Продукція > TW0

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TW0.265RD0.75"3MDescription: MULTI-WALL POLYOLEFIN ADHESIVE-L
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW00-D350-061
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW0138A32.000MHZ
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5569.83 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2632.79 грн
30+1678.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5569.83 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaTW015N120C,S1F(S
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7554.84 грн
10+7344.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaTW015N120C,S1F(S
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12297.00 грн
3+11905.30 грн
5+11154.98 грн
10+10067.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F(SToshibaTW015N120C,S1F(S
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12297.00 грн
3+11905.30 грн
5+11154.98 грн
10+10067.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120CS1F(SToshibaSiC MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4339.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4056.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4056.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6237.00 грн
5+5991.30 грн
10+5566.05 грн
25+5296.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+2938.81 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 342W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65C,S1F(SToshibaTW015N65C,S1F(S
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9481.00 грн
3+9178.97 грн
5+8600.47 грн
10+7762.24 грн
20+7283.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 100A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4665.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4665.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4216.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4795.71 грн
30+3698.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4216.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 431W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z120C,S1F(SToshibaSICMOS 247-4L G3,ACTIVE,
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10489.50 грн
5+9346.05 грн
10+8722.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 15
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3712.90 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3712.90 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH SiC 650V 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(SToshibaMOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8013.60 грн
5+7503.30 грн
10+6643.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW015Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW015Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 650 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 342W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, BLACK, STANDARD SPRING, WIRE LEADS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6998.24 грн
5+5877.80 грн
10+5541.19 грн
25+4809.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11APEM ComponentsSwitch Thumb-Pushwheel Thumbwheel PC Pins Panel Mount
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11783.49 грн
5+9832.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK11ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Part Status: Active
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7446.36 грн
5+6254.73 грн
10+5896.43 грн
25+5117.72 грн
50+4823.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13APEM ComponentsTW01BLK13
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21832.90 грн
5+18137.48 грн
10+16735.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLK13QApemJoysticks Thumbwheel joystick, with tab, 0-5V, Black Actuator, 28AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Blue Actuator
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Thumbwheel
Voltage - Supply: 5VDC
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: 2-Way Directional
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Output: Analog (Hall Effect)
Mounting Type: Panel Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU1ApemJoysticks TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Thumbwheel
Voltage - Supply: 5VDC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: 2-Way Directional
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Output: Analog (Hall Effect)
Mounting Type: Panel Mount
Features: Blue Actuator
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12988.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01BLU11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, BLUE, STD SPRING, HEADER
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY1ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, WIRE LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Output: Analog (Hall Effect)
Mounting Type: Panel Mount
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Thumbwheel
Voltage - Supply: 5VDC
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: 2-Way Directional
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12988.42 грн
5+10909.02 грн
10+10283.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY11ApemJoysticks TW, W/ TAB, 0V-5V, GREY, STD SPRING, HEADER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Features: Gray Actuator
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Output: Analog (Hall Effect)
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Switch Function: 2-Way Directional
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Wire Leads
Voltage - Supply: 5VDC
Actuator Type: Thumbwheel
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW01GRY13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.60mm x 16.30mm
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Thumbwheel
Voltage - Supply: 5VDC
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: 2-Way Directional
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Output: Analog (Hall Effect)
Mounting Type: Panel Mount
Features: Gray Actuator
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13907.18 грн
5+11689.50 грн
10+11022.62 грн
25+9569.54 грн
50+9020.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1ApemInput Devices TW SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED1Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11ApemInput Devices TW, W/ TAB, 0V-5V, RED, STD SPRING, HEADER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED11Apem Inc.Description: HALL EFF THUMBWHEEL RED W/TAB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW01RED13APEM Inc.Description: THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
Features: Red Actuator
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 36.45mm x 16.05mm
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Actuator Type: Thumbwheel
Voltage - Supply: 5VDC
Termination Style: Wire Leads
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Switch Function: 2-Way Directional
Type: Thumbwheel, 1 - Axis
Output: Analog (Hall Effect)
Mounting Type: Panel Mount
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10350.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW0208SD590120
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.037 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1FToshibaMOSFETs TO247 650V 58A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027N65CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW027U65C,RQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, VDSS = 650 V, PD = 156W, TOLL, 3rd Gen
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW027U65C,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.14 грн
10+541.76 грн
100+426.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027U65C,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 27
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(X)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.36 грн
10+1275.12 грн
100+1115.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW027Z65C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW027Z65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK11ApemJoysticks HallEffct Thmwhl Blk .5-4.5Vout WireLeads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK12APEMDescription: APEM - TW02BLK12 - Hall-Effekt-Schalter, 1, 5 V, 3 Positionen, 10 mA
tariffCode: 85365007
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: -
Hebelbewegung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Griffform: Rändelknopf
isCanonical: Y
Anzahl der Schalterpositionen: 3 Positionen
AC-Kontaktstrom, max.: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Versorgungsstrom: 10mA
Anzahl der Achsen: 1
AC-Kontaktspannung, max.: -
Drehwinkel, elektrisch: -
Produktpalette: -
Mittelspannung: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK12ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13ApemJoysticks THUMBWHEEL TW HALL EFFECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLK13APEM Inc.Description: SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU1ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU13ApemJoysticks TW, TAB, BLUE, 28GA. 0.5-4.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02BLU2ApemInput Devices TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02GRY1ApemJoysticks TW SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW02RED12ApemJoysticks Hall effect thumbwheels, with tab, 0.5V to 4.5V, Red Actuator, 22AWG 41cm PTFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyThermal Interface Products 1 pkg of 10 pieces
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW03Apex MicrotechnologyDescription: THERM PAD 39.37MMX26.67MM 10/PK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2555.12 грн
30+1708.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030N120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 249W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1FToshibaMOSFETs TO247 1.2KV 60A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030N120CS1F(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshibaSiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Power Dissipation (Max): 249W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 13mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2925 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TW030Z120C,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TW030Z120C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 249W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.26 грн
10+696.27 грн
100+583.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW031V65C,LQToshibaSiC MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]