Продукція > TK5

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK5-5TE ConnectivityConnector Terminal Block Flat Base Snap Track
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+808.35 грн
25+697.79 грн
100+622.85 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK500
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500AETI09+
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500E
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500EDX
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK500XTOKO05+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK501EX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.93 грн
5+717.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK50A04K3ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3A,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E06K3A,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J30D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.55 грн
10+467.94 грн
100+377.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(HEV,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50J60U(STA1,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 30V 50A DP
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+53.27 грн
100+32.03 грн
250+30.65 грн
500+25.54 грн
1000+23.33 грн
2000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 40V 50A DP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK50X15J1(TE24LQ)ToshibaToshiba SIC N-CHAN MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: orange
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.93 грн
5+717.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: blue
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.93 грн
5+717.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: yellow
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.93 грн
5+717.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: brown
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.93 грн
5+717.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Contact plating: gold-plated
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Type of connection cable: RCA - RCA
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Insulation colour: green
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+868.93 грн
5+717.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK51513M (TC)Description: WOODWORKING TAPE KIT
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512
Packaging: Cardboard Box
Tape Type: Woodwork
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5210InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5210 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5283206QF
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5283206QF-12TOKO9900+
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5310InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5310 R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5401
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5402
на замовлення 30972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK553MDescription: 3M PELTOR REMOTE RING FI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Writable Memory: 128b (User)
Technology: Passive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Read/Write
Frequency: 125kHz
Style: Encapsulated
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5544TOKO2002 SMD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5550F-PP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551MMicrochip TechnologyMicrochip Technology ROOT PART NUMBER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551M-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Part Status: Obsolete
Writable Memory: 224b (User)
Technology: Passive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Read/Write
Frequency: 125kHz
Style: Encapsulated
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551M-PP
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5551M-PPMicrochip TechnologyRF Wireless Misc Universal R/W Transponder
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5552A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5561A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55D10J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+159.82 грн
100+111.76 грн
500+85.60 грн
1000+79.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.61 грн
10+174.66 грн
100+106.31 грн
500+86.98 грн
2000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 157W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.89 грн
10+165.91 грн
100+115.98 грн
500+94.23 грн
1000+81.46 грн
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 157W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.89 грн
10+165.91 грн
100+115.98 грн
500+94.23 грн
1000+81.46 грн
5000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshibaMOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 6840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.70 грн
10+85.74 грн
25+69.03 грн
100+59.44 грн
250+55.99 грн
500+47.84 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+94.98 грн
100+64.65 грн
500+48.41 грн
1000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LXHQ(OToshibaTK55S10N1,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.40 грн
111+128.39 грн
250+123.24 грн
500+114.55 грн
1000+102.60 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+85.74 грн
100+59.71 грн
500+48.39 грн
1000+38.04 грн
5000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
50+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.44 грн
10+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.73 грн
10+147.39 грн
100+91.82 грн
500+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+108.76 грн
100+73.18 грн
500+48.95 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.07 грн
10+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+66.37 грн
25+57.37 грн
100+43.70 грн
500+38.59 грн
1000+37.07 грн
2000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.14 грн
4000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+83.01 грн
100+56.09 грн
500+41.80 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.58 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
10+104.70 грн
100+71.36 грн
500+52.87 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60Y,RQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P60YRQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+76.93 грн
100+47.22 грн
500+43.70 грн
1000+43.63 грн
2000+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.55 грн
100+52.26 грн
500+38.84 грн
1000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.22 грн
500+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.74 грн
10+110.34 грн
100+68.22 грн
500+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK560P65YRQ(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
50+104.12 грн
100+94.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.40 грн
10+109.56 грн
100+86.29 грн
500+82.84 грн
1000+70.41 грн
2500+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.77 грн
10+79.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+134.96 грн
50+66.76 грн
250+60.61 грн
500+49.64 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]