Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13019) > Сторінка 109 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV_datasheet_en_20171011.pdf?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.26 грн
16000+ 1.8 грн
24000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 8000
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
6000+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR2DG15,LF TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товар відсутній
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PZ07FU Description: IC BUFF/DVR NON-INVERT 6SSOP
товар відсутній
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
6000+ 3.37 грн
15000+ 3 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
74VHCV245FT(BJ) 74VHCV245FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товар відсутній
TC7USB3212WBG(ELAH TC7USB3212WBG(ELAH Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13784&prodName=TC7USB3212WBG Description: IC MUX/DEMUX 4 X 1:2 20WCSP
товар відсутній
DF2B36FU,H3F DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=36248&prodName=DF2B36FU Description: TVS DIODE 28VWM 40VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.76 грн
19+ 14.6 грн
100+ 7.35 грн
500+ 5.63 грн
1000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF3D36FU,LF DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU_Web.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3K72CFS,LF SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS_datasheet_en_20161117.pdf?did=35826&prodName=SSM3K72CFS Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 36798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
33+ 8.38 грн
100+ 4.51 грн
500+ 3.32 грн
1000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
SSM3K72KCT,L3F SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT_datasheet_en_20201124.pdf?did=35719&prodName=SSM3K72KCT Description: MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 61555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.44 грн
27+ 10.21 грн
100+ 5 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.72 грн
2000+ 2.35 грн
5000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
SSM3K7002KF,LF SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF_datasheet_en_20210528.pdf?did=35718&prodName=SSM3K7002KF Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 25970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.16 грн
15+ 18.32 грн
100+ 9.71 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 52692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.08 грн
12+ 22.85 грн
100+ 15.9 грн
500+ 11.65 грн
1000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
TCK107AF,LF TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AF_datasheet_en_20151229.pdf?did=53240&prodName=TCK108AF Description: IC PWR LOAD SWITCH LO ON-RES SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Typ): 63mOhm
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
12+ 23.73 грн
25+ 21.68 грн
100+ 15.15 грн
250+ 13.72 грн
500+ 11.36 грн
1000+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товар відсутній
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU_datasheet_en_20170418.pdf?did=30767&prodName=SSM6J511NU Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 56536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.88 грн
12+ 23.25 грн
100+ 13.96 грн
500+ 12.13 грн
1000+ 8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.39 грн
11+ 25.62 грн
100+ 15.36 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K16FU,LF SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19613&prodName=SSM3K16FU Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.46 грн
16+ 17.91 грн
100+ 9.51 грн
500+ 5.87 грн
1000+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3J15FU,LF SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 43183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.14 грн
26+ 10.54 грн
100+ 5.13 грн
500+ 4.01 грн
1000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FV_datasheet_en_20171011.pdf?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 38690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.74 грн
29+ 9.6 грн
100+ 4.66 грн
500+ 3.65 грн
1000+ 2.54 грн
2000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
18+ 15.07 грн
25+ 13.22 грн
100+ 8.04 грн
250+ 6.66 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
TCR2DG15,LF TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товар відсутній
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PZ07FU Description: IC BUFF/DVR NON-INVERT 6SSOP
товар відсутній
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 63091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
19+ 14.94 грн
25+ 13.11 грн
100+ 7.97 грн
250+ 6.59 грн
500+ 5.28 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
74VHCV245FT(BJ) 74VHCV245FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товар відсутній
DF3D36FU,LF DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU_Web.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товар відсутній
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PZ07FU Description: IC BUFF/DVR NON-INVERT 6SSOP
товар відсутній
74VHCV245FT(BJ) 74VHCV245FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товар відсутній
TBD62064AFG,EL TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.68 грн
3000+ 46.33 грн
7500+ 44.61 грн
10500+ 40.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
1SS389,L3F 1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389_datasheet_en_20140301.pdf?did=3371&prodName=1SS389 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.01 грн
16000+ 1.61 грн
24000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000
1SS389,L3F 1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389_datasheet_en_20140301.pdf?did=3371&prodName=1SS389 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 41668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
32+ 8.58 грн
100+ 4.16 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
2000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
TBD62064AFG,EL TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 32677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.29 грн
10+ 90.91 грн
25+ 85.79 грн
100+ 68.6 грн
250+ 64.41 грн
500+ 56.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLP184(GB,SE TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14118&prodName=TLP184(SE Description: OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.29 грн
14+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6L16FETE85LF SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
товар відсутній
SSM6L16FETE85LF SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP2703(E TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703 Description: OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 80mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Supplier Device Package: 6-SO
Voltage - Output (Max): 18V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.65 грн
10+ 56.24 грн
100+ 41.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
TLP2703(TP,E TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703 Description: OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 80mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Supplier Device Package: 6-SO
Voltage - Output (Max): 18V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TLP2703(TP,E TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703 Description: OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 80mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Supplier Device Package: 6-SO
Voltage - Output (Max): 18V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.65 грн
10+ 56.24 грн
100+ 41.6 грн
500+ 35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.81 грн
10000+ 51.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30643&prodName=TPN3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.32 грн
10000+ 15.44 грн
25000+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30264&prodName=TPN2R304PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.26 грн
10000+ 18.95 грн
25000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH3R704PL,L1Q TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30712&prodName=TPH3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.12 грн
10000+ 18.83 грн
25000+ 18.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 38902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.45 грн
10+ 102.88 грн
100+ 81.87 грн
500+ 65.01 грн
1000+ 55.16 грн
2000+ 52.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30643&prodName=TPN3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 34201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.43 грн
10+ 40.15 грн
100+ 27.8 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 18.55 грн
2000+ 16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30264&prodName=TPN2R304PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 39247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 49.28 грн
100+ 34.11 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 22.77 грн
2000+ 20.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPH3R704PL,L1Q TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30712&prodName=TPH3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 122495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 49 грн
100+ 33.9 грн
500+ 26.58 грн
1000+ 22.62 грн
2000+ 20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
TC35662IXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
товар відсутній
TC35662IXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS396,LF 1SS396,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS396_datasheet_en_20230615.pdf?did=3384&prodName=1SS396 Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 70MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товар відсутній
SSM3K361R,LF SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R_datasheet_en_20221007.pdf?did=36685&prodName=SSM3K361R Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.62 грн
6000+ 9.71 грн
9000+ 9.01 грн
30000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAS16,LM TBAS16,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16_TBAW56_TBAV70.pdf Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAT54C,LM TBAT54C,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54_datasheet_en_20171117.pdf?did=37137&prodName=TBAT54 Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 140MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 140mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAT54S,LM TBAT54S,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54_datasheet_en_20171117.pdf?did=37137&prodName=TBAT54 Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.77 грн
30000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAV70,LM TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16_TBAW56_TBAV70.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.07 грн
9000+ 1.76 грн
30000+ 1.53 грн
75000+ 1.33 грн
150000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAW56,LM TBAW56,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAS16_TBAW56_TBAV70.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1SS396,LF 1SS396,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS396_datasheet_en_20230615.pdf?did=3384&prodName=1SS396 Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 70MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.57 грн
17+ 16.63 грн
100+ 8.38 грн
500+ 6.42 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
74HC04D 74HC04D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC04D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37182&prodName=74HC04D Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.78 грн
12+ 23.66 грн
25+ 22.06 грн
100+ 16.56 грн
250+ 15.38 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
74HC14D 74HC14D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC14D_datasheet_en_20160524.pdf?did=36766&prodName=74HC14D Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 37230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.78 грн
12+ 23.66 грн
25+ 22.06 грн
100+ 16.56 грн
250+ 15.38 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
74HC245D 74HC245D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC245D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37029&prodName=74HC245D description Description: IC TXRX NON-INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.01 грн
10+ 34.34 грн
25+ 32.26 грн
100+ 24.69 грн
250+ 22.94 грн
500+ 19.52 грн
1000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV_datasheet_en_20171011.pdf?did=593&prodName=SSM3J15FV
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.26 грн
16000+ 1.8 грн
24000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 8000
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.93 грн
6000+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TCR2DG15,LF docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12
TCR2DG15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товар відсутній
TC7PZ07FU,LJ(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PZ07FU
TC7PZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR NON-INVERT 6SSOP
товар відсутній
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU
TC7PZ17FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.89 грн
6000+ 3.37 грн
15000+ 3 грн
30000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
74VHCV245FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT
74VHCV245FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товар відсутній
TC7USB3212WBG(ELAH docget.jsp?did=13784&prodName=TC7USB3212WBG
TC7USB3212WBG(ELAH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 1:2 20WCSP
товар відсутній
DF2B36FU,H3F DF2B36FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=36248&prodName=DF2B36FU
DF2B36FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 28VWM 40VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+21.76 грн
19+ 14.6 грн
100+ 7.35 грн
500+ 5.63 грн
1000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF3D36FU,LF DF3D36FU_Web.pdf
DF3D36FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3K72CFS,LF SSM3K72CFS_datasheet_en_20161117.pdf?did=35826&prodName=SSM3K72CFS
SSM3K72CFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 36798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
33+ 8.38 грн
100+ 4.51 грн
500+ 3.32 грн
1000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
SSM3K72KCT,L3F SSM3K72KCT_datasheet_en_20201124.pdf?did=35719&prodName=SSM3K72KCT
SSM3K72KCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 61555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.44 грн
27+ 10.21 грн
100+ 5 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.72 грн
2000+ 2.35 грн
5000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
SSM3K7002KF,LF SSM3K7002KF_datasheet_en_20210528.pdf?did=35718&prodName=SSM3K7002KF
SSM3K7002KF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 25970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.16 грн
15+ 18.32 грн
100+ 9.71 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3K341R,LF SSM3K341R_DS.pdf
SSM3K341R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 52692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.08 грн
12+ 22.85 грн
100+ 15.9 грн
500+ 11.65 грн
1000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
TCK107AF,LF TCK108AF_datasheet_en_20151229.pdf?did=53240&prodName=TCK108AF
TCK107AF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR LOAD SWITCH LO ON-RES SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Typ): 63mOhm
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
12+ 23.73 грн
25+ 21.68 грн
100+ 15.15 грн
250+ 13.72 грн
500+ 11.36 грн
1000+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6N61NU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товар відсутній
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU_datasheet_en_20170418.pdf?did=30767&prodName=SSM6J511NU
SSM6J511NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 56536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.88 грн
12+ 23.25 грн
100+ 13.96 грн
500+ 12.13 грн
1000+ 8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.39 грн
11+ 25.62 грн
100+ 15.36 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM3K16FU,LF docget.jsp?did=19613&prodName=SSM3K16FU
SSM3K16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.46 грн
16+ 17.91 грн
100+ 9.51 грн
500+ 5.87 грн
1000+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
SSM3J15FU,LF docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU
SSM3J15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 43183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.14 грн
26+ 10.54 грн
100+ 5.13 грн
500+ 4.01 грн
1000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV_datasheet_en_20171011.pdf?did=593&prodName=SSM3J15FV
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 38690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.74 грн
29+ 9.6 грн
100+ 4.66 грн
500+ 3.65 грн
1000+ 2.54 грн
2000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
18+ 15.07 грн
25+ 13.22 грн
100+ 8.04 грн
250+ 6.66 грн
500+ 5.32 грн
1000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
TCR2DG15,LF docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12
TCR2DG15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товар відсутній
TC7PZ07FU,LJ(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PZ07FU
TC7PZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR NON-INVERT 6SSOP
товар відсутній
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU
TC7PZ17FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 63091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
19+ 14.94 грн
25+ 13.11 грн
100+ 7.97 грн
250+ 6.59 грн
500+ 5.28 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
74VHCV245FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT
74VHCV245FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товар відсутній
DF3D36FU,LF DF3D36FU_Web.pdf
DF3D36FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM6N61NU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товар відсутній
TC7PZ07FU,LJ(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7PZ07FU
TC7PZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR NON-INVERT 6SSOP
товар відсутній
74VHCV245FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT
74VHCV245FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товар відсутній
TBD62064AFG,EL TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064AFG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+51.68 грн
3000+ 46.33 грн
7500+ 44.61 грн
10500+ 40.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
1SS389,L3F 1SS389_datasheet_en_20140301.pdf?did=3371&prodName=1SS389
1SS389,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.01 грн
16000+ 1.61 грн
24000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000
1SS389,L3F 1SS389_datasheet_en_20140301.pdf?did=3371&prodName=1SS389
1SS389,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 41668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
32+ 8.58 грн
100+ 4.16 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
2000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
TBD62064AFG,EL TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064AFG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 32677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.29 грн
10+ 90.91 грн
25+ 85.79 грн
100+ 68.6 грн
250+ 64.41 грн
500+ 56.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLP184(GB,SE TLP184%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14118&prodName=TLP184(SE
TLP184(GB,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.29 грн
14+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6L16FETE85LF docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L16FETE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
товар відсутній
SSM6L16FETE85LF docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L16FETE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TLP2703(E docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703
TLP2703(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 80mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Supplier Device Package: 6-SO
Voltage - Output (Max): 18V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.65 грн
10+ 56.24 грн
100+ 41.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
TLP2703(TP,E docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703
TLP2703(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 80mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Supplier Device Package: 6-SO
Voltage - Output (Max): 18V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TLP2703(TP,E docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703
TLP2703(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV DARLINGTON SO6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 80mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Supplier Device Package: 6-SO
Voltage - Output (Max): 18V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.65 грн
10+ 56.24 грн
100+ 41.6 грн
500+ 35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL
TPHR6503PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+55.81 грн
10000+ 51.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30643&prodName=TPN3R704PL
TPN3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.32 грн
10000+ 15.44 грн
25000+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30264&prodName=TPN2R304PL
TPN2R304PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.26 грн
10000+ 18.95 грн
25000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH3R704PL,L1Q TPH3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30712&prodName=TPH3R704PL
TPH3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.12 грн
10000+ 18.83 грн
25000+ 18.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL
TPHR6503PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 38902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.45 грн
10+ 102.88 грн
100+ 81.87 грн
500+ 65.01 грн
1000+ 55.16 грн
2000+ 52.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30643&prodName=TPN3R704PL
TPN3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 34201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.43 грн
10+ 40.15 грн
100+ 27.8 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 18.55 грн
2000+ 16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30264&prodName=TPN2R304PL
TPN2R304PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 39247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.96 грн
10+ 49.28 грн
100+ 34.11 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 22.77 грн
2000+ 20.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPH3R704PL,L1Q TPH3R704PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=30712&prodName=TPH3R704PL
TPH3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 122495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.96 грн
10+ 49 грн
100+ 33.9 грн
500+ 26.58 грн
1000+ 22.62 грн
2000+ 20.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
TC35662IXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
товар відсутній
TC35662IXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS396,LF 1SS396_datasheet_en_20230615.pdf?did=3384&prodName=1SS396
1SS396,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 70MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товар відсутній
SSM3K361R,LF SSM3K361R_datasheet_en_20221007.pdf?did=36685&prodName=SSM3K361R
SSM3K361R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.62 грн
6000+ 9.71 грн
9000+ 9.01 грн
30000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAS16,LM TBAS16_TBAW56_TBAV70.pdf
TBAS16,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAT54C,LM TBAT54_datasheet_en_20171117.pdf?did=37137&prodName=TBAT54
TBAT54C,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 140MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 140mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAT54S,LM TBAT54_datasheet_en_20171117.pdf?did=37137&prodName=TBAT54
TBAT54S,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.77 грн
30000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAV70,LM TBAS16_TBAW56_TBAV70.pdf
TBAV70,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+ 2.07 грн
9000+ 1.76 грн
30000+ 1.53 грн
75000+ 1.33 грн
150000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TBAW56,LM TBAS16_TBAW56_TBAV70.pdf
TBAW56,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1SS396,LF 1SS396_datasheet_en_20230615.pdf?did=3384&prodName=1SS396
1SS396,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 70MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.57 грн
17+ 16.63 грн
100+ 8.38 грн
500+ 6.42 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
74HC04D 74HC04D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37182&prodName=74HC04D
74HC04D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.78 грн
12+ 23.66 грн
25+ 22.06 грн
100+ 16.56 грн
250+ 15.38 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
74HC14D 74HC14D_datasheet_en_20160524.pdf?did=36766&prodName=74HC14D
74HC14D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 37230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.78 грн
12+ 23.66 грн
25+ 22.06 грн
100+ 16.56 грн
250+ 15.38 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
74HC245D description 74HC245D_datasheet_en_20160804.pdf?did=37029&prodName=74HC245D
74HC245D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TXRX NON-INVERT 6V 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.01 грн
10+ 34.34 грн
25+ 32.26 грн
100+ 24.69 грн
250+ 22.94 грн
500+ 19.52 грн
1000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]