Продукція > TW0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TW0.265RD0.75"3MDescription: MULTI-WALL POLYOLEFIN ADHESIVE-L
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW00-D350-061
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0138A32.000MHZ
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5483.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5675.82 грн
30+4034.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5955.81 грн
10+4988.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5483.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaTW015N120C,S1F(S
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12681.48 грн
3+12282.19 грн
5+11514.85 грн
10+10400.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8315.10 грн
5+7275.81 грн
10+6028.83 грн
50+5018.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaTW015N120C,S1F(S
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12681.48 грн
3+12282.19 грн
5+11514.85 грн
10+10400.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaTW015N120C,S1F(S
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10512.39 грн
5+9768.15 грн
10+8707.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3993.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3993.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4587.14 грн
10+3633.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4370.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4625.27 грн
5+4146.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9333.51 грн
3+9036.19 грн
5+8466.68 грн
10+7641.49 грн
20+7170.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+3507.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6139.98 грн
5+5898.10 грн
10+5479.47 грн
25+5213.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4592.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4151.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4987.92 грн
10+4095.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4830.91 грн
30+3725.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4151.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4592.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(SToshibaSICMOS 247-4L G3,ACTIVE,
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10326.33 грн
5+9200.67 грн
10+8586.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5547.73 грн
5+4996.04 грн
10+4443.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3655.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3388.83 грн
10+3004.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3655.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3305.27 грн
5+3084.59 грн
10+2863.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(SToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7888.94 грн
5+7386.58 грн
10+6540.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10437.48 грн
5+10206.80 грн
10+8816.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6907.22 грн
5+5802.21 грн
10+5469.90 грн
25+4747.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11APEM ComponentsSwitch Thumb-Pushwheel Thumbwheel PC Pins Panel Mount
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11600.19 грн
5+9679.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7501.01 грн
5+6300.63 грн
10+5939.70 грн
25+5155.28 грн
50+4858.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM ComponentsTW01BLK13
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21493.28 грн
5+17855.34 грн
10+16474.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13QApemJoysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Blue Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1ApemJoysticks TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Blue Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13083.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13083.74 грн
5+10989.08 грн
10+10359.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Gray Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14009.24 грн
5+11775.28 грн
10+11103.51 грн
25+9639.76 грн
50+9086.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1ApemInput Devices TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED13APEM Inc.Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Features: Red Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10426.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0208SD590120
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2270.04 грн
10+1791.37 грн
120+1347.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1837.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 58A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
On-state resistance: 37mΩ
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+1348.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1629.11 грн
5+1414.11 грн
10+1199.11 грн
50+1090.86 грн
100+986.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 58A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1796.24 грн
10+1157.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1501.30 грн
10+1284.47 грн
100+1123.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1961.74 грн
5+1901.71 грн
10+1841.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK11ApemJoysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU13ApemJoysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU2ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02GRY1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02RED12ApemJoysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2141.85 грн
10+1987.30 грн
25+1620.30 грн
50+1511.81 грн
100+1457.57 грн
250+1390.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2657.85 грн
10+1980.10 грн
120+1721.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2573.88 грн
30+1721.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2781.16 грн
5+2611.60 грн
10+2436.36 грн
50+2217.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 60A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2827.41 грн
10+2420.75 грн
120+1840.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2756.01 грн
5+2453.40 грн
10+2150.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2661.90 грн
10+2148.04 грн
100+1858.13 грн
500+1857.43 грн
2500+1830.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLK1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLK12ApemThumbwheel Switches & Pushwheel Switches THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLU1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03GRY1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03RED1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW04
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.41 грн
10+191.20 грн
50+182.09 грн
100+149.52 грн
500+145.24 грн
1000+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1769.64 грн
30+1090.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1971.48 грн
10+1301.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1982.84 грн
5+1721.60 грн
10+1460.35 грн
50+1247.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 40A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2028.27 грн
10+1920.12 грн
30+1148.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.72 грн
30+1021.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1756.48 грн
5+1436.83 грн
10+1117.17 грн
50+1035.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1374.36 грн
10+823.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.17 грн
5+1180.45 грн
10+934.63 грн
50+852.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 40A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1245.47 грн
30+750.04 грн
120+688.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1341.09 грн
10+939.67 грн
120+762.86 грн
510+750.34 грн
1020+749.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.32 грн
5+910.29 грн
10+721.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW05Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2536.15 грн
10+2352.77 грн
25+1918.63 грн
50+1790.67 грн
100+1726.00 грн
250+1646.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW05Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.69 грн
10+237.31 грн
50+226.04 грн
100+185.61 грн
500+180.31 грн
1000+153.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW054V65C,LQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1913.88 грн
10+1421.10 грн
100+1228.78 грн
1000+1228.09 грн
2500+1211.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0597ATSTDescription: 32.768/20/15/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Standby (Power Down)
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 95°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Ratings: AEC-Q200
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm)
Frequency: 32.768 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TW06Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW06Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1684.36 грн
30+1034.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1602.33 грн
10+1116.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+1087.15 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1617.75 грн
10+1477.88 грн
30+912.37 грн
120+897.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1616.94 грн
5+1557.71 грн
10+1498.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW07Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW07Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1472.52 грн
10+1368.32 грн
25+1119.61 грн
50+1049.37 грн
100+988.87 грн
250+941.58 грн
500+907.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW070J120B,S1QToshibaMOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2353.60 грн
10+2061.67 грн
25+1648.81 грн
50+1634.21 грн
100+1441.58 грн
250+1440.88 грн
1000+1440.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2247.64 грн
10+1922.95 грн
100+1681.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW08-PE1STwin IndustriesDescription: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1179.64 грн
10+998.05 грн
30+819.88 грн
120+803.20 грн
270+787.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.31 грн
10+502.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083U65C,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083U65C,RQ(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.44 грн
5+936.25 грн
10+761.01 грн
50+690.08 грн
100+624.48 грн
250+611.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.71 грн
10+635.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.40 грн
10+750.14 грн
120+599.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.40 грн
5+745.59 грн
10+572.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW08BLK12ApemThumbwheel Switches & Pushwheel Switches THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW08BLK12APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER DIP 10/PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW092V65C,LQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1555.28 грн
10+1113.21 грн
100+958.27 грн
2500+894.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW09BLK12Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09BLK12ApemThumbwheel Switches & Pushwheel Switches THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.