Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 206 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MG04SCA20EN Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE Toshiba Semiconductor and Storage Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.23 грн
10+106.85 грн
100+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf Description: N300 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf Description: N300PRO 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12569.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367 Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+34.85 грн
100+22.44 грн
500+16.05 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.53 грн
10+93.77 грн
100+66.94 грн
500+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.50 грн
10+96.80 грн
100+69.33 грн
500+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.50 грн
10+96.80 грн
100+69.33 грн
500+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1 Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.23 грн
10+106.13 грн
100+72.12 грн
500+54.02 грн
1000+49.63 грн
2000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+5.93 грн
9000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 26254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.26 грн
15+22.17 грн
100+14.26 грн
500+10.03 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
6000+4.77 грн
15000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 23313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.81 грн
16+21.21 грн
25+18.53 грн
100+11.26 грн
250+9.33 грн
500+7.46 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF RN1411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF RN1411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
23+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.05 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
23+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.05 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHF RN2405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2405_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2405 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHF RN2405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2405_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2405 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.01 грн
23+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.05 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHF RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2409 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHF RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2409 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHF RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHF RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412,LXHF RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412,LXHF RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHF RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHF RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHF RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHF RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHF RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHF RN1413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQ TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58173&prodName=TK60S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.84 грн
4000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQ TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58173&prodName=TK60S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.49 грн
10+96.40 грн
100+67.38 грн
500+51.26 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MN07ACA14T Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-He-Product-Overview.pdf Description: MN07 NAS B2B 14TB
Packaging: Bulk
Memory Size: 14TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG07ACP14TE Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG07ACA-Product-Manual_r2.pdf Description: MG07 14TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG,EL TB67S580FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S580FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151507&prodName=TB67S580FNG Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG,EL TB67S580FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S580FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151507&prodName=TB67S580FNG Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.93 грн
10+81.73 грн
25+74.25 грн
100+61.95 грн
250+58.28 грн
500+56.05 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG,EL TB67S581FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S581FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151461&prodName=TB67S581FNG Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG,EL TB67S581FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S581FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151461&prodName=TB67S581FNG Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.93 грн
10+81.73 грн
25+74.25 грн
100+61.95 грн
250+58.28 грн
500+56.05 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP266J(TPL,E TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J_datasheet_en_20200217.pdf?did=13731&prodName=TLP266J Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Turn On Time: 30µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.35 грн
6000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP266J(TPL,E TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J_datasheet_en_20200217.pdf?did=13731&prodName=TLP266J Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Turn On Time: 30µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 8132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.15 грн
10+47.60 грн
100+32.26 грн
500+24.61 грн
1000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(D4-TP,E TLP5832(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832 Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(D4-TP,E TLP5832(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832 Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
10+140.58 грн
100+103.64 грн
500+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(TP,E TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832 Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(TP,E TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832 Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
10+140.58 грн
100+103.64 грн
500+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(D4,E TLP5832(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832 Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
75+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(E TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832 Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
75+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176A(F TLP4176A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4176A_datasheet_en_20211215.pdf?did=65816&prodName=TLP4176A Description: SSR RELAY SPST-NC 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 500 mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2.5 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.53 грн
10+129.10 грн
100+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176A(TP,F TLP4176A(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65816&prodName=TLP4176A Description: SSR RELAY SPST-NC 500MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 500 mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2.5 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EN
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG04SCA20EE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOMCAT-R 2TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.60mm x 26.10mm
Memory Size: 2TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SAS
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R10AQM,LQ TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM
TPH3R10AQM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.23 грн
10+106.85 грн
100+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTA Toshiba_N300_SalesSheet_English_07-27-21.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 65°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDWG440XZSTB Toshiba_N300Pro-SalesSheet_English-Web.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N300PRO 4TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12569.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2367(TPL,E TLP2367_datasheet_en_20171025.pdf?did=36692&prodName=TLP2367
TLP2367(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED LOGIC OUTPUT OPTOCOUP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 50MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 15mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2ns, 1ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 20ns, 20ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P816R,LF docget.jsp?did=69472&prodName=SSM6P816R
SSM6P816R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.79 грн
10+34.85 грн
100+22.44 грн
500+16.05 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.53 грн
10+93.77 грн
100+66.94 грн
500+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(D4TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(D4TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(D4TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.50 грн
10+96.80 грн
100+69.33 грн
500+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5705H(TP4,E TLP5705H_datasheet_en_20220901.pdf?did=139564&prodName=TLP5705H
TLP5705H(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 37ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.50 грн
10+96.80 грн
100+69.33 грн
500+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1
TPH3R70APL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL1,LQ docget.jsp?did=69027&prodName=TPH3R70APL1
TPH3R70APL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.23 грн
10+106.13 грн
100+72.12 грн
500+54.02 грн
1000+49.63 грн
2000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40
CUHS20F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.46 грн
6000+5.93 грн
9000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F40,H3F CUHS20F40_datasheet_en_20190831.pdf?did=63600&prodName=CUHS20F40
CUHS20F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V
на замовлення 26254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.26 грн
15+22.17 грн
100+14.26 грн
500+10.03 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU
TC7SU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
6000+4.77 грн
15000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SU04FU,LF TC7SU04FU_datasheet_en_20170802.pdf?did=20190&prodName=TC7SU04FU
TC7SU04FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 4.8V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 23313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
16+21.21 грн
25+18.53 грн
100+11.26 грн
250+9.33 грн
500+7.46 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410
RN1411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1411,LXHF docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410
RN1411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411
RN2411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2411,LXHF RN2411_datasheet_en_20210830.pdf?did=18878&prodName=RN2411
RN2411,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
23+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.05 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415
RN2415,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415
RN2415,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
23+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.05 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHF RN2405_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2405
RN2405,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2405,LXHF RN2405_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2405
RN2405,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.01 грн
23+13.95 грн
100+8.72 грн
500+6.05 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHF RN2409_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2409
RN2409,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.97 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LXHF RN2409_datasheet_en_20210830.pdf?did=18876&prodName=RN2409
RN2409,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHF
RN1417,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LXHF
RN1417,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412,LXHF
RN1412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412,LXHF
RN1412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHF
RN2404,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404,LXHF
RN2404,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHF
RN1410,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LXHF
RN1410,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHF
RN1413,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413,LXHF
RN1413,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQ docget.jsp?did=58173&prodName=TK60S10N1L
TK60S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+46.84 грн
4000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQ docget.jsp?did=58173&prodName=TK60S10N1L
TK60S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.49 грн
10+96.40 грн
100+67.38 грн
500+51.26 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MN07ACA14T cHDD-MN-He-Product-Overview.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN07 NAS B2B 14TB
Packaging: Bulk
Memory Size: 14TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG07ACP14TE eHDD-MG07ACA-Product-Manual_r2.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MG07 14TB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG,EL TB67S580FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151507&prodName=TB67S580FNG
TB67S580FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S580FNG,EL TB67S580FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151507&prodName=TB67S580FNG
TB67S580FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.93 грн
10+81.73 грн
25+74.25 грн
100+61.95 грн
250+58.28 грн
500+56.05 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG,EL TB67S581FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151461&prodName=TB67S581FNG
TB67S581FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S581FNG,EL TB67S581FNG_datasheet_en_20230207.pdf?did=151461&prodName=TB67S581FNG
TB67S581FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPING MOTOR CONTROL DRIVER IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.6A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8.2V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 8.2V ~ 44V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.93 грн
10+81.73 грн
25+74.25 грн
100+61.95 грн
250+58.28 грн
500+56.05 грн
1000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP266J(TPL,E TLP266J_datasheet_en_20200217.pdf?did=13731&prodName=TLP266J
TLP266J(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Turn On Time: 30µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.35 грн
6000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP266J(TPL,E TLP266J_datasheet_en_20200217.pdf?did=13731&prodName=TLP266J
TLP266J(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.27V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Hold (Ih): 600µA (Typ)
Turn On Time: 30µs
Supplier Device Package: 6-SOP
Zero Crossing Circuit: Yes
Static dV/dt (Min): 200V/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 8132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.15 грн
10+47.60 грн
100+32.26 грн
500+24.61 грн
1000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(D4-TP,E TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832
TLP5832(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(D4-TP,E TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832
TLP5832(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
10+140.58 грн
100+103.64 грн
500+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(TP,E TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832
TLP5832(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(TP,E TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832
TLP5832(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
10+140.58 грн
100+103.64 грн
500+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(D4,E TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832
TLP5832(D4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
75+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5832(E TLP5832_datasheet_en_20190226.pdf?did=58387&prodName=TLP5832
TLP5832(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT GATE DRIVE PHOTOCOUPLER; SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 15V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 200ns, 200ns
Number of Channels: 1
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
75+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176A(F TLP4176A_datasheet_en_20211215.pdf?did=65816&prodName=TLP4176A
TLP4176A(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 500MA 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 500 mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2.5 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.53 грн
10+129.10 грн
100+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4176A(TP,F docget.jsp?did=65816&prodName=TLP4176A
TLP4176A(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 500MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 500 mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2.5 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]