Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+0.92 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
300+1.11 грн
1000+0.73 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild fcu5n60-d.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.01 грн
10+84.55 грн
100+65.96 грн
500+58.93 грн
1000+53.71 грн
2500+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E onsemi / Fairchild FCP125N60E_D-1806041.pdf MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.60 грн
10+298.37 грн
100+205.75 грн
800+204.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild fcp165n60e-d.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.62 грн
10+179.20 грн
100+136.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.24 грн
10+62.72 грн
22+43.10 грн
60+40.74 грн
250+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.79 грн
5+85.03 грн
10+75.26 грн
22+51.72 грн
60+48.88 грн
250+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild fqu5n60c-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.60 грн
10+71.94 грн
100+47.35 грн
500+39.56 грн
1000+36.54 грн
2500+33.13 грн
5000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.77 грн
5+107.95 грн
10+97.70 грн
12+79.58 грн
33+74.85 грн
100+71.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.92 грн
5+134.52 грн
10+117.24 грн
12+95.50 грн
33+89.82 грн
100+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.97 грн
10+99.17 грн
100+59.76 грн
500+50.68 грн
1000+46.29 грн
2000+40.17 грн
5000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.10 грн
10+74.07 грн
15+63.03 грн
41+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 IGW75N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.92 грн
10+566.29 грн
25+306.35 грн
100+257.18 грн
240+256.43 грн
480+223.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60T IGW75N60T Infineon Technologies Infineon_IGW75N60T_DataSheet_v02_07_EN-3361881.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.47 грн
10+268.79 грн
100+188.35 грн
480+167.17 грн
1200+143.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+399.67 грн
4+272.63 грн
10+257.66 грн
30+247.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.32 грн
10+127.00 грн
100+74.89 грн
500+62.33 грн
1000+61.42 грн
2000+50.76 грн
5000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.83 грн
5+146.56 грн
7+144.19 грн
10+131.59 грн
25+130.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.00 грн
5+182.63 грн
7+173.03 грн
10+157.90 грн
25+156.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.89 грн
5+111.89 грн
10+97.70 грн
11+85.10 грн
30+81.16 грн
50+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.27 грн
5+139.43 грн
10+117.24 грн
11+102.12 грн
30+97.39 грн
50+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.90 грн
10+85.34 грн
100+49.09 грн
500+40.24 грн
1000+35.25 грн
2500+32.37 грн
5000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF IKD15N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN-1731524.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.20 грн
10+107.87 грн
100+65.05 грн
500+55.14 грн
1000+49.55 грн
2500+42.51 грн
5000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.99 грн
10+634.14 грн
25+394.09 грн
240+393.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.59 грн
10+111.10 грн
12+83.52 грн
31+78.79 грн
100+75.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.30 грн
10+138.45 грн
12+100.23 грн
31+94.55 грн
100+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.86 грн
3+427.06 грн
5+413.67 грн
6+404.21 грн
10+388.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+659.83 грн
3+532.18 грн
5+496.40 грн
6+485.05 грн
10+466.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.56 грн
10+412.32 грн
100+296.52 грн
480+269.29 грн
1200+228.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.83 грн
3+433.36 грн
6+410.51 грн
10+405.00 грн
30+393.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+646.59 грн
3+540.04 грн
6+492.62 грн
10+486.00 грн
30+472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4571.97 грн
3+4123.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5486.36 грн
3+5138.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi nthl185n60s5h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.60 грн
10+338.38 грн
120+197.43 грн
510+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N60S5H NTP125N60S5H onsemi ntp125n60s5h-d.pdf MOSFETs SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.71 грн
10+246.18 грн
100+167.17 грн
500+148.26 грн
1000+131.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi ntp185n60s5h-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.46 грн
10+222.69 грн
100+135.40 грн
500+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.65 грн
5+168.62 грн
8+130.01 грн
20+122.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.38 грн
5+210.12 грн
8+156.01 грн
20+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.63 грн
10+187.89 грн
100+121.03 грн
500+99.85 грн
1000+92.28 грн
2000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.65 грн
10+292.28 грн
100+182.30 грн
500+177.76 грн
1000+150.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.19 грн
10+334.03 грн
100+257.94 грн
500+248.11 грн
1000+247.35 грн
2000+242.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-T1-GE3 SIHB065N60E-T1-GE3 Vishay MOSFETs
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.29 грн
10+510.62 грн
100+369.89 грн
500+329.80 грн
800+293.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.63 грн
10+164.41 грн
100+135.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.51 грн
10+213.12 грн
100+157.34 грн
500+141.45 грн
1000+139.94 грн
2000+138.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb35n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.02 грн
10+371.44 грн
100+285.17 грн
500+253.40 грн
1000+226.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.32 грн
10+399.28 грн
100+281.39 грн
500+249.62 грн
1000+204.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3 SIHG085N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg085n60ef.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.67 грн
10+371.44 грн
100+235.25 грн
500+208.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg125n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.59 грн
10+310.55 грн
100+218.60 грн
500+194.40 грн
1000+173.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+0.92 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.11 грн
1000+0.73 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.01 грн
10+84.55 грн
100+65.96 грн
500+58.93 грн
1000+53.71 грн
2500+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E_D-1806041.pdf
FCP125N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.60 грн
10+298.37 грн
100+205.75 грн
800+204.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.62 грн
10+179.20 грн
100+136.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.24 грн
10+62.72 грн
22+43.10 грн
60+40.74 грн
250+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.79 грн
5+85.03 грн
10+75.26 грн
22+51.72 грн
60+48.88 грн
250+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
10+71.94 грн
100+47.35 грн
500+39.56 грн
1000+36.54 грн
2500+33.13 грн
5000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.77 грн
5+107.95 грн
10+97.70 грн
12+79.58 грн
33+74.85 грн
100+71.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.92 грн
5+134.52 грн
10+117.24 грн
12+95.50 грн
33+89.82 грн
100+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.97 грн
10+99.17 грн
100+59.76 грн
500+50.68 грн
1000+46.29 грн
2000+40.17 грн
5000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.10 грн
10+74.07 грн
15+63.03 грн
41+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf
IGW75N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.92 грн
10+566.29 грн
25+306.35 грн
100+257.18 грн
240+256.43 грн
480+223.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60T Infineon_IGW75N60T_DataSheet_v02_07_EN-3361881.pdf
IGW75N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.47 грн
10+268.79 грн
100+188.35 грн
480+167.17 грн
1200+143.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+399.67 грн
4+272.63 грн
10+257.66 грн
30+247.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf
IKB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.32 грн
10+127.00 грн
100+74.89 грн
500+62.33 грн
1000+61.42 грн
2000+50.76 грн
5000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.83 грн
5+146.56 грн
7+144.19 грн
10+131.59 грн
25+130.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.00 грн
5+182.63 грн
7+173.03 грн
10+157.90 грн
25+156.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.89 грн
5+111.89 грн
10+97.70 грн
11+85.10 грн
30+81.16 грн
50+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.27 грн
5+139.43 грн
10+117.24 грн
11+102.12 грн
30+97.39 грн
50+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.90 грн
10+85.34 грн
100+49.09 грн
500+40.24 грн
1000+35.25 грн
2500+32.37 грн
5000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN-1731524.pdf
IKD15N60RF
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.20 грн
10+107.87 грн
100+65.05 грн
500+55.14 грн
1000+49.55 грн
2500+42.51 грн
5000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf
IKFW75N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+720.99 грн
10+634.14 грн
25+394.09 грн
240+393.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+111.10 грн
12+83.52 грн
31+78.79 грн
100+75.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.30 грн
10+138.45 грн
12+100.23 грн
31+94.55 грн
100+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.86 грн
3+427.06 грн
5+413.67 грн
6+404.21 грн
10+388.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+659.83 грн
3+532.18 грн
5+496.40 грн
6+485.05 грн
10+466.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.56 грн
10+412.32 грн
100+296.52 грн
480+269.29 грн
1200+228.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.83 грн
3+433.36 грн
6+410.51 грн
10+405.00 грн
30+393.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.59 грн
3+540.04 грн
6+492.62 грн
10+486.00 грн
30+472.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4571.97 грн
3+4123.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5486.36 грн
3+5138.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H nthl185n60s5h-d.pdf
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.60 грн
10+338.38 грн
120+197.43 грн
510+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP125N60S5H ntp125n60s5h-d.pdf
NTP125N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.71 грн
10+246.18 грн
100+167.17 грн
500+148.26 грн
1000+131.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H ntp185n60s5h-d.pdf
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-220
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.46 грн
10+222.69 грн
100+135.40 грн
500+107.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.65 грн
5+168.62 грн
8+130.01 грн
20+122.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.38 грн
5+210.12 грн
8+156.01 грн
20+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.63 грн
10+187.89 грн
100+121.03 грн
500+99.85 грн
1000+92.28 грн
2000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.65 грн
10+292.28 грн
100+182.30 грн
500+177.76 грн
1000+150.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.19 грн
10+334.03 грн
100+257.94 грн
500+248.11 грн
1000+247.35 грн
2000+242.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-T1-GE3
SIHB065N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.29 грн
10+510.62 грн
100+369.89 грн
500+329.80 грн
800+293.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.63 грн
10+164.41 грн
100+135.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.51 грн
10+213.12 грн
100+157.34 грн
500+141.45 грн
1000+139.94 грн
2000+138.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.02 грн
10+371.44 грн
100+285.17 грн
500+253.40 грн
1000+226.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
SIHF35N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.32 грн
10+399.28 грн
100+281.39 грн
500+249.62 грн
1000+204.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG085N60EF-GE3 sihg085n60ef.pdf
SIHG085N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.67 грн
10+371.44 грн
100+235.25 грн
500+208.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
SIHG125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.59 грн
10+310.55 грн
100+218.60 грн
500+194.40 грн
1000+173.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]