Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар
FDD5N60NZ-D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар
Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 34,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 3 шт
  • 3 шт - очікується
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking VIKING-AL.pdf Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; R: 700mΩ; ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Resonant frequency: 6GHz
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Tolerance: ±0,1nH
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
500+0.99 грн
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Inc. BIDD05N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.09 грн
5000+38.74 грн
7500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDD05N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Inc. BIDD05N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+92.95 грн
100+62.94 грн
500+47.01 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1 DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di1a5n60d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 8Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 7.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.97A
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
23+18.45 грн
33+12.95 грн
100+11.60 грн
250+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: SuperFET®
Drain current: 2.9A
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.53 грн
5+115.97 грн
10+91.42 грн
25+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi FCU5N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.04 грн
10+120.07 грн
50+91.61 грн
100+77.35 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi FCU5N60-D.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi FCU5N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM Fairchild info-tfcd5n60tm.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi FCU5N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.04 грн
10+120.07 грн
50+91.61 грн
100+77.35 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi FCU5N60-D.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N60E FCH165N60E onsemi FCH165N60E-D.PDF MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi fcp165n60e-d.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI FDD5N60NZ-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.54 грн
5+89.56 грн
10+75.68 грн
25+60.61 грн
50+52.06 грн
100+45.71 грн
250+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi FDD5N60NZ-D.pdf MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi FDD5N60NZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.77 грн
5000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi FDD5N60NZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 23213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.71 грн
10+81.82 грн
50+61.60 грн
100+51.67 грн
500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi fqu5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.50 грн
10+82.74 грн
50+62.29 грн
100+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi fqu5n60c-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 44571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C FQP5N60C Fairchild info-tfqp5n60c.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60T IGB15N60T Infineon Technologies Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 130W
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.30 грн
5+116.82 грн
10+107.51 грн
50+85.50 грн
100+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies infineon_igb15n60t_datasheet_en.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 130W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.98 грн
10+99.89 грн
20+86.34 грн
50+62.64 грн
100+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.86 грн
10+278.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.26 грн
30+199.89 грн
120+165.35 грн
510+131.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon info-tigw75n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+205.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 28ns
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 130W
Gate charge: 87nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.36 грн
5+138.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.61 грн
10+133.25 грн
100+92.06 грн
500+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 26ns
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+151.33 грн
5+117.67 грн
10+103.27 грн
50+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies infineon_ikd15n60r_ds_en.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.27 грн
5000+39.81 грн
7500+38.37 грн
12500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 13234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
10+95.16 грн
100+64.52 грн
500+48.24 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.24 грн
10+85.40 грн
100+57.62 грн
500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF IKD15N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.68 грн
10+106.66 грн
100+72.77 грн
500+54.68 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Infineon info-tikp15n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 85ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+484.07 грн
5+413.94 грн
10+391.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon IKW75N60T_Rev2_6G.pdf description IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Транзистори
на замовлення 70 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+276.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T IKW75N60T Infineon info-tikw75n60t.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+484.07 грн
5+391.09 грн
10+364.85 грн
15+354.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN.pdf Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
30+170.02 грн
120+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+690.69 грн
30+390.55 грн
120+330.18 грн
510+268.35 грн
1020+263.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1 IXXH75N60B3D1 IXYS DS100328BIXXH75N60B3D1.pdf Description: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.03 грн
30+459.68 грн
120+390.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M5N60-0000-000 M83-LML3M5N60-0000-000 Harwin Inc. PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 120V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3687.61 грн
16+2919.74 грн
104+2558.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi nthl185n60s5h-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N60S5H NTP125N60S5H onsemi ntp125n60s5h-d.pdf MOSFETs SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi ntp185n60s5h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.69 грн
10+188.56 грн
50+146.90 грн
100+125.28 грн
500+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi ntp185n60s5h-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO220-3
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5F onsemi nvb055n60s5f-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM D2PAK
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар
FDD5N60NZ-D.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар
Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 34,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 3 шт
  • 3 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 VIKING-AL.pdf
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; R: 700mΩ; ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Resonant frequency: 6GHz
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Tolerance: ±0,1nH
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+0.99 грн
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.09 грн
5000+38.74 грн
7500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T Bourns_7-25-2022_BIDD05N60T_datasheet.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.11 грн
10+92.95 грн
100+62.94 грн
500+47.01 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1 di1a5n60d1.pdf
DI1A5N60D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 8Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 7.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.97A
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
23+18.45 грн
33+12.95 грн
100+11.60 грн
250+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.95Ω
Power dissipation: 54W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: SuperFET®
Drain current: 2.9A
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.53 грн
5+115.97 грн
10+91.42 грн
25+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.04 грн
10+120.07 грн
50+91.61 грн
100+77.35 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM info-tfcd5n60tm.pdf
FCD5N60TM
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.04 грн
10+120.07 грн
50+91.61 грн
100+77.35 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N60E FCH165N60E-D.PDF
FCH165N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZ-D.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+128.54 грн
5+89.56 грн
10+75.68 грн
25+60.61 грн
50+52.06 грн
100+45.71 грн
250+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZ-D.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZ-D.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.77 грн
5000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZ-D.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 23213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.71 грн
10+81.82 грн
50+61.60 грн
100+51.67 грн
500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.50 грн
10+82.74 грн
50+62.29 грн
100+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 44571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C info-tfqp5n60c.pdf
FQP5N60C
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60T Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IGB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 130W
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.30 грн
5+116.82 грн
10+107.51 грн
50+85.50 грн
100+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 infineon_igb15n60t_datasheet_en.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60T-DTE.pdf
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 130W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.98 грн
10+99.89 грн
20+86.34 грн
50+62.64 грн
100+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+372.86 грн
10+278.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
IGW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.26 грн
30+199.89 грн
120+165.35 грн
510+131.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 info-tigw75n60t.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+205.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 28ns
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 130W
Gate charge: 87nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.36 грн
5+138.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a
IKB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.61 грн
10+133.25 грн
100+92.06 грн
500+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 26ns
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+151.33 грн
5+117.67 грн
10+103.27 грн
50+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 infineon_ikd15n60r_ds_en.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.27 грн
5000+39.81 грн
7500+38.37 грн
12500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 13234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.28 грн
10+95.16 грн
100+64.52 грн
500+48.24 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.24 грн
10+85.40 грн
100+57.62 грн
500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN.pdf
IKD15N60RF
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a
IKD15N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.68 грн
10+106.66 грн
100+72.77 грн
500+54.68 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a
IKD15N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 info-tikp15n60t.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 85ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+484.07 грн
5+413.94 грн
10+391.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description IKW75N60T_Rev2_6G.pdf
Виробник: Infineon
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 Транзистори
на замовлення 70 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+276.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description info-tikw75n60t.pdf
IKW75N60T
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+311.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+484.07 грн
5+391.09 грн
10+364.85 грн
15+354.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon-IKW75N60T-DS-v02_08-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+170.02 грн
120+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
IKW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+690.69 грн
30+390.55 грн
120+330.18 грн
510+268.35 грн
1020+263.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+311.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1 DS100328BIXXH75N60B3D1.pdf
IXXH75N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+803.03 грн
30+459.68 грн
120+390.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
M83-LML3M5N60-0000-000 PD004-Product-Datasheet-Datamate-range-signal-connectors-HRi.pdf
M83-LML3M5N60-0000-000
Виробник: Harwin Inc.
Description: CONN HEADER R/A 60POS 2MM
Features: Mating Flange, Mounting Flange, Mounting Hardware
Packaging: Bulk
Connector Type: Header
Voltage Rating: 120V
Current Rating (Amps): 2.2A per Contact
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 60
Number of Rows: 3
Style: Board to Board or Cable
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Contact Type: Male Pin
Fastening Type: Threaded
Number of Positions Loaded: All
Termination: Solder
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Contact Material: Phosphor Bronze
Insulation Color: Black
Pitch - Mating: 0.079" (2.00mm)
Contact Finish - Mating: Gold
Contact Finish Thickness - Mating: 29.5µin (0.75µm)
Contact Shape: Circular
Contact Length - Post: 0.157" (4.00mm)
Insulation Height: 0.303" (7.70mm)
Shrouding: Shrouded - 4 Wall
Insulation Material: Polyphenylene Sulfide (PPS), Glass Filled
Row Spacing - Mating: 0.079" (2.00mm)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3687.61 грн
16+2919.74 грн
104+2558.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H nthl185n60s5h-d.pdf
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N60S5H ntp125n60s5h-d.pdf
NTP125N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H ntp185n60s5h-d.pdf
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.69 грн
10+188.56 грн
50+146.90 грн
100+125.28 грн
500+103.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H ntp185n60s5h-d.pdf
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO220-3
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5F nvb055n60s5f-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM D2PAK
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]