Продукція > TW0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TW00-D350-061
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0138A32.000MHZ
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5680.49 грн
30+4454.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6433.78 грн
10+5789.41 грн
30+4802.53 грн
60+4696.59 грн
120+4580.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8458.34 грн
5+7401.15 грн
10+6132.69 грн
50+5105.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4988.41 грн
10+4470.44 грн
30+3757.13 грн
60+3627.65 грн
120+3498.17 грн
270+3368.69 грн
510+3335.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3461.54 грн
10+3206.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4375.36 грн
30+3487.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3727.81 грн
10+3452.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3879.66 грн
5+3395.22 грн
10+2909.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7176.63 грн
5+6896.62 грн
10+6409.19 грн
25+5920.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4464.49 грн
10+3908.46 грн
100+3517.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4427.95 грн
10+3845.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4704.12 грн
5+4425.17 грн
10+4145.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3420.31 грн
10+3060.95 грн
30+2453.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3655.18 грн
5+3382.84 грн
10+3109.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13280.47 грн
5+11153.86 грн
10+10514.73 грн
25+9125.60 грн
50+8600.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11041.97 грн
5+10797.93 грн
10+9326.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, WIRE LEADS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM ComponentsTW01BLK13
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19681.76 грн
5+16926.12 грн
10+15883.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13823.21 грн
5+11609.98 грн
10+10944.57 грн
25+9498.59 грн
50+8951.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13QApemJoysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Blue Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1ApemJoysticks TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Blue Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13309.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Gray Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13309.12 грн
5+11178.38 грн
10+10537.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14250.56 грн
5+11978.13 грн
10+11294.78 грн
25+9805.82 грн
50+9243.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1ApemInput Devices TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED13APEM Inc.Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Features: Red Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10605.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0208SD590120
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1808.43 грн
10+1721.68 грн
30+1266.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2003.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1750.43 грн
5+1453.33 грн
10+1155.40 грн
50+1059.84 грн
100+965.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 58A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1527.16 грн
10+1306.60 грн
100+1142.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1566.39 грн
10+1384.11 грн
30+944.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.11 грн
5+1344.39 грн
10+1281.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK11ApemJoysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK12ApemJoysticks TW, W/ TAB, .5V-4.5V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12315.68 грн
5+12044.14 грн
10+10404.01 грн
25+10097.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13ApemJoysticks Joystick, fixed grip, momentary, 28AWG 10in PTFE, USB game controller output, IP65
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU13ApemJoysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU2ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02GRY1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02RED12ApemJoysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2265.90 грн
10+2102.39 грн
25+1714.14 грн
50+1599.37 грн
100+1541.99 грн
250+1470.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2605.78 грн
10+2567.71 грн
30+1544.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2795.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2530.32 грн
5+2117.68 грн
10+1704.21 грн
50+1577.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 60A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2405.80 грн
10+1749.60 грн
30+1450.03 грн
60+1417.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2351.23 грн
5+2159.77 грн
10+1968.30 грн
50+1649.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLK1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLU1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03GRY1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03RED1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW04
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0404TD325SMSamtecConn Board Stacker HDR 8 POS 2mm Solder ST Top Entry SMD Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.91 грн
10+194.50 грн
50+185.22 грн
100+152.09 грн
500+147.75 грн
1000+126.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1738.05 грн
10+1710.68 грн
30+1322.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1800.12 грн
30+1109.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1682.75 грн
5+1440.95 грн
10+1199.14 грн
50+1103.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 40A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1671.10 грн
10+1601.54 грн
30+988.02 грн
60+976.99 грн
120+976.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1697.46 грн
30+1039.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1786.74 грн
5+1461.58 грн
10+1136.42 грн
50+1052.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1445.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1490.86 грн
10+1369.73 грн
30+1011.56 грн
270+837.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.40 грн
5+867.37 грн
10+852.52 грн
50+526.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 40A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1141.53 грн
10+941.64 грн
30+791.59 грн
60+664.32 грн
120+617.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.00 грн
30+698.59 грн
120+619.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.72 грн
5+990.34 грн
10+755.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW05Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2683.03 грн
10+2489.03 грн
25+2029.75 грн
50+1894.38 грн
100+1825.96 грн
250+1741.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW05Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+161.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.05 грн
10+241.40 грн
50+229.93 грн
100+188.81 грн
500+183.41 грн
1000+156.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0597ATSTDescription: 32.768/20/15/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Standby (Power Down)
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 95°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Ratings: AEC-Q200
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm)
Frequency: 32.768 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TW06Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW06Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
на замовлення 394 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+1406.75 грн
10+1360.42 грн
30+818.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1742.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1471.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1396.45 грн
10+1302.89 грн
30+767.32 грн
60+766.58 грн
120+762.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1443.42 грн
5+1173.55 грн
10+902.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(SToshibaHALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW07Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW07Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1681.40 грн
10+1565.16 грн
25+1280.82 грн
50+1200.63 грн
100+1120.44 грн
250+1040.99 грн
500+1030.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW070J120B,S1QToshibaMOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2489.92 грн
10+2181.08 грн
25+1744.30 грн
50+1728.85 грн
100+1525.07 грн
250+1524.33 грн
1000+1523.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2286.36 грн
10+1956.07 грн
100+1710.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW08-PE1STwin IndustriesDescription: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+733.74 грн
10+511.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.95 грн
10+646.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.36 грн
10+747.89 грн
30+629.01 грн
60+527.48 грн
120+490.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.00 грн
5+823.63 грн
10+622.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW08BLK12APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW08BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17401.08 грн
5+16659.26 грн
10+14061.09 грн
25+13209.17 грн
50+12356.51 грн
100+11929.08 грн
250+11080.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW09Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER DIP 10/PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, DUAL 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW09BLK12Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.