Продукція > EMD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EMD | Apex Tool Group | Description: TIP REPLACEMENT CONICAL .015" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD 12-H 3 MM KLAR | Phoenix Contact | Electronics housing | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD 12-REL/KSR-G 24/21 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay Relay Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-BL-3V-400-PT | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 400/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-BL-C-10 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 5/10A SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-BL-V-230 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-BL-V-230-PT | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-3V-230 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 132 to 230VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-3V-400 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 400/230VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-3V-500 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 3 to 500VAC DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-3V-690 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 3 to 690VAC 5A DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-C-10 | Phoenix Contact | Unspecified Connectors EMD-FL-C-10 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-C-10 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-FL-V-300 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-C-UC-10 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PH-400 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 400VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PH-690 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 208 to 690VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PS- 24AC | Phoenix Contact | Relay Accessory Power Module Pluggable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PS- 24DC | Phoenix Contact | Relay Accessory Power Module Pluggable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PS-110AC | Phoenix Contact | Relay Accessory Power Module Pluggable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PS45-230AC | Phoenix Contact | AC to DC Power Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-PTC | Phoenix Contact | Electromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-V-UV-300 | Phoenix Contact | Industrial Relays EMD-SL-V-UV-300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD-SL-V-UV-300 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD12 T2R | RHOM | sot-563 04+ | на замовлення 11038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD1280AW | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD1280AX | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER 12V Packaging: Box Accessory Type: Adapter | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD1280UX | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | на замовлення 8321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD12T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD12T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD12T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA | на замовлення 6630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD19T2R | на замовлення 5346 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD1S-W | Rectron | Bridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD1S-W | RECTRON | SO-4 | на замовлення 343 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD1S-W | RECTRON | на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| EMD1S-W | RECTRON | SOP-4 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2 T2R | ROHM | SOT23-6 | на замовлення 8621 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2 T2R | ROHM | SOT153-D2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2 T2R SOT153-D2 | ROHM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| EMD2 T2R SOT153-D2 | ROHM | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| EMD2-TP | Micro Commercial Components | NPN and PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR DUAL NPN/PNP, SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2-TP | Micro Commercial Components | NPN and PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2000 | Amphenol | EMD2000 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22 | ROHM | EMT6 | на замовлення 19104 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22 | ROHM | 09+ | на замовлення 49118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22 T2R | ROHM | SOT23-6 | на замовлення 5090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22-13P | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DUAL NPN Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD22T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA | на замовлення 6795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD2794-00BA16GRR | EMP | 0738+ | на замовлення 9979 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 1664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD29T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | EMD29T2R Complementary transistors | на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD29T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2T2R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD2T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 30MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD2T2RR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD3 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 4495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3 | ROHM | 09+ | на замовлення 50350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3 | ROHM | 2003 TO23 | на замовлення 6050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3 | ROHM | 10 EMT6 | на замовлення 184123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3 T2R | ROHM - Japan | NPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3001-50VC06GRR | EMP | 2008+ SOT23 | на замовлення 11400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 15830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD30T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN | на замовлення 7978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 15830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/200mA 6-Pin EMT T/R | на замовлення 9393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD35 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD35 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 52816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD35 T2R | ROHM | 09+PB | на замовлення 23251 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 7330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 26798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies Inc. | Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA Packaging: Tray Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM) Clock Frequency: 667 MHz Memory Format: RAM Supplier Device Package: 78-BGA (10x13) Memory Interface: Parallel Access Time: 14 ns Memory Organization: 32M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies | 256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies Inc. | Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM) Clock Frequency: 667 MHz Memory Format: RAM Supplier Device Package: 78-BGA (10x13) Memory Interface: Parallel Access Time: 14 ns Memory Organization: 32M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies | 256Mb / 32Mx8 / 78-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBSCF | Everspin Technologies | MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1 | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1 | Everspin Technologies | 256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | 256Mb / 16Mx16 / 96-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | 256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBSCF | Everspin Technologies | MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 3689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | ROHM | 10 EMT6 | на замовлення 290000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | ROHM | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 18346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD3T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 50MA | на замовлення 80955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4 | на замовлення 5029 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD4 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD40-1800LTR | MACOM | Up-Down Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4000 | Amphenol Advanced Sensors | Board Mount Humidity Sensors Humidity Sensor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4000B | Amphenol Advanced Sensors | Board Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4000B | Amphenol Telaire | Description: SENSOR HUMIDITY Packaging: Bulk Package / Case: 2-SIP Module Output Type: Resistive Mounting Type: User Defined Output: 72k @ 50%RH Accuracy: ±5% RH Operating Temperature: 5°C ~ 60°C Voltage - Supply: 1VAC Sensor Type: Humidity Humidity Range: 20 ~ 95% RH Response Time: 60 s | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 1485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | onsemi | Digital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital | на замовлення 7570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T5 | ONSEMI | Description: ONSEMI - EMD4DXV6T5 - EMD4DXV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 416000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4E001G16G2-150CAS2 | Everspin Technologies Inc. | Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4E001G16G2-150CAS2 | Everspin Technologies | 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4E001G16G2-150CAS2 | Everspin Technologies | MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4E001G16G2-150CAS2R | Everspin Technologies | MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4S | Rectron USA | Description: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD4T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 8927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD4T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD5 | на замовлення 8115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD52T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 15475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD52T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD52T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD52T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD52T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD53T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD53T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD53T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD53T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver | на замовлення 6623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD53T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD5550 | EM | 09+ SSOP24 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD59T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD59T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD59T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD59T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD59T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD5DXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD5DXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD5DXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD5DXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD5T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD5T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD5T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 7576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD5T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD6 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD6-T2R | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Complex Digital Transistor | на замовлення 8295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD62T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD6FHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD6FHAT2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist | на замовлення 6959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD6T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD6T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD6T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD6T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD72T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD72T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD72T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD72T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD72T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 18647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD811 | MX | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD812 | MX | DIP8 | на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9 | ROHM | 04+ SOT-363 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9 T2R | ROHM | SOT663 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9-T2R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMD9-TPQ2 | Micro Commercial Components | NPN and PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6 | N/A | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD9T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 70MA | на замовлення 7996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMD9T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMD9T2R | ROHM | SOT363 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDB409+ | EM Microelectronic | Description: DEVELOPMENT & EVALUATION KIT FOR Packaging: Bulk For Use With/Related Products: EM4095 Frequency: 125kHz Type: RFID Reader Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EM4095 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDB415+ | EM Microelectronic | Description: EM NF4DEVELOPMENT BOARD Packaging: Bulk Type: RFID Reader Supplied Contents: Board(s), Antenna(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-10-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning 5 to 1000MHz 75 Ohm Coupling +10dB Typ. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-10-1TR | MACOM | Signal Conditioning 5-1000MHz Iso.17dB Coupling 10dB | на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDC-10-1TR | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| EMDC-13-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning 5 TO 1000MHz 75ohm Coupling +13dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-13-2TR | TYCO | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-13-2TR | MACOM Technology Solutions | Description: COUPLER,5-1000MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SM-22 Frequency: 5MHz ~ 1GHz Applications: General Purpose Power - Max: 250mW Coupling Factor: 13 ± 1dB Coupler Type: Standard Return Loss: 17dB Supplier Device Package: SM-22 | на замовлення 7630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDC-13-2TR | MACOM | Signal Conditioning 5-1000MHz 50Ohm Coupling +13dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-13-2TR | MACOM Technology Solutions | Description: COUPLER,5-1000MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SM-22 Frequency: 5MHz ~ 1GHz Applications: General Purpose Power - Max: 250mW Coupling Factor: 13 ± 1dB Coupler Type: Standard Return Loss: 17dB Supplier Device Package: SM-22 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDC-16-2-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-16-8-75TR | MACOM | Signal Conditioning 5-862MHz 75ohm Coupling 16dB typ. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-17-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-17-3-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-17-5-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-8-1-75 | M/A-COM | SMD 96+ | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC-8-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC0000 | Red Lion Controls | Description: SENSOR THRU-BEAM 304.8MM NPN/PNP Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 12" (304.8mm) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -20°C ~ 55°C Output Configuration: NPN/PNP Voltage - Supply: 10V ~ 30V Response Time: 1ms Ingress Protection: NEMA 1, 2, 3, 3S, 4, 4X, 12, 13 Connection Method: Cable Light Source: Infrared Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDC2000 | Red Lion Controls | Description: PHOTO-ELECTRIC EMITTER SENSOR Packaging: Bulk Sensing Distance: 787.402" (20m) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Output Configuration: NPN Voltage - Supply: 10V ~ 30V Response Time: 750µs, 375µs Ingress Protection: IP67, NEMA 6 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Infrared (940nm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD101G102M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 1000 pF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101G102M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 1000PF 100V NP0 | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101G102M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 1000 pF | на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 10000 pF | на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W103M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 10000PF 100V X7R | на замовлення 5260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 10000 pF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD101W103M1GV002E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors EMI Filters, 1206, X7R, 100V, 0.010 F 20%, Ni/Sn (RoHS), 7" Reel Embossed Tape, AEC Q200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD101W104M1GF001E | Johanson Dielectrics | Cap EMI Filters 1210 X7R 100V 0.10uF 20% 7" Reel Embossed Tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD101W104M1GV001B | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.050" (1.27mm) Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 50500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 .1UF 100V X7R | на замовлення 5898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF Height (Max): 0.050" (1.27mm) | на замовлення 50897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W223M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.022 µF | на замовлення 3112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W223M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 22000PF 100V X7R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD101W223M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.022 µF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W473M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.047 µF | на замовлення 16785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W473M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.047 µF | на замовлення 15353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD101W473M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 47000PF 100V X7R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD160W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF | на замовлення 19664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD160W224M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 .22UF 16V X7R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD160W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD250W224M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors 1206 X7R 25V 0.22uF 20% Ni/Sn (RoHS) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD250W224M1GV002E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors 1206 X7R 25V 0.22uF 20% Ni/Sn (RoHS) AEC-Q200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD500G102M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 1000PF 50V NP0 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDD500W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.050" (1.27mm) Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD500W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.050" (1.27mm) Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 58149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDD500W104M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1206 .1UF 50V X7R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDF101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1210 .1UF 100V X7R | на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF101W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF101W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 17747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF101W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF101W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF160W105M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 1 µF | на замовлення 31484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF160W105M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 1 µF | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF160W105M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1210 1.0UF 16V X7R | на замовлення 5385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF500W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDF500W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDF501W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Capacitance: 10000 pF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF501W103M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1210 10000PF 500V X7R | на замовлення 10508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDF501W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Capacitance: 10000 pF Height (Max): 0.070" (1.78mm) | на замовлення 27515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDIN01 | VELLEMAN | VEL-EMDIN01 Energy Meters | на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDIN03 | VELLEMAN | VEL-EMDIN03 Energy Meters | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDK101W404M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1410 .40UF 100V X7R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDK101W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.070" (1.78mm) Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDK101W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.070" (1.78mm) Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 31698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDK500W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 10029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDK500W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDK500W404M1GV001E | Johanson Dielectrics | Feed Through Capacitors X2Y 1410 .40UF 50V X7R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDK501W153M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.015 µF | на замовлення 8274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDK501W153M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.015 µF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDL700 | Triplett | Description: ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/ Packaging: Retail Package Type: Data Logger For Measuring: Humidity, Sound, Temperature | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDR101W474M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDR101W474M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDR101W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.090" (2.29mm) Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | на замовлення 72163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDR101W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Height (Max): 0.090" (2.29mm) Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDR500W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.494" W (3.56mm x 12.55mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Part Status: Active Capacitance: 0.47 µF Height (Max): 0.090" (2.29mm) | на замовлення 8148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDR500W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.494" W (3.56mm x 12.55mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Part Status: Active Capacitance: 0.47 µF Height (Max): 0.090" (2.29mm) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDR501W393M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.039 µF | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDR501W393M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.039 µF | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDS23D2H-74.250M | Ecliptek | Standard Clock Oscillators 74.25MHz 3.3Volt 50ppm 0C to 70C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EMDVK8500 | EM Microelectronic | Description: EM8500 ENERGY HARVEST DEV KIT Packaging: Bulk Function: Energy Harvesting Type: Power Management Utilized IC / Part: EM8500 Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDVK9304SOC | EM Microelectronic | Description: EM9304 DEVELOPMENT KIT SOC MODE Packaging: Bulk For Use With/Related Products: EM9304 Frequency: 2.4GHz Type: Transceiver; Bluetooth® 5 Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| EMDVK9305SOC | EM Microelectronic | Description: EVAL BOARD FOR EM9305 Packaging: Box For Use With/Related Products: EM9305 Frequency: 2.4GHz Type: Transceiver; Bluetooth® 5.x (BLE) Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EM9305 Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|