Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415 		fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611 		Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
1+440 грн
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Resonant frequency: 6GHz
Operating current: 0.31A
Test frequency: 500MHz
Q factor: 16
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Type of inductor: thin film
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
300+1.45 грн
1000+ 0.92 грн
1300+ 0.68 грн
3500+ 0.65 грн
Мінімальне замовлення: 300
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Resonant frequency: 6GHz
Operating current: 0.31A
Test frequency: 500MHz
Q factor: 16
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Type of inductor: thin film
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
200+1.74 грн
1000+ 1.14 грн
1300+ 0.82 грн
3500+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 200
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.27 грн
10+ 95.73 грн
100+ 76.17 грн
500+ 60.48 грн
1000+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM FCD5N60TM onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild FCU5N60_D-2311834.pdf MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.34 грн
10+ 88.21 грн
100+ 68.75 грн
250+ 68.05 грн
500+ 61.15 грн
1000+ 52.35 грн
2500+ 49.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.27 грн
10+ 95.73 грн
100+ 76.17 грн
500+ 60.48 грн
1000+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM; 4,6A; 600V; 0,95R; 54W; N-MOSFET+diod; Корпус: DPAK; Fairchild
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
12+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
FCH165N60E FCH165N60E onsemi fch165n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.29 грн
30+ 235.22 грн
120+ 201.63 грн
510+ 185.07 грн
FCH165N60E FCH165N60E onsemi / Fairchild FCH165N60E_D-2311863.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.06 грн
10+ 424.05 грн
25+ 285 грн
100+ 254.74 грн
250+ 254.03 грн
450+ 220.96 грн
900+ 197.03 грн
FCP125N60E FCP125N60E onsemi / Fairchild FCP125N60E_D-2311679.pdf MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.13 грн
10+ 342.31 грн
50+ 296.26 грн
100+ 241.37 грн
250+ 238.55 грн
500+ 237.85 грн
800+ 183.66 грн
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E_D-2311711.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.81 грн
10+ 242.78 грн
50+ 205.48 грн
100+ 180.15 грн
250+ 173.11 грн
500+ 145.66 грн
800+ 131.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.99 грн
8+ 49.41 грн
22+ 39.58 грн
60+ 37.38 грн
500+ 37.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+71.99 грн
5+ 61.57 грн
22+ 47.5 грн
60+ 44.86 грн
500+ 44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi / Fairchild FDD5N60NZ_D-2311974.pdf MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.28 грн
10+ 61.42 грн
100+ 42.57 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.65 грн
2500+ 30.05 грн
5000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 61714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.69 грн
10+ 63.48 грн
100+ 49.38 грн
500+ 39.28 грн
1000+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.33 грн
5000+ 30.57 грн
12500+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi fqu5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.02 грн
10+ 67.58 грн
100+ 52.6 грн
500+ 41.84 грн
1000+ 34.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi fqu5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.5 грн
5000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQP5N60C Fairchild fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGB15N60T IGB15N60T Infineon Technologies Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.31 грн
10+ 118.96 грн
100+ 82.33 грн
250+ 76 грн
500+ 69.38 грн
1000+ 58.9 грн
2000+ 55.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.73 грн
10+ 107.83 грн
100+ 85.77 грн
500+ 68.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42 Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGP15N60T IGP15N60T Infineon Technologies Infineon_IGP15N60T_DS_v02_04_EN-1890398.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.09 грн
10+ 65.87 грн
100+ 52.5 грн
250+ 52.14 грн
500+ 49.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b84fabee78ad Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.78 грн
50+ 66.97 грн
100+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW75N60H3 IGW75N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.93 грн
25+ 300.23 грн
100+ 250.52 грн
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+276.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+276.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N60T IKA15N60T Infineon Technologies Infineon_IKA15N60T_DS_v02_06_EN-1226813.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.63 грн
10+ 128.67 грн
100+ 88.67 грн
250+ 82.33 грн
500+ 73.89 грн
1000+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.09 грн
5+ 168.59 грн
7+ 133.41 грн
18+ 126.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.5 грн
5+ 210.09 грн
7+ 160.09 грн
18+ 151.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.94 грн
10+ 132.68 грн
100+ 105.57 грн
500+ 83.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.94 грн
10+ 86.5 грн
11+ 79.17 грн
30+ 74.77 грн
50+ 73.3 грн
100+ 71.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.72 грн
10+ 107.79 грн
11+ 95 грн
30+ 89.72 грн
50+ 87.96 грн
100+ 86.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 18770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.99 грн
10+ 94.34 грн
100+ 75.08 грн
500+ 59.62 грн
1000+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.18 грн
5000+ 49.28 грн
12500+ 47.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.61 грн
10+ 85.91 грн
100+ 66.85 грн
500+ 53.18 грн
1000+ 43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBTs N
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.77 грн
10+ 78.25 грн
100+ 57.7 грн
500+ 52 грн
1000+ 44.19 грн
2500+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.45 грн
10+ 106.14 грн
100+ 84.52 грн
500+ 67.11 грн
1000+ 56.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.09 грн
10+ 107.75 грн
11+ 82.83 грн
29+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.51 грн
10+ 134.28 грн
11+ 99.4 грн
29+ 94.12 грн
500+ 93.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.78 грн
2+ 499.92 грн
3+ 499.18 грн
5+ 472.06 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+842.13 грн
2+ 622.97 грн
3+ 599.02 грн
5+ 566.48 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.2 грн
2+ 509.45 грн
5+ 481.59 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+858.24 грн
2+ 634.85 грн
5+ 577.91 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N60T_DS_v02_08_EN-1731588.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.49 грн
10+ 530.06 грн
25+ 384.92 грн
100+ 356.07 грн
240+ 354.66 грн
480+ 308.92 грн
1200+ 295.55 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.22 грн
30+ 454.98 грн
120+ 407.1 грн
510+ 337.1 грн
1020+ 303.39 грн
2010+ 284.29 грн
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+357.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415		 fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
SPW35N60C3
Код товару: 48611		 Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+440 грн
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AL02BT5N602 VIKING-AL.pdf
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Resonant frequency: 6GHz
Operating current: 0.31A
Test frequency: 500MHz
Q factor: 16
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Type of inductor: thin film
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+1.45 грн
1000+ 0.92 грн
1300+ 0.68 грн
3500+ 0.65 грн
Мінімальне замовлення: 300
AL02BT5N602 VIKING-AL.pdf
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Resistance: 0.7Ω
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Resonant frequency: 6GHz
Operating current: 0.31A
Test frequency: 500MHz
Q factor: 16
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Type of inductor: thin film
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+1.74 грн
1000+ 1.14 грн
1300+ 0.82 грн
3500+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 200
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.27 грн
10+ 95.73 грн
100+ 76.17 грн
500+ 60.48 грн
1000+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+32 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCD5N60TM-WS FCU5N60_D-2311834.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.34 грн
10+ 88.21 грн
100+ 68.75 грн
250+ 68.05 грн
500+ 61.15 грн
1000+ 52.35 грн
2500+ 49.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.27 грн
10+ 95.73 грн
100+ 76.17 грн
500+ 60.48 грн
1000+ 51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM; 4,6A; 600V; 0,95R; 54W; N-MOSFET+diod; Корпус: DPAK; Fairchild
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
FCH165N60E fch165n60e-d.pdf
FCH165N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.29 грн
30+ 235.22 грн
120+ 201.63 грн
510+ 185.07 грн
FCH165N60E FCH165N60E_D-2311863.pdf
FCH165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.06 грн
10+ 424.05 грн
25+ 285 грн
100+ 254.74 грн
250+ 254.03 грн
450+ 220.96 грн
900+ 197.03 грн
FCP125N60E FCP125N60E_D-2311679.pdf
FCP125N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+412.13 грн
10+ 342.31 грн
50+ 296.26 грн
100+ 241.37 грн
250+ 238.55 грн
500+ 237.85 грн
800+ 183.66 грн
FCP165N60E FCP165N60E_D-2311711.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.81 грн
10+ 242.78 грн
50+ 205.48 грн
100+ 180.15 грн
250+ 173.11 грн
500+ 145.66 грн
800+ 131.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.99 грн
8+ 49.41 грн
22+ 39.58 грн
60+ 37.38 грн
500+ 37.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.99 грн
5+ 61.57 грн
22+ 47.5 грн
60+ 44.86 грн
500+ 44.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZ_D-2311974.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.28 грн
10+ 61.42 грн
100+ 42.57 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.65 грн
2500+ 30.05 грн
5000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 61714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.69 грн
10+ 63.48 грн
100+ 49.38 грн
500+ 39.28 грн
1000+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.33 грн
5000+ 30.57 грн
12500+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.02 грн
10+ 67.58 грн
100+ 52.6 грн
500+ 41.84 грн
1000+ 34.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.5 грн
5000+ 32.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQP5N60C fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGB15N60T Infineon_IGB15N60T_DataSheet_v02_06_EN-3361594.pdf
IGB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.31 грн
10+ 118.96 грн
100+ 82.33 грн
250+ 76 грн
500+ 69.38 грн
1000+ 58.9 грн
2000+ 55.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.73 грн
10+ 107.83 грн
100+ 85.77 грн
500+ 68.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428077f3d42
IGB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGP15N60T Infineon_IGP15N60T_DS_v02_04_EN-1890398.pdf
IGP15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.09 грн
10+ 65.87 грн
100+ 52.5 грн
250+ 52.14 грн
500+ 49.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b84fabee78ad
IGP15N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.78 грн
50+ 66.97 грн
100+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW75N60H3 Infineon_IGW75N60H3_DS_v01_02_en-3359989.pdf
IGW75N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.93 грн
25+ 300.23 грн
100+ 250.52 грн
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+276.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+276.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N60T Infineon_IKA15N60T_DS_v02_06_EN-1226813.pdf
IKA15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+157.63 грн
10+ 128.67 грн
100+ 88.67 грн
250+ 82.33 грн
500+ 73.89 грн
1000+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.09 грн
5+ 168.59 грн
7+ 133.41 грн
18+ 126.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.5 грн
5+ 210.09 грн
7+ 160.09 грн
18+ 151.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a
IKB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.94 грн
10+ 132.68 грн
100+ 105.57 грн
500+ 83.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 Infineon-IKB15N60T-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4287d223e0a
IKB15N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.94 грн
10+ 86.5 грн
11+ 79.17 грн
30+ 74.77 грн
50+ 73.3 грн
100+ 71.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.72 грн
10+ 107.79 грн
11+ 95 грн
30+ 89.72 грн
50+ 87.96 грн
100+ 86.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RATMA1 Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 18770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.99 грн
10+ 94.34 грн
100+ 75.08 грн
500+ 59.62 грн
1000+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RATMA1 Infineon-IKD15N60R-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5e03026003b2
IKD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.18 грн
5000+ 49.28 грн
12500+ 47.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.61 грн
10+ 85.91 грн
100+ 66.85 грн
500+ 53.18 грн
1000+ 43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs N
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.77 грн
10+ 78.25 грн
100+ 57.7 грн
500+ 52 грн
1000+ 44.19 грн
2500+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RFATMA1 DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a
IKD15N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.45 грн
10+ 106.14 грн
100+ 84.52 грн
500+ 67.11 грн
1000+ 56.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RFATMA1 DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a
IKD15N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+157.09 грн
10+ 107.75 грн
11+ 82.83 грн
29+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.51 грн
10+ 134.28 грн
11+ 99.4 грн
29+ 94.12 грн
500+ 93.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP15N60TXKSA1 infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+701.78 грн
2+ 499.92 грн
3+ 499.18 грн
5+ 472.06 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+842.13 грн
2+ 622.97 грн
3+ 599.02 грн
5+ 566.48 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+715.2 грн
2+ 509.45 грн
5+ 481.59 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+858.24 грн
2+ 634.85 грн
5+ 577.91 грн
IKW75N60TFKSA1 Infineon_IKW75N60T_DS_v02_08_EN-1731588.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+543.49 грн
10+ 530.06 грн
25+ 384.92 грн
100+ 356.07 грн
240+ 354.66 грн
480+ 308.92 грн
1200+ 295.55 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
IKW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+592.22 грн
30+ 454.98 грн
120+ 407.1 грн
510+ 337.1 грн
1020+ 303.39 грн
2010+ 284.29 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+357.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]