - Transistor: SOT-563
Bauform - HF-Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.62 грн
49+ 15.21 грн
100+ 8.61 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.26 грн
5000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 36
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+21.69 грн
549+ 20.91 грн
1000+ 20.22 грн
2500+ 18.92 грн
5000+ 17.05 грн
Мінімальне замовлення: 529
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
на замовлення 7870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD22T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+9.36 грн
1267+ 9.05 грн
2500+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 1226
EMD22T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIASED 50V 100MA
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.86 грн
15+ 20.69 грн
100+ 11.51 грн
1000+ 7.21 грн
2500+ 6.94 грн
8000+ 6.08 грн
48000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 24.66 грн
100+ 16.8 грн
500+ 11.83 грн
1000+ 8.87 грн
2000+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD22T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1226+9.36 грн
1267+ 9.05 грн
2500+ 8.78 грн
5000+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 1226
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товар відсутній
EMD22T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
товар відсутній
EMD22T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
товар відсутній
EMD2794-00BA16GRREMP0738+
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+15.33 грн
776+ 14.78 грн
1000+ 14.3 грн
2500+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 748
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 24.52 грн
100+ 16.7 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD29T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 1/10kΩ
Base-emitter resistor: 10/10kΩ
Frequency: 255MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50/12V
Collector current: 0.1/0.5A
Polarisation: bipolar
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.28 грн
26+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+15.33 грн
776+ 14.78 грн
1000+ 14.3 грн
2500+ 13.39 грн
5000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 748
EMD29T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN
товар відсутній
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товар відсутній
EMD29T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 1/10kΩ
Base-emitter resistor: 10/10kΩ
Frequency: 255MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50/12V
Collector current: 0.1/0.5A
Polarisation: bipolar
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.14 грн
25+ 16.51 грн
69+ 13.11 грн
188+ 12.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD2FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25 грн
18+ 17.19 грн
100+ 7.54 грн
1000+ 5.29 грн
2500+ 3.7 грн
8000+ 3.11 грн
24000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
товар відсутній
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 680
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 56
Polarisation: bipolar
товар відсутній
EMD2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 56
Polarisation: bipolar
товар відсутній
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товар відсутній
EMD2T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2637+4.35 грн
2794+ 4.1 грн
2858+ 4.01 грн
8000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 2637
EMD2T2R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товар відсутній
EMD2T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 5316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
15+ 21.6 грн
100+ 10.38 грн
1000+ 6.61 грн
2500+ 6.55 грн
8000+ 5.42 грн
48000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD2T2RR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3ROHMSOT26/
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3ROHM09+
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3ROHM2003 TO23
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3ROHM10 EMT6
на замовлення 184123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3 T2RROHM - JapanNPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 200
EMD3001-50VC06GRREMP2008+ SOT23
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD30T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.01 грн
14+ 22.13 грн
100+ 13.16 грн
1000+ 7.41 грн
2500+ 6.75 грн
8000+ 5.42 грн
48000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 15830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 15830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD35ROHMSOT26/
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD35 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 52816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD35 T2RROHM09+PB
на замовлення 23251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD38T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.18 грн
13+ 24.56 грн
100+ 13.36 грн
500+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
16+ 18.25 грн
100+ 9.22 грн
500+ 7.67 грн
1000+ 5.97 грн
2000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin Technologies Inc.Description: LINEAR IC'S
Packaging: Tray
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
товар відсутній
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin Technologies256Mb / 32Mx8 / 78-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque)
товар відсутній
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
товар відсутній
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin Technologies Inc.Description: LINEAR IC'S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
EMD3D256M08G1-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
товар відсутній
EMD3D256M16G2-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
товар відсутній
EMD3D256M16G2-150CBS1Everspin Technologies256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
товар відсутній
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
товар відсутній
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin Technologies256Mb / 16Mx16 / 96-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque)
товар відсутній
EMD3D256M16G2-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
товар відсутній
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.89 грн
16+ 17.22 грн
100+ 10.31 грн
500+ 8.96 грн
1000+ 6.09 грн
2000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
EMD3FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors General purpose (Dual digital transistors), both DTA114E and DTC114E chip in a EMT6 package
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.85 грн
16+ 20.15 грн
100+ 9.19 грн
1000+ 6.28 грн
2500+ 5.62 грн
8000+ 4.89 грн
48000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
EMD3FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
EMD3FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
EMD3T2RROHM09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товар відсутній
EMD3T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній
EMD3T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товар відсутній
EMD3T2RROHM10 EMT6
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD3T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 50MA
на замовлення 127153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
17+ 18.02 грн
100+ 9.99 грн
1000+ 6.55 грн
2500+ 6.48 грн
8000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD4
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD4 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD40-1800LTRMACOMUp-Down Converters
товар відсутній
EMD4000Amphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors Humidity Sensor
товар відсутній
EMD4000BAmphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EMD4000BAmphenol TelaireDescription: SENSOR HUMIDITY
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SIP Module
Output Type: Resistive
Mounting Type: User Defined
Output: 72k @ 50%RH
Accuracy: ±5% RH
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 1VAC
Sensor Type: Humidity
Humidity Range: 20 ~ 95% RH
Response Time: 60 s
товар відсутній
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.77 грн
11+ 25.63 грн
100+ 14.52 грн
500+ 9.03 грн
1000+ 6.92 грн
2000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
EMD4DXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD4DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.78 грн
15+ 21.67 грн
100+ 11.71 грн
500+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
EMD4DXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12000
EMD4DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
товар відсутній
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
товар відсутній
EMD4SRectron USADescription: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
товар відсутній
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.04 грн
15+ 18.6 грн
100+ 11.17 грн
500+ 9.71 грн
1000+ 6.6 грн
2000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товар відсутній
EMD4T2RROHM SEMICONDUCTOREMD4T2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD4T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
15+ 20.84 грн
100+ 9.72 грн
1000+ 6.35 грн
2500+ 6.22 грн
8000+ 5.36 грн
24000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD5
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.91 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 4.79 грн
2500+ 3.73 грн
8000+ 3.3 грн
16000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.18 грн
18+ 16.12 грн
100+ 9.13 грн
500+ 5.68 грн
1000+ 4.35 грн
2000+ 3.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
EMD52T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
11+29.01 грн
15+ 21.22 грн
100+ 10.51 грн
500+ 6.94 грн
1000+ 5.36 грн
2500+ 4.7 грн
8000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
товар відсутній
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.45 грн
39+ 19.44 грн
100+ 10.91 грн
500+ 6.81 грн
1000+ 4.79 грн
2500+ 3.73 грн
8000+ 3.3 грн
16000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
EMD53T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
15+ 20.31 грн
100+ 7.87 грн
1000+ 5.09 грн
2500+ 4.76 грн
8000+ 3.9 грн
48000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.69 грн
106+ 7.05 грн
500+ 5.44 грн
1000+ 4.01 грн
2500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 8000
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
14+ 20.11 грн
100+ 10.16 грн
500+ 7.78 грн
1000+ 5.77 грн
2000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.37 грн
40+ 18.69 грн
106+ 7.05 грн
500+ 5.44 грн
1000+ 4.01 грн
2500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
EMD53T2RROHM SEMICONDUCTOREMD53T2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD5550EM09+ SSOP24
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD59T2RROHM SEMICONDUCTOREMD59T2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.14 грн
16000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000
EMD59T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
13+ 23.96 грн
100+ 7.87 грн
1000+ 5.22 грн
2500+ 4.76 грн
8000+ 3.9 грн
48000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
14+ 20.11 грн
100+ 10.16 грн
500+ 7.78 грн
1000+ 5.77 грн
2000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD5DXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
EMD5DXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
EMD5DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
EMD5DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD5T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD5T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD5T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.01 грн
14+ 22.13 грн
100+ 13.16 грн
1000+ 7.41 грн
2500+ 5.49 грн
8000+ 5.42 грн
24000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD6ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній
EMD6-T2R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.37 грн
40+ 18.69 грн
106+ 7.05 грн
500+ 5.44 грн
1000+ 4.01 грн
2500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
EMD62T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Complex Digital Transistor
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
13+ 23.96 грн
100+ 7.87 грн
1000+ 5.22 грн
2500+ 4.76 грн
8000+ 3.9 грн
48000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
товар відсутній
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.69 грн
106+ 7.05 грн
500+ 5.44 грн
1000+ 4.01 грн
2500+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
13+ 22.11 грн
100+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
804+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 804
EMD6FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 779
EMD6FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.54 грн
16+ 20 грн
100+ 9.85 грн
500+ 6.75 грн
1000+ 5.36 грн
2500+ 4.17 грн
8000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
EMD6FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.54 грн
16000+ 5.67 грн
Мінімальне замовлення: 8000
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+1.11 грн
625+ 0.91 грн
630+ 0.9 грн
635+ 0.86 грн
942+ 0.54 грн
953+ 0.51 грн
1291+ 0.38 грн
1740+ 0.28 грн
3000+ 0.25 грн
Мінімальне замовлення: 513
EMD6T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.01 грн
14+ 22.13 грн
100+ 9.85 грн
1000+ 6.75 грн
2500+ 6.41 грн
8000+ 5.42 грн
48000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.75 грн
15+ 18.87 грн
100+ 11.35 грн
500+ 9.85 грн
1000+ 6.7 грн
2000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD72T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000
EMD72T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 18682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.04 грн
17+ 16.74 грн
100+ 8.47 грн
500+ 6.48 грн
1000+ 4.81 грн
2000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD72T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.23 грн
16+ 19.32 грн
100+ 9.59 грн
500+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD811MX07+/08+ SOP8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD812MXDIP8
на замовлення 25400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9ROHM04+ SOT-363
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9 T2RROHMSOT663
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9-T2R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6N/AN/A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMD9FHAT2RROHM SEMICONDUCTOREMD9FHAT2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
товар відсутній
EMD9FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товар відсутній
EMD9T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 70MA
на замовлення 77772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
14+ 22.05 грн
100+ 13.09 грн
1000+ 7.34 грн
2500+ 6.68 грн
8000+ 5.89 грн
24000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 15940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.75 грн
15+ 18.87 грн
100+ 11.33 грн
500+ 9.85 грн
1000+ 6.7 грн
2000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD9T2RROHM SEMICONDUCTOREMD9T2R Complementary transistors
товар відсутній
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
EMD9T2RROHMSOT363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMDB409+EM MicroelectronicDescription: DEVELOPMENT & EVALUATION KIT FOR
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EM4095
Frequency: 125kHz
Type: RFID Reader
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
EMDC-10-1-75TRMACOMSignal Conditioning 5 to 1000MHz 75 Ohm Coupling +10dB Typ.
товар відсутній
EMDC-10-1TR
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMDC-10-1TRMACOMSignal Conditioning 5-1000MHz Iso.17dB Coupling 10dB
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.21 грн
10+ 267.7 грн
25+ 208.97 грн
100+ 190.46 грн
250+ 171.94 грн
500+ 154.08 грн
1000+ 136.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
EMDC-13-1-75TRMACOMSignal Conditioning 5 TO 1000MHz 75ohm Coupling +13dB
товар відсутній
EMDC-13-2TRMACOM Technology SolutionsDescription: COUPLER,5-1000MHZ
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.31 грн
10+ 180.76 грн
25+ 162.71 грн
100+ 139.12 грн
250+ 125.55 грн
500+ 112.65 грн
1000+ 100.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
EMDC-13-2TRMACOM Technology SolutionsDescription: COUPLER,5-1000MHZ
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+112.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDC-13-2TRMACOMSignal Conditioning 5-1000MHz 50Ohm Coupling +13dB
товар відсутній
EMDC-13-2TRTYCO09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMDC-16-2-75TRMACOMSignal Conditioning
товар відсутній
EMDC-16-8-75TRMACOMSignal Conditioning 5-862MHz 75ohm Coupling 16dB typ.
товар відсутній
EMDC-17-1-75TRMACOMSignal Conditioning
товар відсутній
EMDC-17-3-75TRMACOMSignal Conditioning
товар відсутній
EMDC-17-5-75TRMACOMSignal Conditioning
товар відсутній
EMDC-8-1-75M/A-COMSMD 96+
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMDC-8-1-75TRMACOMSignal Conditioning
товар відсутній
EMDC0000Red Lion ControlsDescription: SENSOR THRU-BEAM 304.8MM NPN/PNP
Packaging: Box
Adjustment Type: Adjustable
Sensing Distance: 12" (304.8mm)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -20°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN/PNP
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: NEMA 1, 2, 3, 3S, 4, 4X, 12, 13
Connection Method: Cable
Light Source: Infrared
Part Status: Active
товар відсутній
EMDC2000Red Lion ControlsDescription: PHOTO-ELECTRIC EMITTER SENSOR
Packaging: Bulk
Sensing Distance: 787.402" (20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Output Configuration: NPN
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 750µs, 375µs
Ingress Protection: IP67, NEMA 6
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Infrared (940nm)
товар відсутній
EMDD101G102M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 7971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.35 грн
10+ 28.59 грн
50+ 22.79 грн
100+ 17.66 грн
500+ 13.8 грн
1000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
EMDD101G102M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.21 грн
6000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDD101W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDD101W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.61 грн
15+ 18.39 грн
50+ 14.65 грн
100+ 11.34 грн
500+ 8.86 грн
1000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMDD101W104M1GF001EJohanson DielectricsCap EMI Filters 1210 X7R 100V 0.10uF 20% 7" Reel Embossed Tape
товар відсутній
EMDD101W104M1GV001BJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
товар відсутній
EMDD101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 90680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.36 грн
10+ 31.96 грн
50+ 25.47 грн
100+ 19.74 грн
500+ 15.42 грн
1000+ 13.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
EMDD101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.65 грн
6000+ 12.33 грн
9000+ 11.5 грн
15000+ 10.6 грн
30000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDD101W223M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 9055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.91 грн
13+ 22.11 грн
50+ 15.47 грн
100+ 12.44 грн
500+ 9.34 грн
1000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
EMDD101W223M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
6000+ 7.52 грн
9000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDD101W473M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
6000+ 7.43 грн
9000+ 6.94 грн
15000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDD101W473M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 29514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
15+ 19.29 грн
50+ 15.36 грн
100+ 11.9 грн
500+ 9.3 грн
1000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
EMDD160W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
6000+ 10.15 грн
9000+ 9.48 грн
15000+ 8.73 грн
30000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDD160W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 51399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.78 грн
10+ 27.76 грн
50+ 20.98 грн
100+ 17.15 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
EMDD500W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 137571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.64 грн
10+ 28.52 грн
50+ 22.69 грн
100+ 17.58 грн
500+ 13.74 грн
1000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
EMDD500W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.16 грн
6000+ 10.98 грн
9000+ 10.25 грн
15000+ 9.44 грн
30000+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EMDF101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 7782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.78 грн
10+ 30.72 грн
50+ 25.89 грн
100+ 19.78 грн
500+ 16.48 грн
1000+ 13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
EMDF101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.4 грн
4000+ 12.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDF101W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 17019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.8 грн
10+ 38.64 грн
50+ 33.8 грн
100+ 25.85 грн
500+ 21.15 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
EMDF101W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.85 грн
4000+ 17.22 грн
10000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDF101W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
на замовлення 19885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.17 грн
4000+ 22.45 грн
10000+ 21.62 грн
14000+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDF101W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
на замовлення 24005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.1 грн
10+ 47.39 грн
50+ 43.23 грн
100+ 33.23 грн
500+ 26.53 грн
1000+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
EMDF160W105M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.8 грн
4000+ 17.16 грн
10000+ 16.54 грн
14000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDF160W105M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
на замовлення 35216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.8 грн
10+ 38.58 грн
50+ 33.7 грн
100+ 25.77 грн
500+ 21.09 грн
1000+ 18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
EMDF500W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
товар відсутній
EMDF500W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
товар відсутній
EMDF501W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.51 грн
10+ 39.54 грн
50+ 34.61 грн
100+ 26.46 грн
500+ 21.65 грн
1000+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
EMDF501W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDIN01VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 40A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 18x80x60mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3159.38 грн
EMDIN01VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 40A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 18x80x60mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2632.82 грн
EMDIN02VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 80A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 35x100x36mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
EMDIN02VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 80A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 35x100x36mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
товар відсутній
EMDIN03VELLEMANVEL-EMDIN03 Energy Meters
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+7348.74 грн
EMDK101W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 71878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.26 грн
10+ 55.8 грн
50+ 50.87 грн
100+ 39.1 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
EMDK101W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.44 грн
4000+ 26.41 грн
10000+ 25.43 грн
14000+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDK500W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.84 грн
4000+ 24.93 грн
10000+ 24 грн
14000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDK500W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 42613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.97 грн
10+ 55.38 грн
50+ 48.01 грн
100+ 38.99 грн
500+ 29.46 грн
1000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
EMDK501W153M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
EMDK501W153M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.72 грн
10+ 145.76 грн
50+ 133.91 грн
100+ 104.2 грн
500+ 83.78 грн
1000+ 73.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
EMDL700TriplettDescription: ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
For Measuring: Humidity, Sound, Temperature
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39632.72 грн
EMDR101W474M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
товар відсутній
EMDR101W474M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
товар відсутній
EMDR101W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.06 грн
2000+ 46.49 грн
5000+ 44.77 грн
10000+ 41.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EMDR101W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 31456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.61 грн
10+ 89.96 грн
50+ 82.64 грн
100+ 64.31 грн
500+ 51.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
EMDR500W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.76 грн
2000+ 43.82 грн
5000+ 42.26 грн
10000+ 38.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EMDR500W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 26506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.76 грн
10+ 89.21 грн
50+ 81.38 грн
100+ 62.57 грн
500+ 49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
EMDR501W393M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EMDR501W393M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.48 грн
2000+ 116.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EMDS23D2H-74.250MEcliptekStandard Clock Oscillators 74.25MHz 3.3Volt 50ppm 0C to 70C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EMDVK8500EM MicroelectronicDescription: EM8500 ENERGY HARVEST DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Energy Harvesting
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EM8500
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30668.62 грн
EMDVK9304SOCEM MicroelectronicDescription: EM9304 DEVELOPMENT KIT SOC MODE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EM9304
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® 5
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14938.01 грн