Продукція > R80

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
R80-762040SEIKOQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80007-001ROCKWELLDIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+115.46 грн
118+110.30 грн
250+105.88 грн
500+98.40 грн
1000+88.15 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.84 грн
10+118.67 грн
100+72.51 грн
1000+67.14 грн
2500+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.39 грн
10+165.65 грн
100+133.12 грн
500+102.64 грн
1000+85.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R8001CNDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.14 грн
13+67.76 грн
100+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8002ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.47 грн
10+142.53 грн
100+99.24 грн
500+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+237.48 грн
72+181.55 грн
100+165.20 грн
200+136.07 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.41 грн
10+156.36 грн
100+94.82 грн
500+77.39 грн
1000+72.51 грн
2000+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.08 грн
10+155.45 грн
100+108.35 грн
500+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANXROHMDescription: ROHM - R8002ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 36
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 36
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+114.87 грн
118+109.73 грн
250+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+114.87 грн
118+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+154.88 грн
100+129.93 грн
105+123.04 грн
200+101.22 грн
1000+88.35 грн
2000+75.96 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.25 грн
10+119.58 грн
100+109.81 грн
500+89.89 грн
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+135.76 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.09 грн
10+180.98 грн
100+126.90 грн
500+97.39 грн
1000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8002CND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.81 грн
500+89.89 грн
1000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R8002CND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 2A N-CH
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.63 грн
10+149.94 грн
100+101.10 грн
500+86.46 грн
1000+80.18 грн
2500+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+87.95 грн
154+84.02 грн
250+80.65 грн
500+74.96 грн
1000+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
на замовлення 5082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.23 грн
10+91.41 грн
100+54.59 грн
500+48.60 грн
1000+40.65 грн
2500+36.67 грн
5000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R8002KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 4.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.22 грн
10+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.76 грн
10+87.85 грн
100+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.06 грн
10+89.80 грн
100+73.91 грн
500+59.33 грн
1000+54.73 грн
2000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8002KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.6 A, 3.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.79 грн
10+145.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.08 грн
50+98.65 грн
100+88.82 грн
500+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+185.86 грн
94+137.67 грн
119+109.28 грн
200+97.08 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1843.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1843.06 грн
40+328.41 грн
50+318.10 грн
100+296.80 грн
500+260.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R8003BHollingsworth2 Rings Non-Insulated
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1843.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 3A N-CH MOSFET
на замовлення 7661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.04 грн
10+134.71 грн
100+82.27 грн
500+68.96 грн
1000+64.15 грн
2500+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.16 грн
10+126.59 грн
100+87.56 грн
500+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+227.16 грн
82+157.46 грн
100+142.83 грн
200+108.69 грн
500+93.73 грн
1000+78.18 грн
2000+73.46 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+185.86 грн
109+118.74 грн
130+99.81 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 3A N-CH MOSFET
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.82 грн
10+144.33 грн
100+87.15 грн
500+79.48 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.92 грн
10+139.96 грн
100+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8003KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.91 грн
10+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.37 грн
10+131.78 грн
100+124.46 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.02 грн
10+130.07 грн
100+103.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.34 грн
10+175.60 грн
100+117.14 грн
500+96.22 грн
1000+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8005ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 2.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.32 грн
500+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+300.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.53 грн
10+194.04 грн
100+119.23 грн
500+97.61 грн
1000+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.77 грн
10+188.31 грн
100+147.48 грн
500+134.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+293.41 грн
60+218.55 грн
100+176.39 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.97 грн
10+130.70 грн
100+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.39 грн
10+128.63 грн
100+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+191.02 грн
97+133.37 грн
103+126.48 грн
200+90.44 грн
1000+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
R8005ANXROHMDescription: ROHM - R8005ANX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.18 грн
10+133.40 грн
100+113.88 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+236.10 грн
100+187.58 грн
500+162.49 грн
1000+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.93 грн
10+187.25 грн
100+132.45 грн
500+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+309.76 грн
55+235.76 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.29 грн
10+203.66 грн
100+135.96 грн
500+121.32 грн
1000+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R8xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.93 грн
10+196.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.14 грн
10+210.88 грн
100+133.17 грн
500+122.02 грн
1000+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.09 грн
10+182.11 грн
100+128.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+225.14 грн
64+203.22 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+297.71 грн
58+222.85 грн
100+179.83 грн
500+159.30 грн
1000+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+284.81 грн
58+226.30 грн
100+225.44 грн
500+183.37 грн
1000+162.10 грн
2000+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+205.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.55 грн
500+172.97 грн
1000+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+241.16 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLROHMDescription: ROHM - R8007AND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.79 грн
10+205.80 грн
100+202.55 грн
500+172.97 грн
1000+144.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.45 грн
10+354.33 грн
100+290.29 грн
500+231.91 грн
1000+195.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8007AND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 7A 1st Gen, for Auto
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.36 грн
10+278.23 грн
100+174.31 грн
500+161.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80080006CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80080008CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80080009CrouzetDescription: BRUSHLESS MOTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.77 грн
10+242.95 грн
100+169.43 грн
500+166.64 грн
1000+141.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.43 грн
10+289.59 грн
100+219.63 грн
500+200.92 грн
1000+151.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.49 грн
10+275.17 грн
100+197.95 грн
500+154.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+483.57 грн
50+323.53 грн
100+261.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJFRGTLROHMDescription: ROHM - R8008ANJFRGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.03 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.79ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.63 грн
500+200.92 грн
1000+151.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTLROHM SemiconductorMOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.23 грн
10+272.62 грн
100+169.43 грн
500+154.09 грн
1000+143.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+208.53 грн
65+200.59 грн
100+193.78 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTLRohm SemiconductorDescription: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.12 грн
10+308.25 грн
100+223.32 грн
500+175.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+386.34 грн
50+303.74 грн
100+245.23 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+232.25 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+335.57 грн
54+243.50 грн
100+208.23 грн
200+167.60 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7GROHMDescription: ROHM - R8009KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.17 грн
10+262.74 грн
100+187.09 грн
500+169.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 800V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.47 грн
10+233.33 грн
100+144.33 грн
500+138.05 грн
1000+128.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.07 грн
10+216.25 грн
100+154.26 грн
500+137.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+395.48 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
R800CАналог SIM800C на чіпсеті RDA, без аудіоканалу, інженерні зразки MODULE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+482.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH08
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH14CF0
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH14CY0
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH14FY0
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R800CH16-18
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8010REED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328'
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8010-NISTREED InstrumentsDescription: LASER DISTANCE METER, 328' W/CER
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+209.95 грн
72+180.69 грн
200+173.81 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+330.36 грн
41+316.16 грн
50+304.11 грн
100+283.30 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.06 грн
50+197.58 грн
100+180.45 грн
500+141.20 грн
1000+135.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+218.55 грн
65+198.76 грн
100+161.76 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.63 грн
10+228.52 грн
100+181.28 грн
500+155.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+359.22 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 800V 11A, TO-247AD, HIGH-SPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.01 грн
10+355.24 грн
100+274.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 800V 11A, TO-247AD, HIGH-SPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+232.97 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
R8011KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 800V N CH 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8011LR112Q
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80186INTELCLCC68 92+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80186ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - R80186 - R80186 - MICROPROCESSOR, 16-BIT, 8MHZ
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80186Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80186-10ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - R80186-10 - R80186 - MICROPROCESSOR, 16-BIT, 10MHZ
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8724.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R80186-10Rochester Electronics, LLCDescription: RISC MICROPROCESSOR, 16 BIT, 10M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8394.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R80186-10INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80186-3/B4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80186-6/B4INTEL8519+
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80186-8INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8018610IntelDescription: MPU, 16-BIT, 10MHZ, NMOS, CQCC68
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-BCPGA
Mounting Type: Through Hole
Speed: 10MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TC)
Core Processor: 80186
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 88-CPGA (34.29x34.29)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80188Advanced Micro DevicesR80188
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1791.87 грн
25+1756.37 грн
100+1684.31 грн
500+1554.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
R80188Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1359.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
R80188Advanced Micro DevicesR80188
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1791.87 грн
25+1756.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
R80188Advanced Micro DevicesR80188
на замовлення 5155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1791.87 грн
25+1756.37 грн
100+1684.31 грн
500+1554.67 грн
1000+1359.80 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
R80188INTEL02+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80188-10Advanced Micro DevicesDescription: IC MPU 10MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80188
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
Additional Interfaces: DMA, EBI/EMI
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1901.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
R80188-10Advanced Micro DevicesR80188-10
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+2628.64 грн
25+2575.94 грн
100+2470.54 грн
500+2281.70 грн
1000+1994.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R80188-10
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8019KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+334.71 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
R8019KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switchin
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.60 грн
10+279.84 грн
100+223.81 грн
500+216.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8019KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+341.84 грн
46+281.64 грн
50+279.95 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
R8019KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 800V N CH 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80200-93
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8020PRockwellDIP-40
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8025R
на замовлення 15320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8025AAEPSON2004
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8025ACRTCSOP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8025SA
на замовлення 35250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8025T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8025Y12BPLB2APelonis TechnologiesDescription: FAN AXIAL 80X25MM 12VDC WIRE
Features: Auto Restart, Constant Speed, Inrush Protection, Locked Rotor Protection, Polarity Protection, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 4400 RPM
Air Flow: 57.7 CFM (1.64m³/min)
Width: 25.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 40.6dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 4.8 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.16 грн
10+788.27 грн
25+738.66 грн
50+633.80 грн
100+527.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80286INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-10INTELCLCC68 92+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-10/C2H
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-12INTELPLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-12(Refurbs)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-12/S(Refurbs)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-6INTELBGA
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-8INTELCLCC68
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-8(Refurbs)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-8SAdvanced Micro DevicesR80286-8S
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+4779.74 грн
25+4684.02 грн
100+4492.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R80286-8SAdvanced Micro DevicesDescription: IC MPU 8MHZ 68CLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 68-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Core Processor: 80286
Voltage - I/O: 5V
Supplier Device Package: 68-CLCC (24.13x24.13)
Number of Cores/Bus Width: 1 Core
Graphics Acceleration: No
Part Status: Active
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3492.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R8028612INTEL99+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R802P2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80302NLiNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers Industrial Planar Transformers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80405CDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8040PRockwellDIP-40
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8040SZCDIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8046678
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8050REED InstrumentsDescription: DUAL RANGE SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14040.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8050PROCKWELLDIP
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8050S
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8051AHP98+ DIP-40
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8060
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8060REED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER WITH BARGRAPH
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Battery, Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8060/05P
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8060KP
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8060PROCKWELLDIP
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8060P1193813
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8060S
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8069AP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8069BP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R806P2
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R806P2AD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070AG
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070AJZILOG89+ PLCC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070AP(1195111)ROCKWELL
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070JROCK00+ PLCC-68
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070JE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070PMEXICODIP64
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8070SDREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (6), Case, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8070SD-KITREED InstrumentsDescription: SOUND METER W/ ADAPTER, SD CARD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8070SD-KIT2REED InstrumentsDescription: SOUND METER W/TRIPOD, CARD, ADP
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Adapter, Memory Card
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32865.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8071AJROCKWELLPLCC68
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8071AJEBTPLCC68
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8071APMEXICODIP64
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8071J
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8075S
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8080REED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25806.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8080-KITREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44631.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8080-KIT-NISTREED InstrumentsDescription: DATA LOGGING SOUND LEVEL METER K
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Equipment Type: Calibrator, Sound/Decibel Level Meter
Equipment Part Numbers: R8080, R8090
Set Type: Sound Measurement
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77811.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8080-KIT2REED InstrumentsDescription: DATALOGGING SOUND METER W/TRIPOD
Packaging: Retail Package
Type: Sound Level Meter
Includes: Tripod
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30199.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8080-NISTREED InstrumentsDescription: SOUND LEVEL METER/DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Sound/Decibel Level Meter
Includes: Batteries (4), Calibration Certificate, Case, Software, USB Cable, Windshield Ball
For Measuring: Sound
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47377.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8082RSMO9
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8085REED InstrumentsDescription: PERSONAL NOISE DOSIMETER
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8085-KITREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETERS KIT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8085-NISTREED InstrumentsDescription: NOISE DOSIMETER W/NIST CERT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8085-PCREED InstrumentsDescription: PC SOFTWARE FOR R8085
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8085-USBREED InstrumentsDescription: USB CABLE FOR R8085
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R8094NLiNRCORER8094NL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186INTELLCC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186--12
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186-12INTELLCC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186-16
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XLINTEL9549 LCC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XL-12
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XL10INTEL92
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XL12INTEL02+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XL20INTEL02+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XL20IntelDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80C186XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188INTELLCC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188-12INTELCBGA?
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188-16INTELCPLCC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL-10INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL-12
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL-20
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL12
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL20AlteraDescription: IC MPU I186 20MHZ 68PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Core Processor: 80C186
Voltage - I/O: 5.0V
Supplier Device Package: 68-PLCC
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 16-Bit
RAM Controllers: DRAM
Graphics Acceleration: No
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3792.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL20IntelMPU 188 Processor CISC 16bit 20MHz 68-Pin PLCC
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+5114.24 грн
25+5012.06 грн
100+4807.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL25INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80C188XL25IntelDescription: IC MPU I186 25MHZ 68PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80C286-8
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R80MOmron Automation and SafetyDescription: R80M, ROPE ONLY 80M
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80POrion FansFan Accessories Retainer, 80mm, for GRM80 Series
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.48 грн
10+84.19 грн
25+70.42 грн
50+67.00 грн
100+61.50 грн
250+60.66 грн
500+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-10RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 10Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Resistance: 10Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Diameter: 28mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.14 грн
5+363.40 грн
25+282.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-1KSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 1kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 1kΩ
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø28x121mm
Length: 121mm
Diameter: 28mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Leads: solder lugs
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.14 грн
5+362.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-220RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 220Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Resistance: 220Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Diameter: 28mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.14 грн
5+363.40 грн
25+282.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-22RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 22Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Resistance: 22Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Diameter: 28mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.14 грн
5+363.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-2K2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; Ø: 28mm
Resistance: 2.2kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Diameter: 28mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+554.04 грн
5+364.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-2R2SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 2.2Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 2.2Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Diameter: 28mm
Body dimensions: Ø28x121mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+555.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-470R
Код товару: 188515
Додати до обраних Обраний товар
Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-470RSR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 470Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Resistance: 470Ω
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
Diameter: 28mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-4K7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7kΩ; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; Ø: 28mm
Resistance: 4.7kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 80W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Body dimensions: Ø28x121mm
Diameter: 28mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
Type of resistor: wire-wound
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+553.14 грн
5+363.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W-4R7SR PASSIVESCategory: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; 4.7Ω; 80W; ±5%; Ø28x121mm; 200ppm/°C; L: 121mm
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 4.7Ω
Power: 80W
Tolerance: ±5%
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Diameter: 28mm
Body dimensions: Ø28x121mm
Length: 121mm
Mounting holes pitch: 145mm
Number of mounting holes: 2
Leads: solder lugs
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+555.85 грн
5+365.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W12BGN9-57Nidec Components CorporationDescription: DC FAN ,80X80X56MM, 12VDC, 137.5
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Square - 80mm L x 80mm H
Bearing Type: Ball
RPM: 17600 RPM
Air Flow: 118.8 CFM (3.33m³/min)
Width: 56.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 82.0dB(A)
Static Pressure: 5.452 in H2O (1358.0 Pa)
Power (Watts): 88.8 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4164.32 грн
24+2991.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R80W12BGN9-57Nidec ComponentsDC Fans DC Fan ,80x80x56mm, 12VDC, 137.5CFM, 88.8W, 7.4A, 82.0dBA, Ball bearing, 4-Lead Wires, Tach/PWM, Double Axial
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4321.81 грн
10+3227.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.