Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13498) > Сторінка 207 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP4590A(D4TP5,F TLP4590A(D4TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP5,F TLP4590A(D4TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
100+180.02 грн
250+171.90 грн
500+163.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F TLP4590A(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F TLP4590A(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
100+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(F TLP4590A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
100+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590AF(LF4,F TLP4590AF(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(LF5,F TLP4590A(LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(LF1,F TLP4590A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590AF(F TLP4590AF(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG.pdf Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG.pdf Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.30 грн
10+190.94 грн
25+175.25 грн
100+148.30 грн
250+140.59 грн
500+135.94 грн
1000+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) TC74HC595AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) TC74HC595AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.75 грн
10+42.45 грн
25+38.25 грн
100+31.54 грн
250+29.45 грн
500+28.19 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.71 грн
3000+90.97 грн
4500+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.68 грн
10+130.74 грн
25+119.46 грн
100+100.46 грн
250+94.89 грн
500+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA EVB-TCKE805NA Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false Description: EVAL BOARD FOR TCKE805NA
Packaging: Bulk
Function: Electronic Fuses (eFuse)
Type: Circuit Protection
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TCKE805NA
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 4.4V ~ 18V Input Voltage
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.18 грн
10+46.17 грн
100+31.92 грн
500+26.43 грн
1000+22.63 грн
2000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8136.LQ TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13492&prodName=TK31A60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+613.22 грн
50+322.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.87 грн
23+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.87 грн
23+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.50 грн
10+101.58 грн
25+96.40 грн
100+74.30 грн
250+69.45 грн
500+61.38 грн
1000+47.66 грн
2500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 10µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 10µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.02 грн
11+32.70 грн
25+29.86 грн
100+20.86 грн
250+18.91 грн
500+15.65 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.09 грн
10+91.84 грн
100+61.84 грн
500+45.96 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163K,F TPD4163K,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153141&prodName=TPD4163K Description: 600V; IPD; 1A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.84 грн
15+327.27 грн
30+309.38 грн
105+267.21 грн
255+255.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164K,F TPD4164K,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152747&prodName=TPD4164K Description: 600V; IPD; 2A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.31 грн
15+383.21 грн
30+362.78 грн
105+314.01 грн
255+300.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.74 грн
11+30.64 грн
100+20.41 грн
500+15.94 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.28 грн
10+195.07 грн
25+186.32 грн
50+168.85 грн
100+163.06 грн
250+155.71 грн
500+147.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.17 грн
14+24.36 грн
100+15.47 грн
500+10.91 грн
1000+9.74 грн
2000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.95 грн
10+92.42 грн
100+68.40 грн
500+58.98 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.45 грн
15+23.21 грн
100+15.13 грн
500+10.66 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.59 грн
15+22.71 грн
100+14.77 грн
500+10.39 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.24 грн
10+129.50 грн
100+103.02 грн
500+81.81 грн
1000+69.41 грн
2000+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.53 грн
10+109.26 грн
100+74.21 грн
500+55.58 грн
1000+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(LF4,E TLP2766A(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.92 грн
10+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP5,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(D4TP5,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP5,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(D4TP5,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
100+180.02 грн
250+171.90 грн
500+163.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(D4TP1,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(D4TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.1 ~ 1.4VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
100+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
100+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590AF(LF4,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590AF(LF4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(LF5,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(LF5,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
50+186.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590A(LF1,F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590A(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
10+215.39 грн
25+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP4590AF(F TLP4590A_datasheet_en_20230601.pdf?did=70530&prodName=TLP4590A
TLP4590AF(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NC 1.2A 0-60V
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NC (1 Form B)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.2 A
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 600 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG.pdf
TB67S279FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG.pdf
TB67S279FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.30 грн
10+190.94 грн
25+175.25 грн
100+148.30 грн
250+140.59 грн
500+135.94 грн
1000+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF
TC74HC595AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF
TC74HC595AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.75 грн
10+42.45 грн
25+38.25 грн
100+31.54 грн
250+29.45 грн
500+28.19 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB
XPJR6604PB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+96.71 грн
3000+90.97 грн
4500+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB
XPJR6604PB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.68 грн
10+130.74 грн
25+119.46 грн
100+100.46 грн
250+94.89 грн
500+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF
TC4001BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF
TC4001BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false
EVB-TCKE805NA
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EVAL BOARD FOR TCKE805NA
Packaging: Bulk
Function: Electronic Fuses (eFuse)
Type: Circuit Protection
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TCKE805NA
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 4.4V ~ 18V Input Voltage
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105
TPCC8105,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105
TPCC8105,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.18 грн
10+46.17 грн
100+31.92 грн
500+26.43 грн
1000+22.63 грн
2000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8136.LQ
TPCC8136.LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX docget.jsp?did=13492&prodName=TK31A60W
TK31A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.22 грн
50+322.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412
RN2412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
6000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412
RN2412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.87 грн
23+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413
RN2413,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413
RN2413,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.87 грн
23+14.45 грн
100+9.04 грн
500+6.26 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G
TCK322G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G
TCK322G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+101.58 грн
25+96.40 грн
100+74.30 грн
250+69.45 грн
500+61.38 грн
1000+47.66 грн
2500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F
TC75S55FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 10µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F
TC75S55FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 10µA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 700 µA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.02 грн
11+32.70 грн
25+29.86 грн
100+20.86 грн
250+18.91 грн
500+15.65 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GRL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(BL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(HO-GB,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.09 грн
10+91.84 грн
100+61.84 грн
500+45.96 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163K,F docget.jsp?did=153141&prodName=TPD4163K
TPD4163K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.84 грн
15+327.27 грн
30+309.38 грн
105+267.21 грн
255+255.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164K,F docget.jsp?did=152747&prodName=TPD4164K
TPD4164K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.31 грн
15+383.21 грн
30+362.78 грн
105+314.01 грн
255+300.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.74 грн
11+30.64 грн
100+20.41 грн
500+15.94 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553
TLP3553(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553
TLP3553(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.28 грн
10+195.07 грн
25+186.32 грн
50+168.85 грн
100+163.06 грн
250+155.71 грн
500+147.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N
DF5G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N
DF5G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.17 грн
14+24.36 грн
100+15.47 грн
500+10.91 грн
1000+9.74 грн
2000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E
TLP3906(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E
TLP3906(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PHVOLT SO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.95 грн
10+92.42 грн
100+68.40 грн
500+58.98 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40
CUHS20S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63610&prodName=CUHS20S40
CUHS20S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
15+23.21 грн
100+15.13 грн
500+10.66 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60
CUHS20F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60
CUHS20F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.59 грн
15+22.71 грн
100+14.77 грн
500+10.39 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC
XPH2R106NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC
XPH2R106NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.24 грн
10+129.50 грн
100+103.02 грн
500+81.81 грн
1000+69.41 грн
2000+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf
TK5P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.53 грн
10+109.26 грн
100+74.21 грн
500+55.58 грн
1000+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(LF4,E TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A
TLP2766A(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.92 грн
10+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]