НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
EMDApex Tool GroupDescription: TIP REPLACEMENT CONICAL .015"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD-FL-C-10Phoenix ContactUnspecified Connectors EMD-FL-C-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD-SL-V-UV-300Phoenix ContactIndustrial Relays EMD-SL-V-UV-300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12 T2RRHOMsot-563 04+
на замовлення 11038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1280AWFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1280AXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12V
Packaging: Box
Accessory Type: Adapter
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2585.44 грн
10+2296.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1280UXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 8321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
15+21.98 грн
100+10.86 грн
500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.22 грн
500+8.28 грн
1000+5.80 грн
5000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.40 грн
33+24.85 грн
100+13.22 грн
500+8.28 грн
1000+5.80 грн
5000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
15+20.27 грн
100+12.18 грн
500+10.58 грн
1000+7.20 грн
2000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.22 грн
500+9.15 грн
1000+7.37 грн
5000+6.69 грн
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD19T2R
на замовлення 5346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1S-WRectronBridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1S-WRECTRONSO-4
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1S-WRECTRON
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1S-WRECTRONSOP-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2RROHMSOT23-6
на замовлення 8621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2RROHMSOT153-D2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2-TPMicro Commercial ComponentsNPN and PNP Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR DUAL NPN/PNP, SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2-TPMicro Commercial ComponentsNPN and PNP Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22ROHMEMT6
на замовлення 19104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22ROHM09+
на замовлення 49118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22ROHMSOT26/
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22 T2RROHMSOT23-6
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22-13PMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DUAL NPN Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.28 грн
1000+3.97 грн
5000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+15.87 грн
1547+8.37 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 816
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.69 грн
38+21.11 грн
100+13.14 грн
500+8.28 грн
1000+3.97 грн
5000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+8.60 грн
1555+8.32 грн
2500+8.07 грн
5000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 1505
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
13+23.30 грн
100+13.97 грн
500+12.14 грн
1000+8.26 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+11.20 грн
1194+10.84 грн
2500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 1155
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
16+20.18 грн
100+12.22 грн
500+9.70 грн
1000+8.12 грн
2500+7.78 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2794-00BA16GRREMP0738+
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
694+18.65 грн
720+17.98 грн
1000+17.39 грн
2500+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 694
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
14+22.71 грн
100+14.48 грн
500+10.25 грн
1000+9.17 грн
2000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RROHM SEMICONDUCTOREMD29T2R Complementary transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+31.44 грн
125+9.37 грн
342+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
694+18.65 грн
720+17.98 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 694
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+8.60 грн
1555+8.32 грн
2500+8.07 грн
5000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 1505
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 30MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+22.51 грн
1000+20.44 грн
2000+14.32 грн
5000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3ROHMSOT26/
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3ROHM09+
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3ROHM2003 TO23
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3ROHM10 EMT6
на замовлення 184123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3 T2RROHM - JapanNPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3001-50VC06GRREMP2008+ SOT23
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/200mA 6-Pin EMT T/R
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+26.39 грн
695+18.63 грн
1000+18.02 грн
2000+16.13 грн
5000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 15830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN
на замовлення 7978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.56 грн
500+9.15 грн
1000+8.19 грн
2500+7.37 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 15830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD35ROHMSOT26/
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD35 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 52816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD35 T2RROHM09+PB
на замовлення 23251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 26795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
18+18.06 грн
100+9.90 грн
500+7.37 грн
1000+5.94 грн
2500+5.80 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+22.94 грн
1128+11.47 грн
2000+11.38 грн
5000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 756
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RROHMDescription: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.81 грн
52+15.61 грн
100+9.88 грн
500+6.86 грн
1000+5.07 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.04 грн
16000+5.33 грн
24000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RROHMDescription: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.86 грн
1000+5.07 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
16+18.86 грн
100+11.90 грн
500+8.34 грн
1000+7.42 грн
2000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin Technologies256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin Technologies Inc.Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin Technologies256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1324+9.77 грн
1369+9.45 грн
2500+9.18 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 1324
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
20+16.25 грн
100+8.19 грн
500+7.44 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
20+15.38 грн
100+10.07 грн
500+8.27 грн
1000+7.55 грн
2000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RROHM10 EMT6
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+12.77 грн
1048+12.35 грн
2500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 1013
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RROHM09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 18346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+25.27 грн
1000+22.94 грн
2000+16.04 грн
5000+15.22 грн
8000+10.78 грн
16000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 756
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 50MA
на замовлення 72715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
17+19.24 грн
100+11.54 грн
500+9.15 грн
1000+7.37 грн
5000+6.49 грн
8000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4
на замовлення 5029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD40-1800LTRMACOMUp-Down Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4000Amphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors Humidity Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4000BAmphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4000BAmphenol TelaireDescription: SENSOR HUMIDITY
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SIP Module
Output Type: Resistive
Mounting Type: User Defined
Output: 72k @ 50%RH
Accuracy: ±5% RH
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 1VAC
Sensor Type: Humidity
Humidity Range: 20 ~ 95% RH
Response Time: 60 s
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.55 грн
64+12.51 грн
100+7.97 грн
500+5.33 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.15 грн
15+21.12 грн
100+7.58 грн
1000+4.78 грн
4000+4.44 грн
8000+3.96 грн
24000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.33 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
11+27.52 грн
100+15.59 грн
500+9.69 грн
1000+7.43 грн
2000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - EMD4DXV6T5 - EMD4DXV6T5, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4E001G16G2-150CAS2REverspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4SRectron USADescription: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
на замовлення 8927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.96 грн
15+22.30 грн
100+12.36 грн
500+9.35 грн
1000+8.12 грн
2500+7.51 грн
5000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+19.97 грн
100+12.00 грн
500+10.42 грн
1000+7.09 грн
2000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 15475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
23+13.24 грн
100+8.28 грн
500+5.75 грн
1000+5.10 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+NPN, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.37 грн
22+14.60 грн
100+7.99 грн
500+5.87 грн
1000+4.64 грн
2500+4.51 грн
5000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.99 грн
66+12.19 грн
105+7.65 грн
500+5.24 грн
1000+3.83 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.24 грн
1000+3.83 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.95 грн
104+7.73 грн
223+3.58 грн
500+3.03 грн
1000+2.46 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+21.60 грн
100+10.91 грн
500+8.35 грн
1000+6.20 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+11.95 грн
104+7.73 грн
223+3.58 грн
500+3.03 грн
1000+2.46 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
EMD53T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.09 грн
15+20.96 грн
100+8.12 грн
1000+5.26 грн
2500+4.92 грн
8000+4.03 грн
48000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5550EM09+ SSOP24
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RROHMDescription: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.61 грн
53+15.29 грн
100+9.72 грн
500+6.66 грн
1000+4.90 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.09 грн
13+24.73 грн
100+8.12 грн
1000+5.39 грн
2500+4.92 грн
8000+4.03 грн
48000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.51 грн
16000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+21.60 грн
100+10.91 грн
500+8.35 грн
1000+6.20 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD59T2RROHMDescription: ROHM - EMD59T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.66 грн
1000+4.90 грн
5000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.98 грн
100+12.22 грн
500+9.15 грн
1000+7.37 грн
5000+5.53 грн
8000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6-T2R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+19.49 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 676
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.04 грн
115+6.93 грн
223+3.58 грн
500+3.03 грн
1000+2.46 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 878
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.04 грн
115+6.93 грн
223+3.58 грн
500+3.03 грн
1000+2.46 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
20+15.31 грн
100+9.65 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
2000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD62T2RROHM SemiconductorDigital Transistors Complex Digital Transistor
на замовлення 8295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.09 грн
14+23.32 грн
100+8.26 грн
1000+5.26 грн
2500+4.92 грн
8000+4.37 грн
24000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+21.36 грн
629+20.59 грн
1000+19.91 грн
2500+18.64 грн
5000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.68 грн
17+19.47 грн
100+9.56 грн
1000+4.92 грн
2500+4.23 грн
8000+3.28 грн
24000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.91 грн
14+22.85 грн
100+10.17 грн
1000+6.96 грн
2500+6.62 грн
8000+5.60 грн
48000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.65 грн
15+20.27 грн
100+12.18 грн
500+10.58 грн
1000+7.20 грн
2000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+1.44 грн
625+1.18 грн
630+1.17 грн
635+1.12 грн
942+0.70 грн
953+0.67 грн
1291+0.49 грн
1740+0.36 грн
3000+0.32 грн
Мінімальне замовлення: 513
В кошику  од. на суму  грн.
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.03 грн
16000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.08 грн
16+19.94 грн
100+9.90 грн
500+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RROHMDescription: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.24 грн
1000+3.83 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RROHMDescription: ROHM - EMD72T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.99 грн
66+12.19 грн
105+7.65 грн
500+5.24 грн
1000+3.83 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 18647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
17+18.20 грн
100+9.17 грн
500+7.02 грн
1000+5.21 грн
2000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
EMD811MX07+/08+ SOP8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD812MXDIP8
на замовлення 25400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9ROHM04+ SOT-363
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9 T2RROHMSOT663
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9-T2R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6N/AN/A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.17 грн
13+23.08 грн
100+14.64 грн
500+10.33 грн
1000+9.23 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 70MA
на замовлення 7996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.35 грн
14+24.03 грн
100+13.31 грн
500+10.04 грн
1000+8.19 грн
2500+7.99 грн
8000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD9T2RROHMSOT363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMDB409+EM MicroelectronicDescription: DEVELOPMENT & EVALUATION KIT FOR
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EM4095
Frequency: 125kHz
Type: RFID Reader
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EM4095
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDB415+EM MicroelectronicDescription: EM NF4DEVELOPMENT BOARD
Packaging: Bulk
Type: RFID Reader
Supplied Contents: Board(s), Antenna(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-10-1-75TRMACOMSignal Conditioning 5 to 1000MHz 75 Ohm Coupling +10dB Typ.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-10-1TRMACOMSignal Conditioning 5-1000MHz Iso.17dB Coupling 10dB
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.04 грн
10+276.38 грн
25+215.75 грн
100+196.63 грн
250+177.52 грн
500+159.08 грн
1000+141.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-10-1TR
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-13-1-75TRMACOMSignal Conditioning 5 TO 1000MHz 75ohm Coupling +13dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-13-2TRTYCO09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-13-2TRMACOM Technology SolutionsDescription: COUPLER,5-1000MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SM-22
Frequency: 5MHz ~ 1GHz
Applications: General Purpose
Power - Max: 250mW
Coupling Factor: 13 ± 1dB
Coupler Type: Standard
Return Loss: 17dB
Supplier Device Package: SM-22
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.49 грн
10+158.06 грн
25+149.35 грн
100+128.85 грн
250+122.07 грн
500+117.28 грн
1000+110.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-13-2TRMACOMSignal Conditioning 5-1000MHz 50Ohm Coupling +13dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-13-2TRMACOM Technology SolutionsDescription: COUPLER,5-1000MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SM-22
Frequency: 5MHz ~ 1GHz
Applications: General Purpose
Power - Max: 250mW
Coupling Factor: 13 ± 1dB
Coupler Type: Standard
Return Loss: 17dB
Supplier Device Package: SM-22
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+120.07 грн
4000+111.35 грн
6000+108.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-16-2-75TRMACOMSignal Conditioning
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-16-8-75TRMACOMSignal Conditioning 5-862MHz 75ohm Coupling 16dB typ.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-17-1-75TRMACOMSignal Conditioning
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-17-3-75TRMACOMSignal Conditioning
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-17-5-75TRMACOMSignal Conditioning
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-8-1-75M/A-COMSMD 96+
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC-8-1-75TRMACOMSignal Conditioning
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC0000Red Lion ControlsDescription: SENSOR THRU-BEAM 304.8MM NPN/PNP
Packaging: Box
Adjustment Type: Adjustable
Sensing Distance: 12" (304.8mm)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -20°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN/PNP
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: NEMA 1, 2, 3, 3S, 4, 4X, 12, 13
Connection Method: Cable
Light Source: Infrared
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDC2000Red Lion ControlsDescription: PHOTO-ELECTRIC EMITTER SENSOR
Packaging: Bulk
Sensing Distance: 787.402" (20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Output Configuration: NPN
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 750µs, 375µs
Ingress Protection: IP67, NEMA 6
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Infrared (940nm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101G102M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101G102M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 1000PF 100V NP0
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+40.12 грн
100+24.58 грн
500+22.46 грн
1000+20.82 грн
3000+19.05 грн
6000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101G102M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.93 грн
10+31.95 грн
50+25.46 грн
100+19.73 грн
500+15.42 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
16+18.49 грн
100+12.36 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W103M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 10000PF 100V X7R
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.52 грн
10+36.90 грн
100+23.15 грн
500+19.12 грн
1000+17.68 грн
3000+16.18 грн
6000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 10000 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W103M1GV002EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors EMI Filters, 1206, X7R, 100V, 0.010 F 20%, Ni/Sn (RoHS), 7" Reel Embossed Tape, AEC Q200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W104M1GV001BJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.1UF 20% 100V 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.050" (1.27mm)
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+14.12 грн
9000+12.51 грн
15000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W104M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 .1UF 100V X7R
на замовлення 5898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.30 грн
15+22.30 грн
100+16.39 грн
500+16.11 грн
3000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.1UF 20% 100V 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.050" (1.27mm)
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 22812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
12+26.85 грн
50+20.49 грн
100+17.37 грн
500+16.18 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W223M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
15+19.90 грн
100+13.96 грн
1000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W223M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 22000PF 100V X7R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W223M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W473M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.047UF 100V 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.050" (1.27mm)
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
14+22.71 грн
50+19.88 грн
100+18.60 грн
500+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W473M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.047UF 100V 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.050" (1.27mm)
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.37 грн
6000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD101W473M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 47000PF 100V X7R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD160W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 19664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+37.43 грн
50+29.01 грн
100+24.79 грн
500+20.68 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD160W224M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 .22UF 16V X7R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD160W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.74 грн
6000+18.19 грн
9000+17.78 грн
15000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD250W224M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors 1206 X7R 25V 0.22uF 20% Ni/Sn (RoHS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD250W224M1GV002EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors 1206 X7R 25V 0.22uF 20% Ni/Sn (RoHS) AEC-Q200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD500G102M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 1000PF 50V NP0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD500W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.1UF 20% 50V 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.050" (1.27mm)
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.55 грн
6000+17.06 грн
9000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD500W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.1UF 20% 50V 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1206 (3216 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.050" (1.27mm)
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 47825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
10+29.73 грн
50+24.96 грн
100+19.62 грн
500+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
EMDD500W104M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1206 .1UF 50V X7R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W104M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1210 .1UF 100V X7R
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.28 грн
10+63.68 грн
100+51.21 грн
500+44.17 грн
1000+41.92 грн
2000+40.08 грн
4000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.68 грн
10+69.23 грн
50+59.13 грн
100+51.30 грн
500+44.22 грн
1000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.22UF 100V 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.33 грн
4000+39.29 грн
6000+38.98 грн
10000+36.31 грн
14000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.22UF 100V 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 19747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+59.54 грн
50+54.65 грн
100+47.94 грн
500+42.19 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.33UF 100V 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
на замовлення 13779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.40 грн
10+57.69 грн
50+45.77 грн
100+39.50 грн
500+33.66 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF101W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP PASSTHRU 0.33UF 100V 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.60 грн
4000+31.05 грн
6000+30.39 грн
10000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF160W105M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
на замовлення 31484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
11+28.33 грн
50+24.73 грн
100+18.92 грн
500+15.48 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF160W105M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF160W105M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1210 1.0UF 16V X7R
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.84 грн
10+87.94 грн
100+57.28 грн
500+48.48 грн
1000+45.40 грн
2000+41.85 грн
4000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF500W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF500W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF501W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.50 грн
4000+21.39 грн
6000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF501W103M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1210 10000PF 500V X7R
на замовлення 10508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.07 грн
10+51.43 грн
100+32.70 грн
500+27.17 грн
1000+25.40 грн
2000+23.28 грн
4000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EMDF501W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Pass Through
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.52 грн
10+40.09 грн
50+32.68 грн
100+26.75 грн
500+24.67 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EMDIN01VELLEMANVEL-EMDIN01 Energy Meters
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3494.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMDIN03VELLEMANVEL-EMDIN03 Energy Meters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+8902.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK101W404M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1410 .40UF 100V X7R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK101W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.97 грн
4000+41.81 грн
6000+41.64 грн
10000+38.91 грн
14000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK101W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.070" (1.78mm)
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 31698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.97 грн
10+81.66 грн
50+65.86 грн
100+57.25 грн
500+49.52 грн
1000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK500W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.97 грн
10+81.66 грн
50+65.86 грн
100+57.25 грн
500+49.52 грн
1000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK500W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.97 грн
4000+46.39 грн
6000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK500W404M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1410 .40UF 50V X7R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK501W153M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 8274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.04 грн
10+83.80 грн
50+67.71 грн
100+58.88 грн
500+50.98 грн
1000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDK501W153M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.49 грн
4000+47.82 грн
6000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDL700TriplettDescription: ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
For Measuring: Humidity, Sound, Temperature
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41089.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR101W474M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR101W474M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR101W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.090" (2.29mm)
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 72163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
10+89.79 грн
50+61.66 грн
100+53.52 грн
500+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR101W474M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1812 .47UF 100V X7R
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.26 грн
10+135.05 грн
50+114.70 грн
100+107.19 грн
500+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR101W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.090" (2.29mm)
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.00 грн
2000+57.97 грн
3000+57.24 грн
5000+53.06 грн
7000+52.96 грн
10000+52.84 грн
12000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR500W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.494" W (3.56mm x 12.55mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.090" (2.29mm)
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+156.36 грн
50+138.86 грн
100+120.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR500W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.494" W (3.56mm x 12.55mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Height (Max): 0.090" (2.29mm)
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.47 µF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.58 грн
2000+115.65 грн
3000+114.46 грн
5000+106.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR500W474M1GV001EJohanson DielectricsFeed Through Capacitors X2Y 1812 .47UF 50V X7R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.97 грн
10+199.43 грн
50+157.72 грн
100+139.28 грн
500+126.31 грн
1000+115.39 грн
2000+112.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR501W393M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EMDR501W393M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.039 µF
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.97 грн
10+236.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMDS23D2H-74.250MEcliptekStandard Clock Oscillators 74.25MHz 3.3Volt 50ppm 0C to 70C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMDVK8500EM MicroelectronicDescription: EM8500 ENERGY HARVEST DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Energy Harvesting
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EM8500
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32930.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMDVK9304SOCEM MicroelectronicDescription: EM9304 DEVELOPMENT KIT SOC MODE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EM9304
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® 5
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16039.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMDVK9305SOCEM MicroelectronicDescription: EVAL BOARD FOR EM9305
Packaging: Box
For Use With/Related Products: EM9305
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® 5.x (BLE)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EM9305
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28949.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.