Продукція > TW0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TW00-D350-061
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0138A32.000MHZ
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5940.70 грн
10+4959.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5458.54 грн
30+4280.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8797.06 грн
5+7697.53 грн
10+6378.28 грн
50+5309.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4575.81 грн
10+3612.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3965.21 грн
10+3672.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTW015N65C,S1F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3700.86 грн
10+3427.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4237.71 грн
30+3142.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4874.48 грн
5+4598.95 грн
10+4323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7124.75 грн
5+6846.76 грн
10+6362.85 грн
25+5877.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4643.28 грн
10+4064.98 грн
100+3658.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6062.99 грн
10+5820.63 грн
30+4329.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4892.50 грн
5+4602.38 грн
10+4311.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3728.67 грн
10+3305.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 342W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3801.56 грн
5+3518.31 грн
10+3234.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11484.16 грн
5+11230.35 грн
10+9700.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13812.30 грн
5+11600.52 грн
10+10935.80 грн
25+9491.04 грн
50+8944.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, WIRE LEADS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM ComponentsTW01BLK13
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19539.48 грн
5+16803.76 грн
10+15768.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13703.05 грн
5+11509.50 грн
10+10849.73 грн
25+9416.27 грн
50+8874.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13QApemJoysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Blue Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1ApemJoysticks TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Blue Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13842.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Features: Gray Actuator
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13842.10 грн
5+11626.03 грн
10+10959.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14821.24 грн
5+12457.80 грн
10+11747.09 грн
25+10198.51 грн
50+9613.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1ApemInput Devices TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED13APEM Inc.Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Features: Red Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11030.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0208SD590120
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2095.09 грн
10+1520.49 грн
120+1192.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1985.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1820.52 грн
5+1511.52 грн
10+1201.67 грн
50+1102.28 грн
100+1004.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 58A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1588.32 грн
10+1358.93 грн
100+1188.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1976.36 грн
10+1273.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2075.45 грн
5+2011.93 грн
10+1948.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK11ApemJoysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK12ApemJoysticks TW, W/ TAB, .5V-4.5V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12808.87 грн
5+12526.46 грн
10+10820.65 грн
25+10502.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13ApemJoysticks Joystick, fixed grip, momentary, 28AWG 10in PTFE, USB game controller output, IP65
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU13ApemJoysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU2ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02GRY1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02RED12ApemJoysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2356.64 грн
10+2186.59 грн
25+1782.78 грн
50+1663.42 грн
100+1603.74 грн
250+1529.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3060.06 грн
10+2279.86 грн
120+1981.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2771.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2631.65 грн
5+2202.48 грн
10+1772.46 грн
50+1641.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 60A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3110.94 грн
10+2663.50 грн
120+2025.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2445.39 грн
5+2246.26 грн
10+2047.12 грн
50+1715.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLK1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03BLU1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03GRY1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03RED1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW04
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0404TD325SMSamtecConn Board Stacker HDR 8 POS 2mm Solder ST Top Entry SMD Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.20 грн
10+202.28 грн
50+192.64 грн
100+158.18 грн
500+153.66 грн
1000+131.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW0459BTSTDescription: 32.768K/25/15/1.8/2.5X2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: TCXO
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Part Status: Active
Frequency: 32.768 kHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2169.18 грн
10+1432.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1872.21 грн
30+1153.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.059 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1779.32 грн
5+1747.57 грн
10+1714.95 грн
50+1183.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 40A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2231.67 грн
10+2112.67 грн
30+1264.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1765.44 грн
30+1080.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW045Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1858.29 грн
5+1520.11 грн
10+1181.92 грн
50+1095.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW045Z120C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0483UABO30TSTDescription: 26/25/15/1.8/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1388.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1494.32 грн
10+937.99 грн
120+788.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.70 грн
5+902.11 грн
10+886.66 грн
50+547.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 40A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1475.58 грн
10+1134.21 грн
120+899.81 грн
510+877.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.14 грн
30+726.57 грн
120+644.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW048Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.16 грн
5+1179.35 грн
10+1111.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048Z65C,S1F(SToshibaSilicon Carbide N-Channel MOS - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW05Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2790.48 грн
10+2588.71 грн
25+2111.03 грн
50+1970.24 грн
100+1899.08 грн
250+1811.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW05Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 58.93MMX41.66MM 10/PK
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.34 грн
10+251.06 грн
50+239.14 грн
100+196.37 грн
500+190.76 грн
1000+162.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TW0543CA1150TSTDescription: 48/50/15/1.8/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.065" W (2.05mm x 1.65mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 15mA
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
Part Status: Active
Frequency: 48 MHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+167.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0556WA7230TSTDescription: 125/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0580WA7230TSTDescription: 156.25/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0597ATSTDescription: 32.768/20/15/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Standby (Power Down)
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -30°C ~ 95°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Ratings: AEC-Q200
Current - Supply (Max): 30mA
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm)
Frequency: 32.768 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+137.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TW06Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER 10P SIP 10/PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW06Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0606UW1354TSTDescription: 25/30/15/3.3/2.0X1.6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1763.02 грн
10+1254.76 грн
120+1090.33 грн
510+975.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1811.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.078 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 1200V, TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1779.98 грн
10+1626.08 грн
30+1003.87 грн
120+987.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.2mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW060Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1710.66 грн
5+1648.00 грн
10+1585.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW060Z120C,S1F(SToshibaHALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0628WA7230TSTDescription: 100/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0697VA6230TSTDescription: 1000/25/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0699VA6230TSTDescription: 520/50/50/3.3/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW07Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 31.12MMX19.43MM 10/PK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW07Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1748.73 грн
10+1627.84 грн
25+1332.11 грн
50+1248.71 грн
100+1165.31 грн
250+1082.68 грн
500+1071.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0702WA7230TSTDescription: 212.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0708WA7230TSTDescription: 148.5/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW070J120B,S1QToshibaMOSFET SIC-MOSFET TO-3PN V=1200
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2589.63 грн
10+2268.42 грн
25+1814.15 грн
50+1798.09 грн
100+1586.14 грн
250+1585.38 грн
1000+1584.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW070J120B,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2377.92 грн
10+2034.40 грн
100+1779.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0717VA6230TSTDescription: 300/50/50/3.2X2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0720WA7230TSTDescription: 75/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW0723WA7230TSTDescription: 200/25/100/3.3/3.2X2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW08-PE1STwin IndustriesDescription: EXTENDER CARTD PCI EXPRESS X1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1297.94 грн
10+1098.13 грн
30+902.10 грн
120+883.74 грн
270+866.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.12 грн
10+531.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65C,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083N65CS1FToshibaMOSFET 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1247.06 грн
10+909.83 грн
120+703.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.35 грн
10+671.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW083Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW083Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.52 грн
5+963.91 грн
10+937.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW08BLK12APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW08BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18097.92 грн
5+17326.39 грн
10+14624.18 грн
25+13738.14 грн
50+12851.34 грн
100+12406.79 грн
250+11523.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW09Apex MicrotechnologyDescription: THERMAL WASHER DIP 10/PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09BLK12Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL BLK W/ TAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW09BLK12ApemInput Devices TW, W/ TAB, DUAL 1V-4V, BLACK, STD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.