Результат пошуку "40n120" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 240
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 450
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DACMI40N1200 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Operating temperature: -55...150°C Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DACMI40N1200 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Operating temperature: -55...150°C Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-off time: 440ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 960 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon |
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120A2 | IXYS | IGBT Transistors SGL IGBT 1200V, 80A |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120B2D1 | IXYS | IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120C3 | IXYS | IGBT Transistors 75Amps 1200V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120C3D1 | IXYS | IGBT Transistors 75Amps 1200V |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH40N120B4H1 | IXYS | IGBT Transistors IXYH40N120B4H1 |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH40N120C4H1 | IXYS | IGBT Transistors IXYH40N120C4H1 |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYK140N120A4 | IXYS | IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4 |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYN140N120A4 | IXYS | IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4 |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYX140N120A4 | IXYS | IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 461-470 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW40N120FLA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBT Transistors |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB40N120FL3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120M3S | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTC040N120SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die |
на замовлення 51 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120M3S | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL040N120M3S | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL040N120SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG040N120M3S | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG040N120SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N120M3S | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N120SC1 | onsemi | MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
DACMI40N1200 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3328.99 грн |
DACMI40N1200 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3994.79 грн |
IGW40N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 460.55 грн |
10+ | 397.62 грн |
25+ | 307.11 грн |
100+ | 281.57 грн |
240+ | 265.01 грн |
480+ | 224.29 грн |
1200+ | 213.25 грн |
IGW40N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 583.74 грн |
3+ | 414.8 грн |
6+ | 392.51 грн |
IGW40N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 700.48 грн |
3+ | 516.9 грн |
6+ | 471.01 грн |
IHW40N120R5XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 356.9 грн |
3+ | 298.34 грн |
4+ | 228.61 грн |
11+ | 215.67 грн |
IHW40N120R5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.32 грн |
IHW40N120R5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 312.4 грн |
10+ | 300 грн |
25+ | 212.56 грн |
100+ | 182.19 грн |
240+ | 178.74 грн |
480+ | 138.03 грн |
1200+ | 130.43 грн |
IKQ140N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1177.94 грн |
10+ | 1023.01 грн |
25+ | 865.42 грн |
50+ | 817.11 грн |
100+ | 768.81 грн |
240+ | 744.65 грн |
480+ | 696.34 грн |
IKQ40N120CH3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 737.52 грн |
10+ | 710.32 грн |
25+ | 503.11 грн |
100+ | 452.04 грн |
240+ | 451.35 грн |
480+ | 358.18 грн |
IKQ40N120CT2XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 754.43 грн |
10+ | 732.54 грн |
25+ | 515.53 грн |
100+ | 461.7 грн |
240+ | 461.01 грн |
480+ | 365.77 грн |
IKW40N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 546.7 грн |
10+ | 461.9 грн |
25+ | 364.39 грн |
100+ | 334.71 грн |
240+ | 314.7 грн |
480+ | 294.69 грн |
1200+ | 265.01 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 555.86 грн |
3+ | 355.85 грн |
7+ | 336.44 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 667.04 грн |
3+ | 443.44 грн |
7+ | 403.73 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.59 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 508.05 грн |
10+ | 429.36 грн |
25+ | 338.16 грн |
100+ | 310.56 грн |
240+ | 292.62 грн |
480+ | 273.98 грн |
1200+ | 247.07 грн |
IKW40N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 555.56 грн |
10+ | 542.86 грн |
25+ | 390.61 грн |
100+ | 352.66 грн |
240+ | 331.26 грн |
480+ | 279.5 грн |
1200+ | 266.39 грн |
IKW40N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 598.23 грн |
10+ | 505.56 грн |
25+ | 398.9 грн |
100+ | 366.46 грн |
240+ | 343.68 грн |
480+ | 322.98 грн |
1200+ | 314.7 грн |
IKW40N120H3 |
Виробник: Infineon
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 315.4 грн |
IKW40N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 574.07 грн |
10+ | 542.86 грн |
25+ | 394.75 грн |
100+ | 358.87 грн |
240+ | 346.45 грн |
480+ | 289.85 грн |
1200+ | 277.43 грн |
IKW40N120T2 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 647.34 грн |
10+ | 546.82 грн |
25+ | 431.33 грн |
100+ | 396.13 грн |
240+ | 372.67 грн |
480+ | 349.9 грн |
1200+ | 314.7 грн |
IKW40N120T2 |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 411.31 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 641.8 грн |
2+ | 457.21 грн |
3+ | 456.49 грн |
6+ | 432.05 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 770.16 грн |
2+ | 569.76 грн |
3+ | 547.79 грн |
6+ | 518.46 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 647.34 грн |
10+ | 636.51 грн |
25+ | 443.06 грн |
100+ | 396.13 грн |
240+ | 395.44 грн |
480+ | 314.01 грн |
1200+ | 300.9 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 316.42 грн |
IKY140N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1184.38 грн |
10+ | 1028.57 грн |
25+ | 870.94 грн |
50+ | 821.95 грн |
100+ | 774.33 грн |
240+ | 748.79 грн |
480+ | 701.17 грн |
IKY40N120CH3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 657 грн |
10+ | 626.98 грн |
25+ | 445.82 грн |
100+ | 403.73 грн |
240+ | 403.04 грн |
480+ | 319.53 грн |
1200+ | 305.04 грн |
IKY40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 228.66 грн |
IKY40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 536.23 грн |
10+ | 487.3 грн |
25+ | 362.32 грн |
100+ | 327.81 грн |
240+ | 276.05 грн |
480+ | 260.87 грн |
1200+ | 248.45 грн |
IKZA40N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 611.92 грн |
10+ | 517.46 грн |
25+ | 407.87 грн |
100+ | 374.74 грн |
240+ | 352.66 грн |
480+ | 329.88 грн |
1200+ | 297.45 грн |
IKZA40N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 661.03 грн |
10+ | 558.73 грн |
25+ | 440.3 грн |
100+ | 405.11 грн |
240+ | 380.26 грн |
480+ | 356.8 грн |
1200+ | 320.91 грн |
IXGH40N120A2 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors SGL IGBT 1200V, 80A
IGBT Transistors SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1365.54 грн |
10+ | 1186.51 грн |
30+ | 1004.14 грн |
60+ | 948.24 грн |
120+ | 892.34 грн |
270+ | 864.04 грн |
510+ | 808.14 грн |
IXGH40N120B2D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A
IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1318.03 грн |
10+ | 1144.44 грн |
30+ | 968.25 грн |
60+ | 913.73 грн |
120+ | 886.13 грн |
IXGH40N120C3 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75Amps 1200V
IGBT Transistors 75Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1086.96 грн |
10+ | 943.65 грн |
30+ | 799.17 грн |
60+ | 754.31 грн |
120+ | 710.14 грн |
270+ | 687.37 грн |
510+ | 643.2 грн |
IXGH40N120C3D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75Amps 1200V
IGBT Transistors 75Amps 1200V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1047.5 грн |
30+ | 836.51 грн |
60+ | 726.71 грн |
120+ | 708.76 грн |
IXYH40N120B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IXYH40N120B4H1
IGBT Transistors IXYH40N120B4H1
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 904.19 грн |
10+ | 785.71 грн |
30+ | 664.6 грн |
60+ | 628.02 грн |
120+ | 590.75 грн |
270+ | 572.81 грн |
510+ | 535.54 грн |
IXYH40N120C4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IXYH40N120C4H1
IGBT Transistors IXYH40N120C4H1
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 902.58 грн |
10+ | 783.33 грн |
30+ | 663.22 грн |
60+ | 625.95 грн |
120+ | 589.37 грн |
270+ | 570.74 грн |
510+ | 534.16 грн |
IXYK140N120A4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2863.12 грн |
25+ | 2771.43 грн |
500+ | 2302.97 грн |
IXYN140N120A4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3904.18 грн |
10+ | 3498.41 грн |
20+ | 2939.96 грн |
50+ | 2838.51 грн |
100+ | 2737.06 грн |
200+ | 2636.99 грн |
500+ | 2610.76 грн |
IXYX140N120A4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 300 шт:
термін постачання 461-470 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2863.93 грн |
10+ | 2822.22 грн |
MIW40N120FLA-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
IGBT Transistors
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 805.15 грн |
10+ | 680.16 грн |
25+ | 536.23 грн |
100+ | 492.75 грн |
250+ | 463.77 грн |
500+ | 435.47 грн |
1000+ | 391.3 грн |
NGTB40N120FL3WG |
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 586.96 грн |
10+ | 565.87 грн |
30+ | 354.04 грн |
120+ | 314.7 грн |
300+ | 293.31 грн |
600+ | 278.81 грн |
1050+ | 272.6 грн |
NTBG040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 982.29 грн |
10+ | 853.17 грн |
25+ | 721.88 грн |
50+ | 681.85 грн |
100+ | 641.82 грн |
250+ | 621.81 грн |
500+ | 581.78 грн |
NTBG040N120M3S |
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 584.54 грн |
NTBG040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1310.79 грн |
10+ | 1179.36 грн |
25+ | 982.75 грн |
50+ | 981.37 грн |
100+ | 919.25 грн |
250+ | 866.11 грн |
500+ | 863.35 грн |
NTBG040N120SC1 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 978.26 грн |
NTC040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
на замовлення 51 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1533.81 грн |
10+ | 1332.54 грн |
25+ | 1126.98 грн |
50+ | 1064.18 грн |
100+ | 1001.38 грн |
250+ | 970.32 грн |
500+ | 907.52 грн |
NTH4L040N120M3S |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 596.62 грн |
NTH4L040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1002.41 грн |
10+ | 870.63 грн |
25+ | 737.06 грн |
50+ | 695.65 грн |
100+ | 654.93 грн |
250+ | 634.23 грн |
450+ | 592.82 грн |
NTH4L040N120SC1 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 972.62 грн |
NTH4L040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1499.19 грн |
10+ | 1407.94 грн |
25+ | 1066.25 грн |
100+ | 1001.38 грн |
250+ | 999.31 грн |
450+ | 858.52 грн |
NTHL040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 953.3 грн |
10+ | 827.78 грн |
25+ | 700.48 грн |
50+ | 661.14 грн |
100+ | 621.81 грн |
250+ | 602.48 грн |
450+ | 563.84 грн |
NTHL040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1467.79 грн |
10+ | 1414.28 грн |
25+ | 1042.79 грн |
100+ | 986.89 грн |
450+ | 859.21 грн |
2700+ | 846.79 грн |
NVBG040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2250.4 грн |
10+ | 1971.43 грн |
25+ | 1599.03 грн |
50+ | 1549.34 грн |
100+ | 1498.96 грн |
250+ | 1398.89 грн |
500+ | 1278.81 грн |
NVBG040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1971.01 грн |
10+ | 1726.19 грн |
100+ | 1312.63 грн |
250+ | 1310.56 грн |
500+ | 1309.18 грн |
800+ | 1120.08 грн |
NVBG040N120SC1 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 1181.96 грн |
NVH4L040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1449.27 грн |
25+ | 1156.35 грн |
100+ | 946.86 грн |
450+ | 857.14 грн |
NVH4L040N120M3S |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 862.32 грн |
NVH4L040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1328.5 грн |
25+ | 1242.06 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]