Продукція > EMD

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EMDApex Tool GroupDescription: TIP REPLACEMENT CONICAL .015"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD-FL-C-10Phoenix ContactUnspecified Connectors EMD-FL-C-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD-SL-V-UV-300Phoenix ContactIndustrial Relays EMD-SL-V-UV-300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
eMD1100ZHitachi High-Technologies Europe GmbHminiRide GPS приемник для Q2686H (Wavecom) GPS модулі та аксесуари
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12 T2RRHOMsot-563 04+
на замовлення 11038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1280AWFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1280AXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12V
Packaging: Box
Accessory Type: Adapter
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2614.15 грн
10+2321.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1280UXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.75 грн
500+19.37 грн
1000+15.12 грн
5000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
15+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.11 грн
36+22.63 грн
100+21.75 грн
500+19.37 грн
1000+15.12 грн
5000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
15+22.23 грн
100+12.36 грн
500+9.25 грн
1000+7.46 грн
5000+6.77 грн
8000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
15+20.49 грн
100+12.32 грн
500+10.70 грн
1000+7.28 грн
2000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD19T2R
на замовлення 5346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1S-WRECTRONSOP-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD1S-WRectronBridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2RROHMSOT23-6
на замовлення 8621 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2-TPMicro Commercial ComponentsNPN and PNP Digital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2-TPMicro Commercial ComponentsNPN and PNP Digital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR DUAL NPN/PNP, SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22ROHM09+
на замовлення 49118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22 T2RROHMSOT23-6
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22-13PMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors DUAL NPN Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.97 грн
38+21.34 грн
100+13.29 грн
500+8.38 грн
1000+4.02 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
816+17.39 грн
1547+9.17 грн
2000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 816 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.38 грн
1000+4.02 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.42 грн
1555+9.12 грн
2500+8.85 грн
5000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
16+20.40 грн
100+12.36 грн
500+9.80 грн
1000+8.22 грн
2500+7.87 грн
5000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.28 грн
1194+11.88 грн
2500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+24.23 грн
100+15.44 грн
500+10.92 грн
1000+9.77 грн
2000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2794-00BA16GRREMP0738+
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
694+20.44 грн
720+19.70 грн
1000+19.06 грн
2500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
694+20.44 грн
720+19.70 грн
1000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
14+22.96 грн
100+14.64 грн
500+10.36 грн
1000+9.27 грн
2000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.42 грн
1555+9.12 грн
2500+8.85 грн
5000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 30MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+24.66 грн
1000+22.40 грн
2000+15.69 грн
5000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD2T2RR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3ROHM10 EMT6
на замовлення 184123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3 T2RROHM - JapanNPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3001-50VC06GRREMP2008+ SOT23
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 15830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 15830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN
на замовлення 7978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+40.96 грн
100+22.57 грн
500+13.94 грн
1000+10.36 грн
2500+9.18 грн
5000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD30T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/200mA 6-Pin EMT T/R
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+28.92 грн
695+20.41 грн
1000+19.75 грн
2000+17.68 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD35ROHMSOT26/
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD35 T2RROHMSOT26/SOT363
на замовлення 52816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3622FeRideminiRide GPS приемник Opus III GPS модулі та аксесуари
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+25.14 грн
1128+12.57 грн
2000+12.47 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RROHMDescription: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.89 грн
42+19.57 грн
100+12.40 грн
500+8.60 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.11 грн
16000+5.39 грн
24000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 26795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
17+19.29 грн
100+10.63 грн
500+7.94 грн
1000+6.35 грн
5000+4.90 грн
8000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RROHMDescription: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.40 грн
500+8.60 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.07 грн
100+12.03 грн
500+8.43 грн
1000+7.51 грн
2000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin Technologies256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin Technologies Inc.Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M08G1-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin Technologies256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3D256M16G2-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
16+20.80 грн
100+11.53 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+20.94 грн
100+13.27 грн
500+9.34 грн
1000+8.34 грн
2000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1324+10.71 грн
1369+10.36 грн
2500+10.05 грн
5000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 1324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+14.00 грн
1048+13.53 грн
2500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 50MA
на замовлення 72715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
17+19.45 грн
100+11.67 грн
500+9.25 грн
1000+7.46 грн
5000+6.56 грн
8000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 18346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+27.69 грн
1000+25.14 грн
2000+17.58 грн
5000+16.68 грн
8000+11.81 грн
16000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]