Продукція > TK5

05+

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK500X

05+

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK501EX

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK501PSF-A

TAS-TK501PSF-A Audio - Video Cables

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1119.86 грн
2+	893.61 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK501PSF-B

TAS-TK501PSF-B Audio - Video Cables

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1119.86 грн
2+	893.61 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK501PSF-G

TAS-TK501PSF-G Audio - Video Cables

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1119.86 грн
2+	893.61 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK501PSF-TB

TAS-TK501PSF-TB Audio - Video Cables

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1119.86 грн
2+	893.61 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK501PSF-V

TAS-TK501PSF-V Audio - Video Cables

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1119.86 грн
2+	893.61 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK50A04K3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E06K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E06K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E06K3A,S1X(S

MOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E06K3A,S1X(S

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E08K3,S1X(S

Description: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E08K3,S1X(S

MOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50E10K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50F15J1(TE24L,Q)

LVMOS TO220SM(W),PRE-ACTIVE,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50J30D,S1Q(O

Description: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	619.89 грн
10+	492.01 грн
100+	397.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK50J60U

MOSFET Super Junction Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50J60U(HEV,Q)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50J60U(Q)

MOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50J60U(Q)

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50J60U(STA1,Q)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50P03M1(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50P03M1(T6RSS-Q)

MOSFETs N-ch 30V 50A DP

на замовлення 1949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.17 грн
10+	58.25 грн
100+	35.03 грн
250+	33.52 грн
500+	27.93 грн
1000+	25.52 грн
2000+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK50P03M1(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50P04M1(T6RSS-Q)

MOSFETs N-ch 40V 50A DP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK50X15J1(TE24LQ)

Toshiba SIC N-CHAN MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: orange

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.43 грн
5+	677.05 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	985.72 грн
5+	843.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	985.72 грн
5+	843.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-B

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.43 грн
5+	677.05 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: yellow

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.43 грн
5+	677.05 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-G

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	985.72 грн
5+	843.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: brown
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	985.72 грн
5+	843.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-TB

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.43 грн
5+	677.05 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: green
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	985.72 грн
5+	843.71 грн

В кошику од. на суму грн.

TK511PSF-V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.43 грн
5+	677.05 грн

В кошику од. на суму грн.

TK5151

3M (TC)

Description: WOODWORKING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
Tape Type: Woodwork
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5210

Interlight

Description: Replacement for Kenwood TK5210 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	886.64 грн
2+	745.46 грн
4+	704.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1063.97 грн
2+	928.96 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1063.97 грн
2+	928.96 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-B

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	886.64 грн
2+	745.46 грн
4+	704.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	886.64 грн
2+	745.46 грн
4+	704.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-G

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1063.97 грн
2+	928.96 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1063.97 грн
2+	928.96 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-TB

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	886.64 грн
2+	745.46 грн
4+	704.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm²
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1063.97 грн
2+	928.96 грн
4+	845.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TK521PSF-V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	886.64 грн
2+	745.46 грн
4+	704.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TK5283206QF

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5283206QF-12

INDONESIA

QFP

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5283206QF-12

9900+

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5310

Interlight

Description: Replacement for Kenwood TK5310 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5401

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5402

на замовлення 30972 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK55

Description: 3M PELTOR REMOTE RING FI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5530HM-232-PP

IC RFID 125KHZ READ ONLY TAG

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5530HM-232-PP

Description: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 128b (User)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5544

2002 SMD

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5550F-PP

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5551A-PP

STANDARD READ/WRITE ID TRANSPONDER WITH ANTICOLLISION

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5551M

Microchip Technology ROOT PART NUMBER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5551M-PP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5551M-PP

NFC/RFID Tag and Transponder Chip 120kHz to 130kHz 264bit Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5551M-PP

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5551M-PP

RF Wireless Misc Universal R/W Transponder

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5552A-PP

Description: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5552A-PP

Read/Write Transponder

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5561A-PP

Description: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK55D10J1(Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V

на замовлення 3920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.21 грн
10+	168.04 грн
100+	117.51 грн
500+	90.01 грн
1000+	83.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	90.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ

MOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.50 грн
10+	177.10 грн
100+	108.71 грн
500+	95.12 грн
1000+	88.32 грн
2000+	80.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ(O

Description: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.77 грн
10+	192.23 грн
100+	135.49 грн
500+	110.88 грн
1000+	94.36 грн
5000+	82.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LQ(O

на замовлення 5507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.77 грн
10+	192.23 грн
100+	135.49 грн
500+	110.88 грн
1000+	94.36 грн
5000+	82.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LXHQ

MOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 6840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.49 грн
10+	93.76 грн
25+	75.49 грн
100+	65.00 грн
250+	61.22 грн
500+	52.31 грн
1000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.62 грн
10+	99.87 грн
100+	67.97 грн
500+	50.90 грн
1000+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK55S10N1,LXHQ(O

TK55S10N1,LXHQ(O

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	117.35 грн
111+	112.11 грн
250+	107.61 грн
500+	100.03 грн
1000+	89.59 грн

Мінімальне замовлення: 106

В кошику од. на суму грн.

TK560A60Y,S4X

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.13 грн
10+	93.76 грн
100+	65.30 грн
500+	52.92 грн
1000+	41.59 грн
5000+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK560A60Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.80 грн
50+	72.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK560A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.74 грн
10+	102.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TK560A60Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.39 грн
10+	94.00 грн
100+	83.41 грн
500+	62.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.26 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X

MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.44 грн
10+	118.93 грн
100+	80.02 грн
500+	53.52 грн
1000+	53.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	162.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	167.67 грн
10+	101.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK560A65Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

MOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	72.58 грн
25+	62.73 грн
100+	47.78 грн
500+	42.20 грн
1000+	40.54 грн
2000+	39.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.15 грн
4000+	37.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 5557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.09 грн
10+	87.28 грн
100+	58.98 грн
500+	43.95 грн
1000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK560P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.54 грн
10+	122.79 грн
100+	63.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK560P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 4878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.10 грн
10+	81.54 грн
100+	54.95 грн
500+	40.83 грн
1000+	37.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK560P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK560P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK560P65Y,RQ

MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.21 грн
10+	84.12 грн
100+	51.63 грн
500+	47.78 грн
1000+	47.71 грн
2000+	44.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK560P65Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.13 грн
500+	46.00 грн
1000+	41.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK560P65Y,RQ(S

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.16 грн
11+	78.67 грн
100+	55.13 грн
500+	46.00 грн
1000+	41.74 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TK56A12N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.99 грн
10+	119.80 грн
100+	94.36 грн
500+	90.59 грн
1000+	77.00 грн
2500+	70.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK56A12N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.99 грн
50+	113.82 грн
100+	93.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK56A12N1,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.92 грн
10+	74.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TK56A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X

MOSFETs N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.29 грн
10+	147.58 грн
50+	73.00 грн
250+	66.28 грн
500+	54.28 грн
1000+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X

Description: MOSFET N CH 120V 56A TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.14 грн
10+	88.92 грн
100+	82.06 грн
500+	62.99 грн
1000+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X(S

TK56E12N1 THT N channel transistors

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	194.10 грн
10+	117.95 грн
26+	111.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK56E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5735

3M (TC)

Description: CRAFTING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Tape Type: Household
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK57V161610DTC-7

на замовлення 830 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK57V161610TC-7

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK58A06N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	87.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK58A06N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.21 грн
10+	97.23 грн
100+	65.75 грн
500+	54.35 грн
1000+	42.88 грн
2500+	40.01 грн
10000+	36.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK58A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X

MOSFETs 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.77 грн
10+	106.78 грн
100+	73.90 грн
500+	62.13 грн
1000+	53.22 грн
2500+	50.58 грн
5000+	48.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.97 грн
11+	77.49 грн
100+	75.96 грн
500+	69.04 грн
1000+	62.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1S1X(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK58E06N1S1X(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5959

3M (TC)

Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Tape Type: Maintenance Repair
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A45DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A45DA(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D (Q,M)

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(Q)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(Q)

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(Q,M)

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)

MOSFETs MOSFET N-CH 500V, 5A

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.70 грн
10+	121.54 грн
50+	66.81 грн
100+	52.01 грн
500+	38.35 грн
1000+	32.99 грн
2500+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 135758

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A53D(STA4,Q,M)

MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A53D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A55D(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A55D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60D

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A60D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60D(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.84 грн
10+	144.11 грн
50+	67.19 грн
100+	59.71 грн
500+	47.94 грн
1000+	43.03 грн
2500+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A60D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	146.71 грн
100+	83.04 грн
500+	67.26 грн
1000+	60.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W5,S5VX

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W5,S5VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W5,S5VX

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W5,S5VX(M

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60W5S5VX(M

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A60WS4VX(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A65D

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A65D(Q)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A65D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A65D(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.69 грн
10+	82.91 грн
100+	66.88 грн
500+	51.56 грн
1000+	44.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A65D,S5Q(J

TK5A65D,S5Q(J

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A65DA(STA4,Q,M)

MOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A65DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5A65W,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5A65W,S5X

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.20 грн
50+	69.71 грн
100+	54.50 грн
250+	47.48 грн
500+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	66.07 грн
12+	62.99 грн
100+	60.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TK5A65W,S5X(M

Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A80E,S4X

MOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.09 грн
10+	80.30 грн
100+	56.24 грн
500+	50.65 грн
1000+	38.80 грн
5000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5A80E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A80E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.68 грн
10+	175.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK5A80E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A80ES4X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A90E,S4X

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.10 грн
50+	106.78 грн
100+	73.15 грн
250+	70.58 грн
500+	56.92 грн
1000+	48.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5A90E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5A90E,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A90E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5A90E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	162.59 грн
10+	121.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK5A90ES4X(S

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5E18N32MPN-SPCL

ITT Cannon

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P-3.5

Description: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5P-3.81

Description: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5P-5.00

Description: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5P-5.08

Description: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5P-7.5

Description: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	525.89 грн

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D(T6RSS-Q)

Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D(T6RSS-Q)

Description: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.41 грн
500+	49.07 грн
1000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D(T6RSS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	81.52 грн
100+	55.56 грн
500+	47.03 грн
1000+	38.35 грн
2000+	36.08 грн
4000+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D(T6RSS-Q)

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.94 грн
10+	85.53 грн
100+	62.41 грн
500+	49.07 грн
1000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

на замовлення 3871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.74 грн
10+	82.72 грн
100+	55.64 грн
500+	41.31 грн
1000+	37.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5P50D(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P53D(T6RSS-Q)

Trans MOSFET N-CH Si 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P53D(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P53D(T6RSS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P53D(T6RSS-Q)

Description: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.00 грн
10+	84.93 грн
100+	57.17 грн
500+	42.49 грн
1000+	38.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5P60V,RVQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 8553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	154.28 грн
10+	138.29 грн
25+	137.02 грн
100+	105.67 грн
250+	92.61 грн
500+	76.71 грн
1000+	65.57 грн
3000+	62.45 грн
6000+	61.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

MOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.73 грн
10+	152.79 грн
100+	101.16 грн
250+	100.40 грн
500+	79.26 грн
1000+	71.11 грн
2000+	69.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	57.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 8553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	144.00 грн
96+	129.07 грн
97+	127.88 грн
122+	98.63 грн
250+	86.44 грн
500+	71.60 грн
1000+	61.20 грн
3000+	58.29 грн
6000+	57.71 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ

Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 7975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.29 грн
10+	105.84 грн
100+	84.22 грн
500+	66.88 грн
1000+	56.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	208.77 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W,RVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W5,RVQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.54 грн
10+	75.02 грн
100+	58.33 грн
500+	46.40 грн
1000+	37.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W5,RVQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W5,RVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W5,RVQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.80 грн
10+	81.52 грн
25+	66.28 грн
100+	49.75 грн
250+	49.67 грн
500+	40.39 грн
1000+	37.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W5,RVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60W5RVQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60WRVQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P60WRVQ(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P65W,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P65W,RQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.57 грн
10+	82.47 грн
25+	67.34 грн
100+	50.43 грн
250+	50.28 грн
500+	40.84 грн
1000+	37.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5P65W,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.04 грн
10+	104.03 грн
100+	70.66 грн
500+	52.92 грн
1000+	48.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5P65W,RQ
Код товару: 184247

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P65W,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P65W,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5P65WRQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5Q60W,S1VQ

MOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.88 грн
10+	184.04 грн
25+	159.28 грн
75+	73.15 грн
525+	63.71 грн
1050+	56.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TK5Q60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	130.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK5Q60W,S1VQ

Description: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.10 грн
75+	102.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5Q65W,S1Q

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5Q65W,S1Q

Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	37.99 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

TK5Q65W,S1Q

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.71 грн
10+	89.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TK5R0A15Q5,S4X

MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.45 грн
10+	283.01 грн
100+	215.90 грн
500+	201.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM,S4X

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.07 грн
50+	70.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM,S4X

MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.87 грн
10+	129.35 грн
50+	68.17 грн
100+	56.92 грн
250+	51.94 грн
500+	47.56 грн
1000+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R1A08QM,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.76 грн
10+	154.12 грн
100+	91.46 грн
500+	52.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK5R1E06PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.66 грн
10+	97.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ

MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

на замовлення 25314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.05 грн
10+	102.44 грн
100+	58.96 грн
250+	58.88 грн
500+	48.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ

Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V

на замовлення 6841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.22 грн
10+	102.30 грн
100+	79.76 грн
500+	61.83 грн
1000+	48.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ

Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ(S2

Description: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ(S2

PWR-MOSFET N-CHANNEL

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TK5R1P08QM,RQ(S2

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.06 грн
10+	114.32 грн
100+	83.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TK5R3A06PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.56 грн
10+	60.94 грн
100+	52.92 грн
500+	42.65 грн
1000+	40.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R3A06PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.92 грн
50+	54.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R3A06PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.94 грн
10+	84.68 грн
100+	58.35 грн
500+	41.99 грн
1000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TK5R3A06PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TK5R3E08QM,S1X

MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

на замовлення 6025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.75 грн
10+	124.14 грн
50+	58.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R3E08QM,S1X

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.24 грн
50+	85.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TK5R3E08QM,S1X(S