Продукція > TW0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TW00-D350-061
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TW0138A32.000MHZ
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TW015N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4877.53 грн
TW015N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4353.87 грн
30+ 3668.22 грн
TW015N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товар відсутній
TW015N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7656.44 грн
5+ 6699.48 грн
10+ 5551.28 грн
TW015N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 15MOHM
товар відсутній
TW015N120CS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TW015N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3547.07 грн
30+ 2862.78 грн
TW015N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3853.55 грн
10+ 3571.81 грн
120+ 3045.32 грн
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3311.4 грн
10+ 3067.18 грн
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3566.12 грн
10+ 3303.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6865.35 грн
5+ 6597.48 грн
10+ 6131.2 грн
25+ 5663.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TW015N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3705.33 грн
5+ 3594.77 грн
10+ 3484.21 грн
TW015N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товар відсутній
TW015N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOHM
товар відсутній
TW015N65CS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TW015Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4041.24 грн
10+ 3537.92 грн
100+ 3184.12 грн
TW015Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4431.58 грн
10+ 3970.81 грн
30+ 3337.67 грн
60+ 3221.8 грн
120+ 3107.25 грн
270+ 2992.05 грн
510+ 2962.75 грн
TW015Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товар відсутній
TW015Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5617.02 грн
5+ 5185.23 грн
10+ 4669.02 грн
TW015Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товар відсутній
TW015Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3526.46 грн
10+ 3098.53 грн
30+ 2533.88 грн
60+ 2447.98 грн
120+ 2364.07 грн
270+ 2278.83 грн
510+ 2173.61 грн
TW015Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4121.44 грн
5+ 3803.94 грн
10+ 3425.94 грн
TW015Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товар відсутній
TW01BLK1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW01BLK1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TW01BLK11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10391.95 грн
5+ 9866.25 грн
10+ 9302.49 грн
25+ 8200.94 грн
TW01BLK11ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9995.14 грн
5+ 9774.23 грн
10+ 8442.73 грн
TW01BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, WIRE LEADS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW01BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10616.71 грн
5+ 10079.63 грн
10+ 9503.66 грн
25+ 8378.3 грн
50+ 7702.65 грн
TW01BLK13QApemJoysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE
товар відсутній
TW01BLU1ApemJoysticks TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW01BLU1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Blue Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
товар відсутній
TW01BLU11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW01BLU11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Blue Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9720.58 грн
5+ 9228.9 грн
TW01GRY1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS
товар відсутній
TW01GRY1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TW01GRY11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER
товар відсутній
TW01GRY11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товар відсутній
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10935.83 грн
5+ 10381.93 грн
10+ 9788.7 грн
25+ 8629.58 грн
TW01RED1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB.
товар відсутній
TW01RED1ApemInput Devices TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW01RED11Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB
товар відсутній
TW01RED11ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW01RED13APEM Inc.Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Features: Red Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9600.28 грн
TW0208SD590120
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TW027N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1577.16 грн
10+ 1381.55 грн
30+ 1179.37 грн
120+ 1156.06 грн
TW027N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1452.25 грн
TW027N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1516.5 грн
5+ 1420.13 грн
10+ 1323.01 грн
50+ 1216.72 грн
100+ 1111.6 грн
TW027N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товар відсутній
TW027N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOHM
товар відсутній
TW027N65CS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TW027Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.38 грн
10+ 1182.73 грн
100+ 1034.5 грн
TW027Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1464.5 грн
10+ 1283.52 грн
30+ 1040.86 грн
60+ 1008.23 грн
120+ 975.6 грн
270+ 910.33 грн
510+ 837.08 грн
TW027Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товар відсутній
TW027Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1852.67 грн
5+ 1671.14 грн
10+ 1482.13 грн
TW02BLK11ApemJoysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads
товар відсутній
TW02BLK12ApemJoysticks TW, W/ TAB, .5V-4.5V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11148.09 грн
5+ 10902.3 грн
10+ 9417.66 грн
25+ 9140.63 грн
TW02BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товар відсутній
TW02BLK13ApemJoysticks Joystick, fixed grip, momentary, 28AWG 10in PTFE, USB game controller output, IP65
товар відсутній
TW02BLU1ApemInput Devices TW SERIES
товар відсутній
TW02BLU13ApemJoysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5
товар відсутній
TW02BLU2ApemInput Devices TW SERIES
товар відсутній
TW02GRY1ApemJoysticks TW SERIES
товар відсутній
TW02RED12ApemJoysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE
товар відсутній
TW03Apex MicrotechnologyBoard to Board & Mezzanine Connectors Flexible Board Stacking Header, 2.00mm Pitch
товар відсутній
TW03Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TW030N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2394.48 грн
10+ 2249.23 грн
30+ 1755.41 грн
TW030N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2204.31 грн
30+ 1759.71 грн
TW030N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2259.06 грн
5+ 2160.45 грн
10+ 2061.09 грн
TW030N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товар відсутній
TW030N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 30MOHM
товар відсутній
TW030N120CS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TW030Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товар відсутній
TW030Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2197.14 грн
10+ 1924.52 грн
30+ 1561.62 грн
60+ 1512.34 грн
120+ 1463.73 грн
270+ 1365.83 грн
510+ 1255.95 грн
TW030Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товар відсутній
TW030Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2380.83 грн
5+ 2197.8 грн
10+ 1978.92 грн
TW03BLK1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товар відсутній
TW03BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
товар відсутній
TW03BLU1ApemJoysticks TW SERIES
товар відсутній
TW03GRY1ApemInput Devices TW SERIES
товар відсутній
TW03RED1ApemInput Devices TW SERIES
товар відсутній
TW04
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.29 грн
10+ 176.06 грн
50+ 167.66 грн
100+ 137.67 грн
500+ 133.74 грн
1000+ 114.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
TW045N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1647.86 грн
10+ 1445.88 грн
30+ 1256.62 грн
120+ 1231.98 грн
510+ 1208.01 грн
TW045N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
товар відсутній
TW045N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1584.48 грн
5+ 1497.07 грн
10+ 1409.67 грн
TW045N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товар відсутній
TW045N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 45MOHM
товар відсутній
TW045N120CS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TW045Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1514.23 грн
10+ 1326.41 грн
30+ 1075.49 грн
60+ 1041.52 грн
120+ 1008.23 грн
270+ 940.97 грн
510+ 865.72 грн
TW045Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
товар відсутній
TW045Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товар відсутній
TW045Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1915.42 грн
5+ 1727.91 грн
10+ 1532.19 грн
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
TW048N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.53 грн
30+ 813.85 грн
TW048N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1134.31 грн
10+ 984.85 грн
30+ 814.44 грн
60+ 794.46 грн
120+ 779.14 грн
510+ 763.83 грн
TW048N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товар відсутній
TW048N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1114.59 грн
5+ 1014.48 грн
10+ 913.63 грн
50+ 827.56 грн
TW048N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOHM
товар відсутній
TW048Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1041.86 грн
10+ 905.21 грн
30+ 765.83 грн
60+ 722.54 грн
120+ 679.92 грн
270+ 659.28 грн
510+ 615.99 грн
TW048Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
товар відсутній
TW048Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.7 грн
5+ 1092.92 грн
10+ 968.91 грн
TW048Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товар відсутній
TW05Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TW05Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2378.17 грн
10+ 2205.58 грн
25+ 1798.69 грн
50+ 1678.16 грн
100+ 1618.22 грн
250+ 1543.64 грн
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.68 грн
10+ 218.51 грн
50+ 208.13 грн
100+ 170.91 грн
500+ 166.02 грн
1000+ 141.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TW06Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK
товар відсутній
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
TW060N120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1379.04 грн
10+ 1197.75 грн
30+ 990.25 грн
60+ 966.94 грн
120+ 947.63 грн
510+ 928.98 грн
TW060N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1270 грн
30+ 989.84 грн
TW060N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товар відсутній
TW060N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326 грн
5+ 1218.43 грн
10+ 1110.85 грн
50+ 1007.23 грн
TW060N120CS1FToshibaMOSFET 1200V MOSFET TO-247 60MOHM
товар відсутній
TW060N120CS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TW060Z120C,S1FToshibaMOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1287.36 грн
10+ 1118.11 грн
30+ 945.63 грн
60+ 893.02 грн
120+ 840.41 грн
270+ 813.77 грн
510+ 761.83 грн
TW060Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товар відсутній
TW060Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1483.63 грн
5+ 1338.7 грн
10+ 1187.05 грн
TW060Z120C,S1F(SToshibaHALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товар відсутній
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товар відсутній
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товар відсутній
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товар відсутній
TW07Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TW07Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1522 грн
10+ 1416.78 грн
25+ 1159.39 грн
50+ 1086.81 грн
100+ 1014.22 грн
250+ 942.3 грн
500+ 932.98 грн
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2069.6 грн
10+ 1770.63 грн
100+ 1548.65 грн
TW070J120B,S1QToshibaMOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2253.86 грн
10+ 1974.3 грн
25+ 1578.93 грн
50+ 1564.95 грн
100+ 1380.48 грн
250+ 1379.82 грн
1000+ 1379.15 грн
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товар відсутній
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товар відсутній
TW08-PE1STwin IndustriesDescription: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1
товар відсутній
TW083N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.05 грн
10+ 751.74 грн
100+ 650.18 грн
TW083N65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+888.8 грн
10+ 771.95 грн
30+ 638.63 грн
60+ 623.32 грн
120+ 610.66 грн
510+ 598.68 грн
TW083N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товар відсутній
TW083N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.2 грн
5+ 806.81 грн
TW083N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM
товар відсутній
TW083Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.98 грн
10+ 672.46 грн
100+ 567.97 грн
TW083Z65C,S1FToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+828.2 грн
10+ 718.34 грн
30+ 608 грн
60+ 574.04 грн
120+ 540.07 грн
270+ 523.43 грн
510+ 489.46 грн
TW083Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.19 грн
5+ 868.06 грн
10+ 769.45 грн
TW08BLK12APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товар відсутній
TW08BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15751.37 грн
5+ 15079.88 грн
10+ 12728.02 грн
25+ 11956.87 грн
50+ 11185.05 грн
100+ 10798.14 грн
250+ 10029.65 грн
TW09Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER DIP 10/PK
товар відсутній
TW09BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, DUAL 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TW09BLK12Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товар відсутній