Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145591) > Сторінка 2412 з 2427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2407 2408 2409 2410 2411 2412 2413 2414 2415 2416 2417 2420 2427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
fds9945 fds9945 ONSEMI FDS9945.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
8+54.34 грн
10+47.55 грн
25+39.50 грн
50+34.22 грн
100+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT241ADTG MC74HCT241ADTG ONSEMI mc74hct241a-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS,TTL
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Quiescent current: 160µA
Kind of package: tube
Case: TSSOP20
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+80.51 грн
75+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT241ADTR2G MC74HCT241ADTR2G ONSEMI MC74HCT241A-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line receiver,line driver
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; line receiver; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1G ONSEMI nsvj5908dsg5-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.3W; MCPH5; common source
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.3W
Case: MCPH5
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common source
Application: automotive industry
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC34152DR2G MC34152DR2G ONSEMI mc34152-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ONSEMI ISL9V5036.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 31A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.49 грн
5+250.76 грн
10+231.47 грн
50+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DFT2G ONSEMI mc74vhc1g132-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAG NVTFS5116PLWFTAG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFNW8
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
200+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+50.57 грн
50+41.76 грн
100+38.24 грн
200+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTAG ONSEMI nrts6100tfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: WDFN8
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTWG ONSEMI nrts6100tfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: WDFN8
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTXG ONSEMI nrts6100tfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: WDFN8
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.55 грн
43+9.90 грн
50+8.55 грн
69+6.09 грн
100+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC7812BDTRKG MC7812BDTRKG ONSEMI MC78xx.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 1A; DPAK; SMD; MC7800
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 12V
Output current: 1A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC7800
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 15.5...27V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC7812BD2TR4G MC7812BD2TR4G ONSEMI MC78xx.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 1A; D2PAK; SMD; MC7800
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 12V
Output current: 1A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC7800
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 15.5...27V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDP12N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.09 грн
10+104.83 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS FDB12N50FTM-WS ONSEMI fdb12n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.7Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM FDB12N50TM ONSEMI FDB12N50TM-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS; UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.65Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHCT86ADR2G MC74VHCT86ADR2G ONSEMI 488_MC74VHC86-D.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -55÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: VHCT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHCT86ADTR2G MC74VHCT86ADTR2G ONSEMI MC74VHCT86A-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; level shifter; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: VHCT
Manufacturer series: VHCT
Kind of integrated circuit: level shifter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSL306LRN ONSEMI fsl306lr-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 450mA; 650V; 50kHz; Ch: 1
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.45A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: buck; buck-boost; flyback
Input voltage: 85...265V
On-state resistance: 18Ω
Kind of package: tube
Power: 3/7W
Application: SMPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSL306LRLX ONSEMI fsl306lr-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 450mA; 650V; 50kHz; Ch: 1
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.45A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: LSOP7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: buck; buck-boost; flyback
Input voltage: 85...265V
On-state resistance: 18Ω
Kind of package: reel; tape
Power: 3/7W
Application: SMPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 SS24 ONSEMI S210.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 SS24 ONSEMI S210.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI BYW29-200G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; Ifsm: 100A; TO220AC; tube; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.28 грн
7+63.99 грн
10+52.75 грн
50+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI ECH8695R.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Application: charging control
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 11A
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
11+38.24 грн
100+26.75 грн
500+21.39 грн
1000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QED123 QED123 ONSEMI QED123.pdf Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC
Radiant power: 70mW
Mounting: THT
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
Wavelength: 880nm
Shape: round
Viewing angle: 16°
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: diffused; orange
Operating voltage: 1.7V DC
LED current: 100mA
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
17+25.49 грн
25+21.72 грн
100+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI FDB28N30TM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.73 грн
4+135.86 грн
10+111.54 грн
20+103.15 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335ADMADJR2G ONSEMI ncp3335a-d.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷10V; 500mA
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.34V
Output voltage: 1.25...10V
Output current: 0.5A
Case: Micro8
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP3335A
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±1.5%
Number of channels: 2
Input voltage: 2.6...12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS3201T3G MBRS3201T3G ONSEMI MBRS3201T3G-DTE.PDF description Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.59V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.61 грн
9+47.13 грн
10+42.44 грн
50+34.13 грн
100+31.20 грн
250+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33201DR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Ch: 1; ±900mVDC÷6VDC,1.8÷12VDC
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Voltage supply range: ± 900mV DC...6V DC; 1.8...12V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 100nA
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 2.2MHz
Input offset voltage: 9mV
Slew rate: 1V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Input bias current: 0.25µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33201VDR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Ch: 1; ±900mVDC÷6VDC,1.8÷12VDC
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -55...125°C
Voltage supply range: ± 900mV DC...6V DC; 1.8...12V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 2.2MHz
Input offset voltage: 13mV
Slew rate: 1V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Input bias current: 0.5µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT240MTCX MM74HCT240MTCX ONSEMI mm74hct244-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,inverting,line driver; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; inverting; line driver
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Kind of output: 3-state
Technology: CMOS; TTL
Quiescent current: 160µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S ONSEMI NTH4L013N120M3S-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 505A
Gate charge: 254nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 107A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 29mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14024BDR2G MC14024BDR2G ONSEMI mc14024b-d.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 7bit,asynchronous,binary counter; CMOS; SMD; SO14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 7bit; asynchronous; binary counter
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 600µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14024BDR2G NLV14024BDR2G ONSEMI mc14024b-d.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; asynchronous counter; TTL; SMD; SO14; HEF4000B; 600uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: asynchronous counter
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 600µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS84LT1G BVSS84LT1G ONSEMI BSS84LT1-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
23+18.79 грн
26+16.19 грн
50+11.24 грн
100+9.64 грн
500+7.04 грн
1000+6.29 грн
1500+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC100ELT23DR2G MC100ELT23DR2G ONSEMI MC100ELT23DG.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; logic level voltage translator; Ch: 2; 4.75÷5.25VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.75...5.25V DC
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 4
Number of outputs: 2
Manufacturer series: 100ELT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AG ONSEMI mjw3281a-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 200W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 230V
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD6050LT1G MMBD6050LT1G ONSEMI mmbd6050lt1-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.4W
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Case: SOT23
Capacitance: 5pF
Type of diode: switching
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
60+7.04 грн
68+6.21 грн
102+4.13 грн
123+3.43 грн
500+2.28 грн
1000+1.92 грн
1500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX14DR2G ONSEMI MC74LVX14-D.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; hex,inverter,Schmitt trigger; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14NB
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Family: LVX
Manufacturer series: LVX
Integrated circuit features: tolerates a voltage of 5V on the inputs
Kind of integrated circuit: hex; inverter; Schmitt trigger
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX14DTR2G MC74LVX14DTR2G ONSEMI mc74lvx14-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷3.6VDC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Family: LVX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX4245DWR2G MC74LVX4245DWR2G ONSEMI mc74lvx4245-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver,translator; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver; translator
Number of channels: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO24
Manufacturer series: LVX
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Quiescent current: 80µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20150V ONSEMI fsv20150v-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO277; SMD; 150V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO277
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 270A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 ONSEMI FCP125N65S3R0-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 ONSEMI FCB125N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 ONSEMI FCH125N65S3R0-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3 ONSEMI FCP125N65S3-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3 NVB125N65S3 ONSEMI nvb125n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 ONSEMI FCPF125N65S3-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H ONSEMI nthl125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H NTPF125N65S3H ONSEMI ntpf125n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 ONSEMI nvhl025n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214T1G ONSEMI MUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
59+7.13 грн
88+4.80 грн
105+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.37 грн
3000+1.95 грн
6000+1.75 грн
9000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113EM3T5G DTA113EM3T5G ONSEMI dta113e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.26W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Current gain: 3...5
на замовлення 23945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
125+3.61 грн
132+3.19 грн
136+3.09 грн
143+2.95 грн
250+2.83 грн
500+2.71 грн
1000+2.58 грн
2000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2111T1G MUN2111T1G ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 35...60
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.55 грн
46+9.23 грн
55+7.63 грн
105+4.03 грн
500+2.73 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2113T1G MUN2113T1G ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...140
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
49+8.72 грн
57+7.38 грн
108+3.91 грн
500+2.50 грн
1000+2.21 грн
3000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN2111T1G SMUN2111T1G ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2213T1G MUN2213T1G ONSEMI MUN2213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
59+7.13 грн
100+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 FDS9945.pdf
fds9945
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.06 грн
8+54.34 грн
10+47.55 грн
25+39.50 грн
50+34.22 грн
100+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT241ADTG mc74hct241a-d.pdf
MC74HCT241ADTG
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS,TTL
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
Quiescent current: 160µA
Kind of package: tube
Case: TSSOP20
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.48 грн
10+80.51 грн
75+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT241ADTR2G MC74HCT241A-D.pdf
MC74HCT241ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line receiver,line driver
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; line receiver; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1G nsvj5908dsg5-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.3W; MCPH5; common source
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.3W
Case: MCPH5
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common source
Application: automotive industry
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC34152DR2G mc34152-d.pdf
MC34152DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9V5036S3ST ISL9V5036.pdf
ISL9V5036S3ST
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 390V
Collector current: 31A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.49 грн
5+250.76 грн
10+231.47 грн
50+204.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DFT2G mc74vhc1g132-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLWFTAG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFNW8
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.93 грн
200+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTAG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
10+50.57 грн
50+41.76 грн
100+38.24 грн
200+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTAG nrts6100tfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: WDFN8
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTWG nrts6100tfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: WDFN8
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRTS6100TFSTXG nrts6100tfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Case: WDFN8
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.62V
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1.PDF
MUN5213DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.55 грн
43+9.90 грн
50+8.55 грн
69+6.09 грн
100+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC7812BDTRKG MC78xx.pdf
MC7812BDTRKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 1A; DPAK; SMD; MC7800
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 12V
Output current: 1A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC7800
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 15.5...27V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC7812BD2TR4G MC78xx.pdf
MC7812BD2TR4G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; 12V; 1A; D2PAK; SMD; MC7800
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 2V
Output voltage: 12V
Output current: 1A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: MC7800
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: 15.5...27V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDP12N50.pdf
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.09 грн
10+104.83 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS fdb12n50f-d.pdf
FDB12N50FTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.7Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM FDB12N50TM-D.pdf
FDB12N50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS; UniFET™
Drain current: 6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.65Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHCT86ADR2G 488_MC74VHC86-D.PDF
MC74VHCT86ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; 2÷5.5VDC; -55÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: VHCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHCT86ADTR2G MC74VHCT86A-D.pdf
MC74VHCT86ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; level shifter; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: VHCT
Manufacturer series: VHCT
Kind of integrated circuit: level shifter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSL306LRN fsl306lr-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 450mA; 650V; 50kHz; Ch: 1
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.45A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Topology: buck; buck-boost; flyback
Input voltage: 85...265V
On-state resistance: 18Ω
Kind of package: tube
Power: 3/7W
Application: SMPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSL306LRLX fsl306lr-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 450mA; 650V; 50kHz; Ch: 1
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.45A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: LSOP7
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: buck; buck-boost; flyback
Input voltage: 85...265V
On-state resistance: 18Ω
Kind of package: reel; tape
Power: 3/7W
Application: SMPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 S210.pdf
SS24
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24 S210.pdf
SS24
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G description BYW29-200G.PDF
BYW29-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; Ifsm: 100A; TO220AC; tube; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.28 грн
7+63.99 грн
10+52.75 грн
50+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R.PDF
ECH8695R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Application: charging control
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 11A
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.58 грн
11+38.24 грн
100+26.75 грн
500+21.39 грн
1000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QED123 QED123.pdf
QED123
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC
Radiant power: 70mW
Mounting: THT
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
Wavelength: 880nm
Shape: round
Viewing angle: 16°
Type of diode: IR transmitter
LED diameter: 5mm
LED lens: diffused; orange
Operating voltage: 1.7V DC
LED current: 100mA
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
17+25.49 грн
25+21.72 грн
100+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.73 грн
4+135.86 грн
10+111.54 грн
20+103.15 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335ADMADJR2G ncp3335a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷10V; 500mA
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.34V
Output voltage: 1.25...10V
Output current: 0.5A
Case: Micro8
Mounting: SMD
Manufacturer series: NCP3335A
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±1.5%
Number of channels: 2
Input voltage: 2.6...12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS3201T3G description MBRS3201T3G-DTE.PDF
MBRS3201T3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 200V; 3A; reel,tape
Case: SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.59V
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.61 грн
9+47.13 грн
10+42.44 грн
50+34.13 грн
100+31.20 грн
250+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33201DR2G mc33201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Ch: 1; ±900mVDC÷6VDC,1.8÷12VDC
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...105°C
Voltage supply range: ± 900mV DC...6V DC; 1.8...12V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 100nA
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 2.2MHz
Input offset voltage: 9mV
Slew rate: 1V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Input bias current: 0.25µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33201VDR2G mc33201-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 2.2MHz; Ch: 1; ±900mVDC÷6VDC,1.8÷12VDC
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -55...125°C
Voltage supply range: ± 900mV DC...6V DC; 1.8...12V DC
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 200nA
Number of channels: single; 1
Bandwidth: 2.2MHz
Input offset voltage: 13mV
Slew rate: 1V/μs
Type of integrated circuit: operational amplifier
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Input bias current: 0.5µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT240MTCX mm74hct244-d.pdf
MM74HCT240MTCX
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,inverting,line driver; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; inverting; line driver
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Kind of output: 3-state
Technology: CMOS; TTL
Quiescent current: 160µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S NTH4L013N120M3S-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 107A; Idm: 505A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 505A
Gate charge: 254nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 107A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 29mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14024BDR2G mc14024b-d.pdf
MC14024BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 7bit,asynchronous,binary counter; CMOS; SMD; SO14
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 7bit; asynchronous; binary counter
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 600µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14024BDR2G mc14024b-d.pdf
NLV14024BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; asynchronous counter; TTL; SMD; SO14; HEF4000B; 600uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: asynchronous counter
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Family: HEF4000B
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 600µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS84LT1G BSS84LT1-D.PDF
BVSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.19 грн
23+18.79 грн
26+16.19 грн
50+11.24 грн
100+9.64 грн
500+7.04 грн
1000+6.29 грн
1500+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC100ELT23DR2G MC100ELT23DG.pdf
MC100ELT23DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; logic level voltage translator; Ch: 2; 4.75÷5.25VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.75...5.25V DC
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 4
Number of outputs: 2
Manufacturer series: 100ELT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AG mjw3281a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 200W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 230V
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD6050LT1G mmbd6050lt1-d.pdf
MMBD6050LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.4W
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Case: SOT23
Capacitance: 5pF
Type of diode: switching
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.03 грн
60+7.04 грн
68+6.21 грн
102+4.13 грн
123+3.43 грн
500+2.28 грн
1000+1.92 грн
1500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX14DR2G MC74LVX14-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; hex,inverter,Schmitt trigger; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO14NB
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Family: LVX
Manufacturer series: LVX
Integrated circuit features: tolerates a voltage of 5V on the inputs
Kind of integrated circuit: hex; inverter; Schmitt trigger
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX14DTR2G mc74lvx14-d.pdf
MC74LVX14DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷3.6VDC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOT
Number of channels: hex; 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Family: LVX
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX4245DWR2G mc74lvx4245-d.pdf
MC74LVX4245DWR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bidirectional,transceiver,translator; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; transceiver; translator
Number of channels: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO24
Manufacturer series: LVX
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Quiescent current: 80µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDB3632.pdf
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20150V fsv20150v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO277; SMD; 150V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO277
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 270A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0-D.PDF
FCP125N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3-D.PDF
FCB125N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3 FCP125N65S3-D.PDF
FCP125N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3 nvb125n65s3-d.pdf
NVB125N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3-D.PDF
FCPF125N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 171W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 171W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF125N65S3H ntpf125n65s3h-d.pdf
NTPF125N65S3H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 67A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL025N65S3 nvhl025n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; Idm: 300A; 595W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2214T1G MUN2214.PDF
MUN2214T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
59+7.13 грн
88+4.80 грн
105+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.37 грн
3000+1.95 грн
6000+1.75 грн
9000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113EM3T5G dta113e-d.pdf
DTA113EM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.26W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Current gain: 3...5
на замовлення 23945 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+3.61 грн
132+3.19 грн
136+3.09 грн
143+2.95 грн
250+2.83 грн
500+2.71 грн
1000+2.58 грн
2000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2111T1G dta114e-d.pdf
MUN2111T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 35...60
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.55 грн
46+9.23 грн
55+7.63 грн
105+4.03 грн
500+2.73 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2113T1G dta144e-d.pdf
MUN2113T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...140
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
49+8.72 грн
57+7.38 грн
108+3.91 грн
500+2.50 грн
1000+2.21 грн
3000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN2111T1G dta114e-d.pdf
SMUN2111T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2213T1G MUN2213.PDF
MUN2213T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
59+7.13 грн
100+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1936 2178 2407 2408 2409 2410 2411 2412 2413 2414 2415 2416 2417 2420 2427  [ Наступна Сторінка >> ]