Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 207 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG.pdf Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG.pdf Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.43 грн
10+176.54 грн
25+162.03 грн
100+137.11 грн
250+129.98 грн
500+125.68 грн
1000+120.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) TC74HC595AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) TC74HC595AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+39.86 грн
25+35.89 грн
100+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+89.41 грн
3000+84.10 грн
4500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.89 грн
10+120.87 грн
25+110.44 грн
100+92.87 грн
250+87.73 грн
500+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA EVB-TCKE805NA Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false Description: EVAL BOARD FOR TCKE805NA
Contents: Board(s)
Embedded: No
Primary Attributes: 4.4V ~ 18V Input Voltage
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TCKE805NA
Type: Circuit Protection
Function: Electronic Fuses (eFuse)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+42.68 грн
100+29.51 грн
500+24.43 грн
1000+20.93 грн
2000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8136.LQ TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13492&prodName=TK31A60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.94 грн
50+298.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.36 грн
100+8.35 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.36 грн
100+8.35 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.63 грн
10+93.92 грн
25+89.12 грн
100+68.69 грн
250+64.21 грн
500+56.75 грн
1000+44.07 грн
2500+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Current - Output / Channel: 700 µA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Supply: 10µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Current - Output / Channel: 700 µA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Supply: 10µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
11+30.24 грн
25+27.61 грн
100+19.29 грн
250+17.48 грн
500+14.47 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.76 грн
10+84.91 грн
100+57.18 грн
500+42.49 грн
1000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163K,F TPD4163K,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=153141&prodName=TPD4163K Description: 600V; IPD; 1A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.22 грн
15+302.57 грн
30+286.03 грн
105+247.05 грн
255+235.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164K,F TPD4164K,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152747&prodName=TPD4164K Description: 600V; IPD; 2A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.99 грн
15+354.29 грн
30+335.41 грн
105+290.31 грн
255+277.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF SSM6K809R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
11+28.33 грн
100+18.87 грн
500+14.74 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553 Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.13 грн
10+180.35 грн
25+172.26 грн
50+156.11 грн
100+150.76 грн
250+143.96 грн
500+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.53 грн
100+14.30 грн
500+10.09 грн
1000+9.01 грн
2000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15186&prodName=TLP3906 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15186&prodName=TLP3906 Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.53 грн
10+83.08 грн
100+63.01 грн
500+50.82 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63610&prodName=CUHS20S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.26 грн
9000+6.89 грн
15000+6.07 грн
21000+5.84 грн
30000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63610&prodName=CUHS20S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 50897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
14+22.14 грн
100+14.06 грн
500+9.91 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
15+21.00 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.07 грн
10+119.73 грн
100+95.25 грн
500+75.63 грн
1000+64.17 грн
2000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.66 грн
10+93.08 грн
100+63.27 грн
500+47.38 грн
1000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(LF4,E TLP2766A(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.25 грн
10+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
18+17.03 грн
100+10.74 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
2000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.28 грн
10+76.51 грн
100+51.22 грн
500+37.91 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
15+20.77 грн
100+10.51 грн
500+8.04 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Power - Max: 700 mW
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68 Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Power - Max: 700 mW
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
11+28.48 грн
100+19.78 грн
500+14.49 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.41 грн
26+12.14 грн
100+5.72 грн
500+5.27 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG.pdf
TB67S279FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S279FTG,EL TB67S279FTG.pdf
TB67S279FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+243.43 грн
10+176.54 грн
25+162.03 грн
100+137.11 грн
250+129.98 грн
500+125.68 грн
1000+120.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF
TC74HC595AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC595AF(EL,F) docget.jsp?did=16512&prodName=TC74HC595AF
TC74HC595AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.88 грн
10+39.86 грн
25+35.89 грн
100+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB
XPJR6604PB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+89.41 грн
3000+84.10 грн
4500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPJR6604PB,LXHQ docget.jsp?did=153003&prodName=XPJR6604PB
XPJR6604PB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.66mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: S-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11380 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.89 грн
10+120.87 грн
25+110.44 грн
100+92.87 грн
250+87.73 грн
500+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF
TC4001BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4001BF(EL,N,F) TC4001BF_datasheet_en_20160112.pdf?did=14370&prodName=TC4001BF
TC4001BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVB-TCKE805NA docget.jsp?did=139443&prodName=TCKE800NA&returnFlg=false
EVB-TCKE805NA
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: EVAL BOARD FOR TCKE805NA
Contents: Board(s)
Embedded: No
Primary Attributes: 4.4V ~ 18V Input Voltage
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TCKE805NA
Type: Circuit Protection
Function: Electronic Fuses (eFuse)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105
TPCC8105,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105
TPCC8105,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.81 грн
10+42.68 грн
100+29.51 грн
500+24.43 грн
1000+20.93 грн
2000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8136.LQ
TPCC8136.LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX docget.jsp?did=13492&prodName=TK31A60W
TK31A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+566.94 грн
50+298.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412
RN2412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412
RN2412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.36 грн
100+8.35 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413
RN2413,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2413,LXHF RN2413_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2413
RN2413,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.36 грн
100+8.35 грн
500+5.79 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G
TCK322G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK322G,LF TCK321G_datasheet_en_20151020.pdf?did=30721&prodName=TCK321G
TCK322G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 2:1 16WCSP
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 98mOhm
Voltage - Load: 2.3V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 2:1
Supplier Device Package: 16-WCSPC (1.9x1.9)
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.63 грн
10+93.92 грн
25+89.12 грн
100+68.69 грн
250+64.21 грн
500+56.75 грн
1000+44.07 грн
2500+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F
TC75S55FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Current - Output / Channel: 700 µA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Supply: 10µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S55FU(TE85L,F) TC75S55F_datasheet_en_20190911.pdf?did=21009&prodName=TC75S55F
TC75S55FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Current - Output / Channel: 700 µA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Slew Rate: 0.7V/µs
Current - Supply: 10µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.85 грн
11+30.24 грн
25+27.61 грн
100+19.29 грн
250+17.48 грн
500+14.47 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GRL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(BL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GR-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(HO-GB,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(GB-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP632(LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Mosfets_Prod_Guide.pdf
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.76 грн
10+84.91 грн
100+57.18 грн
500+42.49 грн
1000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4163K,F docget.jsp?did=153141&prodName=TPD4163K
TPD4163K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 1A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+424.22 грн
15+302.57 грн
30+286.03 грн
105+247.05 грн
255+235.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4164K,F docget.jsp?did=152747&prodName=TPD4164K
TPD4164K,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 600V; IPD; 2A; HDIP30 INTELLIGEN
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 135°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+493.99 грн
15+354.29 грн
30+335.41 грн
105+290.31 грн
255+277.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K809R,LF docget.jsp?did=63955&prodName=SSM6K809R
SSM6K809R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.99 грн
11+28.33 грн
100+18.87 грн
500+14.74 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553
TLP3553(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3553(TP1,F) TLP3553_datasheet_en_20200325.pdf?did=11945&prodName=TLP3553
TLP3553(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 3A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 3 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 80 mOhms
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.13 грн
10+180.35 грн
25+172.26 грн
50+156.11 грн
100+150.76 грн
250+143.96 грн
500+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N
DF5G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5G6M4N,LF DF5G6M4N_datasheet_en_20220126.pdf?did=57534&prodName=DF5G6M4N
DF5G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (1.3x0.8)
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.06 грн
14+22.53 грн
100+14.30 грн
500+10.09 грн
1000+9.01 грн
2000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E docget.jsp?did=15186&prodName=TLP3906
TLP3906(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3906(TPR,E docget.jsp?did=15186&prodName=TLP3906
TLP3906(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Photovoltaic
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 12µA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 7V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200µs, 300µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.53 грн
10+83.08 грн
100+63.01 грн
500+50.82 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F docget.jsp?did=63610&prodName=CUHS20S40
CUHS20S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.29 грн
6000+7.26 грн
9000+6.89 грн
15000+6.07 грн
21000+5.84 грн
30000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20S40,H3F docget.jsp?did=63610&prodName=CUHS20S40
CUHS20S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V
на замовлення 50897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.27 грн
14+22.14 грн
100+14.06 грн
500+9.91 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60
CUHS20F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS20F60,H3F docget.jsp?did=70188&prodName=CUHS20F60
CUHS20F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.68 грн
15+21.00 грн
100+13.65 грн
500+9.61 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC
XPH2R106NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPH2R106NC,L1XHQ XPN12006NC_catalog_20160325_ALQ00006.pdf?did=36157&prodName=XPN12006NC
XPH2R106NC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.07 грн
10+119.73 грн
100+95.25 грн
500+75.63 грн
1000+64.17 грн
2000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf
TK5P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.66 грн
10+93.08 грн
100+63.27 грн
500+47.38 грн
1000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(LF4,E TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A
TLP2766A(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Data Rate: 20MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.25 грн
10+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LXHF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.55 грн
18+17.03 грн
100+10.74 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
2000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.28 грн
10+76.51 грн
100+51.22 грн
500+37.91 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
HN1D02FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.55 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
HN1D02FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.92 грн
15+20.77 грн
100+10.51 грн
500+8.04 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ16(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Power - Max: 700 mW
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRZ16(TE85L,Q,M) CRY68_datasheet_en_20141010.pdf?did=3175&prodName=CRY68
CRZ16(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123F
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Power - Max: 700 mW
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.89 грн
11+28.48 грн
100+19.78 грн
500+14.49 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40
CUS10F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10F40,H3F CUS10F40_datasheet_en_20160609.pdf?did=53238&prodName=CUS10F40
CUS10F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 74pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.41 грн
26+12.14 грн
100+5.72 грн
500+5.27 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]