Продукція > GAN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GAN FET BOOK - DC/DCEPCDescription: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: DC-DC Converter Handbook
Author(s): David Reusch, John Glaser
Publisher: Efficient Power Publications
ISBN: 9780996649209
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2712.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITIONEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: Wireless Power Handbook (2nd Edition)
Author(s): Michael A. de Rooij
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780996649216
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSIONEPCDescription: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780615697895
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN FET BOOK-WIPOEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7313.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST EDEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7811.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN-CLIP FOR HOLDING GASKETHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET - FIXING CLIP, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 85389099
Art des Zubehörs: Fixing Clip
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.70 грн
30+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GAN-GASKET FOR IP69KHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-GASKET FOR IP69K - GAN GASKET, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 40169300
Art des Zubehörs: GAN Gasket
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+269.05 грн
10+259.26 грн
25+257.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GAN-STAINLESS SCREW M3X28Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN014-650NBCANexperiaNexperia 650V TO247 GALLIUM NITRIDE FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBNexperiaNexperia MOS DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.24 грн
10+682.72 грн
100+569.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperiaGaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.58 грн
10+685.51 грн
100+531.80 грн
1000+451.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBANexperiaGallium Nitride (GaN) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+839.75 грн
50+779.01 грн
100+651.30 грн
250+638.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaGaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.58 грн
10+685.51 грн
100+531.80 грн
1000+451.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.34 грн
5+898.45 грн
10+839.75 грн
50+779.01 грн
100+651.30 грн
250+638.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1214.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1301.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.24 грн
10+682.72 грн
100+569.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperiaGaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.85 грн
10+810.08 грн
50+700.92 грн
100+609.37 грн
500+568.84 грн
1000+529.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1487.64 грн
100+1413.26 грн
500+1338.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: GaN
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Kind of transistor: cascode; HEMT
Case: SOT429; TO247
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1881.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaGaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.70 грн
10+623.63 грн
30+542.29 грн
50+508.74 грн
100+500.36 грн
200+424.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+976.84 грн
50+916.20 грн
100+901.04 грн
200+846.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1487.64 грн
100+1413.26 грн
500+1338.88 грн
1000+1219.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+995.30 грн
10+671.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.00 грн
5+1076.19 грн
10+946.56 грн
50+824.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1487.64 грн
100+1413.26 грн
500+1338.88 грн
1000+1219.33 грн
10000+1062.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1296.70 грн
13+1000.82 грн
120+882.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNXPTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1034.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.36 грн
10+985.61 грн
300+954.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.60 грн
5+1098.20 грн
10+1055.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaКод виробника: GAN063-650WSAQ Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistors
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+1100.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1389.33 грн
10+1072.30 грн
120+945.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaGaN FETs 650 V, 50 mohm Gallium Nitride (GaN) FET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.00 грн
10+932.23 грн
30+809.94 грн
1020+803.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNXPКод виробника: GAN063-650WSAQ RoHS Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistors
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+1247.87 грн
10+1098.29 грн
20+1054.27 грн
40+1022.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GAN065-084050GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 7.2V; 5A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Max. charging current: 5A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Rechargeable battery voltage: 7.2V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2113.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN065-252020GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.2V; 2A
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Max. charging current: 2A
Rechargeable battery voltage: 25.2V
Type of charger: for rechargeable batteries
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1982.07 грн
3+1639.45 грн
5+1546.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 29A FET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.17 грн
10+363.25 грн
100+241.09 грн
2500+204.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.68 грн
10+361.12 грн
100+264.37 грн
500+242.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+520.16 грн
50+470.89 грн
100+422.79 грн
250+414.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.05 грн
5+522.60 грн
10+520.16 грн
50+470.89 грн
100+422.79 грн
250+414.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.47 грн
10+528.35 грн
300+354.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.95 грн
5+1043.58 грн
10+917.21 грн
50+804.00 грн
100+698.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+917.21 грн
50+804.00 грн
100+698.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperiaGaN FETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.61 грн
10+530.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.05 грн
10+378.30 грн
100+277.72 грн
500+256.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+321.23 грн
500+252.86 грн
1000+215.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 17A FET
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.63 грн
10+379.32 грн
50+318.66 грн
100+252.97 грн
200+252.28 грн
1000+248.08 грн
2500+139.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.64 грн
10+392.16 грн
100+321.23 грн
500+252.86 грн
1000+215.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+498.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 17A FET
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.42 грн
10+349.59 грн
50+274.64 грн
100+226.42 грн
1000+218.03 грн
2500+130.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.03 грн
10+347.87 грн
100+254.14 грн
500+230.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.27 грн
10+499.78 грн
100+498.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+217.68 грн
500+190.02 грн
1000+162.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.74 грн
10+265.88 грн
100+191.15 грн
500+164.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.62 грн
10+229.91 грн
100+217.68 грн
500+190.02 грн
1000+162.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.68 грн
10+262.79 грн
50+218.03 грн
100+164.22 грн
500+160.73 грн
1000+151.64 грн
2500+88.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.22 грн
10+245.11 грн
50+193.57 грн
100+151.64 грн
200+150.95 грн
500+147.45 грн
1000+141.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.71 грн
10+382.37 грн
100+375.85 грн
500+320.24 грн
1000+273.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.30 грн
10+244.83 грн
100+175.16 грн
500+147.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+375.85 грн
500+320.24 грн
1000+273.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN200U-A0U-6060200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN200U-A0U-6060500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN20LU-A0U-6120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN20LU-A0U-6120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN20LU-A0U-6120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN210U-A0U-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1590.64 грн
10+1186.99 грн
100+1015.39 грн
250+984.64 грн
500+966.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN210U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN210U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN21LU-A0U-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN21LU-V41-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2443.44 грн
10+2083.86 грн
25+1755.44 грн
50+1698.14 грн
100+1641.54 грн
250+1550.69 грн
500+1505.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2260500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2261000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2261000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-6030500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-2050200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-2050500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-2051000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-6090030Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-6090200HIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN22LU-A0U-6090200 - RECTANGULAR CONN, RCPT, 2+2PE, SCREW
Kontaktüberzug: -
Kontaktausführung: Socket
Kontaktmaterial: Brass
Ausführung: Receptacle
Steckverbindermontage: Cable Mount
Steckverbindergehäusegröße: -
Anzahl der Kontakte: 4
Produktpalette: GDM Series
Kontaktanschluss: Screw
Anzahl der Reihen: -
Rastermaß: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-6090500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-A0U-6091000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D24-2120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D24-2120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D24-2121000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D24-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D24-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D24-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-D28-6090200-1UCHirschmann GAN22LU-D28-6090200-1UC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-2260200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L11-6090500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-2120200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2922.01 грн
10+2361.92 грн
25+2037.07 грн
50+1978.37 грн
100+1943.43 грн
250+1844.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-2261000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-6030275Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-6030275HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L14-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2121000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2121000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2260200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-2261000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-L1Y-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2120200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2120500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2121000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2260300Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6030500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090200-10HLumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1743.91 грн
10+1641.05 грн
50+1326.37 грн
100+1282.34 грн
250+1161.44 грн
500+1139.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2445.07 грн
10+2169.04 грн
25+1844.89 грн
50+1808.56 грн
100+1713.52 грн
250+1712.82 грн
500+1683.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2763.85 грн
10+2353.88 грн
25+1958.80 грн
50+1895.21 грн
100+1832.32 грн
250+1730.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090500-10HLumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6090700Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6091000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3398.96 грн
10+3053.86 грн
25+2569.57 грн
50+2398.36 грн
100+2278.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6091000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6091000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3467.45 грн
10+2850.54 грн
25+2393.47 грн
50+2290.74 грн
100+2192.21 грн
250+2102.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6091200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6091500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-S24-6091500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2120200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2260200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2277.93 грн
10+1941.61 грн
25+1635.95 грн
50+1582.84 грн
100+1445.87 грн
250+1445.17 грн
500+1403.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2260200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-2261000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-6030500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V21-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2120200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2120300Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2402.67 грн
10+2048.50 грн
25+1725.40 грн
50+1670.19 грн
100+1524.83 грн
500+1480.81 грн
1000+1447.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2746.73 грн
10+1923.13 грн
100+1633.15 грн
250+1583.53 грн
500+1578.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2260060Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2260300Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2261500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2261500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V24-2262500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2121000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN22LU-V2Y-6090500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN30048EUAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN30084EUAmphenolGAN30084EU
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1694+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 1694
В кошику  од. на суму  грн.
GAN310U-A0U-6040200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN310U-A0U-6040500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100200-10HHirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-6101000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-A0U-7430200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1J-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1J-6110200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1J-6110500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1M-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1M-6110200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P1M-6110500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P2M-2280500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN31LU-P2M-2281000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.55 грн
10+212.05 грн
100+150.44 грн
500+122.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+223.39 грн
500+176.39 грн
1000+159.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+115.70 грн
3000+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.33 грн
10+287.80 грн
100+223.39 грн
500+176.39 грн
1000+159.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3R2-100CBEAZNexperiaGaN FETs SOT8072 100V 60A FET
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.93 грн
10+212.97 грн
100+131.38 грн
500+122.29 грн
1500+103.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-A0U-6100500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2280500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2280500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2281500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2281500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN3ZLU-P2M-2590500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN75420TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: DISK-2K +/-1% SL 18.64 +/-1%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.14 грн
500+138.54 грн
1000+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNexperiaGaN FETs SOT8073 150V 28A FET
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.16 грн
10+170.37 грн
50+146.05 грн
100+104.12 грн
500+92.24 грн
2500+78.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.66 грн
10+169.96 грн
100+119.07 грн
500+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.99 грн
10+207.08 грн
100+167.14 грн
500+138.54 грн
1000+109.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.89 грн
10+46.69 грн
200+40.18 грн
500+38.51 грн
1000+37.11 грн
2500+29.07 грн
5000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.24 грн
5+718.27 грн
10+581.30 грн
50+479.98 грн
100+387.15 грн
250+379.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.32 грн
10+360.28 грн
100+279.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+581.30 грн
50+479.98 грн
100+387.15 грн
250+379.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GANB1R2-040QBAZNexperiaGaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.89 грн
10+382.54 грн
100+257.87 грн
2500+218.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.81 грн
10+135.34 грн
100+107.62 грн
500+84.03 грн
1000+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.01 грн
10+130.19 грн
50+111.81 грн
100+78.27 грн
500+64.92 грн
2500+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.61 грн
10+120.07 грн
100+82.80 грн
500+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.62 грн
500+84.03 грн
1000+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.73 грн
10+114.14 грн
100+77.29 грн
500+59.81 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.74 грн
10+100.16 грн
100+68.14 грн
500+51.08 грн
1000+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.98 грн
10+101.26 грн
50+86.65 грн
100+59.47 грн
500+47.52 грн
1000+45.98 грн
2500+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE140-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.69 грн
10+190.46 грн
50+164.22 грн
100+139.76 грн
500+127.19 грн
2500+90.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.26 грн
10+206.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.02 грн
10+178.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE190-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.37 грн
10+164.75 грн
50+140.46 грн
100+120.20 грн
500+105.52 грн
2500+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.96 грн
10+514.04 грн
50+414.32 грн
100+358.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE1R8-100QBAZNexperiaGaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.08 грн
10+472.54 грн
100+336.13 грн
2500+285.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE240-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.73 грн
10+147.87 грн
50+127.19 грн
100+107.62 грн
500+92.24 грн
2500+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE240-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+160.95 грн
50+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE240-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE2R7-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.08 грн
10+238.17 грн
100+170.66 грн
500+154.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE2R7-100CBAZNexperiaGaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.19 грн
10+252.35 грн
100+156.54 грн
500+152.34 грн
1500+129.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE2R7-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-650FBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-650FBAZNexperiaGaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.43 грн
10+71.20 грн
100+54.79 грн
200+51.50 грн
500+49.62 грн
1000+47.87 грн
2500+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-650FBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.07 грн
10+85.02 грн
50+72.44 грн
100+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.25 грн
10+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE350-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.40 грн
10+108.49 грн
50+91.55 грн
100+77.57 грн
500+61.92 грн
1000+60.73 грн
2500+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.06 грн
10+462.56 грн
50+371.23 грн
100+320.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperiaGaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.22 грн
10+425.93 грн
100+294.20 грн
2500+250.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+585.38 грн
50+511.77 грн
100+375.97 грн
250+368.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNexperiaGallium Nitride (GaN) FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANE3R9-150QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.24 грн
5+720.72 грн
10+585.38 грн
50+511.77 грн
100+375.97 грн
250+368.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANE7R0-100CBAZNexperiaGaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.73 грн
10+112.51 грн
50+96.44 грн
100+67.30 грн
500+53.81 грн
1500+47.31 грн
3000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE7R0-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.33 грн
10+122.49 грн
50+93.21 грн
100+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GANE7R0-100CBAZNexperia USA Inc.Description: GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-ARM(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Chipcon; Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-ARM(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+90572.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-ARM-1VELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows 2000; Windows XP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+21141.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-ARM-1V(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; programmer; ribbon cable; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Chipcon; Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-ARM-1V(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+73185.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-CC-STDElprotronicProgrammers - Processor Based GangPro-CC FOR TI CHIPCON MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-CC-STDElprotronic Inc.Description: GANGPRO-CC-STD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MCU
Type: Programmer (In-Circuit/In-System, Gang)
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Part Status: Last Time Buy
Utilized IC / Part: MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-M(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-M(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GangPro-M-1V (XS)ElprotronicProgrammers - Processor Based
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-M-1V(X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-M-1V(XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-XElprotronic Inc.Description: GANGPRO-X
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-XElprotronicProgrammers - Processor Based Flash and Gang Programmer for All MCU supported by Elprotronic. I combines all FashPro and GangPro ( FP430, GP430, FP-2000, FP-CC, GP-CC, FP-ARM, GP-ARM, FP-M). Access to GUI, DLL, serialization and script file. USB-FPA 6.1 a
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-X (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-X (XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-X-1V (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Caution!: This programmer supports a single microcontroller vendor from the supported list, which is permanently assigned at first startup.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO-X-1V (XS)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Caution!: This programmer supports a single microcontroller vendor from the supported list, which is permanently assigned at first startup.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGPRO430 (X2S)ELPROTRONICCategory: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; TEXAS INSTRUMENTS; 16MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; JTAG; SBW
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: MSP430
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 16MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGSPLITTERELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; IDC14
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Connection: IDC14
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: USB-MSP430-FPA-GJ; USB-MSP430-FPA-GJB; XS-GP-430
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANGSPLITTER-ARMELPROTRONICCategory: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; Interface: cJTAG,JTAG,SWD
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Connection: IDC14; IDC20
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: GP-ARM; X2S-GP-ARM; XS-GP-ARM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANSPIN611STMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANSPIN611TRSTMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.87 грн
10+555.32 грн
25+460.52 грн
100+399.73 грн
250+381.56 грн
500+348.01 грн
1000+306.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GANSPIN612STMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers High-voltage half-bridge GaN motor driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GANSPIN612TRSTMicroelectronicsMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers High-voltage half-bridge GaN motor driver
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.35 грн
10+450.85 грн
25+363.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.