Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
11 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+0.93 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
300+1.11 грн
1000+0.73 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDD05N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.11 грн
10+101.15 грн
100+45.42 грн
500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1 DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C39135CA8620D6&compId=di1a5n60d1.pdf?ci_sign=6e3ea59423a5b16f9cffc657382314985d76aaf1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.17 грн
22+18.64 грн
31+13.03 грн
100+11.69 грн
103+9.16 грн
281+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40E2BBED35E28&compId=FCD5N60.pdf?ci_sign=8a021e5b6aab51462b2f0cd6b35640ae4f3b8dfd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.93 грн
5+98.73 грн
10+90.04 грн
15+65.56 грн
40+61.61 грн
500+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.38 грн
10+79.52 грн
100+63.16 грн
500+56.49 грн
1000+51.48 грн
2500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E-D.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.96 грн
10+160.44 грн
100+131.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.40 грн
10+62.87 грн
22+43.36 грн
25+43.28 грн
60+40.99 грн
250+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.03 грн
5+85.24 грн
10+75.44 грн
22+52.03 грн
25+51.94 грн
60+49.19 грн
250+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 22093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.06 грн
10+53.28 грн
100+39.73 грн
500+34.88 грн
1000+34.27 грн
2500+31.24 грн
5000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.09 грн
5+108.21 грн
10+97.94 грн
12+78.98 грн
33+75.03 грн
100+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.31 грн
5+134.84 грн
10+117.53 грн
12+94.78 грн
33+90.04 грн
100+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.38 грн
10+95.04 грн
100+55.58 грн
500+44.05 грн
1000+38.82 грн
2000+35.64 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60T IGP15N60T Infineon Technologies Infineon-IGP15N60T-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.65 грн
10+56.77 грн
100+45.04 грн
500+36.70 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.45 грн
10+74.24 грн
15+63.19 грн
41+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.68 грн
5+226.68 грн
12+214.83 грн
30+213.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+302.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+302.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.28 грн
5+146.91 грн
7+145.33 грн
10+132.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.53 грн
5+183.07 грн
7+174.39 грн
10+159.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.25 грн
5+112.16 грн
10+97.94 грн
11+86.09 грн
30+81.35 грн
50+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.70 грн
5+139.76 грн
10+117.53 грн
11+103.31 грн
30+97.62 грн
50+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.35 грн
10+63.22 грн
100+42.92 грн
500+36.55 грн
1000+34.27 грн
2500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF IKD15N60RF Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RF-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.65 грн
10+102.89 грн
100+62.25 грн
500+52.77 грн
1000+44.05 грн
2500+40.72 грн
5000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N60ET-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.88 грн
10+444.70 грн
100+328.31 грн
480+327.56 грн
1200+312.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.75 грн
10+81.35 грн
16+60.03 грн
43+56.87 грн
100+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.50 грн
10+101.38 грн
16+72.03 грн
43+68.24 грн
100+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+423.59 грн
3+329.36 грн
5+318.30 грн
8+311.19 грн
10+299.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+508.31 грн
3+410.43 грн
5+381.96 грн
8+373.43 грн
10+359.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.23 грн
3+357.00 грн
8+338.05 грн
10+324.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+585.88 грн
3+444.88 грн
8+405.65 грн
10+389.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 580ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1 IXXH75N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH75N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.61 грн
10+475.22 грн
120+352.58 грн
510+325.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCW105N60FH-BP MCW105N60FH-BP Micro Commercial Components (MCC) MCW105N60FH(TO-247).pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.30 грн
10+350.53 грн
100+254.01 грн
500+225.95 грн
1000+193.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi NTHL185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.34 грн
10+292.11 грн
120+163.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi NTP185N60S5H-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.23 грн
10+212.76 грн
100+123.59 грн
500+103.12 грн
1000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha105n60ef.pdf MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.11 грн
10+183.11 грн
100+150.13 грн
500+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.52 грн
5+185.61 грн
8+130.32 грн
20+123.21 грн
50+120.05 грн
100+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+297.02 грн
5+231.30 грн
8+156.39 грн
20+147.86 грн
50+144.06 грн
100+142.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.73 грн
10+184.86 грн
100+112.98 грн
500+92.50 грн
1000+86.44 грн
2000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.26 грн
10+279.90 грн
100+174.39 грн
500+169.84 грн
1000+144.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.11 грн
10+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.88 грн
10+211.89 грн
100+140.27 грн
500+135.72 грн
2000+130.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb35n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.53 грн
10+388.03 грн
100+272.96 грн
500+242.63 грн
1000+226.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.96 грн
10+293.85 грн
2000+250.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.88 грн
10+382.79 грн
100+269.17 грн
500+239.60 грн
1000+204.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.73 грн
10+319.14 грн
100+249.46 грн
500+245.67 грн
2500+240.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3 SIHG085N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg085n60ef.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.30 грн
10+348.79 грн
100+221.40 грн
500+200.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.04 грн
10+225.84 грн
100+174.39 грн
500+163.78 грн
1000+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
11 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+0.93 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.11 грн
1000+0.73 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T Bourns_7-25-2022_BIDD05N60T_datasheet.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.11 грн
10+101.15 грн
100+45.42 грн
500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C39135CA8620D6&compId=di1a5n60d1.pdf?ci_sign=6e3ea59423a5b16f9cffc657382314985d76aaf1
DI1A5N60D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.17 грн
22+18.64 грн
31+13.03 грн
100+11.69 грн
103+9.16 грн
281+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40E2BBED35E28&compId=FCD5N60.pdf?ci_sign=8a021e5b6aab51462b2f0cd6b35640ae4f3b8dfd
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.93 грн
5+98.73 грн
10+90.04 грн
15+65.56 грн
40+61.61 грн
500+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS 78BD37067FDA76D827A3F70E88F34F49EEA2DDF2EE0643608F6CB65E3D997E49.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.38 грн
10+79.52 грн
100+63.16 грн
500+56.49 грн
1000+51.48 грн
2500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E-D.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.96 грн
10+160.44 грн
100+131.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.40 грн
10+62.87 грн
22+43.36 грн
25+43.28 грн
60+40.99 грн
250+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
5+85.24 грн
10+75.44 грн
22+52.03 грн
25+51.94 грн
60+49.19 грн
250+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM EA631C794A20CCEB64A5A58CC3983F1B431832CB107985D613A993FDB0EF8063.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 22093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.06 грн
10+53.28 грн
100+39.73 грн
500+34.88 грн
1000+34.27 грн
2500+31.24 грн
5000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.09 грн
5+108.21 грн
10+97.94 грн
12+78.98 грн
33+75.03 грн
100+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.31 грн
5+134.84 грн
10+117.53 грн
12+94.78 грн
33+90.04 грн
100+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 Infineon-IGB15N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.38 грн
10+95.04 грн
100+55.58 грн
500+44.05 грн
1000+38.82 грн
2000+35.64 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60T Infineon-IGP15N60T-DS-v02_04-EN.pdf
IGP15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.65 грн
10+56.77 грн
100+45.04 грн
500+36.70 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.45 грн
10+74.24 грн
15+63.19 грн
41+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.68 грн
5+226.68 грн
12+214.83 грн
30+213.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+302.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+302.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.28 грн
5+146.91 грн
7+145.33 грн
10+132.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.53 грн
5+183.07 грн
7+174.39 грн
10+159.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.25 грн
5+112.16 грн
10+97.94 грн
11+86.09 грн
30+81.35 грн
50+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.70 грн
5+139.76 грн
10+117.53 грн
11+103.31 грн
30+97.62 грн
50+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.35 грн
10+63.22 грн
100+42.92 грн
500+36.55 грн
1000+34.27 грн
2500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF Infineon-IKD15N60RF-DS-v02_03-EN.pdf
IKD15N60RF
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.65 грн
10+102.89 грн
100+62.25 грн
500+52.77 грн
1000+44.05 грн
2500+40.72 грн
5000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon-IKFW75N60ET-DS-v02_01-EN.pdf
IKFW75N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.88 грн
10+444.70 грн
100+328.31 грн
480+327.56 грн
1200+312.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.75 грн
10+81.35 грн
16+60.03 грн
43+56.87 грн
100+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.50 грн
10+101.38 грн
16+72.03 грн
43+68.24 грн
100+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.59 грн
3+329.36 грн
5+318.30 грн
8+311.19 грн
10+299.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.31 грн
3+410.43 грн
5+381.96 грн
8+373.43 грн
10+359.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.23 грн
3+357.00 грн
8+338.05 грн
10+324.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.88 грн
3+444.88 грн
8+405.65 грн
10+389.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+311.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 580ns
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH75N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH75N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+723.61 грн
10+475.22 грн
120+352.58 грн
510+325.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCW105N60FH-BP MCW105N60FH(TO-247).pdf
MCW105N60FH-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.30 грн
10+350.53 грн
100+254.01 грн
500+225.95 грн
1000+193.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H-D.PDF
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.34 грн
10+292.11 грн
120+163.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H-D.PDF
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.23 грн
10+212.76 грн
100+123.59 грн
500+103.12 грн
1000+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA105N60EF-GE3 siha105n60ef.pdf
SIHA105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.11 грн
10+183.11 грн
100+150.13 грн
500+133.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.52 грн
5+185.61 грн
8+130.32 грн
20+123.21 грн
50+120.05 грн
100+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.02 грн
5+231.30 грн
8+156.39 грн
20+147.86 грн
50+144.06 грн
100+142.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.73 грн
10+184.86 грн
100+112.98 грн
500+92.50 грн
1000+86.44 грн
2000+84.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.26 грн
10+279.90 грн
100+174.39 грн
500+169.84 грн
1000+144.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.11 грн
10+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.88 грн
10+211.89 грн
100+140.27 грн
500+135.72 грн
2000+130.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.53 грн
10+388.03 грн
100+272.96 грн
500+242.63 грн
1000+226.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 sihf065n60e.pdf
SIHF065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.96 грн
10+293.85 грн
2000+250.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
SIHF35N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.88 грн
10+382.79 грн
100+269.17 грн
500+239.60 грн
1000+204.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.73 грн
10+319.14 грн
100+249.46 грн
500+245.67 грн
2500+240.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3 sihg085n60ef.pdf
SIHG085N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.30 грн
10+348.79 грн
100+221.40 грн
500+200.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.04 грн
10+225.84 грн
100+174.39 грн
500+163.78 грн
1000+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]