Продукція > GAN

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GAN FET BOOK - DC/DCEPCDescription: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: DC-DC Converter Handbook
Author(s): David Reusch, John Glaser
Publisher: Efficient Power Publications
ISBN: 9780996649209
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2679.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITIONEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK-2ND
ISBN: 9780996649216
Publisher: Power Conversion Publications
Author(s): Michael A. de Rooij
Title: Wireless Power Handbook (2nd Edition)
Type: Book
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN FET BOOK SIMPLIFIED CHINESE VERSIONEPCDescription: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
ISBN: 9780615697895
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN FET BOOK-WIPOEPCDescription: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Packaging: Box
Type: Book
Title: GaN Power Devices and Applications
Author(s): Alex Lidow
Publisher: J.Wiley
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7225.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST EDEPCDescription: TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Publisher: J.Wiley
Author(s): Alex Lidow
Title: GaN Power Devices and Applications
Type: Book
Packaging: Box
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7716.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN-CLIP FOR HOLDING GASKETHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-CLIP FOR HOLDING GASKET - FIXING CLIP, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 85389099
Art des Zubehörs: Fixing Clip
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
Produktpalette: GDM Series
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.35 грн
30+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN-GASKET FOR IP69KHIRSCHMANNDescription: HIRSCHMANN - GAN-GASKET FOR IP69K - GAN GASKET, RECTANGULAR CONNECTOR
tariffCode: 40169300
Art des Zubehörs: GAN Gasket
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: GDM Series Type A Overmolded Female Valve Connectors
usEccn: EAR99
Produktpalette: GDM Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN-STAINLESS SCREW M3X28Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN014-650NBCANexperiaNexperia 650V TO247 GALLIUM NITRIDE FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBNexperiaNexperia MOS DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.97 грн
10+674.43 грн
100+562.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperiaGaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1047.02 грн
10+724.82 грн
100+525.35 грн
1000+445.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NBBHPNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 12-Pin CCPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBANexperiaGallium Nitride (GaN) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1028.49 грн
50+903.43 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.97 грн
10+674.43 грн
100+562.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1464.21 грн
5+1246.76 грн
10+1028.49 грн
50+903.43 грн
100+786.30 грн
250+770.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1330.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperia USA Inc.Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJNexperiaGaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1047.02 грн
10+724.82 грн
100+525.35 грн
1000+445.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperiaGaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.43 грн
10+800.24 грн
50+692.41 грн
100+601.98 грн
500+561.94 грн
1000+522.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.22 грн
10+663.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+750.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
1000+1336.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQ
Код товару: 207569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaGaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.67 грн
10+709.74 грн
30+617.16 грн
100+424.56 грн
500+419.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.40 грн
5+959.23 грн
10+844.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
1000+1336.12 грн
10000+1164.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33.4A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1858.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN041-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1630.12 грн
100+1548.62 грн
500+1467.11 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1420.90 грн
13+1096.67 грн
120+967.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaGaN FETs TO247 650V 34.5A GAN FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1735.63 грн
10+1445.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN063-650WSAQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15nC
Bauform - Transistor: TP-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.75 грн
5+1084.87 грн
10+1042.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24.4A
Pulsed drain current: 150A
Case: SOT429; TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Power dissipation: 143W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.90 грн
10+1096.67 грн
120+967.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.Description: GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.95 грн
10+973.65 грн
300+942.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN063-650WSAQNXPTrans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 GAN063-650WSAQ TGAN063-650WSAQ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1057.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN065-084050GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 7.2V; 5A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Max. charging current: 5A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
Rechargeable battery voltage: 7.2V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2087.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN065-252020GREEN DIGITAL POWER TECHCategory: Chargers
Description: Charger: for rechargeable batteries; Li-Ion; 25.2V; 2A
Type of charger: for rechargeable batteries
Kind of rechargeable battery: Li-Ion
Rechargeable battery voltage: 25.2V
Max. charging current: 2A
Protection: overcharging protection; overheating OTP; short circuit protection SCP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+529.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 58A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -6...7V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 240W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+491.29 грн
50+402.35 грн
100+321.70 грн
250+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 29A FET
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.64 грн
10+383.45 грн
100+243.69 грн
500+238.17 грн
1000+218.15 грн
2500+202.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.25 грн
5+607.27 грн
10+491.29 грн
50+402.35 грн
100+321.70 грн
250+315.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN080-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.97 грн
10+356.73 грн
100+261.16 грн
500+239.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1146.89 грн
5+970.50 грн
10+794.12 грн
50+722.44 грн
100+653.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperiaGaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.98 грн
10+593.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.85 грн
10+521.94 грн
300+350.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+794.12 грн
50+722.44 грн
100+653.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN111-650WSBQNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 650V 21A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+516.26 грн
100+391.42 грн
500+341.03 грн
1000+305.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.05 грн
10+373.71 грн
100+274.35 грн
500+253.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+760.30 грн
10+516.26 грн
100+391.42 грн
500+341.03 грн
1000+305.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 17A FET
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.92 грн
10+346.14 грн
100+221.60 грн
500+197.44 грн
1000+180.18 грн
2500+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+472.77 грн
100+351.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN140-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.5nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+698.28 грн
10+472.77 грн
100+351.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 17A; Idm: 32A; 113W
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 32A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 113W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 17A FET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.07 грн
10+345.34 грн
50+271.30 грн
100+223.67 грн
1000+215.39 грн
2500+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN140-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 17.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 400 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.56 грн
10+343.65 грн
100+251.06 грн
500+228.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.73 грн
10+262.65 грн
100+188.83 грн
500+162.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN8080-8
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNexperiaGaN FETs SOT8074 650V 11.5A FET
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.49 грн
10+227.05 грн
100+148.42 грн
500+129.09 грн
1000+106.31 грн
2500+87.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+304.44 грн
100+233.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650EBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.63 грн
10+304.44 грн
100+233.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
10+241.86 грн
100+173.03 грн
500+146.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.35 грн
10+331.82 грн
100+235.98 грн
500+213.14 грн
1000+188.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNexperia USA Inc.Description: 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Supplier Device Package: DFN5060-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 96 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 20.5A
Case: DFN5060-5
Gate-source voltage: -1.4...7V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNexperiaGaN FETs SOT8075 650V 11.5A FET
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.29 грн
10+222.29 грн
100+142.21 грн
500+120.81 грн
1000+112.53 грн
2500+82.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN190-650FBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN190-650FBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+331.82 грн
100+235.98 грн
500+213.14 грн
1000+188.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN200U-A0U-6060200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN200U-A0U-6060500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN20LU-A0U-6120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN20LU-A0U-6120200HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN20LU-A0U-6120500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN210U-A0U-6030200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1571.33 грн
10+1172.58 грн
100+1003.07 грн
250+972.69 грн
500+954.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN210U-A0U-6030500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN210U-A0U-6030500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN21LU-A0U-6090200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN21LU-A0U-6091000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN21LU-V41-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2413.78 грн
10+2058.56 грн
25+1734.14 грн
50+1677.53 грн
100+1621.61 грн
250+1531.87 грн
500+1487.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2260500Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2260500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN220U-A0U-2260500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]