Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+0.93 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
300+1.11 грн
1000+0.73 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild fcu5n60-d.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.54 грн
10+87.92 грн
100+66.74 грн
500+59.62 грн
1000+54.87 грн
2500+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E onsemi / Fairchild FCP125N60E_D-1806041.pdf MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.94 грн
10+301.88 грн
100+208.17 грн
800+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild fcp165n60e-d.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.04 грн
10+181.30 грн
100+138.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.25 грн
8+53.73 грн
22+43.85 грн
60+41.45 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.30 грн
5+66.96 грн
22+52.62 грн
60+49.75 грн
500+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild fqu5n60c-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.79 грн
10+72.87 грн
100+47.91 грн
500+40.03 грн
1000+36.96 грн
2500+33.37 грн
5000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.38 грн
5+115.59 грн
12+79.72 грн
33+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.26 грн
5+144.05 грн
12+95.66 грн
33+90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.93 грн
10+99.45 грн
100+60.38 грн
500+51.20 грн
1000+44.01 грн
2000+39.49 грн
5000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.27 грн
15+63.78 грн
41+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 IGW75N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.08 грн
10+572.96 грн
25+309.95 грн
100+260.21 грн
240+259.44 грн
480+226.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60T IGW75N60T Infineon Technologies Infineon_IGW75N60T_DataSheet_v02_07_EN-3361881.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.29 грн
10+271.96 грн
100+190.56 грн
480+169.14 грн
1200+145.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+411.24 грн
4+275.04 грн
10+259.89 грн
60+250.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.07 грн
10+137.30 грн
100+81.89 грн
500+67.65 грн
1000+62.14 грн
2000+59.01 грн
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.78 грн
5+183.36 грн
7+146.69 грн
18+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+263.74 грн
5+228.49 грн
7+176.02 грн
18+166.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.56 грн
10+104.43 грн
11+86.90 грн
30+82.11 грн
100+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.08 грн
10+130.14 грн
11+104.27 грн
30+98.53 грн
100+94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.50 грн
10+86.34 грн
100+49.67 грн
500+40.71 грн
1000+35.66 грн
2500+32.76 грн
5000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF IKD15N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN-1731524.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.22 грн
10+109.13 грн
100+65.82 грн
500+55.79 грн
1000+50.13 грн
2500+43.01 грн
5000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 IKFW75N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.48 грн
10+641.60 грн
25+398.73 грн
240+397.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.81 грн
10+109.22 грн
12+84.50 грн
31+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.17 грн
10+136.10 грн
12+101.40 грн
31+95.66 грн
500+94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.81 грн
3+432.09 грн
6+408.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+816.98 грн
3+538.45 грн
6+489.80 грн
30+471.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.40 грн
10+417.17 грн
100+300.00 грн
480+272.45 грн
1200+231.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.40 грн
3+438.46 грн
6+414.55 грн
30+398.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+827.28 грн
3+546.39 грн
6+497.46 грн
30+478.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4672.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5606.54 грн
10+5322.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi nthl185n60s5h-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.94 грн
10+342.36 грн
120+199.75 грн
510+172.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H NTP185N60S5H onsemi ntp185n60s5h-d.pdf MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO220-3
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.40 грн
10+225.31 грн
100+136.99 грн
500+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+205.19 грн
5+172.20 грн
8+131.54 грн
20+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.23 грн
5+214.58 грн
8+157.85 грн
20+149.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 Vishay / Siliconix siha15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.25 грн
10+192.75 грн
100+127.04 грн
500+104.85 грн
1000+93.37 грн
2000+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.15 грн
10+295.72 грн
100+184.44 грн
500+179.85 грн
1000+152.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.47 грн
10+337.96 грн
100+260.97 грн
500+251.02 грн
1000+250.26 грн
2000+244.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB085N60EF-GE3 SIHB085N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb085n60ef.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.86 грн
10+295.72 грн
100+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.58 грн
10+166.34 грн
100+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.65 грн
10+215.63 грн
100+159.19 грн
500+143.11 грн
1000+138.52 грн
2000+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 SIHB35N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb35n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.94 грн
10+375.81 грн
100+288.52 грн
500+256.38 грн
1000+228.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 SIHF35N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf35n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.83 грн
10+403.97 грн
100+284.70 грн
500+252.55 грн
1000+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.54 грн
10+374.05 грн
100+272.45 грн
500+271.69 грн
2500+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg105n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.75 грн
10+228.83 грн
100+195.16 грн
500+172.96 грн
1000+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 SIHG125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg125n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.22 грн
10+314.20 грн
100+221.18 грн
500+196.69 грн
1000+176.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3
Код товару: 48611
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+0.93 грн
1000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AL02BT5N602 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A0AB276832BC6A50&compId=VIKING-AL.pdf?ci_sign=4bbe8efd2d48d8a3023572f764f25b97fbd19c5b
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
300+1.11 грн
1000+0.73 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.54 грн
10+87.92 грн
100+66.74 грн
500+59.62 грн
1000+54.87 грн
2500+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N60E FCP125N60E_D-1806041.pdf
FCP125N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.94 грн
10+301.88 грн
100+208.17 грн
800+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.04 грн
10+181.30 грн
100+138.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.25 грн
8+53.73 грн
22+43.85 грн
60+41.45 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.30 грн
5+66.96 грн
22+52.62 грн
60+49.75 грн
500+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.79 грн
10+72.87 грн
100+47.91 грн
500+40.03 грн
1000+36.96 грн
2500+33.37 грн
5000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.38 грн
5+115.59 грн
12+79.72 грн
33+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.26 грн
5+144.05 грн
12+95.66 грн
33+90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.93 грн
10+99.45 грн
100+60.38 грн
500+51.20 грн
1000+44.01 грн
2000+39.49 грн
5000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.27 грн
15+63.78 грн
41+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3 Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf
IGW75N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.08 грн
10+572.96 грн
25+309.95 грн
100+260.21 грн
240+259.44 грн
480+226.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60T Infineon_IGW75N60T_DataSheet_v02_07_EN-3361881.pdf
IGW75N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.29 грн
10+271.96 грн
100+190.56 грн
480+169.14 грн
1200+145.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.24 грн
4+275.04 грн
10+259.89 грн
60+250.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+301.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60T Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf
IKB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.07 грн
10+137.30 грн
100+81.89 грн
500+67.65 грн
1000+62.14 грн
2000+59.01 грн
5000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.78 грн
5+183.36 грн
7+146.69 грн
18+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.74 грн
5+228.49 грн
7+176.02 грн
18+166.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.56 грн
10+104.43 грн
11+86.90 грн
30+82.11 грн
100+78.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.08 грн
10+130.14 грн
11+104.27 грн
30+98.53 грн
100+94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.50 грн
10+86.34 грн
100+49.67 грн
500+40.71 грн
1000+35.66 грн
2500+32.76 грн
5000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RF Infineon_IKD15N60RF_DS_v02_03_EN-1731524.pdf
IKD15N60RF
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.22 грн
10+109.13 грн
100+65.82 грн
500+55.79 грн
1000+50.13 грн
2500+43.01 грн
5000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW75N60ETXKSA1 Infineon_IKFW75N60ET_DS_v02_01_EN-1369189.pdf
IKFW75N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.48 грн
10+641.60 грн
25+398.73 грн
240+397.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.81 грн
10+109.22 грн
12+84.50 грн
31+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.17 грн
10+136.10 грн
12+101.40 грн
31+95.66 грн
500+94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.81 грн
3+432.09 грн
6+408.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.98 грн
3+538.45 грн
6+489.80 грн
30+471.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 Infineon_IKW75N60H3_DataSheet_v01_02_EN-3362438.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.40 грн
10+417.17 грн
100+300.00 грн
480+272.45 грн
1200+231.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60T description
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.40 грн
3+438.46 грн
6+414.55 грн
30+398.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783C8468413D2A259&compId=IKW75N60T.pdf?ci_sign=315235c5e21e2cdac3828b7fd0114f31bfa659fe
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+827.28 грн
3+546.39 грн
6+497.46 грн
30+478.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+311.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4672.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5606.54 грн
10+5322.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H nthl185n60s5h-d.pdf
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.94 грн
10+342.36 грн
120+199.75 грн
510+172.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTP185N60S5H ntp185n60s5h-d.pdf
NTP185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO220-3
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+338.40 грн
10+225.31 грн
100+136.99 грн
500+108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+205.19 грн
5+172.20 грн
8+131.54 грн
20+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.23 грн
5+214.58 грн
8+157.85 грн
20+149.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.25 грн
10+192.75 грн
100+127.04 грн
500+104.85 грн
1000+93.37 грн
2000+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.15 грн
10+295.72 грн
100+184.44 грн
500+179.85 грн
1000+152.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.47 грн
10+337.96 грн
100+260.97 грн
500+251.02 грн
1000+250.26 грн
2000+244.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB085N60EF-GE3 sihb085n60ef.pdf
SIHB085N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.86 грн
10+295.72 грн
100+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.58 грн
10+166.34 грн
100+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.65 грн
10+215.63 грн
100+159.19 грн
500+143.11 грн
1000+138.52 грн
2000+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB35N60E-GE3 sihb35n60e.pdf
SIHB35N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.94 грн
10+375.81 грн
100+288.52 грн
500+256.38 грн
1000+228.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF35N60EF-GE3 sihf35n60ef.pdf
SIHF35N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.83 грн
10+403.97 грн
100+284.70 грн
500+252.55 грн
1000+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.54 грн
10+374.05 грн
100+272.45 грн
500+271.69 грн
2500+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.75 грн
10+228.83 грн
100+195.16 грн
500+172.96 грн
1000+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG125N60EF-GE3 sihg125n60ef.pdf
SIHG125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.22 грн
10+314.20 грн
100+221.18 грн
500+196.69 грн
1000+176.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]