Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+0.91 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
300+1.09 грн
1000+0.72 грн
10000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDD05N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.06 грн
10+101.11 грн
100+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi / Fairchild FCU5N60-D.pdf MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.35 грн
10+80.98 грн
100+59.35 грн
500+53.66 грн
1000+52.76 грн
2500+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.36 грн
10+79.50 грн
100+63.14 грн
500+56.47 грн
1000+51.47 грн
2500+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E-D.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.56 грн
10+161.26 грн
100+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.38 грн
10+62.85 грн
22+43.19 грн
60+40.82 грн
250+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.99 грн
5+85.21 грн
10+75.42 грн
22+51.83 грн
60+48.98 грн
250+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.85 грн
10+54.57 грн
100+40.25 грн
500+34.87 грн
1000+34.26 грн
2500+31.23 грн
5000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.05 грн
5+108.17 грн
10+97.91 грн
12+78.96 грн
33+75.01 грн
100+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.26 грн
5+134.80 грн
10+117.49 грн
12+94.75 грн
33+90.01 грн
100+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.40 грн
10+74.22 грн
15+63.16 грн
41+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 IGW75N60H3 Infineon Technologies INFNS17450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.68 грн
10+353.90 грн
100+249.37 грн
480+221.33 грн
1200+188.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.46 грн
5+226.60 грн
12+213.97 грн
30+205.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+298.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+298.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon-IKB15N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.59 грн
10+115.06 грн
100+70.42 грн
500+56.09 грн
1000+49.87 грн
2000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.21 грн
5+146.86 грн
7+145.28 грн
10+131.86 грн
25+131.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.46 грн
5+183.01 грн
7+174.33 грн
10+158.23 грн
25+157.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.20 грн
5+112.12 грн
10+97.91 грн
11+85.27 грн
30+81.32 грн
50+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.64 грн
5+139.72 грн
10+117.49 грн
11+102.33 грн
30+97.59 грн
50+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.31 грн
10+63.20 грн
100+42.90 грн
500+36.53 грн
1000+34.26 грн
2500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF IKD15N60RF Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RF-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.60 грн
10+102.86 грн
100+62.23 грн
500+52.76 грн
1000+44.04 грн
2500+40.70 грн
5000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N60ET-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.63 грн
10+444.55 грн
100+328.20 грн
480+327.45 грн
1200+312.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.90 грн
10+111.33 грн
12+83.69 грн
31+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.68 грн
10+138.73 грн
12+100.43 грн
31+94.75 грн
100+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+423.45 грн
3+328.46 грн
5+318.19 грн
8+311.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+508.14 грн
3+409.31 грн
5+381.83 грн
8+373.30 грн
10+359.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+283.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.94 грн
3+434.26 грн
6+410.57 грн
10+405.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+647.92 грн
3+541.15 грн
6+492.68 грн
10+487.00 грн
30+473.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+308.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4581.38 грн
3+4131.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5497.66 грн
3+5148.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi NTHL185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.19 грн
10+296.37 грн
120+165.24 грн
510+162.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi NTP185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.12 грн
10+212.69 грн
100+124.31 грн
500+103.08 грн
1000+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.07 грн
5+168.97 грн
8+130.28 грн
20+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.88 грн
5+210.56 грн
8+156.33 грн
20+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.63 грн
10+184.79 грн
100+115.97 грн
500+95.51 грн
1000+84.89 грн
2000+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.21 грн
10+279.81 грн
100+174.33 грн
500+169.79 грн
1000+144.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.14 грн
10+320.78 грн
100+265.29 грн
500+232.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.49 грн
10+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.14 грн
10+210.07 грн
100+142.50 грн
500+135.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb35n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.33 грн
10+355.64 грн
100+272.87 грн
500+242.55 грн
1000+226.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.16 грн
10+292.88 грн
2000+249.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.83 грн
10+148.18 грн
100+123.55 грн
500+100.81 грн
1000+93.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.70 грн
10+382.66 грн
100+269.08 грн
500+239.52 грн
1000+204.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.57 грн
10+338.21 грн
100+249.37 грн
500+245.58 грн
2500+240.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.41 грн
10+225.76 грн
100+178.12 грн
500+163.72 грн
1000+153.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg125n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.98 грн
10+242.33 грн
100+199.35 грн
500+186.46 грн
1000+174.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.60 грн
5+233.71 грн
6+179.23 грн
15+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+0.91 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.09 грн
1000+0.72 грн
10000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T Bourns_7-25-2022_BIDD05N60T_datasheet.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.06 грн
10+101.11 грн
100+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCU5N60-D.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPERFET
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.35 грн
10+80.98 грн
100+59.35 грн
500+53.66 грн
1000+52.76 грн
2500+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.36 грн
10+79.50 грн
100+63.14 грн
500+56.47 грн
1000+51.47 грн
2500+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E-D.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.56 грн
10+161.26 грн
100+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.38 грн
10+62.85 грн
22+43.19 грн
60+40.82 грн
250+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.99 грн
5+85.21 грн
10+75.42 грн
22+51.83 грн
60+48.98 грн
250+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.85 грн
10+54.57 грн
100+40.25 грн
500+34.87 грн
1000+34.26 грн
2500+31.23 грн
5000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.05 грн
5+108.17 грн
10+97.91 грн
12+78.96 грн
33+75.01 грн
100+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.26 грн
5+134.80 грн
10+117.49 грн
12+94.75 грн
33+90.01 грн
100+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.40 грн
10+74.22 грн
15+63.16 грн
41+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 INFNS17450-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW75N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.68 грн
10+353.90 грн
100+249.37 грн
480+221.33 грн
1200+188.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.46 грн
5+226.60 грн
12+213.97 грн
30+205.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+298.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+298.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T Infineon-IKB15N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IKB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.59 грн
10+115.06 грн
100+70.42 грн
500+56.09 грн
1000+49.87 грн
2000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.21 грн
5+146.86 грн
7+145.28 грн
10+131.86 грн
25+131.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.46 грн
5+183.01 грн
7+174.33 грн
10+158.23 грн
25+157.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.20 грн
5+112.12 грн
10+97.91 грн
11+85.27 грн
30+81.32 грн
50+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.64 грн
5+139.72 грн
10+117.49 грн
11+102.33 грн
30+97.59 грн
50+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.31 грн
10+63.20 грн
100+42.90 грн
500+36.53 грн
1000+34.26 грн
2500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF Infineon-IKD15N60RF-DS-v02_03-EN.pdf
IKD15N60RF
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.60 грн
10+102.86 грн
100+62.23 грн
500+52.76 грн
1000+44.04 грн
2500+40.70 грн
5000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon-IKFW75N60ET-DS-v02_01-EN.pdf
IKFW75N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.63 грн
10+444.55 грн
100+328.20 грн
480+327.45 грн
1200+312.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.90 грн
10+111.33 грн
12+83.69 грн
31+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.68 грн
10+138.73 грн
12+100.43 грн
31+94.75 грн
100+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.45 грн
3+328.46 грн
5+318.19 грн
8+311.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.14 грн
3+409.31 грн
5+381.83 грн
8+373.30 грн
10+359.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+283.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.94 грн
3+434.26 грн
6+410.57 грн
10+405.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.92 грн
3+541.15 грн
6+492.68 грн
10+487.00 грн
30+473.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+308.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4581.38 грн
3+4131.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5497.66 грн
3+5148.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H-D.PDF
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.19 грн
10+296.37 грн
120+165.24 грн
510+162.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H-D.PDF
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.12 грн
10+212.69 грн
100+124.31 грн
500+103.08 грн
1000+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.07 грн
5+168.97 грн
8+130.28 грн
20+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.88 грн
5+210.56 грн
8+156.33 грн
20+147.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.63 грн
10+184.79 грн
100+115.97 грн
500+95.51 грн
1000+84.89 грн
2000+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.21 грн
10+279.81 грн
100+174.33 грн
500+169.79 грн
1000+144.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.14 грн
10+320.78 грн
100+265.29 грн
500+232.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.49 грн
10+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.14 грн
10+210.07 грн
100+142.50 грн
500+135.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.33 грн
10+355.64 грн
100+272.87 грн
500+242.55 грн
1000+226.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 sihf065n60e.pdf
SIHF065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.16 грн
10+292.88 грн
2000+249.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-GE3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.83 грн
10+148.18 грн
100+123.55 грн
500+100.81 грн
1000+93.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
SIHF35N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.70 грн
10+382.66 грн
100+269.08 грн
500+239.52 грн
1000+204.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.57 грн
10+338.21 грн
100+249.37 грн
500+245.58 грн
2500+240.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.41 грн
10+225.76 грн
100+178.12 грн
500+163.72 грн
1000+153.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
SIHG125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.98 грн
10+242.33 грн
100+199.35 грн
500+186.46 грн
1000+174.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.60 грн
5+233.71 грн
6+179.23 грн
15+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]