Продукція > GAN

Description: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: Wireless Power Handbook (2nd Edition)
Author(s): Michael A. de Rooij
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780996649216

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSION

Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780615697895

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN FET BOOK-WIPO

Description: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN POWER DEVICES AND APPLICATI

Description: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7297.18 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED

Description: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7793.70 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET

HIRSCHMANN

Description: HIRSCHMANN - GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET - FIXING CLIP, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 85389099
Art des Zubehörs: Fixing Clip
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	28.63 грн
30+	27.49 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

GAN-GASKET FOR IP69K

HIRSCHMANN

Description: HIRSCHMANN - GAN-GASKET FOR IP69K - GAN GASKET, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 40169300
Art des Zubehörs: GAN Gasket
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.44 грн
10+	258.67 грн
25+	257.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

GAN-STAINLESS SCREW M3X28

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN014-650NBCA

Nexperia 650V TO247 GALLIUM NITRIDE FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NBB

Nexperia MOS DISCRETES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NBBHP

Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1007.94 грн
10+	681.16 грн
100+	567.71 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NBBHP

GaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	988.33 грн
10+	683.95 грн
100+	530.60 грн
1000+	450.41 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NBBHP

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NBBHP

Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NBBHP

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBA

Gallium Nitride (GaN) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1298.20 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1007.94 грн
10+	681.16 грн
100+	567.71 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	837.84 грн
50+	777.24 грн
100+	649.82 грн
250+	636.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	988.33 грн
10+	683.95 грн
100+	530.60 грн
1000+	450.41 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	954.17 грн
5+	896.41 грн
10+	837.84 грн
50+	777.24 грн
100+	649.82 грн
250+	636.58 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBJ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1211.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBZ

GaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	938.71 грн
10+	808.24 грн
50+	699.33 грн
100+	607.99 грн
500+	567.55 грн
1000+	527.81 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBZ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBZ

Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBZ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN039-650NTBZ

Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 13686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	1484.26 грн
100+	1410.05 грн
500+	1335.83 грн
1000+	1216.56 грн
10000+	1060.18 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ
Код товару: 207569

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	1484.26 грн
100+	1410.05 грн
500+	1335.83 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Technology: GaN
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Kind of transistor: cascode; HEMT
Case: SOT429; TO247

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1877.24 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	802.87 грн
10+	622.21 грн
30+	541.05 грн
50+	507.59 грн
100+	499.22 грн
200+	423.92 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	974.62 грн
50+	914.12 грн
100+	898.99 грн
200+	844.69 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	1484.26 грн
100+	1410.05 грн
500+	1335.83 грн
1000+	1216.56 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	993.04 грн
10+	669.99 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN041-650WSBQ

Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1202.27 грн
5+	1073.74 грн
10+	944.41 грн
50+	822.56 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

GaN FETs 650 V, 50 mohm Gallium Nitride (GaN) FET

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	946.85 грн
10+	930.11 грн
30+	808.10 грн
1020+	801.82 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

NXP

Код виробника: GAN063-650WSAQ RoHS Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistors
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	1245.03 грн
10+	1095.79 грн
20+	1051.87 грн
40+	1019.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1293.76 грн
13+	998.54 грн
120+	880.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

NXP

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

1+	1032.11 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V

на замовлення 547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1102.85 грн
10+	983.37 грн
300+	952.22 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

Description: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1138.00 грн
5+	1095.71 грн
10+	1053.41 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

Код виробника: GAN063-650WSAQ Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistors
кількість в упаковці: 30 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	1098.29 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

GAN063-650WSAQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1386.17 грн
10+	1069.86 грн
120+	943.66 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN065-084050

GREEN DIGITAL POWER TECH

Category: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 7.2V; 5A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Max. charging current: 5A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Rechargeable battery voltage: 7.2V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2108.62 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN065-252020

GREEN DIGITAL POWER TECH

Category: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.2V; 2A
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Max. charging current: 2A
Rechargeable battery voltage: 25.2V
Type of charger: for rechargeable batteries

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1977.57 грн
3+	1635.73 грн
5+	1543.41 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN080-650EBEZ

Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN080-650EBEZ

Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	523.86 грн
5+	521.42 грн
10+	518.98 грн
50+	469.82 грн
100+	421.83 грн
250+	413.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GAN080-650EBEZ

GaN FETs SOT8074 650V 29A FET

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.94 грн
10+	362.42 грн
100+	240.55 грн
2500+	204.29 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN080-650EBEZ

Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V

на замовлення 2238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	551.43 грн
10+	360.30 грн
100+	263.77 грн
500+	241.50 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN080-650EBEZ

на замовлення 3877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	518.98 грн
50+	469.82 грн
100+	421.83 грн
250+	413.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

GAN080-650EBEZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN111-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN111-650WSBQ

GaN FETs The factory is currently not accepting orders for this product.

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	776.84 грн
10+	529.20 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN111-650WSBQ

Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	790.66 грн
10+	527.15 грн
300+	353.89 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN111-650WSBQ

Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1167.29 грн
5+	1041.20 грн
10+	915.12 грн
50+	802.17 грн
100+	696.54 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN111-650WSBQ

Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN111-650WSBQ

Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	915.12 грн
50+	802.17 грн
100+	696.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650EBEZ

Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	459.59 грн
10+	391.27 грн
100+	320.50 грн
500+	252.28 грн
1000+	215.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650EBEZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650EBEZ

на замовлення 4773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	320.50 грн
500+	252.28 грн
1000+	215.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650EBEZ

Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.74 грн
10+	377.44 грн
100+	277.09 грн
500+	256.05 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650EBEZ

GaN FETs SOT8074 650V 17A FET

на замовлення 2049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	565.34 грн
10+	378.46 грн
50+	317.94 грн
100+	252.40 грн
200+	251.70 грн
1000+	247.52 грн
2500+	139.45 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650EBEZ

Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650FBEZ

Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650FBEZ

Description: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	497.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650FBEZ

GaN FETs SOT8075 650V 17A FET

на замовлення 1657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.23 грн
10+	348.79 грн
50+	274.01 грн
100+	225.90 грн
1000+	217.54 грн
2500+	130.38 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650FBEZ

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	588.93 грн
10+	498.64 грн
100+	497.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650FBEZ

Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V

на замовлення 1977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	531.82 грн
10+	347.08 грн
100+	253.57 грн
500+	230.44 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN140-650FBEZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650EBEZ

GaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	397.77 грн
10+	262.20 грн
50+	217.54 грн
100+	163.85 грн
500+	160.36 грн
1000+	151.30 грн
2500+	88.55 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650EBEZ

Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650EBEZ

Description: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	217.19 грн
500+	189.59 грн
1000+	161.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650EBEZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650EBEZ

на замовлення 2142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.08 грн
10+	229.39 грн
100+	217.19 грн
500+	189.59 грн
1000+	161.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650EBEZ

Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.80 грн
10+	265.27 грн
100+	190.72 грн
500+	163.87 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650FBEZ

Description: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	375.00 грн
500+	319.51 грн
1000+	272.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650FBEZ

Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.43 грн
10+	244.28 грн
100+	174.76 грн
500+	147.48 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650FBEZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650FBEZ

Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650FBEZ

GaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.37 грн
10+	244.56 грн
50+	193.13 грн
100+	151.30 грн
200+	150.60 грн
500+	147.12 грн
1000+	140.84 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN190-650FBEZ

на замовлення 1991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	388.82 грн
10+	381.50 грн
100+	375.00 грн
500+	319.51 грн
1000+	272.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

GAN200U-A0U-6060200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN200U-A0U-6060500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN20LU-A0U-6120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN20LU-A0U-6120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN20LU-A0U-6120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN210U-A0U-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1587.02 грн
10+	1184.29 грн
100+	1013.08 грн
250+	982.40 грн
500+	964.28 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN210U-A0U-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN210U-A0U-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN21LU-A0U-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN21LU-V41-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2437.88 грн
10+	2079.12 грн
25+	1751.46 грн
50+	1694.28 грн
100+	1637.81 грн
250+	1547.17 грн
500+	1502.54 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN220U-A0U-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-2050200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-2050500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-2051000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-6090030

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-6090200

HIRSCHMANN

Description: HIRSCHMANN - GAN22LU-A0U-6090200 - RECTANGULAR CONN, RCPT, 2+2PE, SCREW
Kontaktüberzug: -
Kontaktausführung: Socket
Kontaktmaterial: Brass
Ausführung: Receptacle
Steckverbindermontage: Cable Mount
Steckverbindergehäusegröße: -
Anzahl der Kontakte: 4
Produktpalette: GDM Series
Kontaktanschluss: Screw
Anzahl der Reihen: -
Rastermaß: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-A0U-6091000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D24-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D24-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D24-2121000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D24-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D24-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D24-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-D28-6090200-1UC

GAN22LU-D28-6090200-1UC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L11-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2915.37 грн
10+	2356.55 грн
25+	2032.44 грн
50+	1973.87 грн
100+	1939.01 грн
250+	1840.70 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-6030275

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-6030275

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L14-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2121000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2121000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-L1Y-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2121000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2260300

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090200-10H

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1739.95 грн
10+	1637.32 грн
50+	1323.35 грн
100+	1279.43 грн
250+	1158.81 грн
500+	1137.19 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2439.51 грн
10+	2164.11 грн
25+	1840.70 грн
50+	1804.44 грн
100+	1709.62 грн
250+	1708.92 грн
500+	1679.64 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2757.57 грн
10+	2348.53 грн
25+	1954.35 грн
50+	1890.90 грн
100+	1828.15 грн
250+	1727.05 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090500-10H

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6090700

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6091000

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3391.24 грн
10+	3046.92 грн
25+	2563.73 грн
50+	2392.91 грн
100+	2272.99 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6091000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6091000

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3459.57 грн
10+	2844.06 грн
25+	2388.03 грн
50+	2285.54 грн
100+	2187.23 грн
250+	2097.98 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6091200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6091500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-S24-6091500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2272.75 грн
10+	1937.20 грн
25+	1632.23 грн
50+	1579.24 грн
100+	1442.58 грн
250+	1441.88 грн
500+	1400.75 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V21-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2120300

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2397.21 грн
10+	2043.84 грн
25+	1721.47 грн
50+	1666.39 грн
100+	1521.37 грн
500+	1477.44 грн
1000+	1443.97 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2740.48 грн
10+	1918.76 грн
100+	1629.44 грн
250+	1579.94 грн
500+	1575.05 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2260060

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2260200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2260300

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2261000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2261500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2261500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2262000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2262000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2262000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V24-2262500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-2120200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-2120500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-2121000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-2260500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-6030200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-6030500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-6090200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN22LU-V2Y-6090500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN30048EU

Amphenol

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN30084EU

Amphenol

GAN30084EU

на замовлення 1694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1694+	146.46 грн

Мінімальне замовлення: 1694

В кошику од. на суму грн.

GAN310U-A0U-6040200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN310U-A0U-6040500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-6100200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-6100200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-6100200-10H

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-6100500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-6100500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-6101000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-A0U-7430200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P1J-6110200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P1J-6110200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P1J-6110500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P1M-6110200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P1M-6110200

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P1M-6110500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P2M-2280500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN31LU-P2M-2281000

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

на замовлення 3435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.80 грн
10+	211.57 грн
100+	150.10 грн
500+	122.66 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

Description: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.88 грн
500+	175.99 грн
1000+	158.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	115.44 грн
3000+	106.78 грн

Мінімальне замовлення: 1500

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 230A
Case: WLCSP8
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 394W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

на замовлення 1318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.49 грн
10+	287.14 грн
100+	222.88 грн
500+	175.99 грн
1000+	158.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

GAN3R2-100CBEAZ

GaN FETs SOT8072 100V 60A FET

на замовлення 1548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	326.19 грн
10+	212.48 грн
100+	131.08 грн
500+	122.02 грн
1500+	103.19 грн

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-A0U-6100500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-A0U-6100500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-P2M-2280500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-P2M-2280500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-P2M-2281500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-P2M-2281500

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN3ZLU-P2M-2590500

TE Connectivity Measurement Specialties

Sensor Cables / Actuator Cables

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN75420

Description: DISK-2K +/-1% SL 18.64 +/-1%
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN7R0-150LBEZ

Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.46 грн
10+	206.61 грн
100+	166.76 грн
500+	138.23 грн
1000+	109.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

GAN7R0-150LBEZ

Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V

на замовлення 3368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.05 грн
10+	169.57 грн
100+	118.80 грн
500+	92.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GAN7R0-150LBEZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 120A
Case: FCLGA3
Gate-source voltage: -4...6V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 28W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GAN7R0-150LBEZ

Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

GAN7R0-150LBEZ

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	166.76 грн
500+	138.23 грн
1000+	109.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GAN7R0-150LBEZ

GaN FETs SOT8073 150V 28A FET

на замовлення 4166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.55 грн
10+	169.99 грн
50+	145.72 грн
100+	103.89 грн
500+	92.04 грн
2500+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANB012-040CBAZ

GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.72 грн
10+	46.59 грн
200+	40.09 грн
500+	38.42 грн
1000+	37.02 грн
2500+	29.00 грн
5000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

GANB012-040CBAZ

Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANB012-040CBAZ

Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANB1R2-040QBAZ

Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	853.30 грн
5+	716.64 грн
10+	579.98 грн
50+	478.88 грн
100+	386.27 грн
250+	378.60 грн

В кошику од. на суму грн.

GANB1R2-040QBAZ

Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	549.07 грн
10+	359.47 грн
100+	278.48 грн

В кошику од. на суму грн.

GANB1R2-040QBAZ

Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	579.98 грн
50+	478.88 грн
100+	386.27 грн
250+	378.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

GANB1R2-040QBAZ

GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16

на замовлення 2132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	568.60 грн
10+	381.67 грн
100+	257.28 грн
2500+	218.23 грн

В кошику од. на суму грн.

GANB1R2-040QBAZ

Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANB4R8-040CBAZ

Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.37 грн
500+	83.84 грн
1000+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

GANB4R8-040CBAZ

Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANB4R8-040CBAZ

Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.40 грн
10+	135.03 грн
100+	107.37 грн
500+	83.84 грн
1000+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

GANB4R8-040CBAZ

GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.55 грн
10+	129.89 грн
50+	111.56 грн
100+	78.09 грн
500+	64.77 грн
2500+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANB4R8-040CBAZ

Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.18 грн
10+	119.80 грн
100+	82.61 грн
500+	64.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANB8R0-040CBAZ

GaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.62 грн
10+	101.03 грн
50+	86.46 грн
100+	59.33 грн
500+	47.41 грн
1000+	45.88 грн
2500+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

GANB8R0-040CBAZ

Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

GANB8R0-040CBAZ

Description: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.33 грн
10+	113.88 грн
100+	77.11 грн
500+	59.67 грн
1000+	51.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

GANB8R0-040CBAZ

Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.37 грн
10+	99.93 грн
100+	67.99 грн
500+	50.96 грн
1000+	46.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE140-700BBAZ

Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	325.52 грн
10+	206.36 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE140-700BBAZ

Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE140-700BBAZ

GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK

на замовлення 2403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.03 грн
10+	190.03 грн
50+	163.85 грн
100+	139.45 грн
500+	126.90 грн
2500+	89.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE190-700BBAZ

Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.38 грн
10+	178.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE190-700BBAZ

GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.79 грн
10+	164.37 грн
50+	140.14 грн
100+	119.92 грн
500+	105.28 грн
2500+	73.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE190-700BBAZ

Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE1R8-100QBAZ

Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	774.19 грн
10+	512.87 грн
50+	413.38 грн
100+	357.94 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE1R8-100QBAZ

Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE1R8-100QBAZ

GaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7

на замовлення 2483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	695.49 грн
10+	471.47 грн
100+	335.37 грн
2500+	284.47 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE240-700BBAZ

GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.20 грн
10+	147.53 грн
50+	126.90 грн
100+	107.37 грн
500+	92.04 грн
2500+	64.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE240-700BBAZ

Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.71 грн
10+	160.58 грн
50+	123.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE240-700BBAZ

Description: GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE2R7-100CBAZ

GaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22

на замовлення 1483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	382.32 грн
10+	251.77 грн
100+	156.18 грн
500+	152.00 грн
1500+	128.99 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE2R7-100CBAZ

Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE2R7-100CBAZ

Description: GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.23 грн
10+	237.63 грн
100+	170.27 грн
500+	154.56 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE350-650FBAZ

Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE350-650FBAZ

GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.19 грн
10+	71.04 грн
100+	54.66 грн
200+	51.39 грн
500+	49.50 грн
1000+	47.76 грн
2500+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

GANE350-650FBAZ

Description: GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.80 грн
10+	84.82 грн
50+	72.27 грн
100+	64.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

GANE350-700BBAZ

Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.82 грн
10+	117.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE350-700BBAZ

GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.01 грн
10+	108.25 грн
50+	91.34 грн
100+	77.39 грн
500+	61.78 грн
1000+	60.59 грн
2500+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE350-700BBAZ

Description: GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Gallium Nitride (GaN) FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	853.30 грн
5+	719.08 грн
10+	584.05 грн
50+	510.61 грн
100+	375.11 грн
250+	367.44 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)

на замовлення 2063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	700.46 грн
10+	461.51 грн
50+	370.39 грн
100+	320.11 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Gallium Nitride (GaN) FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	628.79 грн
10+	424.96 грн
100+	293.54 грн
2500+	249.61 грн

В кошику од. на суму грн.

GANE3R9-150QBAZ

Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 20nC
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	584.05 грн
50+	510.61 грн
100+	375.11 грн
250+	367.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

GANE7R0-100CBAZ

GaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.33 грн
10+	112.25 грн
50+	96.22 грн
100+	67.14 грн
500+	53.69 грн
1500+	47.20 грн
3000+	45.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE7R0-100CBAZ

Description: GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.88 грн
10+	122.21 грн
50+	93.00 грн
100+	78.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

GANE7R0-100CBAZ

Description: GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-ARM(X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Chipcon; Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-ARM(XS)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	90366.99 грн

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-ARM-1V

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows 2000; Windows XP

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	21093.43 грн

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-ARM-1V(X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; programmer; ribbon cable; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Chipcon; Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-ARM-1V(XS)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; CYPRESS; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: Cortex M3; Cortex M4; Cortex M7; Cortex M0; MSP432
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	73019.00 грн

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-CC-STD

Elprotronic Inc.

Description: GANGPRO-CC-STD
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MCU
Type: Programmer (In-Circuit/In-System, Gang)
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Part Status: Last Time Buy
Utilized IC / Part: MCU

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-CC-STD

Elprotronic

Programmers - Processor Based GangPro-CC FOR TI CHIPCON MCU

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-M(X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-M(XS)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GangPro-M-1V (XS)

Elprotronic

Programmers - Processor Based

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-M-1V(X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-M-1V(XS)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: CYPRESS; GIGADEVICE; MACRONIX; MICROCHIP; MICRON TECHNOLOGY; RENESAS; STMicroelectronics; WINBOND
Programmers and development kits features: galvanic separation; support for one MCU vendor
Communication with PC: USB
Interface: JTAG; PDI; QSPI; SPI; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: RL78; STM8
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-X

Elprotronic

Programmers - Processor Based Flash and Gang Programmer for All MCU supported by Elprotronic. I combines all FashPro and GangPro ( FP430, GP430, FP-2000, FP-CC, GP-CC, FP-ARM, GP-ARM, FP-M). Access to GUI, DLL, serialization and script file. USB-FPA 6.1 a

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-X

Elprotronic Inc.

Description: GANGPRO-X

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-X (X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-X (XS)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-X-1V (X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; RJ45 Ethernet,USB; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Caution!: This programmer supports a single microcontroller vendor from the supported list, which is permanently assigned at first startup.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO-X-1V (XS)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; USB; 14pin,USB B; 20MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: ACTIVE-SEMI; ANALOG DEVICES; Atmel; CYPRESS; FREESCALE; MARVELL; MAXIM INTEGRATED; MICROCHIP; NORDIC SEMICONDUCTOR; NXP; RENESAS; SILERGY; SILICON LABS; STMicroelectronics; TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: USB
Interface: BSL; cJTAG; JTAG; PDI; QSPI; SBW; SPI; SWD; SWIM; TPI; UPDI
Kit contents: adapter x5; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: ARM; AVR; C2000; EFM32; EFR32; FM3; FM4; FM0+; MSP430; MSP432; PIC; PSoC4; PSoC 5LP; PSoC 6; SimpleLink; STM8; STM32
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 20MHz
Transfer rate: 1Mbps
Caution!: This programmer supports a single microcontroller vendor from the supported list, which is permanently assigned at first startup.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGPRO430 (X2S)

Category: Programmers
Description: Programmer: microcontrollers; TEXAS INSTRUMENTS; 16MHz; 1Mbps
Type of ICs programmer: microcontrollers
Associated circuits: TEXAS INSTRUMENTS
Programmers and development kits features: galvanic separation
Communication with PC: RJ45 Ethernet; USB
Interface: BSL; JTAG; SBW
Kit contents: adapter; IDC 14pin cable; programmer; USB A - USB B cable
Connection: 14pin; RJ45; USB B
Producer guarantee (months): 12
Kind of architecture: MSP430
Operating system: Linux; Windows 7; Windows 8; Windows 10; Windows XP
Clock frequency: 16MHz
Transfer rate: 1Mbps
Part status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGSPLITTER

Category: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; IDC14
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Connection: IDC14
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: USB-MSP430-FPA-GJ; USB-MSP430-FPA-GJB; XS-GP-430

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANGSPLITTER-ARM

Category: Programmer accessories
Description: Accessories: adapter-splitter; Interface: cJTAG,JTAG,SWD
Interface: cJTAG; JTAG; SWD
Connection: IDC14; IDC20
Type of accessories for development kits: adapter - splitter
Kit contents: adapter; IDC 14pin x6 cable x6
Related items: GP-ARM; X2S-GP-ARM; XS-GP-ARM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANSPIN611

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANSPIN611TR

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	727.22 грн
10+	554.06 грн
25+	459.48 грн
100+	398.82 грн
250+	380.69 грн
500+	347.22 грн
1000+	305.39 грн

В кошику од. на суму грн.

GANSPIN612

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers High-voltage half-bridge GaN motor driver

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

GANSPIN612TR