Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146011) > Сторінка 2416 з 2434

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2411 2412 2413 2414 2415 2416 2417 2418 2419 2420 2421 2430 2434  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCV2001SN2T1G ONSEMI ncs2001-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.4MHz; Ch: 1; 0.9÷7VDC; SOT23-5; 7.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.4MHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 0.9...7V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.6V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail
Input offset voltage: 7.5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 10pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1 ONSEMI ntbl045n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3H ONSEMI ntbl050n65s3h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3 ONSEMI ntbl070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1117DT33T5G NCV1117DT33T5G ONSEMI NCP1117_NCV1117.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.2V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCV1117
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Application: automotive industry
Input voltage: 1.25...20V
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
17+26.47 грн
25+22.74 грн
100+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ15VAWT1G ONSEMI mmbz27vaw-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SC70; Ch: 2
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SC70
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B ONSEMI fdms037n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; Idm: 400A; 104.2W; PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104.2W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7342D10R2G NCV7342D10R2G ONSEMI ncv7342-d.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; CAN; SMD; SO8; Ch: 1; reel,tape
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Interface: CAN
Number of channels: 1
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.68 грн
14+30.80 грн
25+27.83 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33072DR2G MC33072DR2G ONSEMI MC3x07x.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 2; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.32 грн
19+22.40 грн
22+19.68 грн
26+16.63 грн
50+14.76 грн
100+13.40 грн
250+12.39 грн
2500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33072ADR2G MC33072ADR2G ONSEMI mc34071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 2; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.98 грн
18+24.60 грн
20+21.72 грн
25+18.33 грн
100+14.93 грн
250+13.57 грн
500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33202DR2G MC33202DR2G ONSEMI MC33201-4.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Ch: 2; ±900mVDC÷6VDC,1.8÷12VDC
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Voltage supply range: ± 900mV DC...6V DC; 1.8...12V DC
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Bandwidth: 2.2MHz
Input offset voltage: 8mV
Slew rate: 1V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: rail-to-rail
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.32 грн
19+22.57 грн
22+20.02 грн
25+16.97 грн
50+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ16P6X NC7WZ16P6X ONSEMI NC7WZ16.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; SC70-6; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.22 грн
76+5.60 грн
91+4.67 грн
117+3.63 грн
127+3.34 грн
132+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WV16P6X NC7WV16P6X ONSEMI NC7WV16.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; SC70-6; 0.9uA
Mounting: SMD
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 0.9µA
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.62 грн
39+11.03 грн
44+9.67 грн
53+8.06 грн
100+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820G MUR820G ONSEMI MUR820G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; Ifsm: 100A; TO220AC; tube; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.975V
Max. load current: 16A
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: max. 1.4mm
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.22 грн
10+46.83 грн
50+38.94 грн
100+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4159P6X FSA4159P6X ONSEMI FSA4159-D.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; SPDT; Ch: 1; Outputs: 2; SC70-6,SC88,SOT363; IN: 1
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Operating temperature: -40...85°C
Resistance: 3.5Ω
Number of inputs: 1
Output configuration: SPDT
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Number of outputs: 2
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C2V4ET1G SZBZX84C2V4ET1G ONSEMI BZX84CxxET1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.4V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±8%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C2V4LT1G SZBZX84C2V4LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.4V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT365ADR2G MC74HCT365ADR2G ONSEMI MC74HCT365A-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,hex; Ch: 6; CMOS,TTL; SMD; SOIC16; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; hex
Number of channels: 6
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT365ADTR2G MC74HCT365ADTR2G ONSEMI MC74HCT365A-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,hex; Ch: 6; CMOS,TTL; SMD; TSSOP16; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; hex
Number of channels: 6
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102 ONSEMI FDP045N10A-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Power dissipation: 263W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 656A
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 ONSEMI fdp045n10a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A FDPF045N10A ONSEMI fdpf045n10a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 268A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 268A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05P-TD-E SB10-05P-TD-E ONSEMI sb10-05p-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT89; SMD; 50V; 1A; reel,tape
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LZ LM317LZ ONSEMI lm317lz_fai.pdf Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.1A; TO92; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TM1X-F085 FAN3224TM1X-F085 ONSEMI FAN3223-F085-D.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; -5÷5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMPX ONSEMI FAN3223-D.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; WDFN8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: WDFN8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TUM1X-F085 ONSEMI FAN3223-F085-D.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8-EP
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TUMX-F085 FAN3224TUMX-F085 ONSEMI FAN3223-F085-D.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; -5÷5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575D2T-5R4G ONSEMI lm2575-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934G 1N4934G ONSEMI 1N4933_7.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; bulk
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934RLG 1N4934RLG ONSEMI 1N4933-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; reel,tape; 300ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 1.6A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 14.5V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
на замовлення 33050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.22 грн
72+5.94 грн
85+5.01 грн
129+3.31 грн
152+2.81 грн
250+2.34 грн
500+2.12 грн
1000+1.93 грн
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ18VALT1G SZMMBZ18VALT1G ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 1.6A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 14.5V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3ST ONSEMI huf76429s3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 110W; TO263AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Case: TO263AB
On-state resistance: 25mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOCD223M MOCD223M ONSEMI MOCD223M.pdf description Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 500-1000%@1mA
Collector-emitter voltage: 30V
Case: SO8
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 55µs
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.35 грн
11+42.08 грн
25+38.43 грн
30+37.75 грн
50+35.80 грн
100+33.26 грн
500+27.15 грн
750+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PG ONSEMI nxh020f120mnf1-d.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG ONSEMI nxh020f120mnf1-d.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PG ONSEMI nxh020p120mnf1-d.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTG ONSEMI nxh020p120mnf1-d.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6356QMTWTXG ONSEMI ncv6356-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; SMD; reel,tape; automotive industry
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14049UBDR2G MC14049UBDR2G ONSEMI MC14049UB-D.pdf description Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,hex,inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SOIC16
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Kind of integrated circuit: buffer; hex; inverter
Number of channels: 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA28 MMBTA28 ONSEMI MMBTA28.pdf description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 0.35W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
50+21.46 грн
100+17.73 грн
500+9.50 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YET1G DTA114YET1G ONSEMI DTA114Y-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
319+1.43 грн
417+1.02 грн
435+0.98 грн
500+0.93 грн
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YM3T5G DTA114YM3T5G ONSEMI DTA114Y-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ONSEMI MMUN2114.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.05 грн
59+7.30 грн
67+6.36 грн
98+4.36 грн
115+3.70 грн
500+2.58 грн
1000+2.22 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT3G MMUN2114LT3G ONSEMI dta114y-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2114LT1G SMMUN2114LT1G ONSEMI dta114y-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ONSEMI MMUN2112.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.14 грн
73+5.85 грн
85+5.01 грн
104+4.09 грн
120+3.56 грн
500+2.72 грн
1000+2.37 грн
3000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1G NSVMMUN2112LT1G ONSEMI dta124e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23; TO236AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4153NT1G NTA4153NT1G ONSEMI NTA4153N.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.915A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.27 грн
36+11.88 грн
100+5.99 грн
200+4.99 грн
500+4.10 грн
750+3.82 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-SENSE-DB-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-SENSE-GEVK ONSEMI RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP186BMX180TAG ONSEMI NCP186.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1.4A; XDFN8; SMD
Manufacturer series: NCP186x
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 1.8...5.5V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.285V
Operating temperature: -40...125°C
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: XDFN8
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP176BMX180TCG ONSEMI ncp176-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 500mA; XDFN6; SMD
Manufacturer series: NCP176
Tolerance: ±1.5%
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 1.4...5.5V
Output current: 0.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.275V
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 1.8V
Case: XDFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8720BMT180TBG ONSEMI ncv8720-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.35A; WDFN6; SMD
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output current: 0.35A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8570BMN180R2G ONSEMI ncv8570b-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.2A; DFN6; SMD
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output current: 0.2A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8720BMTW180TBG ONSEMI ncv8720-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.35A; WDFN6; SMD
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output current: 0.35A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV2001SN2T1G ncs2001-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.4MHz; Ch: 1; 0.9÷7VDC; SOT23-5; 7.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.4MHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 0.9...7V DC
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.6V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail
Input offset voltage: 7.5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 10pA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL045N065SC1 ntbl045n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL050N65S3H ntbl050n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL070N65S3 ntbl070n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV1117DT33T5G NCP1117_NCV1117.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 1.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 1.2V
Output voltage: 3.3V
Output current: 1.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCV1117
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Application: automotive industry
Input voltage: 1.25...20V
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.29 грн
17+26.47 грн
25+22.74 грн
100+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; Ufmax: 1.1V; If: 15A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ15VAWT1G mmbz27vaw-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 15V; 1.9A; 40W; double,common anode; SC70; Ch: 2
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SC70
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 1.9A
Peak pulse power dissipation: 40W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; Idm: 400A; 104.2W; PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104.2W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7342D10R2G ncv7342-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; CAN; SMD; SO8; Ch: 1; reel,tape
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Interface: CAN
Number of channels: 1
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.68 грн
14+30.80 грн
25+27.83 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33072DR2G MC3x07x.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 2; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.32 грн
19+22.40 грн
22+19.68 грн
26+16.63 грн
50+14.76 грн
100+13.40 грн
250+12.39 грн
2500+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33072ADR2G mc34071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4.5MHz; Ch: 2; ±1.5÷22VDC,3÷44VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4.5MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...22V DC; 3...44V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 13V/μs
Input offset voltage: 5mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.7µA
Input offset current: 300nA
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.98 грн
18+24.60 грн
20+21.72 грн
25+18.33 грн
100+14.93 грн
250+13.57 грн
500+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33202DR2G MC33201-4.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Ch: 2; ±900mVDC÷6VDC,1.8÷12VDC
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Voltage supply range: ± 900mV DC...6V DC; 1.8...12V DC
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Bandwidth: 2.2MHz
Input offset voltage: 8mV
Slew rate: 1V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: rail-to-rail
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.32 грн
19+22.57 грн
22+20.02 грн
25+16.97 грн
50+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ16P6X NC7WZ16.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; SC70-6; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC70-6
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.22 грн
76+5.60 грн
91+4.67 грн
117+3.63 грн
127+3.34 грн
132+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WV16P6X NC7WV16.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 2; CMOS; SMD; SC70-6; 0.9uA
Mounting: SMD
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 0.9µA
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 2
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.62 грн
39+11.03 грн
44+9.67 грн
53+8.06 грн
100+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR820G description MUR820G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; Ifsm: 100A; TO220AC; tube; 35ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.975V
Max. load current: 16A
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: max. 1.4mm
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.22 грн
10+46.83 грн
50+38.94 грн
100+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4159P6X FSA4159-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; SPDT; Ch: 1; Outputs: 2; SC70-6,SC88,SOT363; IN: 1
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Operating temperature: -40...85°C
Resistance: 3.5Ω
Number of inputs: 1
Output configuration: SPDT
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Number of outputs: 2
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C2V4ET1G BZX84CxxET1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.4V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±8%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84CxxET1G
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C2V4LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.4V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT365ADR2G MC74HCT365A-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,hex; Ch: 6; CMOS,TTL; SMD; SOIC16; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; hex
Number of channels: 6
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT365ADTR2G MC74HCT365A-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,hex; Ch: 6; CMOS,TTL; SMD; TSSOP16; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; hex
Number of channels: 6
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102 FDP045N10A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Power dissipation: 263W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 656A
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 fdp045n10a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 263W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A fdpf045n10a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 268A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 268A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05P-TD-E sb10-05p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT89; SMD; 50V; 1A; reel,tape
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LZ lm317lz_fai.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,adjustable; 1.2÷37V; 0.1A; TO92; THT
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; linear
Output voltage: 1.2...37V
Output current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TM1X-F085 FAN3223-F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; -5÷5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMPX FAN3223-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; WDFN8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: WDFN8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TUM1X-F085 FAN3223-F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8-EP
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8-EP
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TUMX-F085 FAN3223-F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; -5÷5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 12ns
Pulse fall time: 9ns
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2575D2T-5R4G lm2575-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; D2PAK-5; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934G 1N4933_7.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59-10,DO41; bulk
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59-10; DO41
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934RLG 1N4933-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Ifsm: 30A; DO41; reel,tape; 300ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 300ns
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ18VALT1G MMBZ_ser.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 1.6A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 14.5V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
на замовлення 33050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.22 грн
72+5.94 грн
85+5.01 грн
129+3.31 грн
152+2.81 грн
250+2.34 грн
500+2.12 грн
1000+1.93 грн
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ18VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 1.6A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 14.5V
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429S3ST huf76429s3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 110W; TO263AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Case: TO263AB
On-state resistance: 25mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOCD223M description MOCD223M.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 2.5kV; Uce: 30V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 500-1000%@1mA
Collector-emitter voltage: 30V
Case: SO8
Turn-on time: 8µs
Turn-off time: 55µs
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.35 грн
11+42.08 грн
25+38.43 грн
30+37.75 грн
50+35.80 грн
100+33.26 грн
500+27.15 грн
750+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PG nxh020f120mnf1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTG nxh020f120mnf1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PG nxh020p120mnf1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTG nxh020p120mnf1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6356QMTWTXG ncv6356-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; SMD; reel,tape; automotive industry
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14049UBDR2G description MC14049UB-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,hex,inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; SOIC16
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...18V DC
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC16
Kind of integrated circuit: buffer; hex; inverter
Number of channels: 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA28 description MMBTA28.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 0.35W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.67 грн
50+21.46 грн
100+17.73 грн
500+9.50 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YET1G DTA114Y-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
319+1.43 грн
417+1.02 грн
435+0.98 грн
500+0.93 грн
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YM3T5G DTA114Y-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 8000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.05 грн
59+7.30 грн
67+6.36 грн
98+4.36 грн
115+3.70 грн
500+2.58 грн
1000+2.22 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT3G dta114y-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.14 грн
73+5.85 грн
85+5.01 грн
104+4.09 грн
120+3.56 грн
500+2.72 грн
1000+2.37 грн
3000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G dta144e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23; TO236AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4153NT1G description NTA4153N.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.915A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.27 грн
36+11.88 грн
100+5.99 грн
200+4.99 грн
500+4.10 грн
750+3.82 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-SENSE-DB-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSL10-SENSE-GEVK RSL10_Sensor_Dev_Kit.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation
Type of development kit: evaluation
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP186BMX180TAG NCP186.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 1.4A; XDFN8; SMD
Manufacturer series: NCP186x
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 1.8...5.5V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.285V
Operating temperature: -40...125°C
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: XDFN8
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP176BMX180TCG ncp176-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 500mA; XDFN6; SMD
Manufacturer series: NCP176
Tolerance: ±1.5%
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 1.4...5.5V
Output current: 0.5A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.275V
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 1.8V
Case: XDFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8720BMT180TBG ncv8720-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.35A; WDFN6; SMD
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output current: 0.35A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8570BMN180R2G ncv8570b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.2A; DFN6; SMD
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output current: 0.2A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8720BMTW180TBG ncv8720-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.8V; 0.35A; WDFN6; SMD
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output current: 0.35A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Application: automotive industry
Output voltage: 1.8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2411 2412 2413 2414 2415 2416 2417 2418 2419 2420 2421 2430 2434  Наступна Сторінка >> ]