Продукція > TK5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK5-5TE ConnectivityConnector Terminal Block Flat Base Snap Track
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+736.02 грн
25+635.35 грн
100+567.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TK500
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500AETI09+
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500E
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500EDX
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500XTOKO05+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK501EX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK50A04K3ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3A,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3A,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J30D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+595.44 грн
10+472.61 грн
100+381.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(HEV,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(STA1,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 30V 50A DP
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.96 грн
10+53.80 грн
100+32.35 грн
250+30.96 грн
500+25.80 грн
1000+23.57 грн
2000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 40V 50A DP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50X15J1(TE24LQ)ToshibaToshiba SIC N-CHAN MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: orange
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: blue
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: yellow
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: brown
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: green
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK51513M (TC)Description: WOODWORKING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
Tape Type: Woodwork
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5210InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5210 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+877.61 грн
5+724.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5283206QF
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5283206QF-12TOKO9900+
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5310InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5310 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5401
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5402
на замовлення 30972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK553MDescription: 3M PELTOR REMOTE RING FI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 128b (User)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5544TOKO2002 SMD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5550F-PP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551MMicrochip TechnologyMicrochip Technology ROOT PART NUMBER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551M-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 224b (User)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551M-PP
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551M-PPMicrochip TechnologyRF Wireless Misc Universal R/W Transponder
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5552A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5561A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55D10J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.71 грн
10+161.42 грн
100+112.88 грн
500+86.46 грн
1000+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+86.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.42 грн
10+165.18 грн
100+100.40 грн
500+87.85 грн
1000+82.27 грн
2000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.89 грн
10+185.46 грн
100+130.96 грн
500+105.75 грн
1000+91.34 грн
5000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.89 грн
10+185.46 грн
100+130.96 грн
500+105.75 грн
1000+91.34 грн
5000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshibaMOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 6840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.75 грн
10+86.60 грн
25+69.72 грн
100+60.03 грн
250+56.55 грн
500+48.32 грн
1000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.76 грн
10+95.93 грн
100+65.29 грн
500+48.89 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQ(OToshibaTK55S10N1,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+122.37 грн
111+116.90 грн
250+112.21 грн
500+104.30 грн
1000+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.19 грн
10+86.60 грн
100+60.31 грн
500+48.88 грн
1000+38.42 грн
5000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.97 грн
50+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.52 грн
10+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.84 грн
10+90.29 грн
100+80.04 грн
500+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.72 грн
10+109.85 грн
100+73.91 грн
500+49.43 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.05 грн
10+119.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.73 грн
10+67.03 грн
25+57.94 грн
100+44.13 грн
500+38.98 грн
1000+37.44 грн
2000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.53 грн
4000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.48 грн
10+83.84 грн
100+56.65 грн
500+42.22 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.02 грн
10+117.95 грн
100+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.87 грн
10+77.70 грн
100+47.69 грн
500+44.13 грн
1000+44.07 грн
2000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+78.33 грн
100+52.78 грн
500+39.22 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.96 грн
500+44.19 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.05 грн
11+75.57 грн
100+52.96 грн
500+44.19 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.49 грн
10+110.65 грн
100+87.15 грн
500+83.67 грн
1000+71.12 грн
2500+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.06 грн
50+105.16 грн
100+94.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.55 грн
10+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.05 грн
10+136.31 грн
50+67.42 грн
250+61.22 грн
500+50.13 грн
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 5800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.12 грн
10+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK57353M (TC)Description: CRAFTING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Tape Type: Household
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK57V161610DTC-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK57V161610TC-7
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK58A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.26 грн
10+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK58A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.87 грн
10+89.80 грн
100+60.73 грн
500+50.20 грн
1000+39.60 грн
2500+36.95 грн
10000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshibaMOSFETs 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.79 грн
10+98.62 грн
100+68.26 грн
500+57.38 грн
1000+49.16 грн
2500+46.71 грн
5000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.86 грн
11+74.43 грн
100+72.97 грн
500+66.32 грн
1000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1S1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK59593M (TC)Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Tape Type: Maintenance Repair
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D (Q,M)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs MOSFET N-CH 500V, 5A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.95 грн
10+112.25 грн
50+61.71 грн
100+48.04 грн
500+35.42 грн
1000+30.47 грн
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 135758
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.12 грн
10+135.51 грн
100+76.70 грн
500+62.12 грн
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W5S5VX(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.11 грн
10+76.57 грн
100+61.78 грн
500+47.62 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65D,S5Q(JToshibaTK5A65D,S5Q(J
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.03 грн
50+64.39 грн
100+50.34 грн
250+43.86 грн
500+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.89 грн
12+65.69 грн
100+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4XToshibaMOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.68 грн
10+74.17 грн
100+51.94 грн
500+46.78 грн
1000+35.84 грн
5000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.89 грн
10+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.18 грн
50+98.62 грн
100+67.56 грн
250+65.19 грн
500+52.57 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.18 грн
10+117.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5E18N32MPN-SPCLITT CannonCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-3.5TraktronixDescription: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-3.81TraktronixDescription: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-5.00TraktronixDescription: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-5.08TraktronixDescription: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P-7.5TraktronixDescription: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.73 грн
10+75.29 грн
100+51.32 грн
500+43.44 грн
1000+35.42 грн
2000+33.33 грн
4000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.90 грн
10+96.80 грн
100+65.32 грн
500+44.94 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.42 грн
10+79.46 грн
100+53.45 грн
500+39.68 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.95 грн
500+47.13 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.56 грн
10+81.58 грн
100+54.91 грн
500+40.81 грн
1000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.88 грн
10+144.20 грн
25+142.88 грн
100+110.19 грн
250+96.57 грн
500+79.99 грн
1000+68.38 грн
3000+65.12 грн
6000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.79 грн
10+141.12 грн
100+93.43 грн
250+92.73 грн
500+73.21 грн
1000+65.68 грн
2000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+150.16 грн
96+134.59 грн
97+133.35 грн
122+102.84 грн
250+90.13 грн
500+74.66 грн
1000+63.82 грн
3000+60.78 грн
6000+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.07 грн
10+101.67 грн
100+80.90 грн
500+64.24 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+217.69 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.80 грн
10+75.29 грн
25+61.22 грн
100+45.95 грн
250+45.88 грн
500+37.30 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+72.06 грн
100+56.03 грн
500+44.57 грн
1000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.43 грн
10+76.17 грн
25+62.19 грн
100+46.58 грн
250+46.44 грн
500+37.72 грн
1000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.03 грн
10+92.08 грн
100+62.59 грн
500+46.87 грн
1000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ
Код товару: 184247
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.14 грн
10+169.99 грн
25+147.12 грн
75+67.56 грн
525+58.85 грн
1050+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
75+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R0A15Q5,S4XToshibaMOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.74 грн
10+261.39 грн
100+199.41 грн
500+186.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.64 грн
10+119.47 грн
50+62.96 грн
100+52.57 грн
250+47.97 грн
500+43.93 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.11 грн
50+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.82 грн
10+83.78 грн
100+79.47 грн
500+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.91 грн
10+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.52 грн
10+98.27 грн
100+76.61 грн
500+59.40 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
на замовлення 25314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.67 грн
10+94.61 грн
100+54.45 грн
250+54.38 грн
500+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.26 грн
10+113.88 грн
100+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.86 грн
10+71.68 грн
100+60.59 грн
500+44.34 грн
1000+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.90 грн
14+62.15 грн
100+60.36 грн
500+41.09 грн
1000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
на замовлення 6025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.46 грн
10+114.66 грн
50+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.89 грн
50+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.14 грн
14+59.06 грн
100+57.51 грн
500+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.