Результат пошуку "5n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD5N60NZTM Код товару: 163415
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3 Код товару: 48611
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 650 V Idd,A: 34,6 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150 Монтаж: THT |
у наявності: 43 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
5N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
5N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
5N6001 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
5N60C | FAIRCHILD |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
AL02BT5N602 | Viking |
![]() Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH Mounting: SMD Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 6GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 0.7Ω Operating current: 0.31A Tolerance: ±0,1nH Inductance: 5.6nH Type of inductor: thin film Q factor: 16 |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AL02BT5N602 | Viking |
![]() Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH Mounting: SMD Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 6GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 0.7Ω Operating current: 0.31A Tolerance: ±0,1nH Inductance: 5.6nH Type of inductor: thin film Q factor: 16 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FCD5N60TM | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FCD5N60TM-WS | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP125N60E | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP165N60E | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD5N60CTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 24605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP5N60C | Fairchild |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKB15N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKFW75N60ETXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXKN75N60C | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKN75N60C | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTHL185N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTP125N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTP185N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA15N60E-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA15N60E-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA15N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA25N60EFL-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB065N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 9497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB065N60E-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB105N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 8024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB125N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB35N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHF35N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG085N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG125N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
FDD5N60NZTM Код товару: 163415
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
SPW35N60C3 Код товару: 48611
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 440.00 грн |
5N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
5N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
5N60C |
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AL02BT5N602 |
![]() |
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 0.92 грн |
1000+ | 0.58 грн |
AL02BT5N602 |
![]() |
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 1.11 грн |
1000+ | 0.73 грн |
10000+ | 0.50 грн |
FCD5N60TM |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 34.83 грн |
FCD5N60TM-WS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.01 грн |
10+ | 84.55 грн |
100+ | 65.96 грн |
500+ | 58.93 грн |
1000+ | 53.71 грн |
2500+ | 50.07 грн |
FCP125N60E |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 453.60 грн |
10+ | 298.37 грн |
100+ | 205.75 грн |
800+ | 204.23 грн |
FCP165N60E |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 205.62 грн |
10+ | 179.20 грн |
100+ | 136.91 грн |
FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 68.24 грн |
10+ | 62.72 грн |
22+ | 43.10 грн |
60+ | 40.74 грн |
250+ | 39.24 грн |
FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.79 грн |
5+ | 85.03 грн |
10+ | 75.26 грн |
22+ | 51.72 грн |
60+ | 48.88 грн |
250+ | 47.09 грн |
FQD5N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.60 грн |
10+ | 71.94 грн |
100+ | 47.35 грн |
500+ | 39.56 грн |
1000+ | 36.54 грн |
2500+ | 33.13 грн |
5000+ | 32.15 грн |
FQP5N60C |
![]() ![]() |
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 61.10 грн |
IGB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 135.77 грн |
5+ | 107.95 грн |
10+ | 97.70 грн |
12+ | 79.58 грн |
33+ | 74.85 грн |
100+ | 71.70 грн |
IGB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.92 грн |
5+ | 134.52 грн |
10+ | 117.24 грн |
12+ | 95.50 грн |
33+ | 89.82 грн |
100+ | 86.04 грн |
IGB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 157.97 грн |
10+ | 99.17 грн |
100+ | 59.76 грн |
500+ | 50.68 грн |
1000+ | 46.29 грн |
2000+ | 40.17 грн |
5000+ | 38.05 грн |
IGP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.10 грн |
10+ | 74.07 грн |
15+ | 63.03 грн |
41+ | 59.88 грн |
IGW75N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 608.92 грн |
10+ | 566.29 грн |
25+ | 306.35 грн |
100+ | 257.18 грн |
240+ | 256.43 грн |
480+ | 223.90 грн |
IGW75N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 409.47 грн |
10+ | 268.79 грн |
100+ | 188.35 грн |
480+ | 167.17 грн |
1200+ | 143.72 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 399.67 грн |
4+ | 272.63 грн |
10+ | 257.66 грн |
30+ | 247.41 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 301.44 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 301.44 грн |
IKB15N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.32 грн |
10+ | 127.00 грн |
100+ | 74.89 грн |
500+ | 62.33 грн |
1000+ | 61.42 грн |
2000+ | 50.76 грн |
5000+ | 49.09 грн |
IKB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 185.83 грн |
5+ | 146.56 грн |
7+ | 144.19 грн |
10+ | 131.59 грн |
25+ | 130.80 грн |
IKB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.00 грн |
5+ | 182.63 грн |
7+ | 173.03 грн |
10+ | 157.90 грн |
25+ | 156.96 грн |
IKD15N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 151.89 грн |
5+ | 111.89 грн |
10+ | 97.70 грн |
11+ | 85.10 грн |
30+ | 81.16 грн |
50+ | 78.01 грн |
IKD15N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.27 грн |
5+ | 139.43 грн |
10+ | 117.24 грн |
11+ | 102.12 грн |
30+ | 97.39 грн |
50+ | 93.61 грн |
IKD15N60RC2ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.90 грн |
10+ | 85.34 грн |
100+ | 49.09 грн |
500+ | 40.24 грн |
1000+ | 35.25 грн |
2500+ | 32.37 грн |
5000+ | 29.35 грн |
IKD15N60RF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 171.20 грн |
10+ | 107.87 грн |
100+ | 65.05 грн |
500+ | 55.14 грн |
1000+ | 49.55 грн |
2500+ | 42.51 грн |
5000+ | 40.24 грн |
IKFW75N60ETXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 720.99 грн |
10+ | 634.14 грн |
25+ | 394.09 грн |
240+ | 393.34 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 153.59 грн |
10+ | 111.10 грн |
12+ | 83.52 грн |
31+ | 78.79 грн |
100+ | 75.64 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.30 грн |
10+ | 138.45 грн |
12+ | 100.23 грн |
31+ | 94.55 грн |
100+ | 90.77 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.70 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 549.86 грн |
3+ | 427.06 грн |
5+ | 413.67 грн |
6+ | 404.21 грн |
10+ | 388.45 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 659.83 грн |
3+ | 532.18 грн |
5+ | 496.40 грн |
6+ | 485.05 грн |
10+ | 466.14 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 581.56 грн |
10+ | 412.32 грн |
100+ | 296.52 грн |
480+ | 269.29 грн |
1200+ | 228.44 грн |
IKW75N60T | ![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 311.17 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 538.83 грн |
3+ | 433.36 грн |
6+ | 410.51 грн |
10+ | 405.00 грн |
30+ | 393.97 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 646.59 грн |
3+ | 540.04 грн |
6+ | 492.62 грн |
10+ | 486.00 грн |
30+ | 472.76 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 311.17 грн |
IXKN75N60C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4571.97 грн |
3+ | 4123.27 грн |
IXKN75N60C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5486.36 грн |
3+ | 5138.23 грн |
NTHL185N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 453.60 грн |
10+ | 338.38 грн |
120+ | 197.43 грн |
510+ | 170.19 грн |
NTP125N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
MOSFETs SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 377.71 грн |
10+ | 246.18 грн |
100+ | 167.17 грн |
500+ | 148.26 грн |
1000+ | 131.62 грн |
NTP185N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 334.46 грн |
10+ | 222.69 грн |
100+ | 135.40 грн |
500+ | 107.41 грн |
SIHA15N60E-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 203.65 грн |
5+ | 168.62 грн |
8+ | 130.01 грн |
20+ | 122.92 грн |
SIHA15N60E-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 244.38 грн |
5+ | 210.12 грн |
8+ | 156.01 грн |
20+ | 147.50 грн |
SIHA15N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.63 грн |
10+ | 187.89 грн |
100+ | 121.03 грн |
500+ | 99.85 грн |
1000+ | 92.28 грн |
2000+ | 87.74 грн |
SIHA25N60EFL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 415.65 грн |
10+ | 292.28 грн |
100+ | 182.30 грн |
500+ | 177.76 грн |
1000+ | 150.53 грн |
SIHB065N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 449.19 грн |
10+ | 334.03 грн |
100+ | 257.94 грн |
500+ | 248.11 грн |
1000+ | 247.35 грн |
2000+ | 242.05 грн |
SIHB065N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs
MOSFETs
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 711.29 грн |
10+ | 510.62 грн |
100+ | 369.89 грн |
500+ | 329.80 грн |
800+ | 293.49 грн |
SIHB105N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.63 грн |
10+ | 164.41 грн |
100+ | 135.40 грн |
SIHB125N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.51 грн |
10+ | 213.12 грн |
100+ | 157.34 грн |
500+ | 141.45 грн |
1000+ | 139.94 грн |
2000+ | 138.42 грн |
SIHB35N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 503.02 грн |
10+ | 371.44 грн |
100+ | 285.17 грн |
500+ | 253.40 грн |
1000+ | 226.17 грн |
SIHF35N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 553.32 грн |
10+ | 399.28 грн |
100+ | 281.39 грн |
500+ | 249.62 грн |
1000+ | 204.23 грн |
SIHG085N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 520.67 грн |
10+ | 371.44 грн |
100+ | 235.25 грн |
500+ | 208.77 грн |
SIHG125N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.59 грн |
10+ | 310.55 грн |
100+ | 218.60 грн |
500+ | 194.40 грн |
1000+ | 173.98 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]