Результат пошуку "5n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD5N60NZTM Код товару: 163415
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3 Код товару: 48611
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 650 V Idd,A: 34,6 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150 Монтаж: THT |
у наявності: 44 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
5N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
5N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
5N6001 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
5N60C | FAIRCHILD |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
AL02BT5N602 | Viking |
![]() Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH Mounting: SMD Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 6GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 0.7Ω Operating current: 0.31A Tolerance: ±0,1nH Inductance: 5.6nH Type of inductor: thin film Q factor: 16 |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AL02BT5N602 | Viking |
![]() Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH Mounting: SMD Test frequency: 500MHz Resonant frequency: 6GHz Case - mm: 1005 Case - inch: 0402 Resistance: 0.7Ω Operating current: 0.31A Tolerance: ±0,1nH Inductance: 5.6nH Type of inductor: thin film Q factor: 16 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FCD5N60TM | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FCD5N60TM-WS | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP125N60E | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP165N60E | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD5N60NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.4A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD5N60CTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 24655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP5N60C | Fairchild |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKB15N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 832 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD15N60RF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKFW75N60ETXKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP15N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKP15N60TXKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXKN75N60C | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKN75N60C | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 560W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 580ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTHL185N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTP185N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA15N60E-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA15N60E-E3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA15N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHA25N60EFL-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB065N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 9497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIHB085N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB105N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 8024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB125N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHB35N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHF35N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG065N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG105N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG125N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
FDD5N60NZTM Код товару: 163415
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
SPW35N60C3 Код товару: 48611
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
31 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 440.00 грн |
5N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
5N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
5N60C |
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AL02BT5N602 |
![]() |
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 0.93 грн |
1000+ | 0.58 грн |
AL02BT5N602 |
![]() |
Виробник: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.7Ω
Operating current: 0.31A
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 5.6nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 1.11 грн |
1000+ | 0.73 грн |
10000+ | 0.50 грн |
FCD5N60TM |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 34.83 грн |
FCD5N60TM-WS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
MOSFETs 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.54 грн |
10+ | 87.92 грн |
100+ | 66.74 грн |
500+ | 59.62 грн |
1000+ | 54.87 грн |
2500+ | 50.66 грн |
FCP125N60E |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
MOSFETs 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 458.94 грн |
10+ | 301.88 грн |
100+ | 208.17 грн |
800+ | 206.64 грн |
FCP165N60E |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.04 грн |
10+ | 181.30 грн |
100+ | 138.52 грн |
FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 65.25 грн |
8+ | 53.73 грн |
22+ | 43.85 грн |
60+ | 41.45 грн |
500+ | 40.26 грн |
FDD5N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.30 грн |
5+ | 66.96 грн |
22+ | 52.62 грн |
60+ | 49.75 грн |
500+ | 48.31 грн |
FQD5N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 101.79 грн |
10+ | 72.87 грн |
100+ | 47.91 грн |
500+ | 40.03 грн |
1000+ | 36.96 грн |
2500+ | 33.37 грн |
5000+ | 32.53 грн |
FQP5N60C |
![]() ![]() |
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 61.10 грн |
IGB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.38 грн |
5+ | 115.59 грн |
12+ | 79.72 грн |
33+ | 75.73 грн |
IGB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.26 грн |
5+ | 144.05 грн |
12+ | 95.66 грн |
33+ | 90.88 грн |
IGB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 158.93 грн |
10+ | 99.45 грн |
100+ | 60.38 грн |
500+ | 51.20 грн |
1000+ | 44.01 грн |
2000+ | 39.49 грн |
5000+ | 37.42 грн |
IGP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 168.27 грн |
15+ | 63.78 грн |
41+ | 60.59 грн |
IGW75N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 616.08 грн |
10+ | 572.96 грн |
25+ | 309.95 грн |
100+ | 260.21 грн |
240+ | 259.44 грн |
480+ | 226.53 грн |
IGW75N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 414.29 грн |
10+ | 271.96 грн |
100+ | 190.56 грн |
480+ | 169.14 грн |
1200+ | 145.41 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 411.24 грн |
4+ | 275.04 грн |
10+ | 259.89 грн |
60+ | 250.32 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 301.44 грн |
IGW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 301.44 грн |
IKB15N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 216.07 грн |
10+ | 137.30 грн |
100+ | 81.89 грн |
500+ | 67.65 грн |
1000+ | 62.14 грн |
2000+ | 59.01 грн |
5000+ | 57.02 грн |
IKB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.78 грн |
5+ | 183.36 грн |
7+ | 146.69 грн |
18+ | 138.71 грн |
IKB15N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 263.74 грн |
5+ | 228.49 грн |
7+ | 176.02 грн |
18+ | 166.46 грн |
IKD15N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 172.56 грн |
10+ | 104.43 грн |
11+ | 86.90 грн |
30+ | 82.11 грн |
100+ | 78.92 грн |
IKD15N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 207.08 грн |
10+ | 130.14 грн |
11+ | 104.27 грн |
30+ | 98.53 грн |
100+ | 94.71 грн |
IKD15N60RC2ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.50 грн |
10+ | 86.34 грн |
100+ | 49.67 грн |
500+ | 40.71 грн |
1000+ | 35.66 грн |
2500+ | 32.76 грн |
5000+ | 29.69 грн |
IKD15N60RF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 173.22 грн |
10+ | 109.13 грн |
100+ | 65.82 грн |
500+ | 55.79 грн |
1000+ | 50.13 грн |
2500+ | 43.01 грн |
5000+ | 40.71 грн |
IKFW75N60ETXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 729.48 грн |
10+ | 641.60 грн |
25+ | 398.73 грн |
240+ | 397.97 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.81 грн |
10+ | 109.22 грн |
12+ | 84.50 грн |
31+ | 79.72 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 176.17 грн |
10+ | 136.10 грн |
12+ | 101.40 грн |
31+ | 95.66 грн |
500+ | 94.71 грн |
IKP15N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.70 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 680.81 грн |
3+ | 432.09 грн |
6+ | 408.17 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 816.98 грн |
3+ | 538.45 грн |
6+ | 489.80 грн |
30+ | 471.63 грн |
IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 588.40 грн |
10+ | 417.17 грн |
100+ | 300.00 грн |
480+ | 272.45 грн |
1200+ | 231.13 грн |
IKW75N60T | ![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 311.17 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 689.40 грн |
3+ | 438.46 грн |
6+ | 414.55 грн |
30+ | 398.60 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 827.28 грн |
3+ | 546.39 грн |
6+ | 497.46 грн |
30+ | 478.32 грн |
IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 311.17 грн |
IXKN75N60C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4672.12 грн |
IXKN75N60C |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5606.54 грн |
10+ | 5322.86 грн |
NTHL185N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 458.94 грн |
10+ | 342.36 грн |
120+ | 199.75 грн |
510+ | 172.20 грн |
NTP185N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO220-3
MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM TO220-3
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 338.40 грн |
10+ | 225.31 грн |
100+ | 136.99 грн |
500+ | 108.68 грн |
SIHA15N60E-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 205.19 грн |
5+ | 172.20 грн |
8+ | 131.54 грн |
20+ | 124.36 грн |
SIHA15N60E-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.23 грн |
5+ | 214.58 грн |
8+ | 157.85 грн |
20+ | 149.24 грн |
SIHA15N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.25 грн |
10+ | 192.75 грн |
100+ | 127.04 грн |
500+ | 104.85 грн |
1000+ | 93.37 грн |
2000+ | 88.78 грн |
SIHA25N60EFL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 407.15 грн |
10+ | 295.72 грн |
100+ | 184.44 грн |
500+ | 179.85 грн |
1000+ | 152.30 грн |
SIHB065N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 454.47 грн |
10+ | 337.96 грн |
100+ | 260.97 грн |
500+ | 251.02 грн |
1000+ | 250.26 грн |
2000+ | 244.90 грн |
SIHB085N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-263
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 442.86 грн |
10+ | 295.72 грн |
100+ | 194.39 грн |
SIHB105N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.58 грн |
10+ | 166.34 грн |
100+ | 136.99 грн |
SIHB125N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 269.65 грн |
10+ | 215.63 грн |
100+ | 159.19 грн |
500+ | 143.11 грн |
1000+ | 138.52 грн |
2000+ | 136.99 грн |
SIHB35N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 508.94 грн |
10+ | 375.81 грн |
100+ | 288.52 грн |
500+ | 256.38 грн |
1000+ | 228.83 грн |
SIHF35N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 559.83 грн |
10+ | 403.97 грн |
100+ | 284.70 грн |
500+ | 252.55 грн |
1000+ | 206.64 грн |
SIHG065N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 495.54 грн |
10+ | 374.05 грн |
100+ | 272.45 грн |
500+ | 271.69 грн |
2500+ | 229.60 грн |
SIHG105N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 268.75 грн |
10+ | 228.83 грн |
100+ | 195.16 грн |
500+ | 172.96 грн |
1000+ | 154.59 грн |
SIHG125N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 398.22 грн |
10+ | 314.20 грн |
100+ | 221.18 грн |
500+ | 196.69 грн |
1000+ | 176.02 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]