Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141181) > Сторінка 2349 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2352 2353 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
4N32SM 4N32SM ONSEMI 4N32SM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V
Number of channels: 1
Insulation voltage: 2.5kV
Collector-emitter voltage: 30V
Kind of output: Darlington
Case: Gull wing 6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.58 грн
13+33.70 грн
25+29.99 грн
50+27.44 грн
100+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI FDC637AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+63.00 грн
11+38.15 грн
100+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.41 грн
50+16.07 грн
100+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M GBU8M ONSEMI GBU8x.PDF Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C ONSEMI FQAF11N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155 ONSEMI FAIR-S-A0002366372-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ffsh15120adn-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJL21194G MJL21194G ONSEMI MJL21193G.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO264
Mounting: THT
Frequency: 4MHz
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 ONSEMI ntmfsc011n08m7-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 31.2W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7660AS ONSEMI fdms7660as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5358BG 1N5358BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 22V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 22V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5358BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF description Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 22V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 22V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450S FSB50450S ONSEMI fsb50450s-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5D-023
Operating temperature: -20...100°C
Topology: MOSFET three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 5
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Output current: 1.5A
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 10W
Case: SPM5D-023
Collector-emitter voltage: 500V
Frequency: 15kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550US ONSEMI FAIRS46910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fsb50550us-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5H-023
Operating temperature: -40...150°C
Topology: MOSFET three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 5
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Output current: 2A
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 14.5W
Case: SPM5H-023
Collector-emitter voltage: 500V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007 1N4007 ONSEMI 1N4007-FAI.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; CASE59; 3W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Power dissipation: 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907A ONSEMI MMBT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317LBDR2G NCV317LBDR2G ONSEMI LM317L_NCV317L.PDF Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.1A; SO8
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
Tolerance: ±1.5%
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 1.2...40V
Manufacturer series: NCV317L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317LBZG NCV317LBZG ONSEMI lm317l-d.pdf ONSM-S-A0003065618-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.02A; TO92
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 20mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317LBZRAG NCV317LBZRAG ONSEMI lm317l-d.pdf Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.02A; TO92
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 20mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL914 ONSEMI 1n914-d.pdf FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL914A ONSEMI 1n914-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL914B ONSEMI 1n914-d.pdf FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248CT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248ET1G ONSEMI MMSZ52xxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxE
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J RS1J ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.52 грн
33+12.77 грн
41+10.05 грн
50+8.40 грн
100+7.09 грн
250+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFA ONSEMI rs1afa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 0.8A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFP ONSEMI rs1mfp-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.2A; 300ns; SOD123HE; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Case: SOD123HE
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
Load current: 1.2A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPRS1JFA NRVHPRS1JFA ONSEMI rs1afa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Application: automotive industry
Case: SOD123F
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 0.8A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD880YTU ONSEMI KSD880.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.70 грн
10+498.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN FGY60T120SQDN ONSEMI fgy60t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.70 грн
3+664.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN FGY75T120SQDN ONSEMI fgy75t120sqdn-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG ONSEMI nxh400n100h4q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 39W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.12 грн
50+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C FQP3N80C ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 107W
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G ONSEMI BC84x.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
125+3.55 грн
152+2.72 грн
220+1.88 грн
257+1.61 грн
500+1.12 грн
1000+1.00 грн
3000+0.82 грн
6000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1G ONSEMI bc847att1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C604NLT1G NTMFS5C604NLT1G ONSEMI ntmfs5c604nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 100W
Drain current: 203A
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+213.85 грн
10+128.54 грн
100+91.46 грн
500+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140...280
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14027BDR2G MC14027BDR2G ONSEMI mc14027b-d.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; SMD; SO16
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SO16
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Trigger: negative-edge-triggered
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.49 грн
16+26.86 грн
18+24.14 грн
25+21.01 грн
50+19.12 грн
100+17.63 грн
200+16.48 грн
250+16.15 грн
500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAG ONSEMI nvljws022n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 90A; 14W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 14W
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YTA KSA1013YTA ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Current gain: 160...320
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: PNP
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.59 грн
18+24.22 грн
100+14.01 грн
250+11.70 грн
500+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YBU KSA1013YBU ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Current gain: 160...320
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.14 грн
15+29.17 грн
100+17.80 грн
500+13.27 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685 ONSEMI FDD4685.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.64 грн
7+62.62 грн
10+52.73 грн
25+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZ ONSEMI fdma910pz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -45A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME910PZT ONSEMI FDME910PZT-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.1W; uDFN6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5179 ONSEMI MMBT5179-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.05A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 ONSEMI FDS9945.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.37 грн
12+35.84 грн
25+31.81 грн
50+28.43 грн
100+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144TET1G ONSEMI dtc144t-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416; 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 120...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-T50R ONSEMI BZX85C.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; reel,tape; DO41; single diode; BZX85C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5380BG 1N5380BG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 120V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 120V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+23.07 грн
24+17.80 грн
27+15.66 грн
32+13.27 грн
50+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5380BRLG ONSEMI 1N53xx.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 120V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 120V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8314 ONSEMI FOD8314.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; SOP6; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: SOP6
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 40ns
Slew rate: 50kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Manufacturer series: FOD8314
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8314TR2 ONSEMI fod8314-d.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: MOSFET; Uinsul: 5kV; SOP6; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Case: SOP6
Slew rate: 50kV/μs
Output voltage: 35V
Max. off-state voltage: 5V
Manufacturer series: FOD8314
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7918CTG MC7918CTG ONSEMI MC7900-D.PDF Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -18V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Kind of package: tube
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Mounting: THT
Case: TO220AB
Operating temperature: 0...125°C
Output voltage: -18V
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Number of channels: 1
Output current: 1A
Voltage drop: 1.3V
Tolerance: ±4%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Manufacturer series: MC7900
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.59 грн
15+27.93 грн
25+22.99 грн
50+19.94 грн
100+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA ONSEMI BC638.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638TA ONSEMI BC638.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 100...250
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+21.30 грн
33+12.85 грн
100+7.41 грн
500+5.15 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A FPF1003A ONSEMI FPF1003A.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: WLCSP6
On-state resistance: 42mΩ
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.41 грн
23+18.13 грн
25+17.30 грн
100+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
4N32SM 4N32SM.pdf
4N32SM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V
Number of channels: 1
Insulation voltage: 2.5kV
Collector-emitter voltage: 30V
Kind of output: Darlington
Case: Gull wing 6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.58 грн
13+33.70 грн
25+29.99 грн
50+27.44 грн
100+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN.pdf
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.00 грн
11+38.15 грн
100+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J.pdf
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.41 грн
50+16.07 грн
100+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M GBU8x.PDF
GBU8M
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF11N90C FQAF11N90C.pdf
FQAF11N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 4.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 120W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH15120ADN-F155 FAIR-S-A0002366372-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ffsh15120adn-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJL21194G description MJL21193G.PDF
MJL21194G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO264
Mounting: THT
Frequency: 4MHz
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC011N08M7 ntmfsc011n08m7-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 61A; Idm: 180A; 31.2W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 31.2W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7660AS fdms7660as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5358BG 1N53xx.PDF
1N5358BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 22V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 22V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5358BRLG description 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 22V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 22V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50450S fsb50450s-d.pdf
FSB50450S
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5D-023
Operating temperature: -20...100°C
Topology: MOSFET three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 5
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Output current: 1.5A
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 10W
Case: SPM5D-023
Collector-emitter voltage: 500V
Frequency: 15kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50550US FAIRS46910-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fsb50550us-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; Motion SPM® 5; SPM5H-023
Operating temperature: -40...150°C
Topology: MOSFET three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 5
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Output current: 2A
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 14.5W
Case: SPM5H-023
Collector-emitter voltage: 500V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007 1N4007-FAI.pdf
1N4007
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; CASE59; 3W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
Power dissipation: 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT2907A MMBT2907A.pdf
MMBT2907A
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317LBDR2G LM317L_NCV317L.PDF
NCV317LBDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.1A; SO8
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
Tolerance: ±1.5%
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 1.2...40V
Manufacturer series: NCV317L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317LBZG lm317l-d.pdf ONSM-S-A0003065618-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NCV317LBZG
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.02A; TO92
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 20mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317LBZRAG lm317l-d.pdf
NCV317LBZRAG
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.02A; TO92
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 20mA
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL914 1n914-d.pdf FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL914A 1n914-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL914B 1n914-d.pdf FAIR-S-A0001232564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248CT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248ET1G MMSZ52xxET1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxE
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 18V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J RS1x.pdf
RS1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.52 грн
33+12.77 грн
41+10.05 грн
50+8.40 грн
100+7.09 грн
250+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFA rs1afa-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 0.8A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1JFP rs1mfp-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.2A; 300ns; SOD123HE; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Case: SOD123HE
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
Load current: 1.2A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPRS1JFA rs1afa-d.pdf
NRVHPRS1JFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 250ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Application: automotive industry
Case: SOD123F
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 0.8A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD880YTU KSD880.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.70 грн
10+498.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY60T120SQDN fgy60t120sqdn-d.pdf
FGY60T120SQDN
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.70 грн
3+664.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T120SQDN fgy75t120sqdn-d.pdf
FGY75T120SQDN
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+867.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C.pdf
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 39W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.12 грн
50+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 107W
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G BC84x.pdf
SBC847BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.55 грн
152+2.72 грн
220+1.88 грн
257+1.61 грн
500+1.12 грн
1000+1.00 грн
3000+0.82 грн
6000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC847BTT1G bc847att1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C604NLT1G ntmfs5c604nl-d.pdf
NTMFS5C604NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 100W
Drain current: 203A
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+213.85 грн
10+128.54 грн
100+91.46 грн
500+83.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140...280
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14027BDR2G mc14027b-d.pdf
MC14027BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; SMD; SO16
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Case: SO16
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 2
Trigger: negative-edge-triggered
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.49 грн
16+26.86 грн
18+24.14 грн
25+21.01 грн
50+19.12 грн
100+17.63 грн
200+16.48 грн
250+16.15 грн
500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVLJWS022N06CLTAG nvljws022n06cl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 90A; 14W; WDFNW6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 14W
Case: WDFNW6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YTA KSA1013.pdf
KSA1013YTA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Current gain: 160...320
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: PNP
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.59 грн
18+24.22 грн
100+14.01 грн
250+11.70 грн
500+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1013YBU KSA1013.pdf
KSA1013YBU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Current gain: 160...320
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.14 грн
15+29.17 грн
100+17.80 грн
500+13.27 грн
1000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 FDD4685.pdf
FDD4685
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.64 грн
7+62.62 грн
10+52.73 грн
25+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA910PZ fdma910pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -45A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME910PZT FDME910PZT-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.1W; uDFN6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5179 MMBT5179-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.05A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 FDS9945.pdf
fds9945
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.37 грн
12+35.84 грн
25+31.81 грн
50+28.43 грн
100+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144TET1G dtc144t-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416; 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 120...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-T50R BZX85C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; reel,tape; DO41; single diode; BZX85C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5380BG 1N53xx.PDF
1N5380BG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 120V; bulk; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 120V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.07 грн
24+17.80 грн
27+15.66 грн
32+13.27 грн
50+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N5380BRLG 1N53xx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 5W; 120V; reel,tape; CASE017AA; single diode; 1N53xxB
Type of diode: Zener
Power dissipation: 5W
Zener voltage: 120V
Kind of package: reel; tape
Case: CASE017AA
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: 1N53xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8314 FOD8314.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; SOP6; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: SOP6
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 40ns
Slew rate: 50kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Manufacturer series: FOD8314
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD8314TR2 fod8314-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: MOSFET; Uinsul: 5kV; SOP6; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 5kV
Case: SOP6
Slew rate: 50kV/μs
Output voltage: 35V
Max. off-state voltage: 5V
Manufacturer series: FOD8314
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC7918CTG MC7900-D.PDF
MC7918CTG
Виробник: ONSEMI
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -18V; 1A; TO220AB; THT; MC7900
Kind of package: tube
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Mounting: THT
Case: TO220AB
Operating temperature: 0...125°C
Output voltage: -18V
Heatsink thickness: 0.508...0.61mm
Number of channels: 1
Output current: 1A
Voltage drop: 1.3V
Tolerance: ±4%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Manufacturer series: MC7900
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.59 грн
15+27.93 грн
25+22.99 грн
50+19.94 грн
100+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA BC638.pdf
BC638TA
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Current gain: 100...250
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.30 грн
33+12.85 грн
100+7.41 грн
500+5.15 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A FPF1003A.pdf
FPF1003A
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: WLCSP6
On-state resistance: 42mΩ
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.41 грн
23+18.13 грн
25+17.30 грн
100+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2344 2345 2346 2347 2348 2349 2350 2351 2352 2353 2354  [ Наступна Сторінка >> ]