Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+0.92 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
300+1.10 грн
1000+0.72 грн
10000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.09 грн
10+78.76 грн
100+62.56 грн
500+55.95 грн
1000+50.99 грн
2500+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E onsemi / Fairchild FCP125N60E-D.pdf MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.04 грн
10+222.81 грн
800+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E-D.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.23 грн
10+161.50 грн
100+129.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.74 грн
10+62.27 грн
22+42.63 грн
60+40.29 грн
250+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.07 грн
5+84.42 грн
10+74.72 грн
22+51.16 грн
60+48.34 грн
250+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.30 грн
10+57.00 грн
100+41.00 грн
500+35.30 грн
1000+33.94 грн
2500+30.94 грн
5000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.79 грн
5+107.17 грн
10+97.00 грн
12+79.01 грн
33+74.32 грн
100+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.75 грн
5+133.55 грн
10+116.40 грн
12+94.81 грн
33+89.18 грн
100+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.94 грн
10+94.13 грн
100+55.05 грн
500+43.63 грн
1000+38.45 грн
2000+35.30 грн
5000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.06 грн
10+73.53 грн
15+62.58 грн
41+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 IGW75N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.35 грн
10+350.63 грн
100+247.07 грн
480+219.29 грн
1200+186.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.39 грн
5+223.73 грн
12+211.21 грн
30+203.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+299.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+299.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.87 грн
10+115.73 грн
100+69.77 грн
500+55.65 грн
1000+51.22 грн
2000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.49 грн
5+145.50 грн
7+143.15 грн
10+130.64 грн
25+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.39 грн
5+181.32 грн
7+171.79 грн
10+156.77 грн
25+155.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.80 грн
5+111.08 грн
10+97.00 грн
11+84.48 грн
30+79.79 грн
50+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.96 грн
5+138.43 грн
10+116.40 грн
11+101.38 грн
30+95.75 грн
50+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.00 грн
10+67.19 грн
100+43.56 грн
500+36.20 грн
1000+33.94 грн
2500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.23 грн
10+564.81 грн
100+408.53 грн
480+364.22 грн
1200+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.48 грн
10+110.30 грн
12+82.92 грн
31+78.23 грн
100+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.98 грн
10+137.45 грн
12+99.50 грн
31+93.87 грн
100+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+308.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.95 грн
3+430.25 грн
6+406.78 грн
10+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+641.94 грн
3+536.15 грн
6+488.13 грн
10+482.50 грн
30+469.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+308.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4539.08 грн
3+4093.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5446.89 грн
3+5101.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi NTHL185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.18 грн
10+293.63 грн
120+163.71 грн
510+161.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi NTP185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.16 грн
10+210.72 грн
100+123.16 грн
500+102.13 грн
1000+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.19 грн
5+167.41 грн
8+129.07 грн
20+122.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.62 грн
5+208.61 грн
8+154.89 грн
20+146.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.06 грн
10+177.91 грн
100+111.90 грн
500+91.62 грн
1000+88.62 грн
2000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.49 грн
10+277.22 грн
100+172.72 грн
500+168.22 грн
1000+142.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.12 грн
10+329.04 грн
100+262.84 грн
500+234.30 грн
1000+233.55 грн
2000+230.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.35 грн
10+156.32 грн
100+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.92 грн
10+222.81 грн
100+138.93 грн
500+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb35n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.38 грн
10+352.36 грн
100+270.35 грн
500+240.31 грн
1000+224.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.80 грн
10+287.59 грн
2000+244.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.85 грн
10+149.41 грн
100+122.41 грн
500+99.88 грн
1000+96.13 грн
2000+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.81 грн
10+379.13 грн
100+266.60 грн
500+237.31 грн
1000+202.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.72 грн
10+329.04 грн
100+247.07 грн
500+243.32 грн
2500+232.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.90 грн
10+231.45 грн
100+168.97 грн
500+162.21 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg125n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.88 грн
10+231.45 грн
100+191.50 грн
500+184.74 грн
1000+172.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.01 грн
5+231.55 грн
6+177.57 грн
15+167.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.61 грн
5+288.55 грн
6+213.09 грн
15+200.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.93 грн
10+215.04 грн
100+140.43 грн
500+124.66 грн
1000+117.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+0.92 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.10 грн
1000+0.72 грн
10000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.09 грн
10+78.76 грн
100+62.56 грн
500+55.95 грн
1000+50.99 грн
2500+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E-D.pdf
FCP125N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.04 грн
10+222.81 грн
800+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E-D.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.23 грн
10+161.50 грн
100+129.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.74 грн
10+62.27 грн
22+42.63 грн
60+40.29 грн
250+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.07 грн
5+84.42 грн
10+74.72 грн
22+51.16 грн
60+48.34 грн
250+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.30 грн
10+57.00 грн
100+41.00 грн
500+35.30 грн
1000+33.94 грн
2500+30.94 грн
5000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.79 грн
5+107.17 грн
10+97.00 грн
12+79.01 грн
33+74.32 грн
100+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.75 грн
5+133.55 грн
10+116.40 грн
12+94.81 грн
33+89.18 грн
100+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.94 грн
10+94.13 грн
100+55.05 грн
500+43.63 грн
1000+38.45 грн
2000+35.30 грн
5000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.06 грн
10+73.53 грн
15+62.58 грн
41+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf
IGW75N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.35 грн
10+350.63 грн
100+247.07 грн
480+219.29 грн
1200+186.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.39 грн
5+223.73 грн
12+211.21 грн
30+203.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+299.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+299.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf
IKB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.87 грн
10+115.73 грн
100+69.77 грн
500+55.65 грн
1000+51.22 грн
2000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.49 грн
5+145.50 грн
7+143.15 грн
10+130.64 грн
25+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.39 грн
5+181.32 грн
7+171.79 грн
10+156.77 грн
25+155.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.80 грн
5+111.08 грн
10+97.00 грн
11+84.48 грн
30+79.79 грн
50+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.96 грн
5+138.43 грн
10+116.40 грн
11+101.38 грн
30+95.75 грн
50+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.00 грн
10+67.19 грн
100+43.56 грн
500+36.20 грн
1000+33.94 грн
2500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf
IKFW75N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.23 грн
10+564.81 грн
100+408.53 грн
480+364.22 грн
1200+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.48 грн
10+110.30 грн
12+82.92 грн
31+78.23 грн
100+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.98 грн
10+137.45 грн
12+99.50 грн
31+93.87 грн
100+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+308.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.95 грн
3+430.25 грн
6+406.78 грн
10+402.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.94 грн
3+536.15 грн
6+488.13 грн
10+482.50 грн
30+469.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+308.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4539.08 грн
3+4093.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 580ns
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5446.89 грн
3+5101.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H-D.PDF
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.18 грн
10+293.63 грн
120+163.71 грн
510+161.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H-D.PDF
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.16 грн
10+210.72 грн
100+123.16 грн
500+102.13 грн
1000+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.19 грн
5+167.41 грн
8+129.07 грн
20+122.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.62 грн
5+208.61 грн
8+154.89 грн
20+146.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.06 грн
10+177.91 грн
100+111.90 грн
500+91.62 грн
1000+88.62 грн
2000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.49 грн
10+277.22 грн
100+172.72 грн
500+168.22 грн
1000+142.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.12 грн
10+329.04 грн
100+262.84 грн
500+234.30 грн
1000+233.55 грн
2000+230.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.35 грн
10+156.32 грн
100+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.92 грн
10+222.81 грн
100+138.93 грн
500+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.38 грн
10+352.36 грн
100+270.35 грн
500+240.31 грн
1000+224.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 sihf065n60e.pdf
SIHF065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.80 грн
10+287.59 грн
2000+244.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.85 грн
10+149.41 грн
100+122.41 грн
500+99.88 грн
1000+96.13 грн
2000+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
SIHF35N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.81 грн
10+379.13 грн
100+266.60 грн
500+237.31 грн
1000+202.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.72 грн
10+329.04 грн
100+247.07 грн
500+243.32 грн
2500+232.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.90 грн
10+231.45 грн
100+168.97 грн
500+162.21 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
SIHG125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.88 грн
10+231.45 грн
100+191.50 грн
500+184.74 грн
1000+172.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.01 грн
5+231.55 грн
6+177.57 грн
15+167.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.61 грн
5+288.55 грн
6+213.09 грн
15+200.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.93 грн
10+215.04 грн
100+140.43 грн
500+124.66 грн
1000+117.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]