Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
1+440 грн
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Tolerance: ±0,1nH
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
200+1.67 грн
1000+ 1.09 грн
1300+ 0.74 грн
3500+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 200
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDD05N60T_datasheet-3005219.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.21 грн
10+ 84.45 грн
100+ 57.2 грн
500+ 48.44 грн
1000+ 39.49 грн
2500+ 37.17 грн
5000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.3 грн
10+ 85.88 грн
100+ 68.34 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild FCU5N60_D-2311834.pdf MOSFET 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.93 грн
10+ 80.74 грн
100+ 62.93 грн
250+ 62.29 грн
500+ 55.97 грн
1000+ 47.92 грн
2500+ 45.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.3 грн
10+ 85.88 грн
100+ 68.34 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM; 4,6A; 600V; 0,95R; 54W; N-MOSFET+diod; Корпус: DPAK; Fairchild
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
12+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E_D-2311711.pdf MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.02 грн
10+ 220.74 грн
50+ 185.51 грн
100+ 162.32 грн
250+ 157.17 грн
500+ 141.71 грн
1000+ 120.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.66 грн
8+ 47.64 грн
22+ 36.23 грн
60+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.9 грн
5000+ 27.43 грн
12500+ 26.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.46 грн
10+ 56.97 грн
100+ 44.3 грн
500+ 35.24 грн
1000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQP5N60C Fairchild fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.72 грн
10+ 99.64 грн
100+ 79.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP15N60T IGP15N60T Infineon Technologies Infineon_IGP15N60T_DS_v02_04_EN-1890398.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 9037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.75 грн
10+ 81.48 грн
100+ 62.29 грн
250+ 60.48 грн
500+ 54.82 грн
1000+ 48.89 грн
2500+ 48.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b84fabee78ad Description: IGBT 600V 30A 130W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.27 грн
50+ 88.14 грн
100+ 72.52 грн
500+ 57.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.23 грн
30+ 292.56 грн
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+256.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+256.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.58 грн
10+ 137.78 грн
100+ 95.33 грн
250+ 87.6 грн
500+ 79.87 грн
1000+ 66.99 грн
2000+ 64.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a Description: IGBT 600V 30A 130W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a Description: IGBT 600V 30A 130W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.29 грн
10+ 122.65 грн
100+ 97.64 грн
500+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.7 грн
5000+ 46.06 грн
12500+ 44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 19391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.7 грн
10+ 87.29 грн
100+ 69.45 грн
500+ 55.15 грн
1000+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.4 грн
10+ 65.93 грн
100+ 48.12 грн
500+ 43.67 грн
1000+ 39.42 грн
2500+ 39.03 грн
5000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IKD15N60RC2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 79.51 грн
100+ 61.84 грн
500+ 49.19 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IKD15N60RC2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.15 грн
10+ 95.21 грн
100+ 75.83 грн
500+ 60.21 грн
1000+ 51.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKP15N60T IKP15N60T Infineon Technologies Infineon_IKP15N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362118.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.55 грн
10+ 122.96 грн
100+ 85.03 грн
500+ 72.14 грн
1000+ 56.49 грн
5000+ 54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.7 грн
5+ 148.28 грн
7+ 112.72 грн
19+ 106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+222.84 грн
5+ 184.78 грн
7+ 135.27 грн
19+ 128.02 грн
500+ 123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.4 грн
10+ 411.12 грн
25+ 334.3 грн
100+ 319.49 грн
240+ 280.84 грн
480+ 274.4 грн
1200+ 273.75 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.66 грн
30+ 420.85 грн
120+ 376.55 грн
510+ 311.8 грн
1020+ 280.62 грн
2010+ 262.95 грн
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+330.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS IXKN75N60C.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4290.04 грн
10+ 3743.66 грн
100+ 3356.41 грн
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi NTHL185N60S5H_D-2493624.pdf MOSFET SUPERFET5 FAST, 185MOHM, TO-247-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.21 грн
10+ 297.78 грн
25+ 244.12 грн
100+ 209.34 грн
250+ 197.1 грн
450+ 171.98 грн
900+ 155.24 грн
NVB055N60S5F onsemi NVB055N60S5F_D-3150649.pdf MOSFET SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.2 грн
10+ 405.93 грн
25+ 320.13 грн
100+ 294.37 грн
250+ 276.98 грн
500+ 259.58 грн
800+ 233.17 грн
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha105n60ef.pdf MOSFET E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.5 грн
10+ 208.89 грн
25+ 171.34 грн
100+ 146.86 грн
250+ 139.13 грн
500+ 130.76 грн
1000+ 113.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 Vishay Siliconix siha105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.63 грн
50+ 175.86 грн
100+ 150.73 грн
500+ 125.74 грн
1000+ 107.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors siha125n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.08 грн
10+ 245.19 грн
25+ 200.97 грн
100+ 172.63 грн
250+ 162.96 грн
500+ 153.3 грн
1000+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA155N60EF-GE3 SIHA155N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha155n60ef.pdf MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.98 грн
10+ 202.97 грн
25+ 166.83 грн
100+ 114.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.51 грн
5+ 189.8 грн
8+ 132.85 грн
20+ 125.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.74 грн
10+ 322.97 грн
25+ 255.08 грн
100+ 242.19 грн
500+ 208.7 грн
1000+ 173.27 грн
2000+ 169.41 грн
SIHB055N60EF-GE3 SIHB055N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb055n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.61 грн
10+ 366.67 грн
25+ 288.57 грн
100+ 273.75 грн
1000+ 257.65 грн
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 13164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.65 грн
10+ 385.93 грн
25+ 304.03 грн
100+ 276.33 грн
250+ 264.74 грн
500+ 233.17 грн
1000+ 223.51 грн
SIHB065N60E-T1-GE3 SIHB065N60E-T1-GE3 Vishay MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.3 грн
10+ 448.89 грн
25+ 354.27 грн
100+ 325.29 грн
250+ 305.96 грн
500+ 286.64 грн
800+ 246.06 грн
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
fdd5n60nz-d.pdf
у наявності: 1 шт
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+440 грн
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AL02BT5N602 VIKING-AL.pdf
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Tolerance: ±0,1nH
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5396 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+1.67 грн
1000+ 1.09 грн
1300+ 0.74 грн
3500+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 200
BIDD05N60T Bourns_7_25_2022_BIDD05N60T_datasheet-3005219.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.21 грн
10+ 84.45 грн
100+ 57.2 грн
500+ 48.44 грн
1000+ 39.49 грн
2500+ 37.17 грн
5000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.3 грн
10+ 85.88 грн
100+ 68.34 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCD5N60TM-WS FCU5N60_D-2311834.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.93 грн
10+ 80.74 грн
100+ 62.93 грн
250+ 62.29 грн
500+ 55.97 грн
1000+ 47.92 грн
2500+ 45.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.3 грн
10+ 85.88 грн
100+ 68.34 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM; 4,6A; 600V; 0,95R; 54W; N-MOSFET+diod; Корпус: DPAK; Fairchild
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
FCP165N60E FCP165N60E_D-2311711.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.02 грн
10+ 220.74 грн
50+ 185.51 грн
100+ 162.32 грн
250+ 157.17 грн
500+ 141.71 грн
1000+ 120.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.66 грн
8+ 47.64 грн
22+ 36.23 грн
60+ 34.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.9 грн
5000+ 27.43 грн
12500+ 26.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.46 грн
10+ 56.97 грн
100+ 44.3 грн
500+ 35.24 грн
1000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQP5N60C fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.72 грн
10+ 99.64 грн
100+ 79.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP15N60T Infineon_IGP15N60T_DS_v02_04_EN-1890398.pdf
IGP15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 9037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.75 грн
10+ 81.48 грн
100+ 62.29 грн
250+ 60.48 грн
500+ 54.82 грн
1000+ 48.89 грн
2500+ 48.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b84fabee78ad
IGP15N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 30A 130W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.27 грн
50+ 88.14 грн
100+ 72.52 грн
500+ 57.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N60TFKSA1 infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
IGW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+383.23 грн
30+ 292.56 грн
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+256.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+256.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKB15N60T Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf
IKB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.58 грн
10+ 137.78 грн
100+ 95.33 грн
250+ 87.6 грн
500+ 79.87 грн
1000+ 66.99 грн
2000+ 64.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKB15N60TATMA1 Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a
IKB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 30A 130W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+72.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB15N60TATMA1 Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a
IKB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 30A 130W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.29 грн
10+ 122.65 грн
100+ 97.64 грн
500+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD15N60RATMA1 Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.7 грн
5000+ 46.06 грн
12500+ 44.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RATMA1 Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 19391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.7 грн
10+ 87.29 грн
100+ 69.45 грн
500+ 55.15 грн
1000+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.4 грн
10+ 65.93 грн
100+ 48.12 грн
500+ 43.67 грн
1000+ 39.42 грн
2500+ 39.03 грн
5000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IKD15N60RC2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.34 грн
10+ 79.51 грн
100+ 61.84 грн
500+ 49.19 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IKD15N60RC2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RFATMA1 DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a
IKD15N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.15 грн
10+ 95.21 грн
100+ 75.83 грн
500+ 60.21 грн
1000+ 51.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RFATMA1 DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a
IKD15N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKP15N60T Infineon_IKP15N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362118.pdf
IKP15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.55 грн
10+ 122.96 грн
100+ 85.03 грн
500+ 72.14 грн
1000+ 56.49 грн
5000+ 54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.7 грн
5+ 148.28 грн
7+ 112.72 грн
19+ 106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.84 грн
5+ 184.78 грн
7+ 135.27 грн
19+ 128.02 грн
500+ 123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1 Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.4 грн
10+ 411.12 грн
25+ 334.3 грн
100+ 319.49 грн
240+ 280.84 грн
480+ 274.4 грн
1200+ 273.75 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
IKW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+547.66 грн
30+ 420.85 грн
120+ 376.55 грн
510+ 311.8 грн
1020+ 280.62 грн
2010+ 262.95 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+330.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXKN75N60C IXKN75N60C.pdf
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4290.04 грн
10+ 3743.66 грн
100+ 3356.41 грн
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H_D-2493624.pdf
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET5 FAST, 185MOHM, TO-247-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.21 грн
10+ 297.78 грн
25+ 244.12 грн
100+ 209.34 грн
250+ 197.1 грн
450+ 171.98 грн
900+ 155.24 грн
NVB055N60S5F NVB055N60S5F_D-3150649.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.2 грн
10+ 405.93 грн
25+ 320.13 грн
100+ 294.37 грн
250+ 276.98 грн
500+ 259.58 грн
800+ 233.17 грн
SIHA105N60EF-GE3 siha105n60ef.pdf
SIHA105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.5 грн
10+ 208.89 грн
25+ 171.34 грн
100+ 146.86 грн
250+ 139.13 грн
500+ 130.76 грн
1000+ 113.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA105N60EF-GE3 siha105n60ef.pdf
SIHA105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.63 грн
50+ 175.86 грн
100+ 150.73 грн
500+ 125.74 грн
1000+ 107.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA125N60EF-GE3 siha125n60ef.pdf
SIHA125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+296.08 грн
10+ 245.19 грн
25+ 200.97 грн
100+ 172.63 грн
250+ 162.96 грн
500+ 153.3 грн
1000+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA155N60EF-GE3 siha155n60ef.pdf
SIHA155N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.98 грн
10+ 202.97 грн
25+ 166.83 грн
100+ 114.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.51 грн
5+ 189.8 грн
8+ 132.85 грн
20+ 125.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.74 грн
10+ 322.97 грн
25+ 255.08 грн
100+ 242.19 грн
500+ 208.7 грн
1000+ 173.27 грн
2000+ 169.41 грн
SIHB055N60EF-GE3 sihb055n60ef.pdf
SIHB055N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.61 грн
10+ 366.67 грн
25+ 288.57 грн
100+ 273.75 грн
1000+ 257.65 грн
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 13164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+457.65 грн
10+ 385.93 грн
25+ 304.03 грн
100+ 276.33 грн
250+ 264.74 грн
500+ 233.17 грн
1000+ 223.51 грн
SIHB065N60E-T1-GE3
SIHB065N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+531.3 грн
10+ 448.89 грн
25+ 354.27 грн
100+ 325.29 грн
250+ 305.96 грн
500+ 286.64 грн
800+ 246.06 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]